【課題】レンズの反射を抑制することが可能な酸化膜を低温下で形成する。
【解決手段】基板に形成されたレンズの上に、第１元素を含む第１原料、第２元素を含む第２原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、レンズの屈折率より小さい屈折率を有する下層酸化膜を形成する下層酸化膜形成工程と、下層酸化膜の上に、第１原料、酸化剤および触媒を用いて空気の屈折率より大きく、下層酸化膜の屈折率より小さい屈折率を有する上層酸化膜を形成する上層酸化膜形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶を複数片に分離する際の断面の歪の導入を低減し、窒化物半導体結晶の利用効率を上げることが可能な窒化物半導体結晶構造及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体結晶１０から板状の結晶片を分離し、分離した前記板状の結晶片から窒化物半導体自立基板を作製するための窒化物半導体結晶構造において、レーザー光の照射による加熱分解で前記板状の結晶片に分離すべく、前記窒化物半導体結晶１０内に、該窒化物半導体結晶１０の成長時にバンドギャップの異なる組成の光吸収層２を単層または複数層形成したものである。 （もっと読む）

本発明の実施形態は概して、基板上への化学気相蒸着（ＣＶＤ）のための方法及び装置、特には有機金属化学気相蒸着における使用のための処理チャンバ及び部品に関する。本装置は、処理容積を画成するチャンバ本体を備える。第１平面のシャワーヘッドが、処理容積の上部を画成する。第２平面のキャリアプレートが処理容積を横断して延び、シャワーヘッドとサセプタプレートとの間に上方処理容積を形成する。第３平面の透明材が処理容積の底部を画成し、キャリアプレートとの間で下方処理容積を形成する。複数のランプが、透明材の下に位置する１つ以上のゾーンを形成する。本装置は、より大型の基板全体で温度を均一に維持しながらも均等な前駆体流れと前駆体の混合をもたらし、これに対応してスループットが上昇する。
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【課題】製造する半導体装置の特性バラツキが低減されたクリーンルームを提供する。
【解決手段】真空チャンバーの外側から大気成分の酸素ガスや窒素ガスが、真空チャンバー内に侵入しないように、半導体膜に悪影響を与えないガスで充満させた部屋に真空チャンバーを設置する。半導体膜に悪影響を与えないガスは希ガスまたは水素である。部屋内の製造装置周辺の酸素濃度、窒素濃度、および水分濃度は、極力少なくなるようなクリーンルーム構成とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する表示装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、逆スタガ型薄膜トランジスタは、ゲート電極上にゲート絶縁膜が形成され、ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域として機能する微結晶半導体膜（セミアモルファス半導体膜ともいう。）が形成され、微結晶半導体膜上にバッファー層が形成され、バッファー層上に一対のソース領域及びドレイン領域が形成され、ソース領域及びドレイン領域に接する一対のソース電極及びドレイン電極が形成される。上記において、微結晶半導体膜を表面に水素プラズマを作用させたゲート絶縁膜上に形成する。 （もっと読む）

【課題】 シリコンを含有するエピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】 特定の実施形態は、半導体デバイス、例えば、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）デバイスにおけるエピタキシャル層の形成と処理に関する。特定の実施形態において、エピタキシャル層の形成は、プロセスチャンバ内の基板をシランや高次シランのような二つ以上のシリコン源を含む堆積ガスにさらすことを含んでいる。実施形態は、エピタキシャル層の形成中にリンドーパントのようなドーパント源を流すステップと、リンドーパントを含まずにシリコン源ガスによる堆積を続けるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン上の窒化物単結晶成長方法とこれを用いた発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一側面は、結晶方向が（１１１）である上面を有するシリコン基板３１を備える段階と、上記シリコン基板の上面に第１窒化物バッファ層３２を形成する段階と、上記第１窒化物バッファ層上に非晶質酸化物薄膜３３を形成する段階と、上記非晶質酸化物薄膜上に第２窒化物バッファ層３４を形成する段階と、上記第２窒化物バッファ層上に窒化物単結晶を形成する段階とを含む窒化物単結晶成長方法を提供する。また、上記の窒化物単結晶成長方法を用いた窒化物発光素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】シリコン又はシリコン-ゲルマニウムの太陽電池を製造するための新規で従来に無い方法及びシステムを提供する。
【解決手段】シリコン(又はシリコン-ゲルマニウム)の高純度のガス及び／又は液体の中間化合物は、熱プラズマ化学堆積法又は熱プラズマ吹付技術によって多結晶膜に直接に変換される。シリコン(又はシリコン-ゲルマニウム)の中間化合物は、２０００乃至約２００００Ｋの温度である熱プラズマ源の中に注入される。化合物が解離して、シリコン(又はシリコン-ゲルマニウム)が基板上に堆積される。バルク値に近い密度を有する多結晶の膜が、冷却時に得られる。PN接合の太陽電池が吹付により直接に準備されるか、熱処理後のドープされた膜が、高性能で低コストの存立可能な太陽電池に高い生産性で変換される。ロールからロールへのあるいはクラスタツール型の自動化された連続システムが提供される。
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【課題】本発明は、CVDプロセス堆積チャンバ及び設備の壁、表面などに形成された不所望の堆積副生成物を、該CVDプロセス・チャンバ及び設備から除去するリモート・プラズマ・クリーニングを改善する。
【解決手段】リモート・クリーニング方法の改善点は、前記プラズマの存在においてフリーラジカルを形成することができるフリーラジカル開始剤を、前記プラズマを生成するために採用されたリモート・プラズマ発生器の下流に提供することにある。 （もっと読む）

【課題】エッチングプラズマ処理設備によって生成される放出ガス流中の活発な活性ガス化学種の存在及び濃度を下流側の位置でモニタリングすることによってプラズマ状態を決定するための方法及びシステムを提供する。
【解決手段】エッチングプラズマ処理設備のプラズマ状態を決定するための方法であって、活発なガス化学種が存在することによる温度変化を示すことができその温度変化に対応して温度変化を表す出力信号を生成することができる少なくとも１つのセンサエレメントを提供するステップと、エッチングプラズマ処理設備によって生成される放出ガス流にセンサエレメントを下流側の位置で接触させるステップと、センサエレメントによって生成される、放出ガス流中に活発なガス化学種が存在することによって生じる温度変化を表す出力信号に基づいて、エッチングプラズマ処理設備のプラズマ状態を決定するステップと、を含む方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）