【課題】下地基板を確実に支持して、安定して複数の薄板を形成する。
【解決手段】下地基板が取り付けられる被取付部１３０を有し、下地基板を着脱可能にかつ主面が融液中を潜るように下地基板を支持する支持機構と、主面上に薄板が形成されていない処理前下地基板を支持機構に取り付け、かつ、主面上に薄板が形成された処理後下地基板１００Ｂを支持機構から取り外す着脱機構１２０と、着脱機構１２０による処理後下地基板１００Ｂの取り外しと処理前下地基板の取り付けとの間に被取付部１３０を清掃する清掃機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気炉の加熱温度を下げないで、ゲートバルブの弁板の熱変形をさせずに、トラブルが無く結晶製造を連続的に行うことができ、大幅な製造コストの削減が出来る熱遮蔽機を提供する。
【解決手段】本発明は、加熱炉の取り出し口に設けられたゲートバルブと加熱容器部の間に挿抜可能に配置される蓋であって、前記蓋内部に冷却媒体を循環させ、前記ゲートバルブへの熱伝達を遮蔽することを特徴とする熱遮断機の構成とした。 （もっと読む）

【課題】双晶欠陥の発生を十分に抑制することが可能な単結晶の製造方法および単結晶製造用るつぼを提供する。
【解決手段】単結晶の製造方法は、るつぼ１内に種結晶を配置する工程と、るつぼ１内の種結晶上に原料を配置する工程と、るつぼ１内の原料上に封止剤を配置する工程と、原料を溶融させた後、凝固させることにより、種結晶上に単結晶を成長させる工程とを備えている。るつぼ１の内面には、深さ方向に延在する溝部１３が形成されている。そして、種結晶を配置する工程では、種結晶が、単結晶のファセットの発生方向に溝部１３が位置するようにるつぼ１内に配置される。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶の結晶成長を行う際に、原料融液の漏れを即時に検知できる漏洩検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る漏洩検出方法では、シリコンウエーハに双極電極を設けて形成した検出手段を、原料を溶融させる坩堝を内包する炉の底部一面に敷設し、前記検出手段の電極間の短絡及び／又は電流の変化を検出する。前記検出手段は、シリコンウエーハ間に薄板ゲルマニューム単結晶を挟んだ状態で、前記薄板ゲルマニューム単結晶の融点近傍まで昇温し、前記シリコンウェーハを前記薄板ゲルマニューム単結晶で接着し一体化したもので構成されたものであってもよい。 （もっと読む）

【解決手段】 成長させたゲルマニウム結晶のマイクロピット空隙密度を低減する特徴を持つ結晶成長用のシステムおよび方法を開示する。一実施例によると、加熱源を有する炉に原材料を持つアンプルを挿入する段階と、原材料／るつぼと相対的に結晶化温度勾配を移動させて原材料を融解させる垂直成長プロセスを用いて結晶を成長させる段階と、結晶成長が所定の長さに到達すると、原材料を成長させて単結晶質の結晶を形成する段階とを備え、マイクロピット密度が低くなった単結晶インゴットを繰り返し提供する方法が提供される。 （もっと読む）

半導体材料物品を製造かつ／または処理するための方法が開示されている。さまざまな方法において、第１の半導体材料物品が提供され、この第１の半導体材料物品は、半導体材料を溶融させるのに充分なほどに加熱され、溶融した半導体材料は、溶融した半導体材料物品の最短寸法に対し実質的に平行な方向で固化される。本明細書中に記載された方法によって製造される半導体材料物品も同様に開示されている。
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【課題】カーボンヒータの寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な単結晶半導体を製出可能である単結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液にシードを浸漬し、前記シードを引き上げて単結晶半導体を成長させる単結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をカーボンヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記半導体融液に浸漬したシードを引き上げ、単結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】なし
【解決手段】一次元のナノ構造は、約２００ｎｍ未満の均一な直径を有する。“ナノワイヤー”と呼ばれる、かかる新規のナノ構造は、異なる化学的な構成を有する少なくとも２つの単結晶の物質のヘテロ構造と同様に、単結晶のホモ構造を含む。単結晶の物質がヘテロ構造を形成するために使用されるので、結果となるヘテロ構造は、同様に単結晶となるであろう。ナノワイヤーのヘテロ構造は、一般的に、異なる物質を含むワイヤーを生成する、ドーピング及び構成が縦若しくは放射方向の何れかで制御されるか、又は両方向で制御される、半導体ワイヤーに基づく。結果となるナノワイヤーのヘテロ構造の例は、縦のヘテロ構造のナノワイヤー（ＬＯＨＮ）及び共軸のヘテロ構造のナノワイヤー（ＣＯＨＮ）を含む。 （もっと読む）

【課題】 半導体結晶材料の作製またはこの半導体結晶材料を含む構造を提供する。
【解決手段】 第１の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。半導体デバイスは、第１の結晶材料の表面上に低欠陥の歪んだ第２の半導体結晶材料を含む。歪んだ第２の半導体結晶材料の表面の粗さは、低減されている。一実施例は、第１および第２の半導体結晶材料間の界面境界の不純物を減少させるプロセスパラメータを作成することによって、粗さが低減された表面を得ることを含む。一実施の形態では、第１の半導体結晶材料は、アスペクト比トラッピング技術を用いて欠陥をトラップするのに十分なアスペクト比を有する絶縁体の開口によって限定されることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に単結晶材料の層を成長させる方法を提供する。
【解決手段】第１単結晶材料から形成された露出領域を有する基板を、プロセスチャンバ中に配置する工程と、拡散制限ガスの存在下で、基板に向かって、第２材料の中性種のビームを供給し、プロセスチャンバ中の圧力を１×１０^−６ｔｏｒｒから１×１０^−４ｔｏｒｒの間にし、第２材料の中性種を露出領域上に吸着され、これにより第１単結晶材料の上にこれと接触して第２材料の単結晶層を成長させる工程とを含み、拡散制限ガスは、非反応性ガスからなる。 （もっと読む）

【課題】成長結晶表面に酸化ゲルマニウムが付着するのを防ぎ、低転位密度または無転位でゲルマニウムの単結晶を成長させることができるゲルマニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】石英るつぼ製、グラッシーカーボン製、またはグラファイトるつぼ製のるつぼ１０の内部で、ゲルマニウム融液１ａの表面の一部または全体を酸化ホウ素（B₂O₃）融液２ａで覆った後、チョクラルスキー法（ＣＺ法）によりゲルマニウム単結晶４を引き上げて結晶成長させる。炉内は、高真空またはアルゴンガス雰囲気である。 （もっと読む）

本発明は、表面改質により超精密切削加工を行う新規技術に属し、具体的に陽子ビームアシストによる脆性材料の超精密加工方法に関する。本発明は、陽子ビームにより対象物の表面を照射して改質アシスト加工を行う超精密加工技術であり、超精密加工脆性材料の加工精度と表面粗さを著しく向上し、カッターの摩耗を大幅に低減させることができる。本発明は以下のステップを含む。a)シミュレーションソフトウェアを利用して、切削深さ、表面粗さまたはその他の加工要求に従って加工パラメータをシミュレートし、b)イオンビームにより被加工の単結晶脆性材料に衝撃を与えまたは照射することにより、超精密切削加工を行い、c)超精密切削技術により、イオンビーム衝撃した単結晶材料に対して超精密切削加工を行い、d)加工した材料の表面特徴を示す品質を測定し、加工表面品質の改善状況を対比する。本発明は主に単結晶脆性材料の加工に応用される。
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本発明は、半導体材料からなる型上に半導体材料の物品を製造する方法および、光電池の製造に有用であろう半導体材料の物品などの、それにより形成された半導体材料物品に関する。
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【課題】非常に高い温度に耐えられない分野で使用可能であり、その実施に関する熱負荷の低下にも寄与し、４５０℃未満の温度で行なわれ、触媒の構成元素のためにナノワイヤの不純物をもたらさず、結晶性に関して組織され、欠陥をほとんど有しないシリコン及び／又はゲルマニウムナノワイヤを組み立てる方法を提供する。
【解決手段】生じるナノワイヤの成長によって基板上にシリコン及び／又はゲルマニウムのナノワイヤを組み立てる方法であって、シリコンを含む前駆体とゲルマニウムを含む前駆体とを、前記基板に存在する酸化銅を含む化合物と接触させることを含む方法。 （もっと読む）

本開示は、概して、制御された量子ドットを成長させる技法、および量子ドットの構造に関する。いくつかの例では、基板を用意することと、基板上に欠陥を形成することと、基板上に層を堆積することと、欠陥に沿って量子ドットを形成することとのうちの１つまたは複数を含む方法が記載されている。
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本発明は、原則的に石英ピースから成るエピタキシャル反応器の反応室に関する；石英ピースは、壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）によって規定される内部空洞（２）を持つ石英ピースの部分（１）を備える；空洞（２）は、エピタキシャル反応器の反応沈着ゾーン（３）を備える；ゾーン（３）は、そこで熱せられるサセプター（４）を収容するように適合している；反応室は、対抗壁を形成し前記ゾーン（３）の壁となるように、前記壁（１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ）に隣接して配置される石英の部品（５）も備える。
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【課題】低温で結晶半導体を形成可能な結晶半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】８０〜２４０ｎｍの膜厚を有するａ−Ｇｅ膜２が基板１上に形成される（工程（ｂ）参照）。そして、約１０ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ_２膜３がａ−Ｇｅ膜２上に形成される（工程（ｃ）参照）。その後、約９０ｎｍの膜厚を有するＰｔ薄膜４がスパッタリングまたは蒸着によってＳｉＯ_２膜３上に形成される（工程（ｄ）参照）。そして、Ｐｔ薄膜４は、水素リモートプラズマによって処理される（工程（ｅ）参照）。 （もっと読む）

【課題】
高い原料利用効率、大面積対応、高い安全性を具備したスパッタ法の利点を生かし、高い品質の４族元素からなる半導体単結晶薄膜、および半導体多結晶薄膜を形成する。
【解決手段】
希ガスと水素の混合スパッタガスを用いること、真空容器の到達最低圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満の超高真空領域に下げること、マグネトロン方式でスパッタすること、スパッタ成膜とスパッタ成膜の間のスパッタガスを流していないときに、スパッタターゲットを含むスパッタガンの圧力を１×１０^-7Ｔｏｒｒ未満に維持し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に保つことが重要で、これらの組み合わせによって初めて、これらが相補的に機能し、スパッタターゲットの純度を常に高純度に維持され、また、堆積薄膜への酸素の混入量が検出限界以下となり、また、堆積薄膜に対する損傷やエッチング効果が抑制され、実用レベルの高品質、高純度の４族系半導体結晶が形成できる。 （もっと読む）

【課題】原料融液から各種の単結晶体または多結晶体を製造する場合、原料融液を耐熱性容器中に供給する際に原料融液の液面に揺れが生じることを防止できる原料融液供給装置を提供する。
【解決手段】原料融液４０３を貯留する第１の耐熱性容器３と、第２の耐熱性容器２と、該第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１を前記第１の耐熱性容器３中に供給するための供給管６とを備え、前記供給管６の排出口６０１が前記第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３に接しており、前記第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１が前記供給管６の内壁に沿って流れて前記第１の耐熱性容器３中に供給される。このとき、供給管中の原料融液４０２は供給管６の内壁に沿って流れることで緩やかな速度で移動し、緩やかな速度のまま第１の耐熱性容器中の原料融液４０３へ流入するため、原料融液４０３の液面に生じる揺れの程度を減少させることができる。 （もっと読む）