半導体デバイスおよび半導体構造の製造方法
【課題】 半導体結晶材料の作製またはこの半導体結晶材料を含む構造を提供する。
【解決手段】 第1の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。半導体デバイスは、第1の結晶材料の表面上に低欠陥の歪んだ第2の半導体結晶材料を含む。歪んだ第2の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。一実施例は、第1および第2の半導体結晶材料間の界面境界の不純物を減少させるプロセスパラメータを作成することによって、粗さが低減された表面を得ることを含む。一実施の形態では、第1の半導体結晶材料は、アスペクト比トラッピング技術を用いて欠陥をトラップするのに十分なアスペクト比を有する絶縁体の開口によって限定されることができる。
【解決手段】 第1の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。半導体デバイスは、第1の結晶材料の表面上に低欠陥の歪んだ第2の半導体結晶材料を含む。歪んだ第2の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。一実施例は、第1および第2の半導体結晶材料間の界面境界の不純物を減少させるプロセスパラメータを作成することによって、粗さが低減された表面を得ることを含む。一実施の形態では、第1の半導体結晶材料は、アスペクト比トラッピング技術を用いて欠陥をトラップするのに十分なアスペクト比を有する絶縁体の開口によって限定されることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
発明の背景
1.発明の分野
本発明は、半導体結晶材料の作製またはこの半導体結晶材料を含む構造に関するものである。例えば改善されたエピタキシャル成長または構造は、半導体結晶材料を含む平坦化された表面上に形成されることができる。
【背景技術】
【0002】
2.関連技術の説明
本項は、背景情報を提供し、以下に記述および/または主張される開示のさまざまな局面に関連した情報を紹介する。これらの背景資料は、先行技術の自認にはならない。
【0003】
格子不整合半導体材料の高いキャリア移動度により、格子不整合半導体材料の集積は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)電界効果トランジスタ(FET)などの高性能デバイスへの1つの方法である。例えば、シリコンとの格子不整合半導体材料のヘテロ集積は、さまざまなデバイスアプリケーションに役立つ。
【0004】
1つのヘテロ集積の方法は、シリコン(Si)チャネルをCMOSデバイス、例えばデバイススケーリングの制限を越える高性能デバイスのための高移動度の材料と代替することを含む。しかし、平坦面からのずれがデバイスの障害および/または集積回路内の異なるデバイス特性、または同時に製造されるデバイス間の異なるデバイス特性を招く可能性があるため、通常、デバイスの作製には平坦化が必要とされる。選択された格子不整合半導体材料の化学機械研磨(CMP)は、材料の表面をスムーズにする1つの選択肢である。しかし、化学機械研磨の表面は、スムーズでなければならず、表面の不純物も回避されなければならない。準備中の研磨された表面の更なる洗浄は、実質的にそのスムーズさを損なってはならない。よって、限定されたまたは選択的に成長した領域(例えば、結晶材料の活性領域)に格子不整合材料の表面を準備する必要がある。これは後に続くプロセスに用いる平坦化された材料を含んでもよい。
【0005】
また、半導体結晶材料の表面粗さを低減する必要がある。例えば、対応する半導体デバイスにおいてさまざまなアスペクト比トラッピング(ART)技術に関連した半導体結晶材料の表面粗さを低減する必要がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0006】
発明の概要
本発明に係る実施の形態は、デバイス作製および/またはそれによって形成されたデバイスに適した半導体結晶材料を形成する方法と装置を提供する。
【0007】
一局面では、本発明の一実施の形態は、デバイス作製および/またはそれを含むデバイスに適した、平坦化されたヘテロエピタキシャル領域(例えばウエハ)を提供することができる。
【0008】
もう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、デバイス作製および/またはそれを含むデバイスに適した、きれいな平坦化されたヘテロエピタキシャル領域を提供することができる。
【0009】
もう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、デバイス作製および/またはそれを含むデバイスに適した、不純物が低減されたまたは低不純物の平坦化されたヘテロエピタキシャル領域を提供することができる。
【0010】
もう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、デバイス作製および/またはそれを含むデバイスに適した、選択された条件下で加熱された平坦化されたヘテロエピタキシャル領域を提供することができる。
【0011】
もう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、デバイス作製および/またはそれを含むデバイスに適した、選択された特性を有する平坦化されたヘテロエピタキシャル領域を提供することができる。
【0012】
よって、本発明の一実施の形態の一局面は、表面粗さが低減された、エピタキシャル成長した半導体結晶材料を提供することである。
【0013】
本発明の一実施の形態の代替的な局面は、平坦化された(例えば異なる)半導体結晶材料に、表面粗さが低減された半導体結晶材料を提供することである。
【0014】
本発明の一実施の形態の代替的な局面は、不純物が低減された、もう1つの成長した結晶材料との界面上に、表面粗さが低減されたエピタキシャル成長した結晶材料を提供することである。
【0015】
さらにもう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、平坦化された半導体結晶材料に歪んだ低欠陥結晶材料をエピタキシャル成長させるプロセスを提供する。
【0016】
さらにもう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、後に続くプロセス用の表面粗さが低減された半導体結晶材料を準備するプロセスおよび/または表面を含む半導体デバイスを提供する。
【0017】
これらの局面は、混合信号アプリケーションデバイス、電界効果トランジスタ、量子トンネリングデバイス、発光ダイオード、レーザーダイオード、共鳴トンネルダイオード、および光起電力デバイスを含むが、しかしこれらに限定されるものではない、アスペクト比トラッピング(ART)技術を組み込むデバイスに特に応用されることができる。アスペクト比トラッピングデバイスは、アスペクト比(深さ/幅)>1を有する、またはほとんどの欠陥をトラップするのに適した開口または限定領域に結晶材料をエピタキシャル成長させることができる。
【0018】
本発明の更なる局面および有用性は、一部は以下の説明の中に記載され、一部は説明から明らかであり、または、本発明の実施によって学ばれることができる。
【0019】
この一般的発明概念のこれらのおよび/または他の局面および有用性は、添付の図面と併せて解釈されると、以下の実施の形態の説明から明白になり、より容易に理解される。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1a】アスペクト比トラッピングを用いたトレンチ内のシリコンゲルマニウム(SiGe)上の歪みゲルマニウムの断面概略を示す図である。
【図1b】アスペクト比トラッピング構造の代替構成(例えば、結晶材料のための限定領域)の断面概略を示す図である。
【図2a】トレンチ内に成長させたままのSi0.2Ge0.8の走査型電子顕微鏡(SEM)画像を示している。
【図2b】化学機械研磨後のSi0.2Ge0.8の走査型電子顕微鏡(SEM)画像を示している。
【図3a】ゲルマニウム成長の前にプリベークステップを行っていない、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの走査型電子顕微鏡画像を示している。
【図3b】ゲルマニウム成長の前にプリベークステップを行っていない、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面透過型電子顕微鏡(TEM)画像を示している。
【図3c】Ge/Si0.2Ge0.8界面の拡大した透過型電子顕微鏡画像を示している。
【図4a】ゲルマニウム成長の前に750℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのSEM画像を示している。
【図4b】ゲルマニウム成長の前に750℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像を示している。
【図4c】Ge/Si0.2Ge0.8界面の拡大したTEM画像を示している。
【図5a】ゲルマニウム成長の前に810℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのSEM画像を示している。
【図5b】ゲルマニウム成長の前に810℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像を示している。
【図5c】Ge/Si0.2Ge0.8の拡大したTEM画像を示している。
【図6a】ゲルマニウム成長の前にプリベークを行っていない、ブランケット(blanket)Ge/Si0.2Ge0.8の酸素の二次イオン質量分光(Secondary Ion Mass Spectrometry;SIMS)深さプロファイル(depth profiles)を示している。
【図6b】ゲルマニウム成長の前に810℃のプリベークステップを行った、ブランケットGe/Si0.2Ge0.8の酸素のSIMS深さプロファイルを示している。
【図7a】ゲルマニウム成長の前に870℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムのSEM画像を示している。
【図7b】ゲルマニウム成長の前に870℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの断面TEM画像を示している。
【図7c】Ge/Si0.2Ge0.8界面の拡大したTEM画像を示している。
【図8a】ゲルマニウム成長の前に810℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope;AFM)画像を示している。
【図8b】ゲルマニウム成長の前に870℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムのAFM画像を示している。
【図9a】810℃のプリベークを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの逆空間マッピング(reciprocal space mapping;RSM)の{224}ピーク値を示している。
【図9b】異なるプリベーク条件で行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのシリコン、Si0.2Ge0.8、およびゲルマニウムのピーク値の位置を示す図表を示している。
【発明を実施するための形態】
【0021】
実施の形態の詳細な説明
ここで、この一般的発明概念の実施の形態を詳細に参照する。その例が添付の図面に示されており、図中、同様の参照数字は全体を通して同様の要素を指している。図を参照することによりこの一般的発明概念を説明するために、以下で実施の形態について説明する。
【実施例】
【0022】
格子不整合材料の形成は、多くの実用的応用例を有する。例えば、シリコンなどの結晶基板上にIV族材料または化合物、およびIII−V、III−N、およびII−VI族化合物をヘテロエピタキシャル成長させることは、光起電力技術、共鳴トンネルダイオード(RTD’s)、トランジスタ(例えば、(平坦または3次元(例えばフィン型電界効果トランジスタ)であり得る)FET、高電子移動度トランジスタ(HEMT)など)、発光ダイオード、およびレーザーダイオードなどの多くの応用例を有する。一例として、シリコン上のゲルマニウムのヘテロエピタキシーは、高性能pチャネル金属酸化膜半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)の有望な方法と考えられており、シリコン相補型MOS(CMOS)技術と光電子デバイスを統合する有望な方法と考えられている。他の材料の(例えば、III−V、III−N、およびII−VI族化合物、ならびに他のIV族材料または化合物の)ヘテロエピタキシー成長も、これらのおよび他の応用例に有益である。
【0023】
IV族材料であるゲルマニウム(Ge)は、そのキャリア移動度がシリコン(Si)に比べてより高いため、CMOSデバイスの高移動度のチャネルに用いられる可能な材料の候補の1つである。また、ゲルマニウムの圧縮歪みは、バンドスプリットおよび正孔有効質量の低下により起こり得るキャリア移動度の更なる向上を示すことが報告された。デバイス性能の大幅な改善が圧縮歪みゲルマニウムチャネルを用いて実証されているが、しかし、このような構造を形成する方法および/またはこのような構造は、現在に至るまで達成するのが困難なままである。
【0024】
例えば、エピタキシャル成長した材料の転位密度は、多くのアプリケーションに受け入れられないほど高い可能性がある。例えば、シリコン上に直接成長したゲルマニウムの転位密度は、2つの材料間の4.2%の格子不整合により、108〜109cm-2ほどの高さになる可能性があり、ほとんどのデバイスアプリケーションに受け入れられない。組成勾配(compositional grading)およびエピタキシャル成長後の高温アニールを含む、欠陥密度を低下させるさまざまな取り組みが進められている。しかし、これらの取り組みは、厚いエピ層および/または高サーマルバジェット(thermal budget)が必要なために、またはCMOSの統合に適する密度での選択的成長との不適合性のために、シリコンベースのCMOS技術との統合に最適でない場合がある。
【0025】
アスペクト比トラッピング(ART)は、これらの問題を緩和する欠陥減少の技術である。本明細書で用いられるように、“ART”または“アスペクト比トラッピング”は、一般的に、非結晶性の例えば誘電体、側壁で欠陥を終了させる技術を言い、側壁は、欠陥の全てではないがほとんどをトラップするために、成長領域のサイズに比べ、十分に高い。アスペクト比トラッピングは、トレンチまたはホールなどの高アスペクト比の開口を用いて転位をトラップし、それらがエピタキシャル膜の表面に到達するのを防ぎ、アスペクト比トラッピング開口内の表面転位密度を大きく低減させる。
【0026】
図1aは、アスペクト比トラッピングを用いた欠陥トラッピング領域155上の高品質の格子不整合材料140の断面を示す図である。ここに示されるように、結晶材料140は、基板100上(ここでは、例えばシリコン基板の(001)表面上)にエピタキシャル成長される。十分に高いアスペクト比(例えば、1以上、0.5以上)を有する絶縁体130の開口120(例えば、トレンチ、凹溝など)内に結晶成長を限定することによって、結晶材料140をエピタキシャル成長させている間に形成された欠陥150(例えば、貫通転位)は、側壁(例えば、絶縁体の側壁)110まで進み、側壁で終了する。よって、結晶材料140は、欠陥150の継続的な成長なしに、成長を続け、欠陥トラッピング領域155上に、欠陥が低減された結晶を形成する。結晶材料140内の欠陥150は、開口120の底部からの距離が増すにつれて、密度が減少し得る。よって、第2の結晶半導体材料140の底部は、結晶(例えば格子)欠陥を含み、結晶材料の上部は実質的に結晶欠陥がなくなる。貫通転位、積層欠陥、双晶境界、または反位相境界などのさまざまな結晶欠陥150は、よって、結晶材料の上部から実質的に除去されることができる。この技術は、例えば200〜450nm幅で任意の長さのトレンチ内のシリコン上に、または例えば電界効果トランジスタなどのデバイスに用いるのに十分大きな領域上に、ゲルマニウム、インジウムリン(InP)およびガリウムヒ素(GaAs)などの低欠陥率材料を選択的に成長させるのに効果的であることが示されている。上記トレンチは、より幅が広い可能性もあれば、より幅が狭い可能性もある。
【0027】
一実施例では、開口120の幅は、400nmもしくはそれ以下、350nmもしくはそれ以下、200nmもしくはそれ以下、100nmもしくはそれ以下、または50nmもしくはそれ以下であってもよい。これらのサイズは、アスペクト比トラッピングに効果的であることが示されている(当然ながらこれらのサイズはアスペクト比トラッピングに用いられる必要はない)。また、開口の幅は5μmまたはそれ以下であってもよい。他の代替例では、開口の幅は1μmまたはそれ以下であってもよい。開口は、(図1aに示されるように長さが前方から後方に伸びている)トレンチとして形成されてもよく、この場合、幅はその長さと高さとに垂直であると考えられるであろう。トレンチの長さは任意であることができる。また、トレンチの長さは、トレンチの幅より実質的に大きくてもよい。例えば10倍以上、または100倍以上大きくてもよい。一実施例では、トレンチの長さは20μmであることができる。
【0028】
開口120は、アスペクト比トラッピング(ART)技術を用いて結晶材料140をエピタキシャル成長させる時に、欠陥をトラップするのに用いられることが好ましいが、必須ではない。(アスペクト比“AR”は、トレンチの高さ/トレンチの幅の比率としてトレンチについて規定される。)この場合、アスペクト比は、1より大きいことができるが、アスペクト比トラッピングデバイスでは、例えば0.5の、より低いアスペクト比であることも可能である。一実施の形態では、結晶材料140は、第1、第2、および第3の材料などの2つの異なる半導体材料または2つ以上の半導体材料(例えばGaAs/InP/インジウムガリウムヒ素InGaAs)を含むことができる。第1の材料は、ゲルマニウムまたはGaAsであることができ、100nmより少ないことができるか、または基板に接合する特性を有することができる。第3の材料は研磨される。本発明を組み込むことができる例示的なアスペクト比トラッピングデバイスおよびアスペクト比トラッピング技術の更なる詳細は、2006年5月17日に出願された米国特許出願第11/436,198号、2006年7月26日に出願された第11/493,365号、および2007年9月7日に出願された第11/852,078号、および「結晶材料の改善されたエピタキシャル成長(“Improved Epitaxial Growth of Crystalline Material”)」と題する2009年6月2日に出願された米国特許出願第12/476,460号(代理人整理番号ASC−3001XX)、および「小さな化合物半導体材料の研磨(“Polishing of Small Composite Semiconductor Materials”)」と題する2009年7月15日に出願された第12/503,597号(代理人整理番号ASC−3003XX)に見られることができ、これらの全ては引用により本明細書に援用される。
【0029】
上述の実施例の基板100は、ゲルマニウムおよび/または例えば(001)シリコンであるシリコンなどのIV族元素または化合物を含むことができる。結晶材料140は、IV族元素または化合物、III−VまたはIII−N化合物、またはII−VI化合物の少なくとも1つを含むことができる。IV族元素の例は、ゲルマニウム、シリコンを含み、IV族化合物の例は、シリコンゲルマニウムを含む。III−V化合物の例は、リン化アルミニウム(AlP)、リン化ガリウム(GaP)、リン化インジウム(InP)、ヒ化アルミニウム(AlAs)、ヒ化ガリウム(GaAs)、ヒ化インジウム(InAs)、アンチモン化アルミニウム(AlSb)、アンチモン化ガリウム(GaSb)、アンチモン化インジウム(InSb)、ならびにその三元および四元化合物を含む。III−N化合物の例は、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)、ならびにその三元および四元化合物を含む。II−VI化合物の例は、セレン化亜鉛(ZnSe)、テルル化亜鉛(ZnTe)、セレン化カドミウム(CdSe)、テルル化カドミウム(CdTe)、硫化亜鉛(ZnS)、ならびにその三元および四元化合物を含む。
【0030】
絶縁体の層は、実質的に平坦な層として形成される必要がない。例えば、絶縁体は、それが形成される基板の波状の表面に一致した薄層で形成されることができる。図1bは、基板100内にエッチングされた開口/凹溝/トレンチ120を有する基板を含む例を示している。絶縁層180は、基板100に沿って形成されており、エッチングされた基板100の表面トポグラフィーに一致する。絶縁層180は、後に続く格子不整合結晶材料のために基板100の部分160を露出させるように開口/トレンチの底部に構成される。この場合、絶縁層180の側壁110は、基板100上に堆積させることによって、または基板100の酸化によって形成されることができ、別のフォトリソグラフィープロセスによって形成されない。開口120および部分160の例示的な構成が示されているが、本発明の実施の形態は、これに限定されるものではなく、例えば、他の線状(linear)、階段状(tiered)、または非線状(nonlinear)の断面が開口120および部分160に用いられてもよい。
【0031】
本発明の実施の形態は、平坦化された第2の結晶半導体の表面上に、エピタキシャル成長した第1の結晶半導体材料を含むデバイスに向けられる。成長した第1の結晶半導体材料は、粗さが低減された上表面を有することが好ましい。成長した第1の結晶半導体材料は、圧縮または弾性歪みがあることが好ましい。成長した第1の結晶半導体材料は、下方の第2の結晶半導体材料に類似し得る低欠陥率を有することが好ましい。第2の結晶半導体材料は、第1の結晶材料と異なることが好ましい。平坦化された第2の結晶半導体の表面は、その低減された表面粗さを損なうことなく、洗浄されることができることが好ましい。第2の結晶半導体材料および第1の結晶半導体材料間の界面にある不純物は、減少されることが好ましい。
【0032】
本発明の実施の形態は、絶縁体の開口内の平坦化された格子不整合材料上に半導体結晶材料を含むデバイスに向けられる。図1aは、一実施例を表しており、例示的なデバイスの一部の断面図を示している。図1aに示されるように、一実施例は、非シリコンチャネルデバイス(例えばMOSFET)のために、絶縁体130に規定された開口120に、基板100上に成長した結晶材料140(例えば、シリコンゲルマニウム合金;SiXGe1-X;Si0.2Ge0.8)を含む。基板100は、シリコン、ゲルマニウム、またはサファイアなどの結晶材料であってもよい。絶縁体130は、窒化ケイ素、二酸化ケイ素などを含む誘電材料などの非結晶材料であることが好ましい。結晶材料140は、少なくともいくつかの段階では、絶縁体130の上表面上に表面を有する。平坦化された表面は、少なくとも結晶材料140および絶縁体130の部分の表面を含むことが好ましい。もう1つの半導体結晶材料190は、結晶材料140の上に/の所に提供されることが好ましい。
【0033】
図1a〜図9に関連する以下の記述は、研磨された構造(例えばアスペクト比トラッピング構造)にある、または研磨された構造上に成長した低欠陥歪み結晶材料の表面が、どのように低減された表面粗さを得ることができるのかの例を説明している。以下の記述は、限定された空間内の格子不整合または結晶半導体材料(例えば、絶縁体130内の結晶材料140)の表面がどのように準備されることができるのか、または所定の表面特性を備えることができるのかの例を更に説明している。本記述は、特定の材料およびプロセスパラメータに関連しているが、この記述は、例示的なものであるに過ぎず、これらの材料およびプロセスパラメータに本発明を限定するものと見なすべきでないことは明白である。
【0034】
以下の材料およびプロセスパラメータは、図1a〜図9に関連して説明されるように成長したゲルマニウムに用いられた。本実施例に用いられる初期基板は、結晶シリコンであり、200mm直径、および(001)配向であった。500nm厚さの熱酸化物が基板上に成長された。酸化物層は、200nm幅を有する、シリコン基板の[110]方向に沿ったトレンチにパターニングされた。トレンチは、従来のフォトリソグラフィー技術および反応性イオンエッチング(RIE)ステップを用いて形成された。続いて、パターニングされた基板は、Pirana、SC2、および希釈フッ化水素酸溶液(dilute HF solution)で順次に洗浄された。反応性イオンエッチングによって生成されたフルオロカーボン残留物の除去は、25nm厚さの犠牲酸化、および後に続く希釈フッ化水素酸洗浄(例えばHF酸化物エッチング)を用いて達成された。最終的なトレンチの高さは、この洗浄手順の後、490nmであった。500nm以上のシリコンゲルマニウム層は、工業用ASM Epsilon E2000 システムにある露出したシリコン基板上に(例えばトレンチに)化学気相成長(CVD)によって成長された。この化学気相成長システムは、石英管にランプ加熱型グラファイトサセプタを有する水平、冷壁、単一ウエハ、ロードロック型リアクタ(a horizontal, cold-wall, single wafer, load-locked reactor with a lamp-heated graphite susceptor in a quartz tube)である。
【0035】
Si0.2Ge0.8層は、ASM Epsilon E2000商用グレードのエピタキシーリアクタを用いて、600℃および80トールで1200秒、トレンチ内に成長された。水素で希釈された25%のゲルマン(GeH4)および100%のジクロロシラン(SiH2Cl2)は、ゲルマニウムおよびシリコンの前駆体としてそれぞれ用いられ、水素は、希釈ガスとして用いられた。Si0.2Ge0.8の化学機械研磨が実行され、Strasbaugh 6ECを用いて、シリコンゲルマニウム層を酸化物側壁と同一平面になるようにした。Nalco 2360スラリー(70nmコロイドシリカ)が用いられた。Nalco 2360スラリーは、水溶液中にサブミクロンシリカ粒子を有する市販のコロイドシリカ研磨スラリーである。NaOCl、NH4OH、またはH2O2溶液は、希釈されたスラリーに加えられ、酸化物側壁に対するシリコンゲルマニウムの除去速度を向上させた。よって、各スラリー混合物は、一部のNalco2360、一部の化学添加物からなり、その残りは脱イオン水(DI)の水溶液であり、合計100%のスラリー混合物になった。Strasbaugh 6ECの例示的な化学機械研磨プロセスは、ランプアップ(ramp-up)、研磨、ランプダウン(ramp-down)、および洗浄(rinse)を含んでいた。
【0036】
Verteq Goldfingerの単一ウエハメガソニック化学機械研磨後工具を用いた例示的な化学機械研磨後の洗浄は、汚染物分離(contamination spin-off)、プロセス時間、洗浄時間、およびスピンドライ時間を含んでいた。一実施例では、125Wのメガソニックパワー(megasonic power)および1.7〜3L/分の速度の脱イオン水が用いられることができる。メガソニック化学機械研磨後洗浄プロセスの後、基板は、希釈されたフッ化水素酸溶液で洗浄された。続いて、ゲルマニウム層(例えば、42nm厚さ)が、Si0.2Ge0.8の成長と同じリアクタを用いて350℃およびSi0.2Ge0.8の成長と同じ圧力で、同一平面上のSi0.2Ge0.8上に成長された。成長チャンバ内でのゲルマニウム成長ステップの直前に、同じ成長圧力で水素中で、750℃、810℃、または870℃で1分間、ウェハが熱処理(bake)された。比較用に、プリベークステップなしでゲルマニウムがいくつかのウエハ上に成長された。Si0.2Ge0.8(140)上のゲルマニウム(190)の歪みは、Panalytical X’Pert回折計を用いて非対称{224}ピーク値の高分解能逆空間マップ(RSM)から判定された。走査型電子顕微鏡(SEM)および透過型電子顕微鏡(TEM)は、特性化に用いられた。断面SEM分析サンプルは、Zeiss Supra 40電界放射SEMを用いて観察された。断面TEMサンプルは、機械研磨およびアルゴン(Ar)イオンミリングによって準備され、TEM画像は、200kVで動作するJEOL JEM2100顕微鏡で撮影された。
【0037】
図2(a)および図2(b)は、Si0.2Ge0.8の化学機械研磨前と後の酸化物トレンチのSi0.2Ge0.8をそれぞれ表している。成長したSi0.2Ge0.8の表面は、酸化物トレンチの上表面上に位置する。酸化物トレンチ上に成長したSi0.2Ge0.8の表面は、図2(a)に示されるように、Si0.2Ge0.8の結合(coalescence)が完全に均一でないため、非常に粗かった。例えば、Si0.2Ge0.8の結合は、矢印205によって示されているが、Si0.2Ge0.8の結合されていない部分は、矢印215によって示されている。酸化物トレンチと同一平面上にあるスムーズなSi0.2Ge0.8は、図2(b)に示されるように、化学機械研磨後に得られ、歪みゲルマニウム成長およびデバイスアプリケーションに適する。
【0038】
図3(a)は、ゲルマニウム成長の前にプリベークステップを行っていない、酸化物トレンチ内の同一平面上のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムのSEM画像を示す図である。図3(a)に示されるように、ゲルマニウム成長は、選択的であり、酸化物上にゲルマニウムアイランドを形成しなかった。ゲルマニウムの結晶品質およびGe/Si0.2Ge0.8の界面を評価するために、TEM試験が実行された。図3(b)は、図3(a)からのトレンチのSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像を示す図である。図3(b)に示されるように、Si0.2Ge0.8/Si界面からの貫通転位(TDs)は、矢印305によって示されるように、アスペクト比トラッピング技術によってトラップされ、トレンチのSi0.2Ge0.8の上部は、実質的に低減された欠陥を有するか、または貫通転位がない。興味深いのは、Si0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムは、スムーズでないことである。図3(c)は、図3(b)の断面TEM画像の拡大した部分を示す図である。図3(c)に表された拡大された画像は、矢印315によって示されるように、ゲルマニウムとSi0.2Ge0.8との間のはっきりした界面を示す。研磨および洗浄手順後でも、ゲルマニウムの低結晶品質は、Si0.2Ge0.8上に成長した、図3(a)〜図3(c)に例示的に示される粗い表面を含むことになった。
【0039】
プリベーク温度およびSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの品質に対して対応する影響を判定するために、プリベークは、ゲルマニウム成長の前に1分間、750℃で行われた。その結果は、図4(a)〜図4(c)に示される。図4(a)は、750℃のプリベークを行った、酸化物トレンチ内の同一平面上のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのSEM画像を示す図であり、図4(b)は、図4(a)のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像であり、図4(c)は、図4(b)の拡大された部分を示している。図4(a)では、SEM画像は、サンプル表面が清浄で、ゲルマニウムの成長選択性が良好であることを示している。図4(b)では、断面TEM画像は、ゲルマニウム層が、図3(c)に示されたプリベークステップを行っていないゲルマニウム層より更にスムーズであることを示している。しかし、欠陥のない下方のSi0.2Ge0.8に比べ、図4(c)に示されたゲルマニウム層は、より欠陥があり、これらの欠陥は主にGe/Si0.2Ge0.8界面に起因する。図4(c)の拡大された画像は、矢印405によって示されるように、ゲルマニウムとSi0.2Ge0.8との間のはっきりした界面および不純物を示す。よって、750℃のプリベークは、図3(a)〜図3(c)に示されたSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムに比べ、Si0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの品質面でいくらかの改善を示す。しかし、図4(c)に示されたように界面に存在する水蒸気および酸素などの不純物の除去は、十分でない可能性があり、そのため欠陥が界面不純物から生じた。
【0040】
界面不純物の除去とゲルマニウムの結晶品質を判定するために、プリベークは、ゲルマニウム成長の前に810℃で行われた。その結果は、図5(a)〜図5(c)に示される。図5(a)は、810℃のプリベークを行った、酸化物トレンチ内の同一平面上のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのSEM画像を示す図であり、図5(b)は、図5(a)のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像であり、図5(c)は、図5(b)の拡大された部分を示している。図5(a)に示されるように、ゲルマニウムサンプル表面は、SEM画像から良好な成長選択性を示している。図5(b)に示されるように、ゲルマニウム層は、顕著な欠陥を示さず、欠陥率の面では、下方にある欠陥のないSi0.2Ge0.8と類似している。界面不純物は、矢印515によって示されるように、図5(c)にわずかに示される。しかし、図5(c)の界面不純物は、プリベークを行っていない、または750℃でプリベークを行ったものよりはるかに少なく、プリベークを行っていない、または750℃でプリベークを行ったものに比べ、欠陥の発生を起こさなかった。よって、より高温(例えば810℃)でのプリベークは、Ge/Si0.2Ge0.8の界面にある界面不純物の良好な除去をさせることができ、これはゲルマニウムの結晶品質を更に良くするはずである。
【0041】
プリベークによる界面不純物の除去(例えば、減少)を評価するために、Ge/Si0.2Ge0.8にある酸素濃度605は、二次イオン質量分光法(SIMS)を用いて測定された。図6(a)および図6(b)は、それぞれ810℃のプリベークを行った後およびプリベークを行っていないブランケット(blanket)Si0.2Ge0.8上に成長した380nm厚さのゲルマニウム層のSIMS深さプロファイルを示す図である。図6(a)〜図6(b)に示されるように、Ge/Si0.2Ge0.8界面にあるピーク酸素濃度615は、ゲルマニウム成長の前に810℃のプリベークを行ったサンプルでは、約4×1019原子/cm3であるが、Ge/Si0.2Ge0.8界面にあるピーク酸素濃度625は、プリベークを行わないサンプルでは、2×1021原子/cm3である。この結果は、界面の酸素濃度が、810℃のプリベークを行った後、ほぼ2桁減少されたことを示している。また、ブランケットSi0.2Ge0.8層上にある380nmのゲルマニウム層の深さによって示されたゲルマニウムの組成量635も図6(a)および図6(b)に示されている。
【0042】
界面不純物の除去およびゲルマニウムの結晶品質を判定するために、プリベークは、ゲルマニウム成長の前に870℃で行われた。その結果は、図7(a)〜図7(c)に示される。870℃でのプリベークは、プリベーク温度の上限を決定することができる。図7(a)は、870℃のプリベークを行った、酸化物トレンチ内の同一平面上のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのSEM画像を示す図である。図7(b)は、図7(a)のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像であり、図7(c)は、図7(b)の拡大した部分を示している。図7(a)は、トレンチのGe/Si0.2Ge0.8構造が870℃のプリベークおよびゲルマニウム成長の後にトレンチに沿って波状(undulation)を表すことを示している。図7(b)および図7(c)は、Ge/Si0.2Ge0.8界面715が湾曲しているかまたは丸くなっており、実質的にGe/Si0.2Ge0.8界面に界面不純物が見られなかったことを表している。図7(a)〜図7(c)に示された結果は、870℃のプリベークが低温でのプリベークに比べ、非常によく界面不純物を除去することを示している。しかし、図7(a)に示されるように、Ge/Si0.2Ge0.8の波状の表面は、デバイスアプリケーションに適さない。よって、Ge/Si0.2Ge0.8の表面は、ベーク温度が高過ぎた場合、デバイスアプリケーションに適さない可能性がある。
【0043】
サンプルの粗さは、Veeco Dimension 3100を用いたタッピングモード原子間力顕微鏡(AFM)によって特徴づけられた。図8(a)および図8(b)は、810℃および870℃のプリベークをそれぞれ行った、トレンチのGe/Si0.2Ge0.8の原子間力顕微鏡(AFM)画像を示す図である。810℃のプリベークを行ったサンプルは、0.54nmの二乗平均平方根(RMS)粗さとなり、これがAFM画像から計算されることができるが、870℃のプリベークを行ったサンプルの二乗平均平方根粗さは、9.64nmであり、トレンチに沿った波状により、ほぼ20倍高い。
【0044】
上述のように、結晶材料のゲルマニウム層は、少なくともその成長中のいくつかの段階で表面を有する。一実施の形態では、ゲルマニウム層(190)の表面は、7nmより少ない、5nmより少ない、3nmより少ない、または1nmより少ない、または0.3nmより少ない表面粗さRmsを有することが好ましい。
【0045】
このような例示的なプロセス条件から、トレンチの歪みGe/Si0.2Ge0.8構造は、形成に成功した。ゲルマニウムとシリコンゲルマニウムの例示的な実施の形態の歪みは、{224}ピーク値の高分解能RSMを用いて評価されることができる。図9(a)は、ゲルマニウム成長の前に810℃でベークを行った、トレンチのSi0.2Ge0.8上の42nm厚さのゲルマニウムの{224}RSMを表している。トレンチの薄膜ゲルマニウムおよびSi0.2Ge0.8ならびにシリコン基板の{224}ピーク値が、図9(a)に示される。X線回折測定は、トレンチに沿って且つトレンチに垂直に行われ、両方の方向のゲルマニウムとSi0.2Ge0.8の歪みを評価した。図9(b)に示されるように、異なる条件でベークされたサンプルの{224}ピーク値の位置が、比較用にRSMで示された。図9(b)に示されるように、シリコンとゲルマニウムの理論上の{224}ピーク値の位置がマークされた。シリコンゲルマニウムが完全に緩和している場合、そのピーク値は、図9(b)のシリコンのピーク値とゲルマニウムのピーク値との間の破線上に位置するが、シリコンゲルマニウムが完全に歪んでいる(strained)場合、その層の表面法線に沿った点線上に位置することになる。よって、部分的に緩和したエピ層のピーク値は、2本の線の間に位置する。図8(b)から、Si0.2Ge0.8とゲルマニウムの両方は、トレンチ方向に沿ってより歪みがあるが、トレンチ方向に垂直により緩和することがわかった。また、Si0.2Ge0.8は、ベークを行わなくともトレンチに垂直に、ほとんど完全に緩和するが、トレンチ方向に沿ったSi0.2Ge0.8のピーク値の位置は、より高いベーク温度で破線に接近し、より高いベーク温度でより緩和することを示す。ゲルマニウム(224)のピーク値の位置から計算された格子定数から、一実施の形態では、42nm厚さのゲルマニウムは、トレンチ方向に沿って且つトレンチ方向に垂直に1%と0.45%の弾性歪みをそれぞれ有する。
【0046】
上述のように、結晶材料のゲルマニウム層は、下方の格子不整合半導体結晶シリコンゲルマニウム合金の上方、または下方の格子不整合半導体結晶シリコンゲルマニウム合金の所に形成される。シリコンは、ゲルマニウムより約4%小さい、より小さい格子定数を有する。この実施例の格子不整合は、シリコンゲルマニウムのシリコンとゲルマニウムの割合に基づいてほぼ直線的に変化する。ゲルマニウム層の厚さは、変えることができるが、歪みが維持されるように十分に薄いままであることが好ましい。一実施の形態では、ゲルマニウム層(190)は、少なくとも20nmの厚さ、少なくとも40nmの厚さ、少なくとも100nmの厚さ、または少なくとも200nmの厚さであることが好ましい。
【0047】
一実施の形態では、結晶材料190は、少なくとも第1の方向に沿って、第1の方向に垂直な第2の方向に沿って、または第1と第2の方向の両方に沿って弾性歪みを有する。歪みは、第1の方向に沿った少なくとも0.5%、少なくとも1%、少なくとも2%、もしくは少なくとも4%の圧縮歪み、または第2の方向に沿った少なくとも0.5%、少なくとも1%、少なくとも2%、もしくは少なくとも4%の圧縮歪みであることが好ましい。
【0048】
これらの実施例はシリコンゲルマニウム上にゲルマニウムを化学気相成長させることに向けられているが、他の材料も用いられてもよい。例えば、GaAs、AlGaAs、InGaAs、InAlAs、InGaAlAs、InP、GaP、InGaP、InAlGaPなどのIII族(Al、Ga、In)およびV族(P、As)の化合物を化学気相成長によってエピタキシャル成長した時、通常、500〜800℃の成長温度が、ブランケット基板上で十分な成長速度を得るために用いられる。更なる実施例によれば、これらの材料は、平坦化された第1の結晶材料上に成長される時、500℃より小さい温度または400〜500℃で化学気相成長によって成長されることができる。しかし、成長ステップの前のプリベークまたは準備プロセス(例えば、水素ガス中の高温での洗浄)の温度は、用いられるべき半導体結晶材料の成長温度から独立していることが好ましい。
【0049】
もう1つの実施例として、GaSb、AlSbおよびInSbなどのIII族(Al、Ga、In)およびV族(Sb)の化合物は、400〜700℃の範囲の成長温度でブランケット基板上に化学気相成長によってエピタキシャル成長されることができる。更なる実施例によれば、これらの材料は、平坦化された第1の結晶材料上に成長される時、400℃より小さい温度または300〜400℃で化学気相成長によって成長されることができる。しかし、成長ステップの前のプリベークまたは準備プロセス(例えば、水素ガス中の高温での洗浄)の温度は、用いられるべき半導体結晶材料の成長温度から独立していることが好ましい。
【0050】
もう1つの実施例として、III−N族の化合物は、500〜1100℃の範囲の成長温度でブランケット基板上に化学気相成長によってエピタキシャル成長されることができる。更なる実施例によれば、これらの材料は、平坦化された第1の結晶材料上に成長される時、500℃より小さい温度または400〜500℃で化学気相成長によって成長されることができる。しかし、成長ステップの前のプリベークまたは準備プロセス(例えば、水素ガス中の高温での洗浄)の温度は、用いられるべき半導体結晶材料の成長温度から独立していることが好ましい。
【0051】
もう1つの実施例として、II−VI族の化合物は、250〜600℃の範囲の成長温度でブランケット基板上に化学気相成長によってエピタキシャル成長されることができる。更なる実施例によれば、これらの材料は、平坦化された第1の結晶材料上に成長される時、250℃より小さい温度または200〜250℃で化学気相成長によって成長されることができる。しかし、成長ステップの前のプリベークまたは準備プロセス(例えば、水素ガス中の高温での洗浄)の温度は、用いられるべき半導体結晶材料の成長温度から独立していることが好ましい。
【0052】
もう1つの実施例として、IV族元素および化合物は、400〜1000℃の範囲の成長温度でブランケット基板上に化学気相成長によってエピタキシャル成長されることができる。更なる実施例によれば、これらの材料は、平坦化されたアスペクト比トラッピング結晶材料上に成長される時、400℃より小さい温度または300〜400℃で化学気相成長によって成長されることができる。しかし、成長ステップの前のプリベークまたは準備プロセス(例えば、水素ガス中の高温での洗浄)の温度は、用いられるべき半導体結晶材料の成長温度から独立していることが好ましい。
【0053】
よって、上述に従ったIV、III−V、III−N、およびII−VI族材料には、さまざまな上述の実施の形態に従って、表面粗さが低減された、弾性的に歪んだ低欠陥層が設けられることが好ましいが、必須ではない。
【0054】
本願の実施の形態によれば、アスペクト比トラッピング技術を用いて酸化物トレンチに作製された、研磨されたSi0.2Ge0.8上の低欠陥率・圧縮歪みゲルマニウムが得られた。しかし、例示的な一実施の形態では、プリベーク温度がますます高くなると、界面特性に有利となる可能性があるが、デバイスのまたは限定された結晶材料の熱耐性を超え、容認できないほどの高い表面粗さ(rms)となる可能性がある。高い表面粗さの1つの潜在的原因は、他の機構によって放出されることができない、限定された結晶材料内の格子不整合の歪みである可能性があり、これによって、洗浄またはプリベークプロセスにとってサーマルバジェットが制限されることとなり得る。
【0055】
上述のように、本願に係るいくつかの実施の形態は、結晶成長の前に、化学機械研磨および準備またはプリベークプロセスを用い、表面特性を改善し、または高品質の、実質的に欠陥のない、スムーズな半導体結晶材料を得たが、実施の形態はそのように限定されるものではない。なぜなら、さまざまなガスおよび/または間隔が用いられることができるためである。一実施の形態では、結晶材料190の成長の前のプリベークまたは洗浄プロセスは、一分間持続した。もう1つの実施例では、プリベークプロセスは、少なくとも10秒持続、少なくとも30秒持続、少なくとも2分持続、少なくとも5分持続、または少なくとも10分持続することができる。もう1つの実施例では、プリベークの温度範囲は、ブランケット成長の温度範囲内のより小さい範囲か、またはやや高い範囲であることができる。一実施例では、水素を含むガスが用いられることができる。例えば、水素と不活性ガスとの組合せが用いられることができる。一実施例では、アルゴンまたは窒素ガスと組合せられた水素が用いられることができる。実施の形態によれば、プリベークプロセスは、平坦化された表面の不純物の程度を減少させることができる。
【0056】
本願の実施の形態によれば、アスペクト比トラッピング技術を用いて酸化物トレンチに作製された、研磨されたSi0.2Ge0.8上の低欠陥率・圧縮歪みゲルマニウムが得られた。一実施例では、プリベークプロセスは、約760℃〜860℃の対応する温度範囲を用いた。もう1つの実施例では、プリベークプロセスは、780℃〜840℃の間の温度範囲、800℃〜820℃の間の範囲、または約810℃の温度を用いることができるが、しかし、このような温度範囲はそのように限定されるものではない。なぜなら、温度範囲は、実際に用いられる材料および/または条件に伴って変化するためである。例えば、シリコン含有量が減少された場合(例えばSi0.1Ge0.9)、対応する温度範囲は上昇する。
【0057】
表面粗さが低減された低欠陥・歪み半導体結晶材料、半導体デバイス、および上述のものを作製して用いるための方法の例示的な実施の形態は、ドープされていない半導体材料を開示していた。しかし、この一般的発明概念は、類似の結果を有する上述のデバイスなどのデバイスのための既知の濃度のn型ドープ半導体材料またはp型ドープ半導体材料に適用されることができる。
【0058】
一実施の形態では、結晶材料140は、約1×106より少ない線欠陥/cm2を(例えば、欠陥トラッピング領域155の上に)有することができる。また、結晶材料140は、約1×107欠陥/cm2〜1×108欠陥cm2またはそれ以下の線欠陥密度を有することができる。また、結晶材料140は、実質的に線欠陥および/または面欠陥がないことができる。一実施の形態によれば、結晶材料190は、下方の結晶材料140に適合する欠陥率特性を有することができる。ドーパントは通常、半導体材料に加えられ、その電荷キャリア(電子または正孔)を増加させる。当該技術分野において理解されるように、本願では、欠陥がドーパントを含んでいるとは考えられない。
【0059】
上述のように、本願の実施の形態によれば、Si0.2Ge0.8上の低欠陥率・圧縮歪みゲルマニウムは、アスペクト比トラッピング技術を用いて酸化物トレンチ内に作製された。酸化物トレンチと同一平面上にあるSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの成長の前に水素中でプリベークを行うステップによって、実質的に欠陥のない、スムーズなゲルマニウムが得られた。洗浄またはベーク温度が750℃以下で低過ぎた時、Ge/Si0.2Ge0.8にある界面不純物の除去は不十分であり、欠陥のあるゲルマニウムとなった。酸素濃度は、810℃のプリベークによって2×1021cm3から4×1019cm3に減少された。洗浄またはベーク温度が870℃以上で高過ぎた時、シリコンゲルマニウムの表面は、トレンチに沿って波状であり、その粗さは、原子間力顕微鏡を用いた5μm×5μmスキャンにより0.54から9.64nmに増加された。810℃で最適な試験済みのプリベークを用いると、42nm厚さの圧縮歪みゲルマニウムは、トレンチ方向に沿って且つトレンチ方向に垂直に1%と0.45%の弾性歪みをそれぞれ有して成長された。よって、本発明に係る実施の形態は、欠陥レベルが低く、層厚が小さく、サーマルバジェットが低いために、シリコンCMOSと優れた適合性を有する。
【0060】
シリコンCMOSデバイスは、本発明の実施の形態を含むように加工されることができる。よって、CMOSプロセスと統合された、本発明に係る発光ダイオードまたは光起電力デバイスなどのデバイスの実施の形態が作製されることができる。例えば、統合のために、本願に係る実施の形態の前または後に、シリコンCMOSプロセスは、半導体デバイス(例えばトランジスタ)または素子(例えば電極、コンタクトホール、コンタクト)を作製することができる。また、開示される実施の形態に係る構造および/または方法は、次世代CMOSおよびさまざまな他のアプリケーションのための非シリコンチャネルまたは活性領域の統合に用いられることができる。
【0061】
上述のように、本発明は、さまざまな応用例を有する。本発明は、アスペクト比トラッピング技術に限定されず、アスペクト比トラッピング技術の範囲内で多くの応用例を有する。例えば、本発明の使用は、絶縁体内の開口に成長したシリコンゲルマニウム合金の上に歪みゲルマニウムを形成するのに用いられることができる。ゲルマニウムおよびシリコンゲルマニウム層の1つまたは両方は、本発明に従って成長されることができる、および/または粗さが低減された表面を有することができる。さまざまなデバイスは、本発明を組み込むことができる。本発明は、これらのデバイスに限定されず、混合信号アプリケーション、電界効果トランジスタ、量子トンネリングデバイス(quantum tunneling devices)、発光ダイオード、レーザーダイオード、共鳴トンネルダイオード、および光起電力デバイスに特に適用されることができ、特にアスペクト比トラッピング技術を用いるものに適用されることができる。「混合信号アプリケーションのためのアスペクト比トラッピング(“Aspect Ratio Trapping for Mixed Signal Applications”)」と題する2007年9月18日に出願された出願連続番号第11/857047号、「アスペクト比トラッピングによって形成されたトライゲート電界効果トランジスタ(“Tri-Gate Field-Effect Transistors formed by Aspect Ratio Trapping”)」と題する2007年9月26日に出願された出願連続番号第11/861931号、「格子不整合半導体構造を有する量子トンネリングデバイスおよび回路(“Quantum Tunneling Devices and Circuits with Lattice-mismatched Semiconductor Structures”)」と題する2007年9月27日に出願された出願連続番号第11/862850号、「格子不整合半導体構造を有する発光体ベースのデバイス(“Light-Emitter-Based Devices with Lattice-mismatched Semiconductor Structures”)」と題する2007年10月19日に出願された出願連続番号第11/875381号、および「シリコン上の光起電力技術(“Photovoltaics on Silicon”)」と題する2007年4月9日に出願された出願連続番号第12/100131号が全て引用によって本明細書に援用され、本発明の局面を特に適合させることができる実施例を提供する。
【0062】
“1つの実施の形態”、“実施の形態”、“例示的な実施の形態”などに関する本明細書のどんな参照でも、実施の形態に関連して記述される特定の特徴、構造、または特性が本発明の少なくとも1つの実施の形態に含まれるか、組合せられることができることを意味する。明細書のさまざまな箇所に出現するこのような表現は、必ずしも全て同じ実施の形態を指すものではない。また、特定の特徴、構造、または特性がいずれかの実施の形態に関連して説明される時、他の実施の形態に関連してこのような特徴、構造、または特性に影響することは当業者の範囲内にあることを意味する。また、理解しやすいように、特定の方法の手順が別の手順として記述される可能性があるが、これらの別に記述された手順は、それらの実行の際に必ず順序に依存すると解釈されてはならない。即ち、いくつかの手順は、他の順序で、同時になどで実行されることができる。また、例示的な図は、本開示の実施の形態に従ってさまざまな方法を示している。このような例示的な方法の実施の形態は、対応する装置の実施の形態を用い、且つそれに応用されることができるように本明細書に記載されているが、これらの方法の実施の形態は、それによって限定されるものではない。
【0063】
本発明のいくつかの実施の形態が示され、説明されているが、本発明の精神及び原理を逸脱しない限りにおいては、これらの実施の形態において変更を行ってもよいことは当業者であれば理解するであろう。よって、前述の実施の形態は、本明細書に記述される発明を限定するものでなく、あらゆる点で例示的であると考えられる。よって本発明の範囲は、前述の説明によってでなく、添付の請求の範囲によって示され、請求の範囲の等価な意義と範囲内にある全ての変更は、この中に含まれる。本開示に用いられるように、“好ましくは”の表現は、包括的であり、“好ましくは、しかし限定されない”という意味である。請求の範囲内の表現は、この明細書に記載したような一般的発明概念と一致する最も広義な解釈をしなければならない。例えば、“結合”と“接続”(およびその派生語)は、直接的な接続/結合と間接的な接続/結合の両方の意味を含むように用いられる。もう1つの例として、“有する”および“含む(including)”、その派生語および類似の移行語または移行句が、“備える(comprising)”(即ち、全て“open end”の表現と見なされる)と同義に用いられ、“〜から成る”および“本質的に〜から成る”という言い回しのみが“close ended”と見なされる。請求項は、“〜のための手段”という言い回しおよび関連機能が請求項に出現しない限り、および、このような機能を実行するのに十分な構造が請求項に記載されている限り、第112条第6項に従って解釈されるものではない。
【符号の説明】
【0064】
100 基板
110 側壁
120 開口
130 絶縁体
140 格子不整合材料
150 欠陥
155 欠陥トラッピング領域
160 露出部分
180 絶縁層
190 もう1つの半導体結晶材料
205 Si0.2Ge0.8の結合
215 Si0.2Ge0.8の結合されていない部分
305 Si0.2Ge0.8/Si界面からの貫通転位
315 ゲルマニウムとSi0.2Ge0.8との間のはっきりした界面
415 ゲルマニウムとSi0.2Ge0.8との間のはっきりした界面および不純物
515 わずかな界面不純物
615 Ge/Si0.2Ge0.8界面にある酸素濃度
625 Ge/Si0.2Ge0.8界面にある酸素濃度
635 ブランケットSi0.2Ge0.8層上にあるゲルマニウムの組成量
715 Ge/Si0.2Ge0.8界面
【技術分野】
【0001】
発明の背景
1.発明の分野
本発明は、半導体結晶材料の作製またはこの半導体結晶材料を含む構造に関するものである。例えば改善されたエピタキシャル成長または構造は、半導体結晶材料を含む平坦化された表面上に形成されることができる。
【背景技術】
【0002】
2.関連技術の説明
本項は、背景情報を提供し、以下に記述および/または主張される開示のさまざまな局面に関連した情報を紹介する。これらの背景資料は、先行技術の自認にはならない。
【0003】
格子不整合半導体材料の高いキャリア移動度により、格子不整合半導体材料の集積は、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)電界効果トランジスタ(FET)などの高性能デバイスへの1つの方法である。例えば、シリコンとの格子不整合半導体材料のヘテロ集積は、さまざまなデバイスアプリケーションに役立つ。
【0004】
1つのヘテロ集積の方法は、シリコン(Si)チャネルをCMOSデバイス、例えばデバイススケーリングの制限を越える高性能デバイスのための高移動度の材料と代替することを含む。しかし、平坦面からのずれがデバイスの障害および/または集積回路内の異なるデバイス特性、または同時に製造されるデバイス間の異なるデバイス特性を招く可能性があるため、通常、デバイスの作製には平坦化が必要とされる。選択された格子不整合半導体材料の化学機械研磨(CMP)は、材料の表面をスムーズにする1つの選択肢である。しかし、化学機械研磨の表面は、スムーズでなければならず、表面の不純物も回避されなければならない。準備中の研磨された表面の更なる洗浄は、実質的にそのスムーズさを損なってはならない。よって、限定されたまたは選択的に成長した領域(例えば、結晶材料の活性領域)に格子不整合材料の表面を準備する必要がある。これは後に続くプロセスに用いる平坦化された材料を含んでもよい。
【0005】
また、半導体結晶材料の表面粗さを低減する必要がある。例えば、対応する半導体デバイスにおいてさまざまなアスペクト比トラッピング(ART)技術に関連した半導体結晶材料の表面粗さを低減する必要がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【0006】
発明の概要
本発明に係る実施の形態は、デバイス作製および/またはそれによって形成されたデバイスに適した半導体結晶材料を形成する方法と装置を提供する。
【0007】
一局面では、本発明の一実施の形態は、デバイス作製および/またはそれを含むデバイスに適した、平坦化されたヘテロエピタキシャル領域(例えばウエハ)を提供することができる。
【0008】
もう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、デバイス作製および/またはそれを含むデバイスに適した、きれいな平坦化されたヘテロエピタキシャル領域を提供することができる。
【0009】
もう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、デバイス作製および/またはそれを含むデバイスに適した、不純物が低減されたまたは低不純物の平坦化されたヘテロエピタキシャル領域を提供することができる。
【0010】
もう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、デバイス作製および/またはそれを含むデバイスに適した、選択された条件下で加熱された平坦化されたヘテロエピタキシャル領域を提供することができる。
【0011】
もう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、デバイス作製および/またはそれを含むデバイスに適した、選択された特性を有する平坦化されたヘテロエピタキシャル領域を提供することができる。
【0012】
よって、本発明の一実施の形態の一局面は、表面粗さが低減された、エピタキシャル成長した半導体結晶材料を提供することである。
【0013】
本発明の一実施の形態の代替的な局面は、平坦化された(例えば異なる)半導体結晶材料に、表面粗さが低減された半導体結晶材料を提供することである。
【0014】
本発明の一実施の形態の代替的な局面は、不純物が低減された、もう1つの成長した結晶材料との界面上に、表面粗さが低減されたエピタキシャル成長した結晶材料を提供することである。
【0015】
さらにもう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、平坦化された半導体結晶材料に歪んだ低欠陥結晶材料をエピタキシャル成長させるプロセスを提供する。
【0016】
さらにもう1つの局面では、本発明の一実施の形態は、後に続くプロセス用の表面粗さが低減された半導体結晶材料を準備するプロセスおよび/または表面を含む半導体デバイスを提供する。
【0017】
これらの局面は、混合信号アプリケーションデバイス、電界効果トランジスタ、量子トンネリングデバイス、発光ダイオード、レーザーダイオード、共鳴トンネルダイオード、および光起電力デバイスを含むが、しかしこれらに限定されるものではない、アスペクト比トラッピング(ART)技術を組み込むデバイスに特に応用されることができる。アスペクト比トラッピングデバイスは、アスペクト比(深さ/幅)>1を有する、またはほとんどの欠陥をトラップするのに適した開口または限定領域に結晶材料をエピタキシャル成長させることができる。
【0018】
本発明の更なる局面および有用性は、一部は以下の説明の中に記載され、一部は説明から明らかであり、または、本発明の実施によって学ばれることができる。
【0019】
この一般的発明概念のこれらのおよび/または他の局面および有用性は、添付の図面と併せて解釈されると、以下の実施の形態の説明から明白になり、より容易に理解される。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1a】アスペクト比トラッピングを用いたトレンチ内のシリコンゲルマニウム(SiGe)上の歪みゲルマニウムの断面概略を示す図である。
【図1b】アスペクト比トラッピング構造の代替構成(例えば、結晶材料のための限定領域)の断面概略を示す図である。
【図2a】トレンチ内に成長させたままのSi0.2Ge0.8の走査型電子顕微鏡(SEM)画像を示している。
【図2b】化学機械研磨後のSi0.2Ge0.8の走査型電子顕微鏡(SEM)画像を示している。
【図3a】ゲルマニウム成長の前にプリベークステップを行っていない、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの走査型電子顕微鏡画像を示している。
【図3b】ゲルマニウム成長の前にプリベークステップを行っていない、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面透過型電子顕微鏡(TEM)画像を示している。
【図3c】Ge/Si0.2Ge0.8界面の拡大した透過型電子顕微鏡画像を示している。
【図4a】ゲルマニウム成長の前に750℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのSEM画像を示している。
【図4b】ゲルマニウム成長の前に750℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像を示している。
【図4c】Ge/Si0.2Ge0.8界面の拡大したTEM画像を示している。
【図5a】ゲルマニウム成長の前に810℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのSEM画像を示している。
【図5b】ゲルマニウム成長の前に810℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像を示している。
【図5c】Ge/Si0.2Ge0.8の拡大したTEM画像を示している。
【図6a】ゲルマニウム成長の前にプリベークを行っていない、ブランケット(blanket)Ge/Si0.2Ge0.8の酸素の二次イオン質量分光(Secondary Ion Mass Spectrometry;SIMS)深さプロファイル(depth profiles)を示している。
【図6b】ゲルマニウム成長の前に810℃のプリベークステップを行った、ブランケットGe/Si0.2Ge0.8の酸素のSIMS深さプロファイルを示している。
【図7a】ゲルマニウム成長の前に870℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムのSEM画像を示している。
【図7b】ゲルマニウム成長の前に870℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの断面TEM画像を示している。
【図7c】Ge/Si0.2Ge0.8界面の拡大したTEM画像を示している。
【図8a】ゲルマニウム成長の前に810℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope;AFM)画像を示している。
【図8b】ゲルマニウム成長の前に870℃のプリベークステップを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムのAFM画像を示している。
【図9a】810℃のプリベークを行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの逆空間マッピング(reciprocal space mapping;RSM)の{224}ピーク値を示している。
【図9b】異なるプリベーク条件で行った、トレンチ内のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのシリコン、Si0.2Ge0.8、およびゲルマニウムのピーク値の位置を示す図表を示している。
【発明を実施するための形態】
【0021】
実施の形態の詳細な説明
ここで、この一般的発明概念の実施の形態を詳細に参照する。その例が添付の図面に示されており、図中、同様の参照数字は全体を通して同様の要素を指している。図を参照することによりこの一般的発明概念を説明するために、以下で実施の形態について説明する。
【実施例】
【0022】
格子不整合材料の形成は、多くの実用的応用例を有する。例えば、シリコンなどの結晶基板上にIV族材料または化合物、およびIII−V、III−N、およびII−VI族化合物をヘテロエピタキシャル成長させることは、光起電力技術、共鳴トンネルダイオード(RTD’s)、トランジスタ(例えば、(平坦または3次元(例えばフィン型電界効果トランジスタ)であり得る)FET、高電子移動度トランジスタ(HEMT)など)、発光ダイオード、およびレーザーダイオードなどの多くの応用例を有する。一例として、シリコン上のゲルマニウムのヘテロエピタキシーは、高性能pチャネル金属酸化膜半導体(MOS)電界効果トランジスタ(FET)の有望な方法と考えられており、シリコン相補型MOS(CMOS)技術と光電子デバイスを統合する有望な方法と考えられている。他の材料の(例えば、III−V、III−N、およびII−VI族化合物、ならびに他のIV族材料または化合物の)ヘテロエピタキシー成長も、これらのおよび他の応用例に有益である。
【0023】
IV族材料であるゲルマニウム(Ge)は、そのキャリア移動度がシリコン(Si)に比べてより高いため、CMOSデバイスの高移動度のチャネルに用いられる可能な材料の候補の1つである。また、ゲルマニウムの圧縮歪みは、バンドスプリットおよび正孔有効質量の低下により起こり得るキャリア移動度の更なる向上を示すことが報告された。デバイス性能の大幅な改善が圧縮歪みゲルマニウムチャネルを用いて実証されているが、しかし、このような構造を形成する方法および/またはこのような構造は、現在に至るまで達成するのが困難なままである。
【0024】
例えば、エピタキシャル成長した材料の転位密度は、多くのアプリケーションに受け入れられないほど高い可能性がある。例えば、シリコン上に直接成長したゲルマニウムの転位密度は、2つの材料間の4.2%の格子不整合により、108〜109cm-2ほどの高さになる可能性があり、ほとんどのデバイスアプリケーションに受け入れられない。組成勾配(compositional grading)およびエピタキシャル成長後の高温アニールを含む、欠陥密度を低下させるさまざまな取り組みが進められている。しかし、これらの取り組みは、厚いエピ層および/または高サーマルバジェット(thermal budget)が必要なために、またはCMOSの統合に適する密度での選択的成長との不適合性のために、シリコンベースのCMOS技術との統合に最適でない場合がある。
【0025】
アスペクト比トラッピング(ART)は、これらの問題を緩和する欠陥減少の技術である。本明細書で用いられるように、“ART”または“アスペクト比トラッピング”は、一般的に、非結晶性の例えば誘電体、側壁で欠陥を終了させる技術を言い、側壁は、欠陥の全てではないがほとんどをトラップするために、成長領域のサイズに比べ、十分に高い。アスペクト比トラッピングは、トレンチまたはホールなどの高アスペクト比の開口を用いて転位をトラップし、それらがエピタキシャル膜の表面に到達するのを防ぎ、アスペクト比トラッピング開口内の表面転位密度を大きく低減させる。
【0026】
図1aは、アスペクト比トラッピングを用いた欠陥トラッピング領域155上の高品質の格子不整合材料140の断面を示す図である。ここに示されるように、結晶材料140は、基板100上(ここでは、例えばシリコン基板の(001)表面上)にエピタキシャル成長される。十分に高いアスペクト比(例えば、1以上、0.5以上)を有する絶縁体130の開口120(例えば、トレンチ、凹溝など)内に結晶成長を限定することによって、結晶材料140をエピタキシャル成長させている間に形成された欠陥150(例えば、貫通転位)は、側壁(例えば、絶縁体の側壁)110まで進み、側壁で終了する。よって、結晶材料140は、欠陥150の継続的な成長なしに、成長を続け、欠陥トラッピング領域155上に、欠陥が低減された結晶を形成する。結晶材料140内の欠陥150は、開口120の底部からの距離が増すにつれて、密度が減少し得る。よって、第2の結晶半導体材料140の底部は、結晶(例えば格子)欠陥を含み、結晶材料の上部は実質的に結晶欠陥がなくなる。貫通転位、積層欠陥、双晶境界、または反位相境界などのさまざまな結晶欠陥150は、よって、結晶材料の上部から実質的に除去されることができる。この技術は、例えば200〜450nm幅で任意の長さのトレンチ内のシリコン上に、または例えば電界効果トランジスタなどのデバイスに用いるのに十分大きな領域上に、ゲルマニウム、インジウムリン(InP)およびガリウムヒ素(GaAs)などの低欠陥率材料を選択的に成長させるのに効果的であることが示されている。上記トレンチは、より幅が広い可能性もあれば、より幅が狭い可能性もある。
【0027】
一実施例では、開口120の幅は、400nmもしくはそれ以下、350nmもしくはそれ以下、200nmもしくはそれ以下、100nmもしくはそれ以下、または50nmもしくはそれ以下であってもよい。これらのサイズは、アスペクト比トラッピングに効果的であることが示されている(当然ながらこれらのサイズはアスペクト比トラッピングに用いられる必要はない)。また、開口の幅は5μmまたはそれ以下であってもよい。他の代替例では、開口の幅は1μmまたはそれ以下であってもよい。開口は、(図1aに示されるように長さが前方から後方に伸びている)トレンチとして形成されてもよく、この場合、幅はその長さと高さとに垂直であると考えられるであろう。トレンチの長さは任意であることができる。また、トレンチの長さは、トレンチの幅より実質的に大きくてもよい。例えば10倍以上、または100倍以上大きくてもよい。一実施例では、トレンチの長さは20μmであることができる。
【0028】
開口120は、アスペクト比トラッピング(ART)技術を用いて結晶材料140をエピタキシャル成長させる時に、欠陥をトラップするのに用いられることが好ましいが、必須ではない。(アスペクト比“AR”は、トレンチの高さ/トレンチの幅の比率としてトレンチについて規定される。)この場合、アスペクト比は、1より大きいことができるが、アスペクト比トラッピングデバイスでは、例えば0.5の、より低いアスペクト比であることも可能である。一実施の形態では、結晶材料140は、第1、第2、および第3の材料などの2つの異なる半導体材料または2つ以上の半導体材料(例えばGaAs/InP/インジウムガリウムヒ素InGaAs)を含むことができる。第1の材料は、ゲルマニウムまたはGaAsであることができ、100nmより少ないことができるか、または基板に接合する特性を有することができる。第3の材料は研磨される。本発明を組み込むことができる例示的なアスペクト比トラッピングデバイスおよびアスペクト比トラッピング技術の更なる詳細は、2006年5月17日に出願された米国特許出願第11/436,198号、2006年7月26日に出願された第11/493,365号、および2007年9月7日に出願された第11/852,078号、および「結晶材料の改善されたエピタキシャル成長(“Improved Epitaxial Growth of Crystalline Material”)」と題する2009年6月2日に出願された米国特許出願第12/476,460号(代理人整理番号ASC−3001XX)、および「小さな化合物半導体材料の研磨(“Polishing of Small Composite Semiconductor Materials”)」と題する2009年7月15日に出願された第12/503,597号(代理人整理番号ASC−3003XX)に見られることができ、これらの全ては引用により本明細書に援用される。
【0029】
上述の実施例の基板100は、ゲルマニウムおよび/または例えば(001)シリコンであるシリコンなどのIV族元素または化合物を含むことができる。結晶材料140は、IV族元素または化合物、III−VまたはIII−N化合物、またはII−VI化合物の少なくとも1つを含むことができる。IV族元素の例は、ゲルマニウム、シリコンを含み、IV族化合物の例は、シリコンゲルマニウムを含む。III−V化合物の例は、リン化アルミニウム(AlP)、リン化ガリウム(GaP)、リン化インジウム(InP)、ヒ化アルミニウム(AlAs)、ヒ化ガリウム(GaAs)、ヒ化インジウム(InAs)、アンチモン化アルミニウム(AlSb)、アンチモン化ガリウム(GaSb)、アンチモン化インジウム(InSb)、ならびにその三元および四元化合物を含む。III−N化合物の例は、窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)、ならびにその三元および四元化合物を含む。II−VI化合物の例は、セレン化亜鉛(ZnSe)、テルル化亜鉛(ZnTe)、セレン化カドミウム(CdSe)、テルル化カドミウム(CdTe)、硫化亜鉛(ZnS)、ならびにその三元および四元化合物を含む。
【0030】
絶縁体の層は、実質的に平坦な層として形成される必要がない。例えば、絶縁体は、それが形成される基板の波状の表面に一致した薄層で形成されることができる。図1bは、基板100内にエッチングされた開口/凹溝/トレンチ120を有する基板を含む例を示している。絶縁層180は、基板100に沿って形成されており、エッチングされた基板100の表面トポグラフィーに一致する。絶縁層180は、後に続く格子不整合結晶材料のために基板100の部分160を露出させるように開口/トレンチの底部に構成される。この場合、絶縁層180の側壁110は、基板100上に堆積させることによって、または基板100の酸化によって形成されることができ、別のフォトリソグラフィープロセスによって形成されない。開口120および部分160の例示的な構成が示されているが、本発明の実施の形態は、これに限定されるものではなく、例えば、他の線状(linear)、階段状(tiered)、または非線状(nonlinear)の断面が開口120および部分160に用いられてもよい。
【0031】
本発明の実施の形態は、平坦化された第2の結晶半導体の表面上に、エピタキシャル成長した第1の結晶半導体材料を含むデバイスに向けられる。成長した第1の結晶半導体材料は、粗さが低減された上表面を有することが好ましい。成長した第1の結晶半導体材料は、圧縮または弾性歪みがあることが好ましい。成長した第1の結晶半導体材料は、下方の第2の結晶半導体材料に類似し得る低欠陥率を有することが好ましい。第2の結晶半導体材料は、第1の結晶材料と異なることが好ましい。平坦化された第2の結晶半導体の表面は、その低減された表面粗さを損なうことなく、洗浄されることができることが好ましい。第2の結晶半導体材料および第1の結晶半導体材料間の界面にある不純物は、減少されることが好ましい。
【0032】
本発明の実施の形態は、絶縁体の開口内の平坦化された格子不整合材料上に半導体結晶材料を含むデバイスに向けられる。図1aは、一実施例を表しており、例示的なデバイスの一部の断面図を示している。図1aに示されるように、一実施例は、非シリコンチャネルデバイス(例えばMOSFET)のために、絶縁体130に規定された開口120に、基板100上に成長した結晶材料140(例えば、シリコンゲルマニウム合金;SiXGe1-X;Si0.2Ge0.8)を含む。基板100は、シリコン、ゲルマニウム、またはサファイアなどの結晶材料であってもよい。絶縁体130は、窒化ケイ素、二酸化ケイ素などを含む誘電材料などの非結晶材料であることが好ましい。結晶材料140は、少なくともいくつかの段階では、絶縁体130の上表面上に表面を有する。平坦化された表面は、少なくとも結晶材料140および絶縁体130の部分の表面を含むことが好ましい。もう1つの半導体結晶材料190は、結晶材料140の上に/の所に提供されることが好ましい。
【0033】
図1a〜図9に関連する以下の記述は、研磨された構造(例えばアスペクト比トラッピング構造)にある、または研磨された構造上に成長した低欠陥歪み結晶材料の表面が、どのように低減された表面粗さを得ることができるのかの例を説明している。以下の記述は、限定された空間内の格子不整合または結晶半導体材料(例えば、絶縁体130内の結晶材料140)の表面がどのように準備されることができるのか、または所定の表面特性を備えることができるのかの例を更に説明している。本記述は、特定の材料およびプロセスパラメータに関連しているが、この記述は、例示的なものであるに過ぎず、これらの材料およびプロセスパラメータに本発明を限定するものと見なすべきでないことは明白である。
【0034】
以下の材料およびプロセスパラメータは、図1a〜図9に関連して説明されるように成長したゲルマニウムに用いられた。本実施例に用いられる初期基板は、結晶シリコンであり、200mm直径、および(001)配向であった。500nm厚さの熱酸化物が基板上に成長された。酸化物層は、200nm幅を有する、シリコン基板の[110]方向に沿ったトレンチにパターニングされた。トレンチは、従来のフォトリソグラフィー技術および反応性イオンエッチング(RIE)ステップを用いて形成された。続いて、パターニングされた基板は、Pirana、SC2、および希釈フッ化水素酸溶液(dilute HF solution)で順次に洗浄された。反応性イオンエッチングによって生成されたフルオロカーボン残留物の除去は、25nm厚さの犠牲酸化、および後に続く希釈フッ化水素酸洗浄(例えばHF酸化物エッチング)を用いて達成された。最終的なトレンチの高さは、この洗浄手順の後、490nmであった。500nm以上のシリコンゲルマニウム層は、工業用ASM Epsilon E2000 システムにある露出したシリコン基板上に(例えばトレンチに)化学気相成長(CVD)によって成長された。この化学気相成長システムは、石英管にランプ加熱型グラファイトサセプタを有する水平、冷壁、単一ウエハ、ロードロック型リアクタ(a horizontal, cold-wall, single wafer, load-locked reactor with a lamp-heated graphite susceptor in a quartz tube)である。
【0035】
Si0.2Ge0.8層は、ASM Epsilon E2000商用グレードのエピタキシーリアクタを用いて、600℃および80トールで1200秒、トレンチ内に成長された。水素で希釈された25%のゲルマン(GeH4)および100%のジクロロシラン(SiH2Cl2)は、ゲルマニウムおよびシリコンの前駆体としてそれぞれ用いられ、水素は、希釈ガスとして用いられた。Si0.2Ge0.8の化学機械研磨が実行され、Strasbaugh 6ECを用いて、シリコンゲルマニウム層を酸化物側壁と同一平面になるようにした。Nalco 2360スラリー(70nmコロイドシリカ)が用いられた。Nalco 2360スラリーは、水溶液中にサブミクロンシリカ粒子を有する市販のコロイドシリカ研磨スラリーである。NaOCl、NH4OH、またはH2O2溶液は、希釈されたスラリーに加えられ、酸化物側壁に対するシリコンゲルマニウムの除去速度を向上させた。よって、各スラリー混合物は、一部のNalco2360、一部の化学添加物からなり、その残りは脱イオン水(DI)の水溶液であり、合計100%のスラリー混合物になった。Strasbaugh 6ECの例示的な化学機械研磨プロセスは、ランプアップ(ramp-up)、研磨、ランプダウン(ramp-down)、および洗浄(rinse)を含んでいた。
【0036】
Verteq Goldfingerの単一ウエハメガソニック化学機械研磨後工具を用いた例示的な化学機械研磨後の洗浄は、汚染物分離(contamination spin-off)、プロセス時間、洗浄時間、およびスピンドライ時間を含んでいた。一実施例では、125Wのメガソニックパワー(megasonic power)および1.7〜3L/分の速度の脱イオン水が用いられることができる。メガソニック化学機械研磨後洗浄プロセスの後、基板は、希釈されたフッ化水素酸溶液で洗浄された。続いて、ゲルマニウム層(例えば、42nm厚さ)が、Si0.2Ge0.8の成長と同じリアクタを用いて350℃およびSi0.2Ge0.8の成長と同じ圧力で、同一平面上のSi0.2Ge0.8上に成長された。成長チャンバ内でのゲルマニウム成長ステップの直前に、同じ成長圧力で水素中で、750℃、810℃、または870℃で1分間、ウェハが熱処理(bake)された。比較用に、プリベークステップなしでゲルマニウムがいくつかのウエハ上に成長された。Si0.2Ge0.8(140)上のゲルマニウム(190)の歪みは、Panalytical X’Pert回折計を用いて非対称{224}ピーク値の高分解能逆空間マップ(RSM)から判定された。走査型電子顕微鏡(SEM)および透過型電子顕微鏡(TEM)は、特性化に用いられた。断面SEM分析サンプルは、Zeiss Supra 40電界放射SEMを用いて観察された。断面TEMサンプルは、機械研磨およびアルゴン(Ar)イオンミリングによって準備され、TEM画像は、200kVで動作するJEOL JEM2100顕微鏡で撮影された。
【0037】
図2(a)および図2(b)は、Si0.2Ge0.8の化学機械研磨前と後の酸化物トレンチのSi0.2Ge0.8をそれぞれ表している。成長したSi0.2Ge0.8の表面は、酸化物トレンチの上表面上に位置する。酸化物トレンチ上に成長したSi0.2Ge0.8の表面は、図2(a)に示されるように、Si0.2Ge0.8の結合(coalescence)が完全に均一でないため、非常に粗かった。例えば、Si0.2Ge0.8の結合は、矢印205によって示されているが、Si0.2Ge0.8の結合されていない部分は、矢印215によって示されている。酸化物トレンチと同一平面上にあるスムーズなSi0.2Ge0.8は、図2(b)に示されるように、化学機械研磨後に得られ、歪みゲルマニウム成長およびデバイスアプリケーションに適する。
【0038】
図3(a)は、ゲルマニウム成長の前にプリベークステップを行っていない、酸化物トレンチ内の同一平面上のSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムのSEM画像を示す図である。図3(a)に示されるように、ゲルマニウム成長は、選択的であり、酸化物上にゲルマニウムアイランドを形成しなかった。ゲルマニウムの結晶品質およびGe/Si0.2Ge0.8の界面を評価するために、TEM試験が実行された。図3(b)は、図3(a)からのトレンチのSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像を示す図である。図3(b)に示されるように、Si0.2Ge0.8/Si界面からの貫通転位(TDs)は、矢印305によって示されるように、アスペクト比トラッピング技術によってトラップされ、トレンチのSi0.2Ge0.8の上部は、実質的に低減された欠陥を有するか、または貫通転位がない。興味深いのは、Si0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムは、スムーズでないことである。図3(c)は、図3(b)の断面TEM画像の拡大した部分を示す図である。図3(c)に表された拡大された画像は、矢印315によって示されるように、ゲルマニウムとSi0.2Ge0.8との間のはっきりした界面を示す。研磨および洗浄手順後でも、ゲルマニウムの低結晶品質は、Si0.2Ge0.8上に成長した、図3(a)〜図3(c)に例示的に示される粗い表面を含むことになった。
【0039】
プリベーク温度およびSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの品質に対して対応する影響を判定するために、プリベークは、ゲルマニウム成長の前に1分間、750℃で行われた。その結果は、図4(a)〜図4(c)に示される。図4(a)は、750℃のプリベークを行った、酸化物トレンチ内の同一平面上のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのSEM画像を示す図であり、図4(b)は、図4(a)のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像であり、図4(c)は、図4(b)の拡大された部分を示している。図4(a)では、SEM画像は、サンプル表面が清浄で、ゲルマニウムの成長選択性が良好であることを示している。図4(b)では、断面TEM画像は、ゲルマニウム層が、図3(c)に示されたプリベークステップを行っていないゲルマニウム層より更にスムーズであることを示している。しかし、欠陥のない下方のSi0.2Ge0.8に比べ、図4(c)に示されたゲルマニウム層は、より欠陥があり、これらの欠陥は主にGe/Si0.2Ge0.8界面に起因する。図4(c)の拡大された画像は、矢印405によって示されるように、ゲルマニウムとSi0.2Ge0.8との間のはっきりした界面および不純物を示す。よって、750℃のプリベークは、図3(a)〜図3(c)に示されたSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムに比べ、Si0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの品質面でいくらかの改善を示す。しかし、図4(c)に示されたように界面に存在する水蒸気および酸素などの不純物の除去は、十分でない可能性があり、そのため欠陥が界面不純物から生じた。
【0040】
界面不純物の除去とゲルマニウムの結晶品質を判定するために、プリベークは、ゲルマニウム成長の前に810℃で行われた。その結果は、図5(a)〜図5(c)に示される。図5(a)は、810℃のプリベークを行った、酸化物トレンチ内の同一平面上のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのSEM画像を示す図であり、図5(b)は、図5(a)のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像であり、図5(c)は、図5(b)の拡大された部分を示している。図5(a)に示されるように、ゲルマニウムサンプル表面は、SEM画像から良好な成長選択性を示している。図5(b)に示されるように、ゲルマニウム層は、顕著な欠陥を示さず、欠陥率の面では、下方にある欠陥のないSi0.2Ge0.8と類似している。界面不純物は、矢印515によって示されるように、図5(c)にわずかに示される。しかし、図5(c)の界面不純物は、プリベークを行っていない、または750℃でプリベークを行ったものよりはるかに少なく、プリベークを行っていない、または750℃でプリベークを行ったものに比べ、欠陥の発生を起こさなかった。よって、より高温(例えば810℃)でのプリベークは、Ge/Si0.2Ge0.8の界面にある界面不純物の良好な除去をさせることができ、これはゲルマニウムの結晶品質を更に良くするはずである。
【0041】
プリベークによる界面不純物の除去(例えば、減少)を評価するために、Ge/Si0.2Ge0.8にある酸素濃度605は、二次イオン質量分光法(SIMS)を用いて測定された。図6(a)および図6(b)は、それぞれ810℃のプリベークを行った後およびプリベークを行っていないブランケット(blanket)Si0.2Ge0.8上に成長した380nm厚さのゲルマニウム層のSIMS深さプロファイルを示す図である。図6(a)〜図6(b)に示されるように、Ge/Si0.2Ge0.8界面にあるピーク酸素濃度615は、ゲルマニウム成長の前に810℃のプリベークを行ったサンプルでは、約4×1019原子/cm3であるが、Ge/Si0.2Ge0.8界面にあるピーク酸素濃度625は、プリベークを行わないサンプルでは、2×1021原子/cm3である。この結果は、界面の酸素濃度が、810℃のプリベークを行った後、ほぼ2桁減少されたことを示している。また、ブランケットSi0.2Ge0.8層上にある380nmのゲルマニウム層の深さによって示されたゲルマニウムの組成量635も図6(a)および図6(b)に示されている。
【0042】
界面不純物の除去およびゲルマニウムの結晶品質を判定するために、プリベークは、ゲルマニウム成長の前に870℃で行われた。その結果は、図7(a)〜図7(c)に示される。870℃でのプリベークは、プリベーク温度の上限を決定することができる。図7(a)は、870℃のプリベークを行った、酸化物トレンチ内の同一平面上のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムのSEM画像を示す図である。図7(b)は、図7(a)のSi0.2Ge0.8上のゲルマニウムの断面TEM画像であり、図7(c)は、図7(b)の拡大した部分を示している。図7(a)は、トレンチのGe/Si0.2Ge0.8構造が870℃のプリベークおよびゲルマニウム成長の後にトレンチに沿って波状(undulation)を表すことを示している。図7(b)および図7(c)は、Ge/Si0.2Ge0.8界面715が湾曲しているかまたは丸くなっており、実質的にGe/Si0.2Ge0.8界面に界面不純物が見られなかったことを表している。図7(a)〜図7(c)に示された結果は、870℃のプリベークが低温でのプリベークに比べ、非常によく界面不純物を除去することを示している。しかし、図7(a)に示されるように、Ge/Si0.2Ge0.8の波状の表面は、デバイスアプリケーションに適さない。よって、Ge/Si0.2Ge0.8の表面は、ベーク温度が高過ぎた場合、デバイスアプリケーションに適さない可能性がある。
【0043】
サンプルの粗さは、Veeco Dimension 3100を用いたタッピングモード原子間力顕微鏡(AFM)によって特徴づけられた。図8(a)および図8(b)は、810℃および870℃のプリベークをそれぞれ行った、トレンチのGe/Si0.2Ge0.8の原子間力顕微鏡(AFM)画像を示す図である。810℃のプリベークを行ったサンプルは、0.54nmの二乗平均平方根(RMS)粗さとなり、これがAFM画像から計算されることができるが、870℃のプリベークを行ったサンプルの二乗平均平方根粗さは、9.64nmであり、トレンチに沿った波状により、ほぼ20倍高い。
【0044】
上述のように、結晶材料のゲルマニウム層は、少なくともその成長中のいくつかの段階で表面を有する。一実施の形態では、ゲルマニウム層(190)の表面は、7nmより少ない、5nmより少ない、3nmより少ない、または1nmより少ない、または0.3nmより少ない表面粗さRmsを有することが好ましい。
【0045】
このような例示的なプロセス条件から、トレンチの歪みGe/Si0.2Ge0.8構造は、形成に成功した。ゲルマニウムとシリコンゲルマニウムの例示的な実施の形態の歪みは、{224}ピーク値の高分解能RSMを用いて評価されることができる。図9(a)は、ゲルマニウム成長の前に810℃でベークを行った、トレンチのSi0.2Ge0.8上の42nm厚さのゲルマニウムの{224}RSMを表している。トレンチの薄膜ゲルマニウムおよびSi0.2Ge0.8ならびにシリコン基板の{224}ピーク値が、図9(a)に示される。X線回折測定は、トレンチに沿って且つトレンチに垂直に行われ、両方の方向のゲルマニウムとSi0.2Ge0.8の歪みを評価した。図9(b)に示されるように、異なる条件でベークされたサンプルの{224}ピーク値の位置が、比較用にRSMで示された。図9(b)に示されるように、シリコンとゲルマニウムの理論上の{224}ピーク値の位置がマークされた。シリコンゲルマニウムが完全に緩和している場合、そのピーク値は、図9(b)のシリコンのピーク値とゲルマニウムのピーク値との間の破線上に位置するが、シリコンゲルマニウムが完全に歪んでいる(strained)場合、その層の表面法線に沿った点線上に位置することになる。よって、部分的に緩和したエピ層のピーク値は、2本の線の間に位置する。図8(b)から、Si0.2Ge0.8とゲルマニウムの両方は、トレンチ方向に沿ってより歪みがあるが、トレンチ方向に垂直により緩和することがわかった。また、Si0.2Ge0.8は、ベークを行わなくともトレンチに垂直に、ほとんど完全に緩和するが、トレンチ方向に沿ったSi0.2Ge0.8のピーク値の位置は、より高いベーク温度で破線に接近し、より高いベーク温度でより緩和することを示す。ゲルマニウム(224)のピーク値の位置から計算された格子定数から、一実施の形態では、42nm厚さのゲルマニウムは、トレンチ方向に沿って且つトレンチ方向に垂直に1%と0.45%の弾性歪みをそれぞれ有する。
【0046】
上述のように、結晶材料のゲルマニウム層は、下方の格子不整合半導体結晶シリコンゲルマニウム合金の上方、または下方の格子不整合半導体結晶シリコンゲルマニウム合金の所に形成される。シリコンは、ゲルマニウムより約4%小さい、より小さい格子定数を有する。この実施例の格子不整合は、シリコンゲルマニウムのシリコンとゲルマニウムの割合に基づいてほぼ直線的に変化する。ゲルマニウム層の厚さは、変えることができるが、歪みが維持されるように十分に薄いままであることが好ましい。一実施の形態では、ゲルマニウム層(190)は、少なくとも20nmの厚さ、少なくとも40nmの厚さ、少なくとも100nmの厚さ、または少なくとも200nmの厚さであることが好ましい。
【0047】
一実施の形態では、結晶材料190は、少なくとも第1の方向に沿って、第1の方向に垂直な第2の方向に沿って、または第1と第2の方向の両方に沿って弾性歪みを有する。歪みは、第1の方向に沿った少なくとも0.5%、少なくとも1%、少なくとも2%、もしくは少なくとも4%の圧縮歪み、または第2の方向に沿った少なくとも0.5%、少なくとも1%、少なくとも2%、もしくは少なくとも4%の圧縮歪みであることが好ましい。
【0048】
これらの実施例はシリコンゲルマニウム上にゲルマニウムを化学気相成長させることに向けられているが、他の材料も用いられてもよい。例えば、GaAs、AlGaAs、InGaAs、InAlAs、InGaAlAs、InP、GaP、InGaP、InAlGaPなどのIII族(Al、Ga、In)およびV族(P、As)の化合物を化学気相成長によってエピタキシャル成長した時、通常、500〜800℃の成長温度が、ブランケット基板上で十分な成長速度を得るために用いられる。更なる実施例によれば、これらの材料は、平坦化された第1の結晶材料上に成長される時、500℃より小さい温度または400〜500℃で化学気相成長によって成長されることができる。しかし、成長ステップの前のプリベークまたは準備プロセス(例えば、水素ガス中の高温での洗浄)の温度は、用いられるべき半導体結晶材料の成長温度から独立していることが好ましい。
【0049】
もう1つの実施例として、GaSb、AlSbおよびInSbなどのIII族(Al、Ga、In)およびV族(Sb)の化合物は、400〜700℃の範囲の成長温度でブランケット基板上に化学気相成長によってエピタキシャル成長されることができる。更なる実施例によれば、これらの材料は、平坦化された第1の結晶材料上に成長される時、400℃より小さい温度または300〜400℃で化学気相成長によって成長されることができる。しかし、成長ステップの前のプリベークまたは準備プロセス(例えば、水素ガス中の高温での洗浄)の温度は、用いられるべき半導体結晶材料の成長温度から独立していることが好ましい。
【0050】
もう1つの実施例として、III−N族の化合物は、500〜1100℃の範囲の成長温度でブランケット基板上に化学気相成長によってエピタキシャル成長されることができる。更なる実施例によれば、これらの材料は、平坦化された第1の結晶材料上に成長される時、500℃より小さい温度または400〜500℃で化学気相成長によって成長されることができる。しかし、成長ステップの前のプリベークまたは準備プロセス(例えば、水素ガス中の高温での洗浄)の温度は、用いられるべき半導体結晶材料の成長温度から独立していることが好ましい。
【0051】
もう1つの実施例として、II−VI族の化合物は、250〜600℃の範囲の成長温度でブランケット基板上に化学気相成長によってエピタキシャル成長されることができる。更なる実施例によれば、これらの材料は、平坦化された第1の結晶材料上に成長される時、250℃より小さい温度または200〜250℃で化学気相成長によって成長されることができる。しかし、成長ステップの前のプリベークまたは準備プロセス(例えば、水素ガス中の高温での洗浄)の温度は、用いられるべき半導体結晶材料の成長温度から独立していることが好ましい。
【0052】
もう1つの実施例として、IV族元素および化合物は、400〜1000℃の範囲の成長温度でブランケット基板上に化学気相成長によってエピタキシャル成長されることができる。更なる実施例によれば、これらの材料は、平坦化されたアスペクト比トラッピング結晶材料上に成長される時、400℃より小さい温度または300〜400℃で化学気相成長によって成長されることができる。しかし、成長ステップの前のプリベークまたは準備プロセス(例えば、水素ガス中の高温での洗浄)の温度は、用いられるべき半導体結晶材料の成長温度から独立していることが好ましい。
【0053】
よって、上述に従ったIV、III−V、III−N、およびII−VI族材料には、さまざまな上述の実施の形態に従って、表面粗さが低減された、弾性的に歪んだ低欠陥層が設けられることが好ましいが、必須ではない。
【0054】
本願の実施の形態によれば、アスペクト比トラッピング技術を用いて酸化物トレンチに作製された、研磨されたSi0.2Ge0.8上の低欠陥率・圧縮歪みゲルマニウムが得られた。しかし、例示的な一実施の形態では、プリベーク温度がますます高くなると、界面特性に有利となる可能性があるが、デバイスのまたは限定された結晶材料の熱耐性を超え、容認できないほどの高い表面粗さ(rms)となる可能性がある。高い表面粗さの1つの潜在的原因は、他の機構によって放出されることができない、限定された結晶材料内の格子不整合の歪みである可能性があり、これによって、洗浄またはプリベークプロセスにとってサーマルバジェットが制限されることとなり得る。
【0055】
上述のように、本願に係るいくつかの実施の形態は、結晶成長の前に、化学機械研磨および準備またはプリベークプロセスを用い、表面特性を改善し、または高品質の、実質的に欠陥のない、スムーズな半導体結晶材料を得たが、実施の形態はそのように限定されるものではない。なぜなら、さまざまなガスおよび/または間隔が用いられることができるためである。一実施の形態では、結晶材料190の成長の前のプリベークまたは洗浄プロセスは、一分間持続した。もう1つの実施例では、プリベークプロセスは、少なくとも10秒持続、少なくとも30秒持続、少なくとも2分持続、少なくとも5分持続、または少なくとも10分持続することができる。もう1つの実施例では、プリベークの温度範囲は、ブランケット成長の温度範囲内のより小さい範囲か、またはやや高い範囲であることができる。一実施例では、水素を含むガスが用いられることができる。例えば、水素と不活性ガスとの組合せが用いられることができる。一実施例では、アルゴンまたは窒素ガスと組合せられた水素が用いられることができる。実施の形態によれば、プリベークプロセスは、平坦化された表面の不純物の程度を減少させることができる。
【0056】
本願の実施の形態によれば、アスペクト比トラッピング技術を用いて酸化物トレンチに作製された、研磨されたSi0.2Ge0.8上の低欠陥率・圧縮歪みゲルマニウムが得られた。一実施例では、プリベークプロセスは、約760℃〜860℃の対応する温度範囲を用いた。もう1つの実施例では、プリベークプロセスは、780℃〜840℃の間の温度範囲、800℃〜820℃の間の範囲、または約810℃の温度を用いることができるが、しかし、このような温度範囲はそのように限定されるものではない。なぜなら、温度範囲は、実際に用いられる材料および/または条件に伴って変化するためである。例えば、シリコン含有量が減少された場合(例えばSi0.1Ge0.9)、対応する温度範囲は上昇する。
【0057】
表面粗さが低減された低欠陥・歪み半導体結晶材料、半導体デバイス、および上述のものを作製して用いるための方法の例示的な実施の形態は、ドープされていない半導体材料を開示していた。しかし、この一般的発明概念は、類似の結果を有する上述のデバイスなどのデバイスのための既知の濃度のn型ドープ半導体材料またはp型ドープ半導体材料に適用されることができる。
【0058】
一実施の形態では、結晶材料140は、約1×106より少ない線欠陥/cm2を(例えば、欠陥トラッピング領域155の上に)有することができる。また、結晶材料140は、約1×107欠陥/cm2〜1×108欠陥cm2またはそれ以下の線欠陥密度を有することができる。また、結晶材料140は、実質的に線欠陥および/または面欠陥がないことができる。一実施の形態によれば、結晶材料190は、下方の結晶材料140に適合する欠陥率特性を有することができる。ドーパントは通常、半導体材料に加えられ、その電荷キャリア(電子または正孔)を増加させる。当該技術分野において理解されるように、本願では、欠陥がドーパントを含んでいるとは考えられない。
【0059】
上述のように、本願の実施の形態によれば、Si0.2Ge0.8上の低欠陥率・圧縮歪みゲルマニウムは、アスペクト比トラッピング技術を用いて酸化物トレンチ内に作製された。酸化物トレンチと同一平面上にあるSi0.2Ge0.8上の薄膜ゲルマニウムの成長の前に水素中でプリベークを行うステップによって、実質的に欠陥のない、スムーズなゲルマニウムが得られた。洗浄またはベーク温度が750℃以下で低過ぎた時、Ge/Si0.2Ge0.8にある界面不純物の除去は不十分であり、欠陥のあるゲルマニウムとなった。酸素濃度は、810℃のプリベークによって2×1021cm3から4×1019cm3に減少された。洗浄またはベーク温度が870℃以上で高過ぎた時、シリコンゲルマニウムの表面は、トレンチに沿って波状であり、その粗さは、原子間力顕微鏡を用いた5μm×5μmスキャンにより0.54から9.64nmに増加された。810℃で最適な試験済みのプリベークを用いると、42nm厚さの圧縮歪みゲルマニウムは、トレンチ方向に沿って且つトレンチ方向に垂直に1%と0.45%の弾性歪みをそれぞれ有して成長された。よって、本発明に係る実施の形態は、欠陥レベルが低く、層厚が小さく、サーマルバジェットが低いために、シリコンCMOSと優れた適合性を有する。
【0060】
シリコンCMOSデバイスは、本発明の実施の形態を含むように加工されることができる。よって、CMOSプロセスと統合された、本発明に係る発光ダイオードまたは光起電力デバイスなどのデバイスの実施の形態が作製されることができる。例えば、統合のために、本願に係る実施の形態の前または後に、シリコンCMOSプロセスは、半導体デバイス(例えばトランジスタ)または素子(例えば電極、コンタクトホール、コンタクト)を作製することができる。また、開示される実施の形態に係る構造および/または方法は、次世代CMOSおよびさまざまな他のアプリケーションのための非シリコンチャネルまたは活性領域の統合に用いられることができる。
【0061】
上述のように、本発明は、さまざまな応用例を有する。本発明は、アスペクト比トラッピング技術に限定されず、アスペクト比トラッピング技術の範囲内で多くの応用例を有する。例えば、本発明の使用は、絶縁体内の開口に成長したシリコンゲルマニウム合金の上に歪みゲルマニウムを形成するのに用いられることができる。ゲルマニウムおよびシリコンゲルマニウム層の1つまたは両方は、本発明に従って成長されることができる、および/または粗さが低減された表面を有することができる。さまざまなデバイスは、本発明を組み込むことができる。本発明は、これらのデバイスに限定されず、混合信号アプリケーション、電界効果トランジスタ、量子トンネリングデバイス(quantum tunneling devices)、発光ダイオード、レーザーダイオード、共鳴トンネルダイオード、および光起電力デバイスに特に適用されることができ、特にアスペクト比トラッピング技術を用いるものに適用されることができる。「混合信号アプリケーションのためのアスペクト比トラッピング(“Aspect Ratio Trapping for Mixed Signal Applications”)」と題する2007年9月18日に出願された出願連続番号第11/857047号、「アスペクト比トラッピングによって形成されたトライゲート電界効果トランジスタ(“Tri-Gate Field-Effect Transistors formed by Aspect Ratio Trapping”)」と題する2007年9月26日に出願された出願連続番号第11/861931号、「格子不整合半導体構造を有する量子トンネリングデバイスおよび回路(“Quantum Tunneling Devices and Circuits with Lattice-mismatched Semiconductor Structures”)」と題する2007年9月27日に出願された出願連続番号第11/862850号、「格子不整合半導体構造を有する発光体ベースのデバイス(“Light-Emitter-Based Devices with Lattice-mismatched Semiconductor Structures”)」と題する2007年10月19日に出願された出願連続番号第11/875381号、および「シリコン上の光起電力技術(“Photovoltaics on Silicon”)」と題する2007年4月9日に出願された出願連続番号第12/100131号が全て引用によって本明細書に援用され、本発明の局面を特に適合させることができる実施例を提供する。
【0062】
“1つの実施の形態”、“実施の形態”、“例示的な実施の形態”などに関する本明細書のどんな参照でも、実施の形態に関連して記述される特定の特徴、構造、または特性が本発明の少なくとも1つの実施の形態に含まれるか、組合せられることができることを意味する。明細書のさまざまな箇所に出現するこのような表現は、必ずしも全て同じ実施の形態を指すものではない。また、特定の特徴、構造、または特性がいずれかの実施の形態に関連して説明される時、他の実施の形態に関連してこのような特徴、構造、または特性に影響することは当業者の範囲内にあることを意味する。また、理解しやすいように、特定の方法の手順が別の手順として記述される可能性があるが、これらの別に記述された手順は、それらの実行の際に必ず順序に依存すると解釈されてはならない。即ち、いくつかの手順は、他の順序で、同時になどで実行されることができる。また、例示的な図は、本開示の実施の形態に従ってさまざまな方法を示している。このような例示的な方法の実施の形態は、対応する装置の実施の形態を用い、且つそれに応用されることができるように本明細書に記載されているが、これらの方法の実施の形態は、それによって限定されるものではない。
【0063】
本発明のいくつかの実施の形態が示され、説明されているが、本発明の精神及び原理を逸脱しない限りにおいては、これらの実施の形態において変更を行ってもよいことは当業者であれば理解するであろう。よって、前述の実施の形態は、本明細書に記述される発明を限定するものでなく、あらゆる点で例示的であると考えられる。よって本発明の範囲は、前述の説明によってでなく、添付の請求の範囲によって示され、請求の範囲の等価な意義と範囲内にある全ての変更は、この中に含まれる。本開示に用いられるように、“好ましくは”の表現は、包括的であり、“好ましくは、しかし限定されない”という意味である。請求の範囲内の表現は、この明細書に記載したような一般的発明概念と一致する最も広義な解釈をしなければならない。例えば、“結合”と“接続”(およびその派生語)は、直接的な接続/結合と間接的な接続/結合の両方の意味を含むように用いられる。もう1つの例として、“有する”および“含む(including)”、その派生語および類似の移行語または移行句が、“備える(comprising)”(即ち、全て“open end”の表現と見なされる)と同義に用いられ、“〜から成る”および“本質的に〜から成る”という言い回しのみが“close ended”と見なされる。請求項は、“〜のための手段”という言い回しおよび関連機能が請求項に出現しない限り、および、このような機能を実行するのに十分な構造が請求項に記載されている限り、第112条第6項に従って解釈されるものではない。
【符号の説明】
【0064】
100 基板
110 側壁
120 開口
130 絶縁体
140 格子不整合材料
150 欠陥
155 欠陥トラッピング領域
160 露出部分
180 絶縁層
190 もう1つの半導体結晶材料
205 Si0.2Ge0.8の結合
215 Si0.2Ge0.8の結合されていない部分
305 Si0.2Ge0.8/Si界面からの貫通転位
315 ゲルマニウムとSi0.2Ge0.8との間のはっきりした界面
415 ゲルマニウムとSi0.2Ge0.8との間のはっきりした界面および不純物
515 わずかな界面不純物
615 Ge/Si0.2Ge0.8界面にある酸素濃度
625 Ge/Si0.2Ge0.8界面にある酸素濃度
635 ブランケットSi0.2Ge0.8層上にあるゲルマニウムの組成量
715 Ge/Si0.2Ge0.8界面
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第2の材料に対して高アスペクト比で点在した第1の半導体結晶材料を備え、平坦な表面を有する複合構造と、
前記平坦な表面において前記第1の半導体結晶材料上に歪んだ第2の半導体結晶材料とを備え、前記第1の半導体結晶材料の前記表面は、5nmまたはそれ以下の表面粗さRMSを有し、前記第1および第2の半導体結晶材料間の界面の不純物濃度は、低減されている、半導体デバイス。
【請求項2】
前記第2の半導体結晶材料の表面は、約4nmもしくはそれ以下、約3nmもしくはそれ以下、約1nmもしくはそれ以下、約0.5nmもしくはそれ以下、または0.3nm以下の表面粗さRMSを有する、請求項1に記載のデバイス。
【請求項3】
前記界面の酸素不純物濃度は、低減されている、請求項1に記載のデバイス。
【請求項4】
歪みは、開口の縦方向に沿っているか、前記縦方向に垂直であるか、または前記縦方向に沿ってかつ前記縦方向に垂直である、請求項1に記載のデバイス。
【請求項5】
前記複合構造は、
半導体結晶基板と、
前記基板に対する開口を有する絶縁体と、
前記絶縁体の前記開口内の前記第1の半導体結晶材料とを備え、前記第1の半導体結晶材料は、前記基板と格子不整合である、請求項1に記載のデバイス。
【請求項6】
前記基板は、前記基板の中に構成された陥凹を有し、前記絶縁体は前記陥凹の側面の上に重なり、前記開口を形成する、請求項5に記載のデバイス。
【請求項7】
基板と統合されたCMOSデバイスを更に備える、請求項1に記載のデバイス。
【請求項8】
前記結晶材料はIII‐V族化合物である、請求項1に記載のデバイス。
【請求項9】
前記第1および第2の半導体結晶材料間の前記界面は、水素ガス中、760℃〜860℃の間の温度および選択された期間で、熱処理される、請求項1に記載のデバイス。
【請求項10】
成長する前記第2の半導体結晶材料は、歪みゲルマニウムであり、前記第1の半導体結晶材料は、シリコンゲルマニウム合金である、請求項1に記載のデバイス。
【請求項11】
半導体構造の製造方法であって、
半導体結晶基板を提供するステップと、
前記基板の表面に開口を規定する絶縁体を形成するステップと、
前記絶縁体の前記開口内に、前記基板と格子不整合の第1の半導体結晶材料を成長させるステップと、
前記第1の半導体結晶材料および前記絶縁体の上表面を研磨するステップと、
前記研磨された第1の半導体結晶材料上に第2の半導体結晶材料を成長させるステップと、
前記第1および第2の半導体結晶材料の界面の不純物を減少させるために、選択された温度範囲で前記研磨された上表面を加熱するステップとを備える、方法。
【請求項12】
前記加熱するステップは、760℃〜860℃の間の温度で加熱するステップを備える、請求項11に記載の方法。
【請求項13】
前記第2の半導体結晶材料の表面は、約5nmもしくはそれ以下、約3nmもしくはそれ以下、約1nmもしくはそれ以下、約0.5nmもしくはそれ以下、または0.3nm以下の表面粗さRMSを有する、請求項11に記載の方法。
【請求項14】
前記界面の酸素不純物濃度は、低減されている、請求項11に記載の方法。
【請求項15】
前記第2の半導体結晶材料は、少なくとも前記開口に対して第1の方向に沿って、前記第1の方向に垂直な第2の方向に沿って、または前記第1および第2の方向の両方に沿って、弾性的に歪んでいる、請求項11に記載の方法。
【請求項16】
前記開口は、前記結晶材料の欠陥をトラップするのに十分なアスペクト比を有し、少なくとも一部に開口に半導体デバイスを形成するステップを更に備える、請求項11に記載の方法。
【請求項17】
前記加熱するステップは、第2の半導体結晶材料を成長させるのに用いられる温度から独立した温度範囲で加熱するステップを備える、請求項11に記載の方法。
【請求項18】
半導体構造の製造方法であって、
絶縁体の開口内に露出された格子不整合半導体結晶材料の研磨された表面上に第1の半導体結晶材料を化学気相成長(CVD)によってエピタキシャル成長させるステップと、
規定レベル以下に酸素不純物濃度を減少させるために、加熱によって前記研磨された表面を洗浄するステップとを備える、方法。
【請求項19】
前記第1の結晶材料は、IV族元素、または少なくとも1つのIV族元素を含む化合物である、請求項18に記載の方法。
【請求項20】
前記成長させるステップは、シリコンゲルマニウム合金上に歪みゲルマニウムを成長させるステップを含む、請求項18のうちの1つに記載の方法。
【請求項1】
第2の材料に対して高アスペクト比で点在した第1の半導体結晶材料を備え、平坦な表面を有する複合構造と、
前記平坦な表面において前記第1の半導体結晶材料上に歪んだ第2の半導体結晶材料とを備え、前記第1の半導体結晶材料の前記表面は、5nmまたはそれ以下の表面粗さRMSを有し、前記第1および第2の半導体結晶材料間の界面の不純物濃度は、低減されている、半導体デバイス。
【請求項2】
前記第2の半導体結晶材料の表面は、約4nmもしくはそれ以下、約3nmもしくはそれ以下、約1nmもしくはそれ以下、約0.5nmもしくはそれ以下、または0.3nm以下の表面粗さRMSを有する、請求項1に記載のデバイス。
【請求項3】
前記界面の酸素不純物濃度は、低減されている、請求項1に記載のデバイス。
【請求項4】
歪みは、開口の縦方向に沿っているか、前記縦方向に垂直であるか、または前記縦方向に沿ってかつ前記縦方向に垂直である、請求項1に記載のデバイス。
【請求項5】
前記複合構造は、
半導体結晶基板と、
前記基板に対する開口を有する絶縁体と、
前記絶縁体の前記開口内の前記第1の半導体結晶材料とを備え、前記第1の半導体結晶材料は、前記基板と格子不整合である、請求項1に記載のデバイス。
【請求項6】
前記基板は、前記基板の中に構成された陥凹を有し、前記絶縁体は前記陥凹の側面の上に重なり、前記開口を形成する、請求項5に記載のデバイス。
【請求項7】
基板と統合されたCMOSデバイスを更に備える、請求項1に記載のデバイス。
【請求項8】
前記結晶材料はIII‐V族化合物である、請求項1に記載のデバイス。
【請求項9】
前記第1および第2の半導体結晶材料間の前記界面は、水素ガス中、760℃〜860℃の間の温度および選択された期間で、熱処理される、請求項1に記載のデバイス。
【請求項10】
成長する前記第2の半導体結晶材料は、歪みゲルマニウムであり、前記第1の半導体結晶材料は、シリコンゲルマニウム合金である、請求項1に記載のデバイス。
【請求項11】
半導体構造の製造方法であって、
半導体結晶基板を提供するステップと、
前記基板の表面に開口を規定する絶縁体を形成するステップと、
前記絶縁体の前記開口内に、前記基板と格子不整合の第1の半導体結晶材料を成長させるステップと、
前記第1の半導体結晶材料および前記絶縁体の上表面を研磨するステップと、
前記研磨された第1の半導体結晶材料上に第2の半導体結晶材料を成長させるステップと、
前記第1および第2の半導体結晶材料の界面の不純物を減少させるために、選択された温度範囲で前記研磨された上表面を加熱するステップとを備える、方法。
【請求項12】
前記加熱するステップは、760℃〜860℃の間の温度で加熱するステップを備える、請求項11に記載の方法。
【請求項13】
前記第2の半導体結晶材料の表面は、約5nmもしくはそれ以下、約3nmもしくはそれ以下、約1nmもしくはそれ以下、約0.5nmもしくはそれ以下、または0.3nm以下の表面粗さRMSを有する、請求項11に記載の方法。
【請求項14】
前記界面の酸素不純物濃度は、低減されている、請求項11に記載の方法。
【請求項15】
前記第2の半導体結晶材料は、少なくとも前記開口に対して第1の方向に沿って、前記第1の方向に垂直な第2の方向に沿って、または前記第1および第2の方向の両方に沿って、弾性的に歪んでいる、請求項11に記載の方法。
【請求項16】
前記開口は、前記結晶材料の欠陥をトラップするのに十分なアスペクト比を有し、少なくとも一部に開口に半導体デバイスを形成するステップを更に備える、請求項11に記載の方法。
【請求項17】
前記加熱するステップは、第2の半導体結晶材料を成長させるのに用いられる温度から独立した温度範囲で加熱するステップを備える、請求項11に記載の方法。
【請求項18】
半導体構造の製造方法であって、
絶縁体の開口内に露出された格子不整合半導体結晶材料の研磨された表面上に第1の半導体結晶材料を化学気相成長(CVD)によってエピタキシャル成長させるステップと、
規定レベル以下に酸素不純物濃度を減少させるために、加熱によって前記研磨された表面を洗浄するステップとを備える、方法。
【請求項19】
前記第1の結晶材料は、IV族元素、または少なくとも1つのIV族元素を含む化合物である、請求項18に記載の方法。
【請求項20】
前記成長させるステップは、シリコンゲルマニウム合金上に歪みゲルマニウムを成長させるステップを含む、請求項18のうちの1つに記載の方法。
【図1a】
【図1b】
【図6a】
【図6b】
【図2a】
【図2b】
【図3a】
【図3b】
【図3c】
【図4a】
【図4b】
【図4c】
【図5a】
【図5b】
【図5c】
【図7a】
【図7b】
【図7c】
【図8a】
【図8b】
【図9a】
【図9b】
【図1b】
【図6a】
【図6b】
【図2a】
【図2b】
【図3a】
【図3b】
【図3c】
【図4a】
【図4b】
【図4c】
【図5a】
【図5b】
【図5c】
【図7a】
【図7b】
【図7c】
【図8a】
【図8b】
【図9a】
【図9b】
【公開番号】特開2011−63502(P2011−63502A)
【公開日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願2010−62555(P2010−62555)
【出願日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【出願人】(500262038)台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 (198)
【氏名又は名称原語表記】Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
【住所又は居所原語表記】8,Li−Hsin Rd.6,Hsinchu Science Park,Hsinchu,Taiwan 300−77,R.O.C.
【Fターム(参考)】
【公開日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2010−62555(P2010−62555)
【出願日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【出願人】(500262038)台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 (198)
【氏名又は名称原語表記】Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,Ltd.
【住所又は居所原語表記】8,Li−Hsin Rd.6,Hsinchu Science Park,Hsinchu,Taiwan 300−77,R.O.C.
【Fターム(参考)】
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