【課題】窒化ケイ素堆積のＬＰＣＶＤリアクターを低熱活性化温度で、より効果的にクリーニングする方法を提供する。
【解決手段】半導体処理チャンバーにおいて、望まれていない窒化ケイ素が推積した装置表面を、熱的に活性化した、予備希釈したフッ素源を用いてクリーニングするサーマルプロセス。このプロセスは、（ａ）不活性ガス中に予備希釈したフッ素をチャンバーを通して流すこと、（ｂ）チャンバーを２３０℃から５６５℃の高い温度に維持してフッ素を熱的に解離すること、（ｃ）（ｂ）中で熱的に解離したフッ素と、望まれていない窒化ケイ素との化学反応で揮発性の反応生成物を形成することによって、望まれていない窒化ケイ素を表面からクリーニングすること、（ｄ）チャンバーから揮発性の反応生成物を取り除くこと、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型またはｎ型に制御された低抵抗のＳｉＧｅからなる導電性パターンを基材上に選択的に５００℃以下の低温で形成することを可能にする。
【解決手段】ガラス又は酸化ケイ素からなる非晶質基材上にアルミニウム薄膜又はクロム薄膜をパターン状に形成し、フッ化ゲルマニウムとジシランを原料とした熱ＣＶＤ法によって、前記パターン状に形成されたアルミニウム薄膜又はクロム薄膜上にのみ選択的にＳｉＧｅを堆積する。得られた導電性パターンは、ＳｉＧｅ膜が、非晶質基材上にパターン状に形成されたアルミニウム薄膜又はクロム薄膜上にのみ選択的に形成され、非晶質基材上には形成されない。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体を提供する。
【解決手段】エッチングされた部分の少なくとも底面のシリコンが実質的に露出するようにシリコンをホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程と、そのホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程により形成されたシリコン構造体上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。その後、その形成されたシリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露する工程を行う。さらに、前述のホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程を再度行う。 （もっと読む）

【課題】エッチングされた部分の側壁の侵食防止とマスクの枯渇防止を実現し、シリコン材料に対して高アスペクト比の開口を形成するためのエッチングマスクを提供する。
【解決手段】ホールエッチング又はトレンチエッチングされ、かつそのホール又はトレンチの少なくとも底面のシリコンが露出しているシリコン構造体上にＣＶＤ法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。その後、そのシリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】 微結晶シリコン膜（結晶質を含むシリコン膜）の形成条件の最適化を容易に行うことにより、十分な結晶粒径を有し、構造欠陥を減少させ、半導体素子の特性向上及び光起電力素子の変換効率の向上と光劣化の抑制を高いレベルで両立させることを目的とする。
【解決手段】 結晶質を含むシリコン系薄膜からなる半導体層を含む半導体素子のプラズマＣＶＤ法による製造方法において、前記半導体層の形成時に高周波電極側が負となるように高周波電極と基板との間にバイアス電圧を印加する工程と、前記、高周波電極又は前記基板に発生するスパークを検知する工程と、前記検知結果に基づいて、継続時間が１００ｍｓｅｃ以上のスパークの発生回数が１回／ｍｉｎ以下となるように、高周波電力、バイアス電圧、バイアス電流、圧力、ガス流量、電極間距離の少なくとも１つを制御する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】反応容器内においてシリコンと塩素とを含むガスを用いて基板の熱処理を行うにあたり、この反応容器内の雰囲気を排気するために反応容器に接続された排気配管内に堆積したシリコンと塩素とを含む副生成物を簡便に且つ安全に除去すること。
【解決手段】基板の熱処理を行った後、前記排気配管に堆積した副生成物に対して酸素ガスを供給して、この副生成物を酸化し、次いでこの酸化物にフッ化水素ガスを供給して酸化物をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 品質及び特性の優れた半導体装置の形成が可能な半導体基板を製造する。
【解決手段】 半導体基板の表面に酸化膜を形成する工程と、前記表面を前記酸化膜が覆っている状態で前記半導体基板に炭素を５×１０¹³〜５×１０¹⁵ｃｍ^-2のドーズ量でイオン注入する工程と、前記表面を前記酸化膜が覆っている状態で前記イオン注入後に前記半導体基板をアニールする工程と、前記アニール後に前記表面上にエピタキシャル層を形成する工程とを有する。このため、不純物及び結晶欠陥を炭素によって強力にゲッタリングすることができる半導体基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】除害効率を高くし、かつランニングコストを低くすることができる除害装置を提供することを目的とする。
【解決手段】水１８に有毒ガスを含む排ガスを溶解させ、かつ排ガスを溶解させた水１８から放出された排ガスを排出する湿式除害部１０１と、湿式除害部１０１から排出された排ガス中の有毒ガスを吸着剤に吸着させ、かつその後に残る排ガスを排出する乾式除害部１０２とを有し、湿式除害部１０１において所定の除害効率を設定して除害することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フッ素を含有するクリーニングガスによりシャワーヘッド部のボディとシャワープレートとの接着面にフッ化アルミニウムが生成及び成長することにより生じる密着性不良によって引き起こされる温度伝達不良、ＲＦ伝達不良のない薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】反応チャンバ６と、反応チャンバ６内で被処理体を載置するためのサセプタ３と、反応チャンバ６内に前記サセプタ３と対向して略平行に設置されたシャワーヘッド９’とを備え、さらにシャワーヘッド９’は、平板状かつ中空構造のボディ１３と、当該ボディ１３の端部に固定され前記サセプタ方向に複数の細孔を有するガス噴出面を備えたシャワープレート１１とから構成されるとともに、ボディ１３とシャワープレート１１との接着面が、前記ガス噴出面に対して平行である水平面と前記ガス噴出面に対して垂直である垂直面とより構成される。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向膜を形成する際に、異物の発生を抑制し、配向膜を良好に形成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置は、基板を収容可能であり、収容した基板上に配向膜を形成可能な第１室と、第１室に配置され、基板上に配向膜を形成するための材料を供給可能な材料供給部と、第１室に配置され、材料供給部と基板との間に所定部材が配置されるように所定部材を着脱可能に保持する保持装置と、第１室と別の位置に配置され、所定部材をクリーニング可能なクリーニングシステムと、第１室の保持装置とクリーニングシステムとの間で所定部材を搬送する搬送システムとを備えている。 （もっと読む）

【課題】ワークのうちの製品または部品として使用する部分に、意図しない放電が生じるのを確実に防止しつつ、良好なプラズマ処理を施すことができるプラズマ処理装置、および、かかるプラズマ処理装置を用いて行うプラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワーク１０を収納するチャンバー２と、第１の電極３と、ワーク１０を介して第１の電極３と対向配置された第２の電極４と、各電極３、４間に高周波電圧を印加する電源回路５と、チャンバー２内にガスを供給するガス供給部６と、チャンバー２内のガスを排気する排気ポンプ７とを備えている。また、プラズマ処理装置１は、ワーク１０の縁部を挿入可能な凹部２５３を備え、この凹部２５３にワーク１０を載置することにより、ワーク１０を第１の電極３から離間させた状態で支持する枠部材２５と、枠部材２５を第１の電極３から離間させた状態に支持する脚部２６とを有する。 （もっと読む）

【課題】導波管の外周部及び中央部の表面波電界強度を強化して径方向の分布を調整し、表面波電界強度の高度の均一性を実現するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室１０１を真空に排気して処理用ガスを導入した後、マイクロ波をプラズマ処理室１０１に導入してプラズマを発生し被処理基体１０２を処理するプラズマ処理装置（プラズマ処理方法）において、スロット付無終端環状導波管（導波管）１０８の内側円弧状スロット１１４ａの中心線と外側円弧状スロット１１４ｂの中心線との間隔Ｌｓを誘電体窓１０７の表面を伝播するマイクロ波の表面波の半波長の偶数倍にする。外側円弧状スロット１１４ｂの中心線と誘電体窓１０７の外周との間隔Ｌｅをマイクロ波の表面波の半波長の奇数倍にする。 （もっと読む）

処理ツールからの流出物を緩和するための方法及びシステムが提供される。本発明は、１つ以上の処理ツールと、１つ以上のアベートメントシステムと、上記１つ以上の処理ツールと上記１つ以上のアベートメントシステムとの間に流出物流体連通を確立するように適応されたインターフェースマニホルドと、を含み、上記インターフェースマニホルドは、制御信号に応答して、上記１つ以上の処理ツールの間から上記１つ以上のアベートメントシステムへと１つ以上の流出物を選択的に向けるように構成されている。種々な他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出する複数のガス放出孔１１３ａを備えたシャワープレート１０５において、ガス放出孔の長さと孔径のアスペクト比（長さ／孔径）を２０以上とした。ガス放出孔１１３ａは、シャワープレート１０６とは別体のセラミックス部材１１３に形成し、このセラミックス部材１１３をシャワープレート１０６に開けた縦孔１０５に装着した。 （もっと読む）

【課題】ホウ素系ガス中に存在する金属不純物を確実に除去して超高純度のホウ素系ガスを得ることができるホウ素系ガス中の金属不純物の除去方法を提供する。
【解決手段】ホウ素系ガス、例えば、Ｂ_２Ｈ_６，ＢＦ_３，ＢＣｌ_３等をステンレス鋼製焼結フィルターで濾過処理することにより、あるいは、ステンレス粉末に接触させることにより、ホウ素系ガス中に存在する鉄，銅，アルミニウム，ニッケル，マグネシウム，クロム，マンガン，亜鉛等の金属不純物を除去して超高純度のホウ素系ガスを得る。 （もっと読む）

【課題】基板上に炭素層を形成するための方法を提供する。
【解決手段】側壁を含む構造化表面を有する基板が準備される。ガス状炭化水素化合物を含んだ雰囲気から、プラズマが形成される。上記基板は、上記プラズマを用いて処理され、これによって上記基板の上記構造化表面上に炭素層を堆積する。一形態によると、上記ガス状炭化水素化合物内における水素と炭素との比率は、２：１未満である。別の形態によると、上記雰囲気は、水素結合に対して親和性を有するガス状添加化合物を含んでいる。従って、上記プラズマの反応性水素含有量は減少し、これによって上記構造化表面の上記側壁における炭素堆積を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の金属部材を重ね合わせて構成され、基板に対して例えば成膜ガスを供給可能なシャワーヘッドにおいて、各ガス流路の洗浄を容易に行うこと及び反応生成物の発生を抑えること。
【解決手段】ニッケルよりなる金属板を三段に積み重ねて構成したシャワーヘッドを用意し、ボルトによる仮止めを行ってチャンバ内に設置する。次いでチャンバ内の載置台及びシャワーヘッド上面に設けられる両ヒータにて加熱を行うと、金属板同士の各接触面の微小な凹凸が融解し始め、この融解箇所から接触面同士が金属拡散結合していく。そしてボルトを外しても金属板が分離しない程度まで加熱を継続することでそれまで接触面に存在した隙間が解消され、接触面全体が気密に接合する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、圧力調整弁の自動制御をチャンバー内の圧力から行えるようにした新規な気相成長装置における排気部（バルブの圧力調整弁付近）のクリーニング方法を提供するものである。
【解決手段】 本発明の気相成長装置における、バルブ１０５の圧力調整弁付近に付着した反応副生物１１０のクリーニング制御は、反応副生物１１０の量の変化による、圧力調整弁の角度で決定し、その圧力調整弁の角度が成膜前と略等しくなった時、クリーニング完了とすることを特徴する。 （もっと読む）

【課題】電界もしくは磁界を発生する装置でのパーティクルによる汚染を防止する。
【解決手段】処理室内に電界あるいは磁界が発生する装置について、処理室内の部品の使用に伴い部品に付着膜が発生する装置であって、処理室内の部品表面の質量密度と誘電率の質量密度微分値の積あるいは質量密度と透磁率の質量密度微分値の積を付着膜での値に対してその大小を制御し、付着膜に加わる力を制御して、剥離を制御し、パーティクルによる汚染を防止する。 （もっと読む）

【課題】排気管内から処理室内へのガスの逆流の発生を防止する。
【解決手段】処理室１６を形成したプロセスチューブ１３と、プロセスチューブ１３の下端に連設されたマニホールド１９と、マニホールド１９に接続された排気管３３と、排気管３３に介設されたメインバルブ３４と、メインバルブ３４を制御する圧力制御部３８とを備えている処理炉１０において、マニホールド１９に処理室１６内の圧力を測定する処理室側圧力計３６を設け、排気管３３に排気管３３内の圧力を測定する排気管側圧力計３７を設け、圧力制御部３８は処理室側圧力計３６と排気管側圧力計３７との測定結果に基づき処理室１６内の圧力の方が排気管３３内の圧力よりも高くなるように制御するように構成する。処理室内の圧力の方が排気管内の圧力よりも高くなるように制御することにより、排気管内から処理室内へのガスの逆流の発生を防止できる。
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