【課題】製造装置における運転工程、製造装置に供給されるガスの種類およびガス流量をコントローラに入力することにより、真空ポンプ、排ガス処理装置等を最適な運転条件で運転することができ、また排気系システム側の機器のメンテナンス要求等を製造装置側に出力することにより、適正なタイミングで排気系システムの機器をメンテナンスできる排気系システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は液晶又はＬＥＤ又は太陽電池を製造する製造装置のチャンバを排気する排気系システムにおいて、真空ポンプ装置３と、排ガスを処理する排ガス処理装置５と、真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するコントローラ６とを備え、製造装置１の運転工程、製造装置１に供給されたガスの種類およびガス流量の情報をコントローラ６に入力して真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】混合基板の選択された領域上に、Ｓｉ含有膜を選択的に堆積するためのトリシランおよびハロゲン含有エッチャントソース（塩素など）を使用する化学気相成長方法を提供すること。
【解決手段】ドーパントソースは、ドープしたＳｉ含有膜を選択的に堆積させるために、トリシランおよびエッチャントソースと混合することもできる。この選択的堆積方法は、半導体製造などの様々な用途に有用である。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な非極性基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体基板の製造方法は、サファイア基板１０上に、ＧａＮ層１１と、Ａｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層１２とが交互に積層された半導体成長層２０を形成する工程と、半導体成長層２０を、半導体成長層２０の成長面と交差する方向に沿って分割することにより、ＧａＮ層１１からなる第１領域１１ａとＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層１２からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された非極性面からなる主表面（切り出し面１００ａ）を有する半導体基板１００を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】装置の小型化と腐食性ガスに対する耐腐食性を兼ね備えたマスフローコントローラシステムを提供する。
【解決手段】実施形態のマスフローコントローラシステム５００は、腐食性ガスが導入され、前記腐食性ガスに対する耐腐食性処理が施された第１マスフローコントローラ１００と、非腐食性ガスが導入される第２マスフローコントローラ２００と、前記第１マスフローコントローラに複数種類の腐食性ガスをそれぞれ供給する複数の第１ガス配管３１、３２、３３と、前記第２マスフローコントローラに複数種類の非腐食性ガスをそれぞれ供給する複数の第２ガス配管３４、３５、３６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 低コストで、優れた性能をもつシリコン系薄膜を提供するために、タクトタイムが短くて、高速の成膜速度で特性のすぐれたシリコン系薄膜と、それを含む半導体素子。さらにこのシリコン系薄膜を用いた密着性、耐環境性などに優れた半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｉ型半導体層と前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面領域であって前記ｉ型半導体層と前記ｐ型半導体層またはｎ型半導体層との界面から１．０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の界面領域の微結晶が（１００）面に優先配向しており、前記ｉ型半導体層の層厚方向における前記微結晶のエックス線または電子線による（２２０）面の回折強度の全回折強度に対する割合である（２２０）面の配向性が前記ｉ型半導体層の下地層である前記ｐ型半導体層又は前記ｎ型半導体層側では小さく、前記下地層から離れるに伴って大きくなるように変化する。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物結晶成長装置において、加熱機構に起因して発生するベース基板のそりを低減し、かつ、速い結晶成長速度を達成できるような高温度を両立できるような装置を提供する。
【解決手段】少なくともハロゲン化アルミニウムガスを含むＩＩＩ族原料ガスと窒素源ガスの原料ガスをベース基板１６表面に沿った流れで供給し、アルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層を該ベース基板表面に成長させるアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置において、反応部へ供給するまでの原料ガスの温度を該ガスの反応温度未満とし、かつアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物層が成長するベース基板表面に対向する反応部内の面に加熱面を有する第二加熱手段１９を設置したことを特徴とするアルミニウム系ＩＩＩ族窒化物製造装置である。 （もっと読む）

【課題】真性微結晶シリコン層のための方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、真性微結晶シリコン層を形成する方法は、加工チャンバ内に配置された基板の表面へガス混合物中で供給されるシランガスを動的に増加させるステップと、加工チャンバへ供給されるガス混合物中で印加されるＲＦ電力を動的に減少させて、ガス混合物中でプラズマを形成するステップと、基板上に真性微結晶シリコン層を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でサセプタの回転軸の振れを抑制してエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる気相成長装置、及びそれを利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置され、回転軸周りに回転するバレル型サセプタとを備えた気相成長装置において、前記サセプタの回転軸はコレットチャック機構により固定されているものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】導電体の熱断線の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】反応性ガスが導入される密封可能なチャンバーと、前記チャンバー内に対向状に配置されたカソード電極およびアノード電極を有し前記カソード電極と前記アノード電極の間でプラズマ放電を発生する放電部と、前記カソード電極に電力を供給する電源と、前記電源と前記カソード電極とを電気的に接続する導電体と、前記導電体を冷却する空冷手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】キャリアのライフタイムを長寿命化した結晶系シリコン基板を提供できる表面処理方法及び当該結晶系シリコン基板を用いて特性が向上した太陽電池セルを製造できる太陽電池セルの製造方法を提供する。
【解決手段】ホスフィンガスと水素ガスとを含む反応性ガスを、加熱された触媒体に接触させることによりラジカルを発生させ、このラジカルを、結晶系シリコンからなる被処理基板５１に供給することにより被処理基板５１の表面処理を行う。当該処理がなされた被処理基板５１には、リンがドープされたｎ^＋型ドープ層５２が形成される。次に、当該ｎ^＋型ドープ層５２にシリコン窒化膜５３を形成する。これにより、被処理基板５１とシリコン窒化膜５３との界面におけるキャリアの寿命が長寿命化する。また、当該処理基板５１を用いて特性が向上した太陽電池セル５０が得られる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ₂ からなる基板１００上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのＴｉ膜１０１を形成した。次に、ＳｉＯ₂ 基板１００上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Ｔｉからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Ｔｉからの成長開始時間よりも長い。その結果、ＳｉＯ₂ 基板１００上のうち、Ｔｉ膜１０１が形成されずにＳｉＯ₂ が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ｔｉ膜１０１上にのみ、カーボンナノウォール１０２が形成された。 （もっと読む）

【課題】 厚み分布が小さく、温度変化による転位および不純物が少ない高品質な単結晶体を提供する。
【解決手段】 単結晶を形成させるための主面が水平となるように設けられた種基板を、回転軸が鉛直方向となるように回転させる工程と、前記種基板に向かって開口したガス供給口を先端に有し、同軸構造の外筒部と内筒部とから構成されたガス供給管の前記ガス供給口において、前記内筒部から３族元素ガスまたは５族元素ガスのいずれか一方を前記種基板に直接供給させ、前記内筒部と前記外筒部との間から３族元素ガスまたは５族元素ガスの他方のガスを、前記内筒部からのガス供給速度よりも遅いガス供給速度にて、前記種基板に直接供給させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】排出ストリームを削減するための改良された方法および装置を提供すること。
【解決手段】特定の実施形態では、ガスストリームから汚染物質を除去する際に使用するための装置が提供される。該装置は、複数の積層多孔性セラミックリングから形成された熱反応ユニットを含む。該多孔性セラミックリングの第１は第１の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有しており、該多孔性セラミックリングの第２は第２のＣＴＥを有している。他の態様も提供される。 （もっと読む）

シランのような原料ガスまたは前駆体ガスをクラッキングすることにより、ウエハまたは基板の表面上に、アモルファスシリコンまたはエピタキシャルシリコンのような薄膜を堆積するのに使用するホットワイヤ型化学気相堆積装置。装置は、真空チャンバと、前駆体ガスをチャンバ内に注入する操作が可能な前駆体ガス源とを含んでいる。ＨＷＣＶＤ装置は、堆積チャンバに曝される支持表面を有する加熱器も含んでおり、加熱器は、支持表面上に配置された基板を加熱するように操作可能である。装置は、フィラメントの材料を抵抗加熱するために選択的にフィラメントに電流を流すために、加熱器と前駆体ガス供給口との間に配置されたフィラメントを有する接触分解アセンブリを含んでいる。フィラメント材料はタンタル炭化物のような炭化物であっても良く、炭化物はグラファイトコア上に被覆されても良い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャルウェーハ裏面における傷、接触痕を発生させるのを防止し、且つ半永久的に使用できるサセプタを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置用サセプタは、サセプタ基材の少なくともウェーハ支持領域に、ガラス状カーボン製のウェーハ支持部材を交換可能に設置したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャルウェーハ裏面への傷、接触痕を防止でき、且つ高温処理において変形が起こりにくい気相成長装置用サセプタ及び該サセプタを用いた気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置用サセプタは、SiCを基材とするサセプタの表面全面又は少なくともウェーハ支持部を、ガラス状カーボンで被覆したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極上の付着物に加え、電極の外周近傍に設けられた部材上の付着物を速やかに除去することができる成膜装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ状態の変化に対応して、第１の条件でプラズマを発生させる工程から第２の条件でプラズマを発生させる工程への移行が行われる。第２の条件は、第１の条件に比して、第１の対の電極１１、１２間において外周方向へプラズマを拡げる条件である。第１の対の電極１１、１２に接続されたインピーダンス整合回路４１の回路定数の変化に対応して、第１の条件でプラズマを発生させる工程から第２の条件でプラズマを発生させる工程への移行が行われる。第１および第２の条件の各々はＡｒガスとＮＦ₃ガスとの混合ガスを用いるものである。第２の条件は、ＮＦ₃ガス流量に対するＡｒガス流量の比率である流量比が高い条件である。 （もっと読む）

本発明の諸実施形態は、多層堆積する間中の欠陥を低減する方法を提示する。一実施形態では、この方法は、基板をプラズマの存在下で第１のガス混合物および不活性ガスに曝して、基板上に第１の材料の層を堆積するステップと、第１の材料の所望の厚さが得られたときに、プラズマを引き続き維持しつつ不活性ガスを流しながら、第１のガス混合物を終了させるステップと、基板をプラズマの存在下で、第１のガス混合物と共存できる不活性ガスおよび第２のガス混合物に曝して、第１の材料の層の上に第２の材料の層を同じ処理チャンバ内で堆積するステップとを含み、第１の材料の層と第２の材料の層は互いに異なる。
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