Ｎ極性を有する発光ダイオード（「ＬＥＤ」）および関連する製造方法が本明細書に開示される。一実施形態では、基板材料を有する基板上に発光ダイオードを形成するための方法は、基板の表面上に基板材料の窒化産物を形成することなく、基板の表面に少なくとも近接して、窒素リッチな環境を形成することを含む。本方法はまた、窒素リッチな環境を有する基板の表面上に、窒素極性を有するＬＥＤ構造を形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】キャリア濃度および発光出力を向上させたｐ型ＡｌＧａＮ層およびIII族窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】本発明は、マグネシウムをドープしたｐ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層であって、アルミニウム組成比ｘが０．２３以上０．３未満の範囲であり、かつキャリア濃度が５×10¹⁷／cm³以上であるか、アルミニウム組成比ｘが０．３以上０．４未満の範囲であり、かつキャリア濃度が３．５×10¹⁷／cm³以上であるか、または、アルミニウム組成比ｘが０．４以上０．５未満の範囲であり、かつキャリア濃度が２．５×10¹⁷／cm³以上であることを特徴とするｐ型ＡｌＧａＮ層である。 （もっと読む）

【課題】良質なエピタキシャル結晶を成長可能なエピタキシャル成長用のＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法及びＣｄＴｅ系半導体基板を提供する。
【解決手段】所定の半導体をエピタキシャル成長させるためのＣｄＴｅ系半導体基板の製造方法において、基板表面を鏡面研磨した後又はエッチングした後、２４時間以内に非酸化性ガス雰囲気中で保管する。これにより、原子間力顕微鏡で基板表面を観察したときに１０μｍ×１０μｍの視野範囲内に高さ５ｎｍ以上の突起が観察されないＣｄＴｅ系半導体基板が実現される。 （もっと読む）

【目的】
平坦性と配向性に優れ、低欠陥・低転位密度で、基板残留不純物の拡散・蓄積が極めて抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供する
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、アンモニア（ＮＨ_３）ガスを供給しつつ基板上に６００℃ないし８５０℃の範囲の成長温度でＺｎＯ系単結晶層を成長する単結晶成長工程と、上記ＺｎＯ系単結晶層上に、ｎ型及びｐ型ＺｎＯ系半導体層のうち少なくとも１つを含むデバイス層を成長する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 安定したｐ型ＺｎＯ系半導体結晶を得ることが可能なＺｎＯ系化合物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】 ＺｎＯ系化合物半導体の製造方法は、単結晶表面を有する基板を準備する工程と、亜鉛ビームと、酸素を含むガスをラジカル化した酸素ラジカルビームと、Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスをラジカル化した窒素ラジカルビームとを、前記基板上に同時に照射して、窒素添加ｐ型ＺｎＯ系化合物半導体を結晶成長する工程とを有し、前記Ｎ_２ガスとＯ_２ガスとを混合したガスの混合比Ｏ_２／Ｎ_２が、０より大きく１以下である。 （もっと読む）

【課題】 半導体結晶材料の作製またはこの半導体結晶材料を含む構造を提供する。
【解決手段】 第１の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。半導体デバイスは、第１の結晶材料の表面上に低欠陥の歪んだ第２の半導体結晶材料を含む。歪んだ第２の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。一実施例は、第１および第２の半導体結晶材料間の界面境界の不純物を減少させるプロセスパラメータを作成することによって、粗さが低減された表面を得ることを含む。一実施の形態では、第１の半導体結晶材料は、アスペクト比トラッピング技術を用いて欠陥をトラップするのに十分なアスペクト比を有する絶縁体の開口によって限定されることができる。 （もっと読む）

【課題】成長させた酸化亜鉛系半導体の不純物濃度を低減できる酸化亜鉛系基板を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛系基板２は、ＩＶ族元素であるＳｉ、Ｃ、Ｇｅ、Ｓｎ及びＰｂの不純物濃度が、１×１０^１７ｃｍ^−３以下の条件を満たす。より好ましくは、酸化亜鉛系基板２は、Ｉ族元素であるＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＦｒの不純物濃度が、１×１０^１６ｃｍ^−３以下の条件を満たす。 （もっと読む）

基板上に材料を堆積及び結晶化する方法が開示され、特定の実施態様において、その方法は、堆積され、吹きつけられる種及びエネルギー輸送種を有するプラズマの生成を含んでもよい。第一の期間の間、基板にバイアス電圧は印加されず、プラズマ堆積を通じて種が基板上に堆積する。第二の期間の間、基板に電圧が印加され、堆積した種に向かって及び内部にイオンが引き付けられ、それにより堆積した層が結晶化する。このプロセスを十分な厚みが得られるまで繰り返すことができ、他の実施態様では、バイアス電圧又はバイアスパルス継続時間を変更して、生ずる結晶化の量を変えることができる。他の実施態様において、ドーパントを用いて、堆積した層をドープしてもよい。
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【課題】基板上に膜を堆積させるにあたって、寄生堆積物を抑制することができるシステムおよび方法の提供。
【解決手段】基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】効率的に成膜処理を行うことのできる成膜装置と、効率的な成膜方法とを提供する。
【解決手段】有機金属気相成長法により、成膜室内に載置される基板Ｗに成膜処理を行う成膜装置１は、成膜室を３以上備え、第１の成膜室２と第２の成膜室１０２と第３の成膜室２０２は、互いに独立に、少なくとも原料ガスの組成と、原料ガスの流量と、室内の温度と、室内の圧力とが制御され、それぞれが異なる膜を基板Ｗ上に形成するよう構成されている。成膜室２、１０２、２０２の外部には、成膜処理を終えた後のサセプタを洗浄する洗浄部５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光出力を向上させられる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】
本発明は基板の上部にパターンを形成し、パターンが形成された基板の上部に発光構造物を形成した後、基板を発光構造物から離脱させ離脱された発光構造物面に前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを形成することにより、素子の光出力を向上させられる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体上にＧａＮ層が形成された積層体の製造時において、ＧａＮ層の形成直後から、その表面が平滑にされたIII族窒化物積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡｌＧａＩｎＮ層１５とＧａＮ層１６とを有し、ＡｌＧａＩｎＮ層を組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表した場合に、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０である関係を満足するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、ＡｌＧａＩｎＮ層１５上にＧａＮ層１６を形成する工程を有し、ＧａＮ層を形成する工程において、ＧａＮ層の成長速度が０．２〜０．６μｍ／ｈ、III族原料に対するＶ族原料のモル比を示すＶ／III比が４０００以上である。このようにすることで、Ａｌ含有率が高いＡｌＧａＩｎＮ層１５上において、ＳＫモードではなく、疑似ＦＭモードでＧａＮ層１６を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱構造の化合物半導体を用いてノーマリ・オフの化合物半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】キャリア走行半導体層１５はスペーサ半導体層１７と支持体１３との間に位置する。電子デバイス１１では、基準軸Ｃｘに対して傾斜した基準平面Ｒ２に沿ってヘテロ接合が延びるので、ピエゾ電界Ｐｚも基準平面Ｒ２に対して傾斜した方向に向く。ピエゾ電界の平行な成分Ｐｚ（Ｔ）はヘテロ接合２１に沿って延在する内部電界として働く。この内部電界はヘテロ接合２１の二次元キャリアに作用して、ゲート電極１９直下のヘテロ接合におけるキャリア濃度が調整される。内部電界の働きにより、ゲート電極１９にゼロボルトが印加されているとき、二次元キャリアは、ゲート電極１９直下のヘテロ接合２１のバンドの屈曲部に実質的に蓄積されない。電子デバイス１１はノーマリ・オフ特性を有する。 （もっと読む）

基板に第III族金属窒化膜を蒸着させるための装置であり，窒素源から窒素プラズマを生成するプラズマ発生器と，基板に第III族金属窒化物を蒸着させるために，第III族金属を含む反応試薬を，窒素プラズマから生じる反応性窒素種と反応させる反応室と，プラズマ発生器から反応室への窒素プラズマの通過を促進させるプラズマ導入口と，窒素プラズマの通過用の１又はそれ以上の流路を有するバッフルとを備える。バッフルは，プラズマ導入口と基板との間に配置され，プラズマ導入口と基板との間で窒素プラズマが直通することを防止する。
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【課題】結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。
【解決手段】ａ面サファイア基板１０の表面１０ａに、ＩＣＰエッチングで長手方向がサファイア基板１０のｍ軸方向に平行なストライプ状に凹部１１を形成する（図１（ａ））。次に、サファイア基板１０をＭＯＣＶＤ装置に搬入し、水素とアンモニアを含む雰囲気中で、１０２０〜１０６０℃まで昇温する。続いて、凹部１１の側面１１ａにＧａＮ結晶１３をエピタキシャル成長させる（図１（ｂ））。成長が進むと、サファイア基板１０の表面１０ａはＧａＮ結晶１３に覆われていき、平坦なＧａＮ結晶１３が形成される（図１（ｃ））。このＧａＮ結晶１３の主面はｍ面である。 （もっと読む）

【課題】
光学的特性に優れたＺｎＯ系結晶を提供する。
【解決手段】
（０００１）（＋Ｃ面）を主面とするＺｎＯ単結晶基板を準備し、熱処理する工程と、 加熱した前記主面上にＩＩ−ＶＩ族半導体結晶をＩＩ族原子の極性面で成長する工程と、を含み、前記熱処理する温度は、前記ＩＩ−ＶＩ族の半導体結晶の成長工程における結晶成長温度よりも高い温度である半導体結晶の成長方法。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた半導体発光素子を高い収率で製造が可能な半導体発光素子用テンプレート基板とその製造方法等を提供する。
【解決手段】表面に複数の凸部１０２が形成された基板１０１と、基板１０１の複数の凸部１０２が形成された面上に成膜されたＩＩＩ族窒化物半導体からなるバッファ層１２と、を少なくとも有し、凸部１０２が形成された基板１０１の表面の、均一な形状に形成されていない凸部１０２が占める面積の割合を示す不良面積率が１０％以下である半導体発光素子用テンプレート基板Ｉ_０。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもｐ型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板１上にｐ型不純物原料ガスとしてＶ族の水素化物ガスを導入する。このようにして、基板１上にｐ型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、レジストを用いて、下地基板上に開口部を有するマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層を酸性溶液が洗浄される（ステップＳ３）。そして、酸性溶液で洗浄するステップＳ３後に、下地基板およびマスク層を有機溶媒で洗浄される（ステップＳ４）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。 （もっと読む）