基板装入工程または／および基板引出工程時に、反応室内からパーティクルを有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
ウェハ（２００）を反応室（２０１）に装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、ウェハ（２００）を処理する工程における排気流量よりも大きな排気流量にて反応室（２０１）内を排気する。前記ウェハ（２００）を装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、前記反応室（２０１）内に不活性ガスを導入しつつ排気することが好ましい。
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基体上へセラミック膜、特に炭化ケイ素膜を堆積する方法が開示され、その方法において、残存応力、残存応力勾配、および抵抗率が制御される。これらの制御された特性を備えた堆積された膜を有する基体、およびこれらの特性を備えた膜を有するデバイス、特にＭＥＭＳデバイスおよびＮＥＭＳデバイスもまた開示される。この堆積された炭化ケイ素膜中の残存応力は、約７００ＭＰａと約−１００ＭＰａとの間にあり、その電気抵抗率は、約１０Ω・ｃｍ未満である。
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湿式スクラバー又は他の装置との入口パイプ（１４）のためのアタチメント（１０）は、入口パイプのフランジ付端（１２）に着脱自在に連結されるようになった開口端（１８）を有するスリーブ（１６）を含む。シャフト（３０）がスリーブ（１６）内で移動でき、スクレーパ（３４）がシャフト（３０）の一端に取り付けられる。シャフト（３０）は、該シャフト（３０）の他端に取り付けられた空気シリンダ（４０）の一部を成す。使用中、シャフト（３０）を往復移動させてスクレーパ（３４）がパイプ（１４）内に付着した粒状物を取り除く。窒素又は乾燥空気のような加熱ガスをスリーブ（１６）に注入して洗浄液体がスリーブ（１６）内で凝縮するのを防止し、かくして、スリーブ内での粒状物の付着を抑制する。
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一実施形態においては、基板上にシリコン膜又はシリコンゲルマニウム膜を堆積させる方法であって、プロセスチャンバ内に基板を配置するステップと、基板表面を約６００℃〜９００℃の範囲の温度に、プロセスチャンバ内の圧力を約１３Ｐａ（０.１トール）〜約２７ｋＰａ（２００トール）の範囲に維持しつつ、加熱するステップと、を含む前記が提供される。堆積ガスは、プロセスチャンバに供給され、ＳｉＨ_４、任意のゲルマニウム源ガス、エッチング剤、キャリヤガス、任意に少なくとも１つのドーパントガスを含んでいる。シリコン膜又はシリコンゲルマニウム膜は、基板上に選択的且つエピタキシャル的に成長する。一実施形態は、シリコン含有膜とキャリヤガスとして不活性ガスを堆積させる方法を含んでいる。方法は、また、選択的シリコンゲルマニウムエピタキシャル膜を用いる電子デバイスの製造を含んでいる。 （もっと読む）

本発明の高抵抗シリコンウェーハの製造方法によれば、ＣＺ法により得られた、高抵抗で炭素を含有するシリコンウェーハを用いて、昇温操作（ランピング）による第１熱処理と、高温熱処理および中温熱処理とからなる第２熱処理とを組み合わせることにより、効率的に酸素ドナーの生成を抑制でき、デバイス製造の工程における熱処理後においても、高抵抗が維持でき、抵抗率の変動を抑制した高抵抗シリコンウェーハを得ることができる。さらに、この高抵抗シリコンウェーハを用いれば、優れたエピタキシャルウェーハおよびＳＯＩウェーハを製造できるので、高周波通信デバイスまたはアナログ、デジタル混載デバイス等、広い分野で適用することができる。
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【課題】ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積を提供する。
【解決手段】処理システムの低圧堆積プロセスによってシリコン含有膜と基板を堆積するための方法を提供する。シリコン含有膜は、処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、基板にヘキサクロロシラン（ＨＣＤ）処理ガスを露出することによって、基板上に形成できる。この方法は、基板のシリコン表面上にエピタキシャルシリコン含有膜を選択的に堆積するか、基板上にシリコン含有膜を非選択的に堆積するかすることができる。ＨＣＤ処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に形成するための処理システムを含んでいる処理装置が提供される。 （もっと読む）

バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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本発明は、キャリアに保持された基板又はウェーハを熱的に処理するための装置に関する。熱処理装置(230)は、気体を処理チャンバ(236)に選択可能に注入するための注入システム(250)を有する。注入システム(250)は、反応物及び他の気体の流れを各ウェーハ(242)の表面を横切るように差し向けるための複数の注入ポート又はオリフィス(252)が分配された１又は２以上の細長い注入管を含む。細長い注入管は、軸線の周りに３６０度回転可能である。
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反応炉１内で基板１０に成膜を行う工程と、成膜後の基板１０を反応炉１よりアンロード後、反応炉１内に１０基板がない状態で反応炉１内を強制冷却する工程とを有する半導体装置の製造方法を提供する。反応炉１内に付着した堆積膜の応力を自然空冷時よりも増大させて積極的に熱応力を発生させ、堆積膜に自然空冷時以上の強制的な亀裂を発生させる。亀裂の発生により飛散した微細パーティクルは大気圧状態での炉内パージにより強制的に、また効率的に反応炉外に排出される。 （もっと読む）

【課題】バッチタイプ処理システムにおいて順次ガス露出処理によって基板上に金属含有膜を形成するための方法を提供する。
【解決手段】バッチタイプ処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、金属含有前駆体ガスのパルスと反応ガスのパルスを処理チャンバーに順に流し、これらの流し処理を所望の膜特性を有する金属含有膜が基板上に形成されるまで繰り返す。この方法によって、ＨｆＯ_２やＺｒＯ_２などの酸化金属膜、Ｈｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗやＨｆ_ｘＯ_ｚＮ_ｗなどの酸窒化金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚなどのケイ酸金属膜、Ｈｆ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮ_ｗやＺｒ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚＮなどの窒素含有ケイ酸金属が形成できる。 （もっと読む）

緩和シリコンゲルマニウム構造は、約１Ｔｏｒｒより高い操作圧力での化学気相成長法を用いて提供されるシリコンバッファ層を含む。この緩和シリコンゲルマニウム構造は、シリコンバッファ層上に堆積されたシリコンゲルマニウム層をさらに含む。このシリコンゲルマニウム層は、１平方センチメートル当り約１０^７未満の貫通転位を有する。減少した堆積速度でシリコンバッファ層を堆積させることによって、シリコンゲルマニウム層に「クロスハッチフリー」表面が付与され得る。
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シリコンエピタキシャルウェーハの主裏面に微少な凹凸が生じるのを抑制でき、主裏面全体のヘイズレベルを５０ｐｐｍ以下にするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
反応容器内に、シリコン単結晶基板を載置可能なサセプタが配設され、サセプタに載置されたシリコン単結晶基板に、水素雰囲気中で熱処理を施す水素熱処理工程と、水素熱処理工程後に、シリコンエピタキシャル層を気相成長する気相成長工程とを備えるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、水素熱処理工程中に、シリコン単結晶基板をサセプタから離間させ、気相成長工程の間は、シリコン単結晶基板をサセプタに載置する。
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本発明は、半導体基板を含み、その上部に少なくとも薄層歪緩和バッファを有し、本質的に３層のスタックから成っている半導体装置に関するものであり、その薄層歪緩和バッファは半導体装置のアクティブ部分でなく、さらに、薄層歪緩和バッファを形成する前記３層が本質的に一定のＧｅ濃度を有することを特徴としている。前記３層は以下の通りである：Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘの第１エピタキシャル層、ｘはＧｅ濃度である；前記第１エピタキシャル層上の、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ：Ｃの第２エピタキシャル層、Ｃの量は少なくとも０．３％である；前記第２層上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘの第３エピタキシャル層。

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【技術課題】 基板に損傷や表面汚染を与えることなく、エッチングや成膜が行え、チャンバや電極等の構造は同一であるにも拘らず、導入するガスやプラズマ励起周波数を変えることにより、エッチングや成膜にも応用可能であり、生産性に優れるとともに、低価格で高性能なプラズマプロセス用装置を提供すること。
【解決手段】 容器内105に対向するように設けられ夫々平板状に形成された第１及び第２電極102，104と、プラズマに対して安定な材料から成り第１電極102上を覆うように設けられる保護部材101と、第２電極104上に被処理物103を取り付けるための保持手段と、第１電極102に接続される第１の高周波電源111と、第２電極104に接続される第２の高周波電源110と、容器105内に所望のガスを導入するためのガス供給手段とを少くとも備え、第１の高周波電源の周波数が前記第２の高周波電源の周波数より高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハを保持具に棚状に保持して反応容器内に下方側から搬入して熱処理を行う装置において、処理雰囲気の温度安定時間を短くし、また温度の均一性の高い処理雰囲気を広くとれるようにする。
【解決手段】 反応容器の下端を塞ぐ蓋体と保持具との間に保温ユニットを設け、この保温ユニットの例えば上面部に、例えば高純度の炭素素材よりなる抵抗発熱線を石英プレートの中に封入してなる発熱体ユニットを設け、この発熱体ユニットの下方側に例えば石英ブロックを設ける。保温ユニットを蓋体に固定する一方、保温ユニットの中央部に保持具を回転させる回転軸を貫通させ、発熱体ユニットに給電するための給電路部材の外部への引き出しを容易にする。 （もっと読む）

【課題】 処理対象となる半導体ウェハ（基板）の面内温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ２２上面のウェハ保持エリア５０において、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に所定距離の隙間を生じるようにウェハ支持部５４でウェハＷを支持する。さらに、ウェハ加熱面５２上に、ウェハＷとの隙間の距離が小さくなる凸部５８を設ける。このとき、サセプタ２２からウェハＷへの加熱条件がウェハ保持エリア５０の各部位での隙間の距離によって調整され、これによって、ウェハＷ面内での温度分布の均一性、及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 欠陥のないエピタキシャル膜を形成する
【解決手段】 異物除去処理を有し、ドライエッチング処理を行って形成した開口部５内の単結晶シリコン基板１に、ＳｉＧｅエピタキシャルベース７を成長させる半導体装置の製造方法である。異物除去処理は、前記ドライエッチング処理後からＳｉＧｅエピタキシャルベース７の成長までの間に、被成長基板を酸素雰囲気中において、熱処理を行い、ドライエッチング処理によって、シリコン酸化膜２に堆積した炭素系付着物１０を、シリコン酸化膜２から完全に除去し、これによって、欠陥のないエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）