ボロンナイトライド（Ｂ-Ｎ）シリコンカーバイド（Ｓｉ-Ｃ）とシリコンカーボンナイトライド（Ｓｉ-Ｃ-Ｎ）のうち少なくとも１つを母体として所定の形状にパターニングされる基板分解防止膜、前記基板分解防止膜上に形成されるｎ型窒化物系被覆膜、前記ｎ型窒化物系被覆膜上に形成される窒化物系活性膜、窒化物系活性膜上に形成されるｐ型窒化物系被覆膜、ｐ型窒化物系被覆膜上に形成されるｐ型オーミックコンタクト膜、ｐ型オーミックコンタクト膜上に形成されるｐ型電極パッド、基板分解防止膜のパターニングされた部分によりｎ型窒化物系被覆膜に電気的に接続されるｎ型オーミックコンタクト膜、およびｎ型オーミックコンタクト膜の下に形成されるｎ型電極パッドを含む発光素子を提供する。
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半導体デバイスは、応力層（26’）、及び該応力層上の、積層された複数の層群を有する歪み超格子層（425’）を有する。より具体的には、歪み超格子層の各層群は、ベース半導体部分を画成する積層された複数のベース半導体モノレイヤーと、隣接し合うベース半導体部分の結晶格子内に拘束された少なくとも１つの非半導体モノレイヤーとを有する。
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【課題】高度に低減された貫通転位密度およびエピタキシャル成長に適した表面を有する新しいタイプの半導体基板を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体基板（１）は、ウルツ鉱結晶構造を有するＩＩＩ族金属の窒化物からなり、（０００１）面を有する半導体基板材料と格子不整合する異種基板（２）上、または該半導体基板材料からなる（０００１）面を有する高い転位密度を有する層（３）上、のいずれかにおいて気相成長し、高度に低減された転位密度を有する。本発明によれば、貫通転位が互いに接触する確率を高めるために、（０００１）以外であって
【数１】


の指数を有する高い指数の結晶平面に対して貫通転位（６）の意図的な傾きを与える転位リダイレクション層（４）と、転位リダイレクション層（４）の上に配置され、貫通転位（６）が互いに合体し、半導体基板表面（７）において貫通転位密度を低減する、転位リアクション層（５）とを備える構造が転位密度低減のために利用される。 （もっと読む）

【課題】 １０^６ｃｍ^−２以下の低転位密度のＧａＮ単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 （もっと読む）

【課題】 結晶品質がそれ程良好でない安価なＺｎＯ単結晶基板を用いても、ＭｇＺｎＯ系酸化物素子層を高品質にて成長できる化合物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶ｃ軸を主表面法線としたＺｎＯ単結晶基板からなる成長用基板１０の主表面上に、Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ≦１）からなるバッファ層１１を、少なくともＺｎＯ単結晶基板１０と接する層が、成長雰囲気圧力が１００Ｐａ以上１ＭＰａ以下、成長温度が５００℃以下にそれぞれ設定された気相成長法による低温成長層１１Ａとなるように成長する。該バッファ層１１上にＭｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ（ただし、０≦ｘ≦１）からなる素子層をエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】 下地基板の上にマスクを設けその上にＧａＮをＨＶＰＥ成長させマスク端部から立ち上がるファセットを維持しながら成長させると、マスクの部分は欠陥集合領域Ｈとなりファセット成長した部分は単結晶低転位領域となるが、欠陥集合領域Ｈが多結晶だったり方位が傾斜した単結晶だったりする。クラックの生じない自立ＧａＮ基板を製造する方法を提供すること。
【解決手段】
初め低温で成長させマスク上に多結晶微粒子を生成し高温でエピタキシャル成長させ露出部だけに窒化ガリウム薄膜が成長するようにし、マスクの端から傾斜して伸びるファセットを充分に広くなるようにし、ファセットから方位反転した爪状の突起がマスクの上方へ伸びるようにする。突起が伸び合体し、その上に成長する部分は方位反転結晶の欠陥集合領域Ｈとなる。熱膨張率異方性の違いがなくクラックが発生しない基板を与えることができる。 （もっと読む）

垂直成長領域と横方向成長領域と融合領域とを有する第１のＩＩＩ族窒化物層を含む高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。ＩＩＩ族窒化物チャネル層が、第１のＩＩＩ族窒化物層上に設けられ、ＩＩＩ族窒化物バリア層が、このＩＩＩ族窒化物チャネル層上に設けられている。ドレインコンタクトとソースコンタクトとびゲートコンタクトとが、そのバリア層上に設けられている。ゲートコンタクトは、第１のＩＩＩ族窒化物層の横方向成長領域上のバリア層の一部分上に配置され、そのソースコンタクト及び／又はドレインコンタクトのうちの一方の少なくとも一部分は、第１のＩＩＩ族窒化物層の垂直成長領域上のバリア層の一部分上に配置されている。
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【課題】 窒化物半導体と良好な格子整合性を有する元基板を利用して、結晶欠陥の少ない高品質な窒化物半導体基板を簡易な方法で製造すること。
【解決手段】 第１の窒化物半導体結晶２０２を格子定数がａ軸方向に０．３０ｎｍから０．３６ｎｍまで、ｃ軸方向に０．４８ｎｍから０．５８ｎｍまでの化合物半導体元基板２０１の（ＡＢＣＤ）［Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に−４〜４の整数。］面上に成長させ、次いで元基板を除去し、第１の窒化物半導体結晶上に第２の窒化物半導体結晶２０４を成長させる。 （もっと読む）

テルル化カドミウム水銀（ＣＭＴ）を製造する方法が開示される。方法は、分子ビームエピタキシ（ＭＢＥ）によって１つまたは複数のバッファ層を基板上に成長させることを含む。その後、ｘを０と１を含めて、その間としてテルル化カドミウム水銀Ｈｇ_１−ｘＣｄ_ｘＴｅの少なくとも１つの層が、有機金属気相エピタキシ（ＭＯＶＰＥ）によって成長される。バッファ層を成長させるためにＭＢＥを使用することにより、ある範囲の基板がＣＭＴ成長に使用されることが可能になる。ＭＢＥバッファ層は、ＣＭＴの後続のＭＯＶＰＥ成長について正確な配向を提供し、また、ＭＯＶＰＥ中のＣＭＴの化学汚染および基板の侵食を防止する。方法は、ＣＭＴ層のデバイス処理が、結晶ＣＭＴ層および／またはパッシベーション層の他のＭＯＶＰＥ成長と共に実施されることをも可能である。本発明は、この方法によって形成される新規なデバイスにも関する。
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【課題】 本発明の目的は、基板上に高品質な半導体膜を形成するための半導体膜形成方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明は、バイアス触媒ＣＶＤ，高密度バイアス触媒ＣＶＤ，バイアス減圧ＣＶＤ，バイアス常圧ＣＶＤを利用して、基板に半導体膜を形成する半導体膜形成方法である。真空容器１に原料ガスを供給し、真空容器１中に配置された基板１０と電極３ａとの間にグロー放電開始電圧以下の電界を印加して、基板１０上に、少なくとも錫、ゲルマニウム、鉛のいずれか一つ以上を含有する半導体膜と、絶縁膜と、を形成することを含む工程と、この半導体膜および絶縁膜にレーザーを照射してアニールする工程と、このアニールする工程の後工程であって、水蒸気でアニールを行う工程と、を備える。 （もっと読む）