【課題】窒化物半導体単結晶基板自体の破壊靭性を改善する。
【解決手段】窒化物半導体単結晶基板は、ＧａＮの組成と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、１．２ＭＰａ・ｍ^1/2以上の破壊靭性値と、２０ｃｍ²以上の面積をと有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】基板が汚染されるのを防止又は抑制する。
【解決手段】基板処理装置は、内部空間が隔壁２３６により成膜空間とプラズマ生成空間２３７とに区画される反応管２０３を有している。反応管２０３に収容される基板に所望の膜を形成するときは、ノズル２３３，２４９から第１の処理ガスと第２の処理ガスとを反応管２０３内に供給する。他方、反応管２０３のプラズマ生成空間２３７を構成する部位を所望の膜５００でコーティングするときは、ノズル２３３から第２の処理ガスと第３の処理ガスとをプラズマ生成空間２３７に供給する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層にエピ欠陥が形成されることがなく、かつバルク部に高密度のＢＭＤが形成されることによって強力なゲッタリング能力を備えたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェーハの製造方法において、チョクラルスキー法によって、抵抗制御用ドーパントを除いては炭素のみをドープしてシリコン単結晶棒を育成し、該シリコン単結晶棒をスライスしてシリコン単結晶ウェーハに加工した後、急速加熱・急速冷却（ＲＴＡ）装置を用いて熱処理を行い、その後、該単結晶ウェーハ表面にエピタキシャル層を形成することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ウェハ上に成膜される気相成長膜の全面における膜厚や不純物濃度の均一性を向上させる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、ガス供給部１０３と、チャンバ１０１内をバッファ領域１３０と反応領域１４０とに区分するとともに、貫通孔１２０が形成されプロセスガスを整流するガス整流板１０２と、バッファ領域１３０であって、ガス整流板１０２に対して所定距離離間して設けられ、ガス整流板１０２を通過するプロセスガスの流量を制御するガス遮蔽板１０４と、反応領域１４０に設けられ、ウェハ１０５を載置するホルダ１０６と、チャンバ１０１内からプロセスガスを排気するガス排気部１１０とを備えることを特徴とする。これにより、ウェハ１０５の気相成長膜が成膜される全面に供給するプロセスガスの流量を調整し、ウェハ１０５全面における膜厚や不純物濃度の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＰ基板を用いた電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩｎＰ基板１と、このＩｎＰ基板上に形成されたバッファ層２と、このバッファ層上に形成された電子走行層３と、この電子走行層上に形成されたスペーサ層４と、このスペーサ層上に形成された電子供給層５と、この電子供給層上に形成されたバリア層６と、このバリア層上に形成されたエッチストップ層７と、このエッチストップ層上に形成された高電子濃度コンタクト層８と、この高電子濃度コンタクト層上に形成された高電子濃度キャップ層９からなる多層膜構造を備え、電子走行層がＩｎＧａＡｓで、スペーサ層がＩｎＡｌＡｓで、電子供給層の電子親和力が、電子供給層の下にあるスペーサ層よりも小さいＩｎＡｌＰで、かつ電子供給層の電子密度が、１×１０¹⁹乃至３×１０¹⁹／ｃｍ³の均一ドーピングを行なうことによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】堆積速度を低下させることなく、５００℃以下で直接形成される良質な微結晶半導体を大面積基板に生産性良く形成し、当該微結晶半導体を光電変換層とする光電変換装置を提供する。
【解決手段】並置された複数の導波管３２１と、壁面で囲まれた処理室３１６にヘリウムを含む反応性気体を供給し、処理室３１６内の圧力を大気圧若しくは準大気圧に保持しつつ、並置された導波管３２１で挟まれた空間にマイクロ波を供給してプラズマを生成し、処理室３１６内に載置された基板上に微結晶半導体でなる光電変換層を堆積する。並置された複数の導波管３２１の対向する面にスリットが設けられ、該スリットを介して処理室３１６内にマイクロ波を供給しプラズマを生成することでプラズマの高密度化を図る。 （もっと読む）

【課題】堆積法で形成される微結晶半導体層の成膜速度を向上させ、微結晶半導体ＴＦＴにより構成される表示装置の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】並置された複数の導波管と、壁面で囲まれた処理室にヘリウムを含む反応性気体を供給し、処理室内の圧力を大気圧若しくは準大気圧に保持しつつ、並置された導波管で挟まれた空間にマイクロ波を供給してプラズマを生成し、処理室内に載置された基板上に微結晶半導体でなる微結晶半導体層を堆積する。プラズマは、並置された複数の導波管の対向する面にスリットが設けられ、該スリットを介して処理室内にマイクロ波が供給されることにより生成され高密度化が図られる。プラズマを生成するときの圧力は大気圧若しくは準大気圧であり、代表的には、１×１０^２Ｐａ以上１×１０^５Ｐａ以下の圧力が適用される。 （もっと読む）

【課題】形成する膜の屈折率やエッチングレートについてのウエハ相互間の差を抑止しつつ、ウエハ相互間の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】複数枚のウエハ１をボート２０で保持してヒータ３２で加熱しつつ処理室３４内に成膜ガスを供給して熱ＣＶＤ法でウエハ１に成膜する成膜工程において、処理室３４内のウエハ配列方向に温度勾配を設けずに、成膜ガスを処理室３４の下端から上端に向かって流す第一フローステップと、上端から下端に向かって流す第二フローステップとを１サイクルとし、このサイクルを１回もしくは複数回実施する。処理室内に温度勾配がないので、ウエハ相互間の屈折率やエッチングレートを均一化できる。第一フローによる成膜により生じたＢＴＭ側ウエハ膜厚とＴＯＰ側ウエハ膜厚との相違を第二フローによる成膜により相殺できるので、ウエハ相互間における膜厚を均一化できる。
（もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、基板を保持する基板保持具が揺れる等して基板が基板保持具に対して移動した場合にも基板保持具の保持溝に欠けが生じない様にする。
【解決手段】
天板及び底板に支持された少なくとも３本の支柱と該支柱それぞれに設けられ、基板を水平置き可能な保持溝１０６とを少なくとも有する基板保持具と、基板を前記基板保持具で保持しつつ処理する反応管とを有し、前記支柱の内、基板を前記保持溝に挿脱する側に位置する２本の支柱に於ける前記保持溝の溝底の中央部から基板を挿脱する側を凸曲面形状にした。
（もっと読む）

【課題】 二酸化ケイ素よりも大きな誘電率を持つ材料を反応装置の表面の少なくとも一部から除去する方法を提供すること。
【解決手段】 ホウ素含有反応剤を含む第1のガス混合物を反応装置に導入することにより、その第1のガス混合物をその反応装置に含まれている上記材料と反応させて揮発性生成物とホウ素含有副生成物を生成させるステップと；フッ素含有反応剤を含む第2のガス混合物を反応装置に導入することにより、その第2のガス混合物をその反応装置に含まれているホウ素含有副生成物と反応させて揮発性生成物を形成するステップと；上記揮発性生成物を反応装置から除去するステップとを含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】反応容器内の部材に含まれるＮａが、基板上に形成する膜中に取り込まれるのを十分に抑制しうる成膜装置及びそのコーティング方法を提供する。
【解決手段】ウェハ１８を収容する反応室１０と、反応室１０内に設けられたバッファ室２４と、プラズマによる活性化を必要とするＮＨ_３ガスと、ＤＣＳガスとをバッファ室２４内に供給するシャワーノズル２６と、バッファ室２４内においてＮＨ_３ガスを活性化するためのプラズマを生成する一対の高周波電極３８とを有する成膜装置において、ウェハ１８上にシリコン窒化膜を形成する前に、ＮＨ_３ガスとＤＣＳガスとをバッファ室２４内に供給することにより、バッファ室２４内部の表面をコーティングする。 （もっと読む）

【課題】正確な終点検出の可能な処理装置のドライクリーニング方法を提供する。
【解決手段】クリーニング中の、チャンバ圧、物質濃度又は堆積膜の厚さを測定、モニターするためのセンサを装置１１内に設け、センサからのデータを基に終点を検出する。または、チャンバ１１内にプラズマを部分的に発生させて、このプラズマの発光強度をモニターして終点を検出する。或いは、チャンバ内に光を照射し、チャンバ内を通過した光を測定、モニターして終点を検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、主に、リモートプラズマソース、及び、リモートプラズマソース内でプラズマを発生する方法を含む。
【解決手段】クリーニングガスは離れた場所においてプラズマに点火され、プロセスチャンバに供給される。冷却されたＲＦコイルの外側にクリーニングガスを流すことにより、プラズマは高い若しくは低い圧力の何れかの圧力により点火され、その一方で高いＲＦバイアスをコイルに供給する。ＲＦコイルを冷却することはコイルのスパッタリングを低減し、クリーニングガスによる処理チャンバへの不要なコンタミを低減する。コイルからのスパッタリングを低減することのより、リモートプラズマソースの利用寿命を延ばす。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置本体内に収納することができる処理容器の数を増やしつつ、装置が大型化することを抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００は、ウエハ２００を処理する処理炉２０２と、ウエハ２００が収納されたポッド１１０を筺体１１１内に搬送し、筺体１１１から搬出するために用いられるロードポート１１４と、ロードポート１１４からポッド１１０を搬送するために用いられるポッド搬送機構１１８ｂと、少なくとも一部分が重力方向において処理炉２０２と重なるように上方に配置されている上部収納部２５０とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体上にモフォロジの良好な半導体層を選択的にエピタキシャル成長させる。
【解決手段】リセスド・ソース・ドレイン型ｐＭＯＳＦＥＴを形成する際、ＳＴＩを形成したＳｉ基板上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し（ステップＳ１）、サイドウォールを形成した後（ステップＳ２）、その両側のＳｉ基板に部分的にリセスを形成する（ステップＳ３）。そして、そのＳｉ基板のリセス内に、下層部の方が上層部よりも、サイドウォールやＳＴＩに対する成長選択性が低くなるような条件を用いて、下層部と上層部をエピタキシャル成長させ、ＳｉＧｅ層を形成する（ステップＳ４，Ｓ５）。これにより、Ｓｉ基板のリセス内に、サイドウォール等に対する成長選択性を確保しつつ、モフォロジの劣化が抑えられたＳｉＧｅ層を形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 ソーラーセル用途のためのシリコン膜を堆積させる基板支持アセンブリとガス分配プレートとの間に勾配間隔が作られた方法及び装置を提供する。
【解決手段】 一実施形態において、ソーラーセル用途のための膜を堆積させる装置は、処理チャンバと、処理チャンバ内に配置され且つ上部に四辺形の基板を支持するように構成された基板支持体と、基板支持体の上で処理チャンバ内に配置されたガス分配プレートを含んでもよく、ここで、ガス分配プレートの底面は、縁と角を含む周辺を持ち、また、ガス分配プレートの角は、ガス分配プレートの縁より基板支持体に近い。 （もっと読む）

【課題】処理容器の構造を複雑化させることなくガスの使用効率及び製品のスループットを高く維持し、装置全体のコストを低下させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】所定の薄膜を形成するための成膜装置において、縦型円筒体状の処理容器２４と、被処理体Ｗを複数段に保持する保持手段３２と、処理容器の一側に、処理容器の半径方向の外側に向けて突出され且つ高さ方向に沿って設けられたプラズマ用ボックス部５０と、このボックス部内に活性化対象ガスを供給する活性化対象ガス供給手段６６と、このガスを活性化する活性化手段５６と、活性化の対象でない活性化非対象ガスを供給する活性化非対象ガス供給手段７４とを備え、処理容器を、プラズマ用ボックス部を設けた部分における容器内壁と被処理体のエッジ部との間の間隔が他の部分における容器内壁と被処理体のエッジ部との間の間隔よりも狭くなるように偏芯させて設ける。 （もっと読む）

【課題】クリーニングガス導入によりプラズマの処理チャンバ内の堆積物との反応性を高めて、また処理チャンバ内からガス排気を速めてクリーニングガスの消費量を削減する。
【解決手段】成膜処理終了後に、処理チャンバ１とは別のリモートプラズマユニット６にてクリーニングガスからプラズマを生成して、処理チャンバ１に導入する。クリーニングガスのプラズマ（Ｆ＊：フッ素ラジカル）と処理チャンバ１内の堆積物（被クリーニング物）とが反応して除去処理が進行する。このプラズマ導入と同時に、別のガス導入口よりキャリアガス（Ｈｅ）を処理チャンバ１内に導入する。このキャリアガスを導入し流すことで、処理チャンバ１内の堆積物とプラズマの反応性を高めるとともに、処理チャンバ１内でガスの滞在時間が短くなりガス排出を速くし、プラズマとの反応生成物の排気を速くする。引き続き処理チャンバ１を利用でき、クリーニングガスの消費量を削減できる。 （もっと読む）

【課題】 大面積かつ高品質のＡｌＮ単結晶などのIII族窒化物単結晶からなる基板を効率的に製造する方法を提供する。
【解決手段】 α−アルミナ単結晶の｛１ −１ ０ ２｝面または｛−１ １ ０ ４｝面と８０°〜１００°の角度で交差する面をα−アルミナ単結晶基板の主面とし、該α−アルミナ単結晶基板の主面上に、前記III族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させることにより、該α−アルミナ単結晶基板の厚みの０．３倍以上の厚みとなる前記III族窒化物単結晶よりなる層を積層した積層基板を製造し、α−アルミナ単結晶を分離することを特徴とするIII族窒化物単結晶基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＮＦ₃プラズマによるクリーニングにおいて、該プラズマに直接暴露される成膜装置内のＡｌまたはＡｌ合金製部品に表面処理を施しておくことなく、その部品表面の黒粉（ＡｌＦ）の発生を抑制する。
【解決手段】ａ−Ｓｉ：Ｈ膜の成膜後、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜またはａ−Ｓｉ：Ｈ膜を含んだ積層膜を除去（クリーニング）するため、チャンバー１内にＮＦ₃のガスを導入して放電空間にＮＦ₃プラズマを励起させて、プラズマクリーニングを実施する。このクリーニングにおいて、放電空間の圧力がバラトロン真空計４で５５［Ｐａ］〜９０［Ｐａ］になるようにバルブ５等にて調整する。 （もっと読む）