【課題】
加熱触媒体の腐食劣化を低減することのできる薄膜形成装置のクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】
第二の電極に高周波電力を印加する工程と、水素ガスまたは不活性ガスを含んだキャリアガスを前記第一供給口から前記チャンバー内に供給する工程と、分子式にフッ素（Ｆ）を含んだガスまたは分子式に塩素（Ｃｌ）を含んだクリーニングガスを前記第二供給口から前記チャンバー内に供給する工程と、前記クリーニングガスを前記第一の電極と第二の電極間に生じるグロー放電によるプラズマ空間において活性化する工程と、を有し、前記第一供給口の個数をｎ_１、開口径をｄ_１、前記第一供給口を流れるキャリアガスの全流量Ｑ_１、前記第二供給口の個数をｎ_２、前記開口径をｄ_２、前記第二供給口を流れるクリーニングガスの全流量Ｑ_２、チャンバー内の圧力をＰとしたとき、Ｑ_１≧（ｄ_１^２・ｎ_１）／（ｄ_２^２・ｎ_２）×Ｑ_２、Ｐ≦２００Ｐａを満たす。 （もっと読む）

【課題】
巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。
【解決手段】
本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットＤの結晶成長レート及び／もしくは埋め込み層Ｌ４の結晶成長速度として１ＭＬ／ｓ（モノレイヤー・パー・セカンド）以上によって層形成させる。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムを含む薄膜の成膜後にゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する際の前記汚染を防止する。
【解決手段】被処理体Ｗを保持具２５に保持させて反応容器２内に搬入し成膜を行う熱処理装置１の運転方法において、反応容器２内に処理ガスを供給すると共に反応容器２内を加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムを含む薄膜を成膜する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗが搬入されていない状態でクリーニングガスを供給して前記反応容器２内に成膜されたゲルマニウムを含む薄膜を除去する工程と、酸化ガスと水素ガスとを反応容器２内に供給すると共に加熱して活性化されたガスにより反応容器２内に存在するゲルマニウムを除去する工程と、その後に反応容器２内に被処理体Ｗを搬入して処理ガスを供給すると共に加熱して被処理体Ｗにゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生に起因する被処理体へのダメージを抑制しつつ，好適なプラズマ処理を行う。
【解決手段】半導体ウエハＷにプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室１０１と，半導体ウエハＷを，プラズマ処理室１０１内に配置するための載置台１０２と，該プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生装置１０８とを少なくとも含むプラズマ処理装置１００において，マイクロ波発生装置１０８に，断続的なエネルギー供給可能なもの使用している。 （もっと読む）

【課題】電流の立ち上り特性、リーク電流特性に優れた結晶性シリコン薄膜半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１００上に、アモルファスシリコン層１０１、パタンニングされたソース及びドレイン電極層１０２、基板１００側でアモルファスシリコン層１０１に接触しかつソースおよびドレイン電極層１０２にオーミック接触した結晶性シリコン層１０４、ならびにアモルファスシリコン層１０１に接触した結晶性シリコン層１０４の基板１００とは反対側にゲート絶縁層１０５を挟んで配置されたゲート電極層１０６、を有することを特徴とする薄膜半導体装置。 （もっと読む）

プラズマ反応処理を用いたフルオロカーボン層の形成方法は、マイクロ波出力及びRFバイアスを印加する工程を有する。前記マイクロ波出力及びRFバイアスは、20mTorr〜60mTorrの範囲の圧力下で印加される。
（もっと読む）

２つの電極間に電流のための電気的に対称なグラウンドパスまたはリターンパスを設けるための方法および装置が説明される。この装置は、電極の中の１つに結合され、処理チャンバの側壁および／または底部間に位置する少なくとも１つの高周波（ＲＦ）デバイスを備える。この方法は、ある電極を他の電極に対して移動させるステップと、側壁および電極に結合されたＲＦデバイス、チャンバの底部および電極に結合されたＲＦデバイス、またはそれらの組合せの中の１つまたは複数を使用して、変位された電極の位置に基づきグラウンドリターンパスを実現するステップとを含む。
（もっと読む）

【課題】膜特性の優れた堆積膜を生産性良く形成することができる堆積膜形成装置および堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】減圧可能で内部に基体１０２を設置可能な反応容器部１０１および、反応容器部１０１との間を開口および閉口する弁体を有するゲートバルブ部１３０からなり、弁体により反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を開口して、反応容器部１０１の中に基体１０２を搬入し、堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、ゲートバルブ部は、弁体を摺擦することが可能な摺擦部材と、弁体が反応容器部１０１とゲートバルブ部１３０との間を閉口している位置から開口している位置に移動する際に、弁体と摺擦部材を摺擦させるか否かの選択可能であって、摺擦させる場合に、摺擦部材が弁体を摺擦することによって、弁体に付着した異物を除去し、さらに除去した異物を反応容器部１０１の中へ落とすことが可能な摺擦機構を有する。 （もっと読む）

【課題】 処理室内のドライクリーニング直後の薄膜形成工程における成膜速度の低下を抑制しつつ、処理室内の金属汚染や石英部材の破損を抑制すると共に、装置稼働率を向上させる。
【解決手段】 第１の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとして、フッ素ガスを単独で、もしくは不活性ガスで希釈されたフッ素ガスを単独で供給し、処理室内に堆積した薄膜を熱化学反応により除去する工程と、第２の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとして、フッ素ガスを単独で、もしくは不活性ガスで希釈されたフッ素ガスを単独で供給し、薄膜の除去後に処理室内に残留した付着物を熱化学反応により取り除く工程と、を有し、第２の温度を第１の温度と同等の温度とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚や膜特性の均一性に優れた堆積膜を生産性良くさらに低コスト形成することができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基体ホルダに保持された円筒状基体に対向して配置された電極部材に高周波電力を印加して円筒状基体と電極部材との間にプラズマを生起し円筒状基体の表面に堆積膜を形成するＣＶＤ装置であって、電極部材は円筒状基体の円筒面に正対している部分と正対していない部分を有し、正対していない部分の一部の直径が正対している部分の直径よりも小さく、かつ正対していない部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離が正対している部分から円筒状基体またはこれと同電位の部材への最短距離よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】高速で再現性のある、均一性が高く、かつ高速な半導体又は液晶ディスプレイの製造を可能とする装置を提供する。
【解決手段】設定流量より任意の過剰のガスを任意の時間供給することが可能である装置内の圧力及び複数のガス分圧の制御システムを装置の上流に備え、制御システムと装置の下流に備えられた開度可変型流体制御バルブもしくは排気速度可変型真空排気装置とを連動させる事により装置内の圧力及び複数のガス分圧を一定に保つ事が可能なフィードフォワード方式の製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】同時に複数の基板をローディング／アンローディングすることができる原子層蒸着装置を提供する。
【解決手段】複数の基板をプロセスモジュールに移動するときに、複数の基板をローディング／アンローディング可能な原子層蒸着装置は、基板をローディングおよびアンローディングするローディング／アンローディングモジュール１０と、複数の基板を同時に収容して蒸着工程が実行される複数のプロセスチャンバ３１を備え、プロセスチャンバの内部の排気ガスを吸入して、プロセスチャンバの上部に排出させるように排気部が備えられたガス噴射ユニットが備えられるプロセスモジュール３０と、ローディング／アンローディングユニットとプロセスモジュールとの間に備えられ、基板を移送するが複数の基板を同時にパージして移送するトランスファーロボットを備えるトランスファーモジュール２０とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ウエハを安定して載置可能であるとともに、ウエハがサセプタに貼り付くことを防止可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 ウエハの表面に膜を成長させる成膜装置であって、チャンバと、チャンバ内に設置されており、ウエハが載置される載置部を備えるサセプタと、載置部に載置されるウエハを加熱するヒータと、加熱されることによって反応して固体を生成する原料ガスをチャンバ内に導入する原料ガス導入手段と、サセプタ内に形成されており、下流端が載置部の周囲のサセプタ外周部に開口している阻害ガス流路と、原料ガスの反応を阻害する阻害ガスを阻害ガス流路に供給する阻害ガス供給手段を有している。 （もっと読む）

薄膜材料の形成のための、蒸着システムおよびプロセス。一実施形態では、このプロセスは、第１の材料の流れから初期プラズマを形成すること、並びにそのプラズマを空間的および／または時間的に進化させて、薄膜材料の品質に悪影響を及ぼす化学種を消滅させることを含む。初期プラズマが最適状態に進化した後、第２の材料の流れが、蒸着チャンバー内に注入され、高品質の薄膜材料の形成をより助長する化学種の分布を含む、複合プラズマを形成する。この蒸着システムは、２つ以上の流れ（原材料またはキャリアガス）をプラズマ領域内に注入するための、複数の供給ポイントを有する蒸着チャンバーを含む。供給ポイントは、空間的に互い違いに配置され、第１の材料の流れの蒸着原材料から形成された上流のプラズマを、下流の材料の流れがそのプラズマと結合する前に、進化させる。異なる材料の流れの注入はまた、時間的に同期される。材料の流れの空間的協調および時間的同期の正味の効果は、薄膜光起電力材料の高い蒸着率での蒸着に、化学種の分布が最適化された、プラズマである。供給デバイスは、ノズルおよび遠隔プラズマ源を含む。 （もっと読む）

ＡＬＤ及びＭＯＣＶＤ法などの薄膜堆積プロセスに使用される前駆体材料を保持するための前駆体ソース容器を記載する。特に、該容器は、液体前駆体又は溶解前駆体溶液及び濯ぎ溶媒の両方を別個のチャンバに保持し、総体的なスペース要件を削減している。一態様において、シリンダー内シリンダーの配置が、二つの別個のチャンバ、すなわち一つは前駆体溶液用、もう一つは濯ぎ溶媒用のチャンバを提供している。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等の単結晶基板とその上に気相成長させた単結晶薄膜との間に発生するミスフィット転位を、定量的で高感度、且つ簡便に評価するためのエピタキシャルウェーハの評価方法と、それを利用したエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板の主表面上に、該単結晶基板と格子定数の異なる単結晶薄膜を気相成長させて作製したエピタキシャルウェーハの格子定数に基づくミスフィット転位の量を評価する方法であって、前記単結晶基板と前記単結晶薄膜の格子定数の差による前記エピタキシャルウェーハの反り量の理論値をシミュレーションによって求め、また前記エピタキシャルウェーハの反り量を実測し、前記理論値と前記実測値の差を比較することで前記エピタキシャルウェーハ中のミスフィット転位の量を評価することを特徴とするエピタキシャルウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置のユニットセルを構成する半導体層として、欠陥が低減された非単結晶半導体層を形成し、光電変換効率の向上を図る。
【解決手段】第１電極と第２電極との間に、一導電型である第１不純物半導体層と、真性である非単結晶半導体層と、第１不純物半導体層と逆導電型である第２不純物半導体層と、が順に積層されて半導体接合を構成するユニットセルを１つ以上含み、光入射側に配置されたユニットセルにおいて、非単結晶半導体層は、二次イオン質量分析法によって計測される濃度で、窒素を５×１０^１８／ｃｍ^３以上５×１０^２０／ｃｍ^３以下の濃度範囲で含み、酸素および炭素は５×１０^１８／ｃｍ^３未満の濃度である光電変換装置とする。 （もっと読む）

【課題】 安定な高速成膜化が可能なＣａｔ−ＰＥＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 本発明のＣａｔ−ＰＥＣＶＤ装置は、原料ガスの少なくとも１つを熱触媒体により加熱する加熱励起部と、前記加熱された原料ガスをプラズマで活性化させて成膜する薄膜形成部とを備え、前記薄膜形成部には、基板を載置するための載置台と、前記加熱された水素ガスおよびシラン系ガスをそれぞれ分離した状態で噴出するための複数のガス噴出口が、前記載置台に対向するように配置される、プラズマ発生電極を兼ねるシャワーヘッドとが設けられる、Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ装置であって、前記加熱励起部には、外部と連通可能な連通部が形成され、前記連通部の外部側の開口部に嵌合可能な、前記熱触媒体を配設する熱触媒体交換ユニットが備えられることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】拡散空間を備えたシャワーヘッド方式を採用しても、均一な基板処理を可能とする基板処理装置を提供すること。
【解決手段】反応ガス供給部６が、反応ガス供給管７１ｂに接続され、処理空間Ｓに対して反応ガスＢを吐出する複数の吐出孔６４を有する拡散空間６３を含み、反応ガス供給管７１ｂに接続されて拡散空間６３の内部に設けられ、この拡散空間６３の内部において拡散空間６３の平面方向に沿って環状をなし、拡散空間６３に対して反応ガスＢを吐出する複数の小孔１０４を有し、末端１０２が閉塞している環状部位１０３を有した反応ガス吐出部１００を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板処理時の処理室の温度上昇を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内で基板２００を保持するサセプタ２１７と、基板２００を加熱するヒータ２０７とを備えた処理装置において、処理室２０１の内壁面はアルマイト処理せずにアルミニウム合金表面として放射率が小さい第一放射部２０１ａを設け、処理室２０１の外壁面はアルマイト処理して放射率が大きい第二放射部２０１ｂを設ける。処理室外壁面の放射率が大きいので、外壁面側での放射による大気への熱の逃げを増加でき、処理室温度の上昇を抑制できる。処理室内壁面の放射率が小さいので、処理室の輻射による不用意な温度上昇を抑制でき、エネルギ損失を小さく抑制できる。 （もっと読む）