【課題】絶縁耐圧性と耐候性に優れた薄膜太陽電池を簡便かつ低コストで製造し得る方法を提供する。
【解決手段】薄膜太陽電池の製造方法において、透光性絶縁基板（１）の一主面の全領域を覆うように、表面凹凸を有する透光性絶縁下地層（２）を形成し、その透光性絶縁下地層の全周縁エッジから所定幅の内側までの全周縁領域を覆うマスク（１１）を設け、そのマスクの内側領域内において、透光性の酸化亜鉛電極層（３）、半導体光電変換層（４）、および裏面電極層（５）を順次堆積し、その後にマスクを除去し、さらに裏面電極層および透光性絶縁下地層の全周縁領域を覆うように裏面保護層（６１、６２）を接合させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】低い基板温度でも炭素コンタミネーションが少なく結晶性が良好な窒化ガリウムの成膜方法を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の圧力下で一対の電極１２Ｈ，１２Ｅ間に、有機ガリウム化合物であるＴＭＧと窒素（Ｎ_２）と水素（Ｈ_２）とを含有するプロセスガスを導入するとともに、電極１２Ｈ，１２Ｅ間に電界を印加して放電を生成する。放電後のプロセスガスを基板９０に接触させる。成膜時の基板温度を１００〜４００℃にする。 （もっと読む）

【課題】ドット状発光層を有する発光素子の製造方法において、安定した歩留まりおよび発光素子特性を得ること。
【解決手段】第１の基板上にドット状発光層を有する発光素子構造を形成する工程とその発光素子構造の表面にイオン照射を行ったのち第１導電性酸化膜層を形成する工程、第２の基板表面にイオン照射を行ったのち前記第１導電性酸化膜層と同じ材料の第２導電性酸化膜を形成する工程、第１導電性酸化膜層と第２導電性酸化膜層の表面にイオン照射を行い接着させる工程、化学薬品を用いて第１の基板からドット状発光層を有する発光素子構造を剥離する工程、および剥離後の表面にイオン照射を行ったのち第３導電性酸化膜層を形成する工程を具備する。 （もっと読む）

第１半導体材料の結晶基板と、結晶基板の表面上に配置されるマスク（１１）とを含む半導体ヘテロ構造（１０）である。マスク（１１）は、９００ｎｍ以下の幅（ｗ）を有する複数の細長い開口部（１３，１４）を含む開口（１２）を有する。細長い開口部の少なくとも第１開口部（１３）は、複数の細長い開口部のうちの少なくとも１つの第２開口部（１４）に対して非平行に配向される。半導体ヘテロ構造（１０）は、開口（１２）を充填してマスクをカバーする第２半導体材料のオーバーグロース結晶層をさらに含む。かかる半導体ヘテロ構造の製造方法も提示される。
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【課題】歩留まりの向上を図ることができ、量産性に優れ、高性能でかつ高信頼性な半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１０は、ZnO（酸化亜鉛）単結晶基板１２と、ZnO単結晶基板１２上に成長させて形成される窒化物半導体層を含む素子３０と、ZnO単結晶基板１２の外面のうち、素子３０を形成する表面１２ａとは反対側の裏面１２ｂおよび両側面１２ｃ、１２ｃを覆う窒化物半導体からなる保護膜４０と、を備えている。ZnO単結晶基板１２の裏面１２ｂおよび両側面１２ｃ、１２ｃが窒化物半導体からなる保護膜４０で覆われているので、ZnO単結晶基板１２の表面１２ａ上に窒化物半導体層を成長させる際にZnOの昇華を抑制できる。V族原料としてアンモニアNH₃を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。
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【課題】細かい加熱温度制御を容易に行うことができる加熱装置及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の反応室内に配置された支持体上に載置される半導体基板を加熱する加熱装置であって、着脱可能であると共に周方向に向きを変えて取付け可能な熱源ランプをそれぞれ有する、複数の熱源ユニットを備えたことを特徴とする加熱装置、及び反応ガスが供給される反応室と、反応室内に配置された支持体と、支持体上に載置される半導体基板を加熱する加熱装置とを備えた半導体製造装置であって、加熱装置は、着脱可能であると共に周方向に向きを変えて取付け可能な熱源ランプをそれぞれ有する、複数の熱源ユニットを備えたことを特徴とする半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】ウェハの反りを抑制しつつ、リーク電流を一層低減させることができる半導体電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板１上にバッファ層２，３を介して積層された半導体動作層４を備える電界効果トランジスタ１００において、バッファ層３は、Ａｌ組成が０．２以下の窒化物系化合物半導体を用いて形成された第１の層１１上に、Ａｌ組成が０．８以上の窒化物系化合物半導体を用いて形成された第２の層１２が積層された複合層１０を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を良好な結晶品質で成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層を基板上に化学気相成長法により成長させ、このＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層を化学気相成長法により成長させる場合に、Ｇａの原料の供給量に対するＮの原料の供給量のモル比を８０００以上、好ましくは１００００以上、より好ましくは１１０００以上にしてＧａＮ層を成長させる。基板としてはＡｌ₂ Ｏ₃ 基板、ＺｎＯ基板、ＳｉＣ基板などを用いる。 （もっと読む）

【課題】 紫外光や近紫外光の吸収性がある透明導電層を形成した発光素子において、透明導電層中での光吸収の影響を小さくし、光取り出し効率に優れたものを提供すること。
【解決手段】 発光素子は、基板１０上に、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層１２と、発光層１３と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１４とが形成されており、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層１４は、発光層１３により生じた光の波長を変換する蛍光体を含む複数の透明導電層１５ａ，１５ｂ，１５ｃが積層されて成るｐ型電極１５が表面に形成されており、発光層１３に最も近い透明導電層１５ａが発光層１３により生じた光を第１波長の光に変換する蛍光体１７ａを含み、発光層１３から離れるに従って発光層１３により生じた光を第１波長の光よりも短波長の光に変換する蛍光体１７ｂ，１７ｃを含む透明導電層１５ｂ，１５ｃが積層されている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法においてＴＭＳを用いて低温条件下で成膜する場合であっても、炭素の混入を抑えて良好な膜質の絶縁膜を有する半導体装置の製法を提供すること。
【解決手段】 ＴＭＳを用いて低温条件下で成膜された絶縁膜を有する半導体装置の製法において、前記絶縁膜が、プラズマＣＶＤ法によって、絶縁膜の原料となるガスとしてＴＭＳと、酸化ガスとしてＮ_２Ｏとを用い、室温以上２５０℃以下の基板温度にて形成されることを特徴とする半導体装置の製法とする。 （もっと読む）

複数のエピタキシャル層を有し、動作時（Ｅ）界がかかっている半導体デバイスであり、具体的には、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）である。エピタキシャル層の中には、動作時（Ｅ）界を打ち消すための負イオン領域がある。半導体デバイスを製造するための１つの方法は、基板を設けるステップと、基板の上にエピタキシャルを成長させるステップとを備える。半導体デバイスの中の動作時電（Ｅ）界を打ち消すために、負イオンがエピタキシャル層の中に導入され、負イオン領域を形成する。コンタクトは、負イオン領域形成の前か後に、エピタキシャル層の上に堆積させることができる。
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【課題】 基板上にＺｎＴｅを成膜した半導体において、ドーパントとして一般的な不純物を用いた場合であっても、キャリア濃度が高い半導体の製造方法を提供するものである。
【解決手段】 基板１ａ上にｐ型ＺｎＴｅ薄膜１ｂを成膜した被処理基板１を、熱処理装置２の処理室３内で、ガス導入口５から導入したＺｎＴｅと反応しない気体の雰囲気中において、成膜処理工程における成膜温度以下で電気炉４によって熱処理する。 （もっと読む）

【課題】ラテラル成長技術を用いて製造される新規な窒化物半導体ウェハを提供することを目的とする。
【解決手段】異種基板１と、異種基板１上に成長した窒化物半導体結晶層３と、からなる窒化物半導体ウェハであって、窒化物半導体結晶層３が、第１結晶層３１と、第１結晶層３１を下地層として成長した第２結晶層３２とを含んでおり、第２結晶層３２の少なくとも一部にはＭｇが添加されており、第１結晶層３１と第２結晶層３２との間にはマスク層Ｍが挟まれている窒化物半導体ウェハ。好ましくは、窒化物半導体結晶層３が、更に、第２結晶層３２の上にＭｇ拡散防止層３３を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】比較的簡便な手法によって低転位のＡｌＮ系III族窒化物厚膜を得ることができる方法を提供する。
【解決手段】所定の基材上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮ系III族窒化物成長下地層が形成されてなるエピタキシャル基板の上に、ＨＶＰＥ法によってＡｌＮ系III族窒化物厚膜をエピタキシャル形成する場合に、ＭＯＣＶＤ法における加熱温度よりも高い温度で該エピタキシャル基板を加熱処理した上で、厚膜層の形成を行うようにすることで、厚膜層の低転位化を実現することができる。すなわち、ＨＶＰＥ法を用いた厚膜成長に先立って、加熱処理という比較的簡便な処理を施すだけで、ＨＶＰＥ法による成長に際して特別の構成を有する装置を用いたり、あるいは成長条件に特段の限定を加えたりしなくとも、低転位のＡｌＮ系III族窒化物からなる厚膜層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性を混在させた結晶において少なくとも表面において極性の単結晶としてデバイスをその上に製造するに適した単結晶基板を製造する方法を提供する。
【解決手段】結晶方位に関し反対向きの構造を取る異なる極性Ａ、Ｂを持つ部分が混在する結晶において、一方の極性Ｂの部分をエッチングして表面部分を除去し、あるいは除去せずそのままに極性Ｂの上を異種物質Ｍで被覆し、さらに同じ結晶の成長を行い極性Ａの結晶Ａ’によって表面を覆うようにする。 （もっと読む）

【課題】低温ZnO多結晶フィルム及びこれを用いたTFTの製造方法を提供する。
【解決手段】MOCVDによって第１の温度で第１の時間の間基板にZnOを成長させてZnOバッファ層を形成する工程と、第１の温度より低い温度で基板を加熱し、第１の時間より長い第２の時間の間バッファ層上にZnOを成長させてZnOフィルムを形成する工程とを含む低温ZnO多結晶フィルムの製造方法である。これにより、200℃低温でも実用的な良質のZnOフィルムを成長でき、従って熱に弱い基板、例えば、プラスチック基板に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】低転位であり、特に、窒化物半導体基板に内在する応力を抑制させて、反りの少ない窒化物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に第１の窒化物半導体を成長させ、該第１の窒化物半導体に、（１１−２０）面と等価である面で囲まれ、平面形状において相似である２以上の凹部を有するパターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンにおける（１１−２０）面と等価である面を成長核として第２の窒化物半導体を成長させることを含むか、あるいは、基板上に、第１の窒化物半導体のパターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体を成長させる窒化物半導体基板の製造方法であって、第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が複数の正三角形の枠体によって形成され、この枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように、規則的に配置されて構成される本発明の窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板としてＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物を用いながら、その上部に成長される窒化物半導体の結晶性をよくするとともに、膜はがれやクラックの発生を防止し、漏れ電流が少なく高効率の窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】基板1上に窒化物半導体層が積層されて窒化物半導体素子を形成する場合に、基板１がＭｇ_xＺｎ_1-xＯ（０≦ｘ≦０.５）のような酸化亜鉛系化合物からなっており、その基板１に接してＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０.０５≦ｙ≦０.２）からなる第１の窒化物半導体層２が設けられ、その第１の窒化物半導体層２上に半導体素子を形成するように、窒化物半導体層３〜５が積層されている。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯのｐ形層を高品質で確実に形成でき、充分な発光出力が得られ、量産性及び環境性に優れた半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０上に、ｐ形層１１として窒素をドープしたＺｎＯ系化合物からなる半導体薄膜を形成してｐｎ接合させている。ｎ形ＺｎＯバルク単結晶基板１０の亜鉛原子を含む面にｐ形層１１を形成するのが望ましい。 （もっと読む）

【課題】単結晶窒化物系半導体基板及びこのような単結晶基板と発光構造体とを用いた垂直型窒化物系発光素子を製造する方法。
【解決手段】最初の基板上にシード物質層が形成され、シード物質層から多機能性基板が成長する。多機能性基板上には窒化物系バッファ層が積層される。シード物質層は良質の単結晶窒化物系半導体基板の成長及び単結晶窒化物系半導体基板と発光構造体とを用いた高信頼性窒化物系発光素子の製造のために必要な高品質の多機能性基板の成長を優先してアシストし、窒化物系発光素子製作のとき、生産収率を高める。高品質の多機能性基板層は高温及び水素雰囲気で下部のシード物質層の変形と分解とを防止することができ、良質の単結晶窒化物系半導体基板を成長するために六方晶構造である単結晶または多結晶構造を有する。 （もっと読む）