【課題】 従来のＣＶＤ法と同等の厚い膜厚で、膜質が良質な絶縁膜を低温で形成できる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 シリコン層上に、ＣＶＤ法により絶縁膜としての酸化珪素膜を成膜するＣＶＤ工程（ステップＳ２）と、希ガスと酸素を含む処理ガスを用い６．７Ｐａ以上２６７Ｐａ以下の範囲内の圧力条件で発生させたプラズマにより、酸化珪素膜を改質処理するプラズマ改質処理工程（ステップＳ４）とを、酸化珪素膜が所望の膜厚に達するまで繰り返し実施する。 （もっと読む）

【課題】基板の加工に適したラジカル種密度を増大させ、イオンラジカルエネルギーを基板の加工に適したエネルギー値、狭帯域エネルギー幅に制御して、精緻加工を行うことができ、また、優れた埋め込み成膜を行うことが可能な基板のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】チャンバー２１内に配置された基板保持電極２２及び対向電極２３と、基板保持電極２２に対して５０ＭＨｚ以上の高周波を印加する高周波発生装置２７と、この高周波と重畳するようにＤＣ負パルス電圧を印加するＤＣ負パルス発生装置２９と、高周波の印加が間欠的に行われるよう制御するとともに、高周波のオン・オフのタイミングに応じてＤＣ負パルス電圧の印加が間欠的に行われるよう制御する制御器３０を備えている。 （もっと読む）

【課題】従来の気相成長装置は、安全性の観点から改良すべき点がある。本発明は、安全性を大幅に改善した新規な気相成長装置、及びこの装置におけるガス混合回避方法を提供するものである。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、チャンバー１０３に収容されたウェハ１０２上に、気相成長法により成膜するために、成膜に必要なガスを供給する第１の流路１０５ａ，１０５ｂと、この第１のガス流路のガスを制御するバルブ１０７Ａ、１０７ａ、１０７Ｂ、１０７ｂと、前記チャンバー１０３内をクリーニングするために、クリーニング用ガスを前記チャンバー１０３内に供給する第２の流路１０８と、前記チャンバー内のガスを排気する第３の流路１１０とを備えてなる気相成長装置であって、前記バルブを直列の２段構成（１０７Ａと１０７ａ、１０７Ｂと１０７ｂ）とし、その２段構成のバルブの間に圧力スイッチ１１４Ａ，１１４Ｂを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜の膜質特性を精度良く制御することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内に、シラン系ガスと窒化ガスとを供給して被処理体の表面にシリコン窒化膜よりなる薄膜を形成する成膜処理を行うようにした成膜方法において、シラン系ガスを供給するシラン系ガス供給工程と窒化ガスを供給する窒化ガス供給工程とを交互に繰り返し行うと共に、繰り返される複数の窒化ガス供給工程にはプラズマを立てる窒化ガス供給工程とプラズマを立てない窒化ガス供給工程とを含ませることにより薄膜の膜質を制御する。 （もっと読む）

【課題】異種材料基材上において、界面及び膜中の結晶性の高い微結晶半導体膜の形成方法を提案する。また、結晶性の高い微結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタの作製方法を提案する。また、結晶性の高い微結晶半導体膜を有する光電変換装置の作製方法を提案する。
【解決手段】被膜上に、密度が高く、且つ結晶性の高い結晶核を形成した後、結晶核から半導体の結晶粒を結晶成長させて、被膜との界面における結晶性、隣接する結晶粒の密着性、及び結晶粒の結晶性、それぞれを高めた微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置のウエハ処理室とターボ分子ポンプの間には、ウエハ処理室から異物が落下してターボ分子ポンプに障害を与えないように、異物遮蔽板が設けられている。しかし、これによって確かに、ウエハ処理室からのマクロ異物の落下等は防止できるものの、逆にターボ分子ポンプからウエハ処理室へもたらされるミクロ異物は回避できない。
【解決手段】本願発明は気相処理装置の気相処理室とターボ分子ポンプの間に置く異物遮蔽板を二重にした状態で気相処理を実行するものである。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理機器および方法の分野に関し、特に、リアクタチャンバの内部、例えば、チャンバ壁およびその他の場所にある望ましくない堆積物をｉｎ−ｓｉｔｕ除去するための方法および装置を提供する。本発明は、高スループットの成長プロセスに洗浄ステップを統合し組み込む方法を提供する。好ましくは、成長を延期し洗浄を開始する必要があるときと、洗浄を終了し成長を再開する必要があるときは、センサ入力に基づいて自動的に判定される。本発明はまた、本発明の統合された洗浄／成長方法を効率的に実行するためのリアクタ・チャンバ・システムを提供する。 （もっと読む）

【課題】自立基板の反りを低減した窒化物半導体自立基板及び窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において１０個／ｃｍ^２以上から６００個／ｃｍ^２以下の密度でインバージョンドメインを有する。 （もっと読む）

【課題】気相成長膜を積層形成する所要時間を短縮し、効率的に気相成長法による積層形成の半導体素子を製造することを可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の気相成長装置は、ウェーハＷが挿入されるチャンバ２と、前記チャンバ２内に原料ガス、キャリアガスもしくはドーパントガスのうち少なくともいずれかを導入するガス導入手段３と、前記ガス導入手段３により前記ウェーハＷ上に気相成長膜を形成する気相成長膜形成手段１と、前記チャンバ２内をキャリアガスでパージするパージ手段３と、前記ウェーハＷを所定の回転速度で回転させる回転駆動手段６と、前記ウェーハＷを加熱する加熱手段８と、を備え、前記回転駆動手段６は、前記気相成長膜形成手段１における第一の回転速度が、前記パージ手段における第二の回転速度より速い回転速度に制御することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体生産性の向上と共に、気相成長反応の副生成物による金属部品の腐食を防止することを可能とする気相成長膜形成装置および気相成長膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる気相成長膜形成装置は、ウェーハＷが挿入されるチャンバ２と、前記チャンバ２内で前記ウェーハＷを所定の回転速度で回転させる回転駆動手段６と、前記ウェーハＷを加熱する加熱手段８と、前記チャンバ２内に気相成長膜を形成するための第一の原料ガスを供給する第一の原料ガス供給手段１１と、前記チャンバ２内に前記第一の原料ガスとは異なる第二の原料ガスを供給する第二の原料ガス供給手段１３と、前記チャンバ２内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給手段１２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 特定の設備仕様を有するプラズマ反応炉処理システムにおいて、与えられた供給ガス流量の上限値の制約の下に、プロセスチャンバ内におけるプロセスガス濃度を、所望の濃度プロファイルをもって精密に制御すること。
【解決手段】 既知のプロセスガス濃度とその濃度における希釈ガス又はプロセスガスのプラズマ発光強度との関係を示す検量線を作成し、これを用いてガス供給量のパルス状変化とそれに伴うガス濃度のパルス応答との関係を示すパルス応答特性を求め、ガス供給量の変化とガス濃度変化との関係を規定するモデルを作成し、このモデルを用いた供給量変化と濃度変化との関係を示す関数行列式に、所望のプロセスガス濃度変化を代入することで、最適流量値変化を求め、これを実際のプラズマ反応炉システムに適用して運転を行う。 （もっと読む）

【課題】設定温度プロファイルの決定の容易化を図った基板処理装置，基板処理装置の制御方法，およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板処理装置が，基板への，所定の設定温度プロファイルに従う加熱および処理ガスの供給の処理によって，前記基板に膜を形成する基板処理部と，温度の変化量と膜厚の変化量との対応関係を表す第１の温度−膜厚関係を導出する第１の導出部と，前記設定温度プロファイルに従って処理された基板の複数箇所の測定膜厚を入力する入力部と，前記第１の温度−膜厚関係，前記複数箇所の測定膜厚，および所定の目標膜厚に基づいて，前記設定温度プロファイルの温度を決定する第１の決定部と，を具備する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を抑制しつつクリーニングの頻度を小さくしてスループットを向上させることが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた縦型の筒体状の処理容器４と、被処理体Ｗを複数段に保持して処理容器内に挿脱される保持手段１２と、処理容器の外周に設けられる加熱手段９６と、処理容器内へガスを供給するガス供給手段２８，３０，３６と、処理容器内の長手方向に沿って設けられて対向する電極を有するプラズマボックス６６と、プラズマ発生用の高周波電力を発生する高周波電源７６と、対向する電極と高周波電源とを接続すると共にいずれか一方が接地された対の給電導体と７８，８０を備え、被処理体に所定の処理を施すようにした処理装置において、対の給電導体の途中に、対向する電極のグランド側とホット側とを切り替えるための切替手段８４を設ける。 （もっと読む）

【課題】 処理チャンバの構成材料に取り込まれていたメタルが揮発することを抑制でき、飛散量の許容範囲の狭まりにも対応することが可能な基板処理装置のメタル汚染低減方法を提供できる。
【解決手段】 処理容器１と、処理容器１内に配置され、被処理体を保持する保持部材５を含む容器内部材７、８、９とを備えた基板処理装置のメタル汚染低減方法であって、処理容器１内の内壁、及び容器内部材７、８、９の表面上を、ハロゲンを含まないプリカーサーを用いて形成したシリコン酸化膜でプリコートする（ＭＳ−ＨＴＯコート）。 （もっと読む）

【課題】
ガス検知器による稼働時間の低下を無くすと共に有毒ガスの非検知状態を解消することで、作業の安全性を向上させる。
【解決手段】
基板２３を処理する反応管１８と、該反応管内にガスを供給する供給系２９と、前記反応管内を排気する排気系３３と、前記供給系又は前記排気系に設けられ、ガスを検知する少なくとも２以上のガス検知器１４ａ，１４ｂと、前記少なくとも２以上のガス検知器の内少なくともいずれか１は常時ガスを検知できる様制御するコントローラ４９とを具備する。
（もっと読む）

【課題】堆積物を除去する堆積物除去具の耐用期間を延ばし、堆積物除去具の交換の回数を低減することにより気相成長装置の生産性を向上させる。
【解決手段】
チャンバ１０１と、チャンバ１０１から排出される気相成長後の第１のガスおよびクリーニング後の第２のガスを無害化する無害化室１０４と、チャンバ１０１と無害化室１０４とを接続し、チャンバ１０１から排出される気相成長後の第１のガスおよびクリーニング後の第２のガスを無害化室１０４内に導入する配管１０３と、配管１０３の内部に所定の周期で移動自在に設けられ、気相成長後の第１のガスの無害化によって生じた堆積物を除去する第１の周期と、クリーニング後の第２のガスの無害化によって生じた堆積物を除去する、第１の周期よりも長い第２の周期とを切り換えて往復動する堆積物除去具とを備えることを特徴とする。これにより、堆積物除去具１０６の耐用期間を延ばすことができる。
（もっと読む）

【課題】水素終端化された高品質な多結晶Ｓｉ膜を含む半導体薄膜を低温、高速成膜することで、良好な特性のＴＦＴを安定して実現し、高品質、高画質の半導体装置および表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に形成したＳｉ、Ｇｅ、Ｆ、Ｈを含有する半導体層４を、良好な結晶性が得られる反応熱ＣＶＤ法で形成した多結晶ＳｉＧｅ膜または多結晶Ｓｉ膜を第一層４aとその上層の第二層４bとの複数層の連続成膜で積層構造に構成し、該半導体層４中のＨ濃度を絶縁性基板１側に対して表面側にある第二層４bで高くした。 （もっと読む）

【課題】 下地（Ｎ＋）へのエッチングを防ぎ、且つ比較的速い成膜レートで成膜することができる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板を処理室内に搬入する第一のステップと、第一の温度に前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第一のシラン系ガスと第一のエッチングガスを供給する第二のステップと、前記第一の温度から第二の温度へ変更する第三のステップと、第一の温度と異なる温度である前記第二の温度に前記シリコン基板を加熱しつつ、前記処理室内に少なくとも第二のシラン系ガスと第二のエッチングガスを供給する第四のステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶基板自体の破壊靭性を改善する。
【解決手段】窒化物半導体単結晶基板は、ＧａＮの組成と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、１．２ＭＰａ・ｍ^1/2以上の破壊靭性値と、２０ｃｍ²以上の面積をと有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】結晶性がよく且つクラックの低減された高品質の縦型窒化物半導体デバイスをシリコン基板上に安価に製造する方法を提供すること。
【解決手段】Ｓ３０１で、有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）装置において、このＭＯＶＰＥ装置の動作基板温度範囲に分解温度が属する炭素源を用いてシリコン基板２０１を炭化し、炭化珪素層２０２を形成する。Ｓ３０２で、継続してこのＭＯＶＰＥ装置において、炭化珪素層２０２上にＡｌＧａＮバッファ層２０３を形成する。そしてＳ３０３で、継続してこのＭＯＶＰＥ装置において、ＡｌＧａＮバッファ層２０３上に窒化物半導体層２０４を積層する。Ｓ３０４で、電極の形成等を行う。本発明では、シリコン基板上の、結晶性がよく且つクラックの低減された高品質の縦型窒化物半導体デバイスも提供される。 （もっと読む）