【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の表面粗さＲｍｓは２ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】多結晶のＧａＮ結晶の成長を抑制できるＧａＮ結晶の成長方法およびＧａＮ結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶の成長方法は、以下の工程が実施される。まず、下地基板が準備される（ステップＳ１）。そして、下地基板上に、開口部を有し、かつＳｉＯ₂よりなるマスク層が形成される（ステップＳ２）。そして、下地基板およびマスク層上に、ＧａＮ結晶が成長される（ステップＳ５）。マスク層の曲率半径が８ｍ以上である。 （もっと読む）

【目的】基板上に、平坦性及び結晶性に優れた高品質な酸化亜鉛系半導体、特に酸化亜鉛（ＺｎＯ）単結晶の成長方法を提供することにある。また、平坦で結晶性に優れた半導体層を有し、高性能、高信頼かつ量産性に優れた半導体素子を提供することにある。
【解決手段】
亜鉛を含むケトン化合物有機金属材料の材料溶液を気化させた材料ガスと極性酸化ガス及び無極性酸化ガスの混合ガスとを供給する工程を有するＭＯＣＶＤ法により、基板上に酸化亜鉛系半導体層を結晶成長する。上記混合ガスにおける上記極性酸化ガス及び上記無極性酸化ガスの混合比率は１対４ないし４対１の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板及び半導体膜の形成された基板における基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面に形成されたシリコン膜の膜質を改善するための基板処理方法であって、触媒反応部内に、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを導入し、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを触媒と接触させることによりＨ_２Ｏガスを生成し、Ｈ_２Ｏガスをシリコン膜に対し噴出させることにより、シリコン膜の膜質を改善することを特徴とする基板処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】成長面内における膜質および内部応力などが均一にして、完全性の高い、直径１インチ（２.５４ｃｍ）以上の大面積の単結晶膜を得ることができるエピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法を提供する。
【解決手段】排気系５１、マスフローコントローラ５２を備え、装置中央部には、水冷台５３上部に設置された下地基板４０の上方に、直流電源５６が接続された平板型陰極５５が配置され、さらに、接地と浮動電位との切り替えが可能に構成された可動式のＭo製シャッタ５７を備えた平行平板型対向電極直流プラズマＣＶＤ装置５０において、平行平板型対向電極５５間に発生する直流プラズマを用いて、エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮおよびＩｎＧａＮを用いた発光ダイオードは、電流（Ｉ）−電圧（Ｖ）特性のバラツキが大きく、複数の粒子状発光ダイオード素子を同一電極上に配置し同時に駆動する際には、全ての粒子状発光ダイオード素子が電極に対して並列に接続される為、Ｉ−Ｖ特性のバラツキによって素子毎に流れる電流量にバラツキが生じるという大きな課題を有していた。
【解決手段】本発明においては、各粒子状発光ダイオード素子の第２電極１１９と第２半導体２１ｐの間に抵抗層１２０を直列に接続した構成を用いることによって、粒子状発光ダイオード素子間のＩ−Ｖ特性のバラツキによる特定の素子への電流集中を抑制し、最もＶｄの低い素子への電流集中による破壊を防ぐのみならず、各素子への負荷が低減されるため発光装置全体の劣化も抑制することを可能とし、輝度のバラツキの無い優れた発光装置を実現する。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードを用いた光源や照明装置のコストを低減する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に設けられた第１電極３１と、第１電極３１の上にランダムに散布された複数の粒子状発光ダイオード２０と、複数の粒子状発光ダイオード２０を覆う第２電極３２とを備え、複数の粒子状発光ダイオード２０の各々は、ＩＩＩ族−Ｖ族窒化物からなる結晶性半導体からなると共に、第１導電型の第１半導体２１ｎ、活性層２１ｉ、および第２導電型の第２半導体２１ｐからなり、活性層２１ｉは第１半導体２１ｎの周囲の一部に形成されており、第２半導体２１ｐは活性層２１ｉの周囲を覆っており、第１半導体２１ｎは第２電極３２と電気的に接続されており、第２半導体２１ｐは、第１電極３１と電気的に接続されており、結晶性半導体は、外周面が複数の平坦な結晶格子面からなる多面体形状を有している、発光装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面の有機物と金属不純物の両方を除去して清浄化できる方法と、清浄化した酸化物基板に酸化物薄膜を形成する方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、真空雰囲気中に置いた酸化物基板５を加熱することなしに、その表面に原子状水素および原子状重水素のうち少なくとも一方を接触させて該酸化物基板５の表面から金属不純物を除去する第１の清浄化工程と、前記酸化物基板５の表面に酸素プラズマを接触させて該酸化物基板５の表面から有機系不純物を除去する第２の清浄化工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ基板上へＺｎＯ系半導体結晶を１０００℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル成長方法、ホモエピタキシャル結晶構造、ホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板４０上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ＺｎＯ基板４０上にＺｎＯ系半導体層４６を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、１×１０^-4 気圧以下、結晶成長温度は１０００℃以上、ＶＩ族元素とＩＩ族元素の供給比ＶＩ／ＩＩは１以上〜１００以下であるホモエピタキシャル成長方法、ホモエピタキシャル結晶構造、ホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】気化器４０９は、内部空間を有する容器９００と、容器９００内の空間を加熱し、霧状の材料溶液を気化させる加熱部９０７とを備える。霧化部４０８は、内部空間に向かって材料溶液と霧化支援ガスを噴出し、ヒーター９０８を内蔵するフィン９０７により霧化した材料溶液を加熱する。これにより、溶液材料を効率よく気化することができる。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に基板を保持する基板保持部を備えた反応容器４２０と、常温で液体の材料溶液を霧状にする霧化部４０８と、霧状の材料溶液を気化させて反応容器に供給する気化部４０９とを有する成膜装置とする。霧化部４０８は、材料溶液と、霧化を支援するための霧化支援ガスとを噴出することにより材料溶液を霧状にする。霧化部４０８には、霧化支援ガスを所定温度に加熱して供給する霧化支援ガス加熱部４０７が接続されている。これにより、加熱した霧化支援ガスにより材料を霧化させることができ、気化を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜構造３００は、ｃ軸の格子定数が６．６６オングストローム未満であるウルツ鉱型の結晶構造を有する基板３０１であって、主方位面３０１Ａが（０００１）面から±１０度以内のオフ角であり、基板３０１の主方位面３０１Ａ上に複数の穴３０１Ｂを有する基板３０１と、基板３０１の主方位面３０１Ａの複数の穴３０１Ｂを除く部分を覆うアモルファス構造のマスク３０２と、マスク３０２上のウルツ鉱型窒化ホウ素の単結晶薄膜３０３であって、基板３０１の複数の穴３０１Ｂを充填する単結晶薄膜３０３とを備える。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く反りが小さい半導体電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、前記基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と該第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが交互に積層した２層以上の複合層を有するバッファ層と、前記基板と前記バッファ層との間に形成された、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる介在層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、を備え、前記バッファ層において、前記第一半導体層の層厚が不均一であるとともに、該第一半導体層のうち少なくとも一つが、前記基板に対して発生させる反りの方向が反転する臨界厚さよりも厚い層厚を有する。 （もっと読む）

平面酸化亜鉛系エピタキシャル層、付随ヘテロ構造、およびデバイスを形成する方法が提供される。本発明の一実施形態によると、酸化亜鉛系エピタキシャル層を成長させる方法は、ｍ平面または微斜面ｍ平面ウルツ鉱基板を提供するステップと、金属有機化学蒸着を使用して、基板上に酸化亜鉛系エピタキシャル層を形成するステップとを含む。本発明の関連する実施形態によると、本方法は、基板を約４００℃乃至約９００℃に加熱するステップを含み得る。
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【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）

【課題】実用レベルの発光素子を与えるに十分な低い抵抗率で且つｎ型ＺｎＯと接合したとき優れたダイオード特性を示すｐ型ＺｎＯ単結晶及びその製造方法の提供。
【解決手段】ドーパントとして窒素とＩＢ族元素とを含有し，ＩＢ族元素がＣｕ及びＡｇより選ばれる少なくとも１種であり，温度２０℃における抵抗率が０．１〜２０Ω・ｃｍである，ｐ型単結晶ＺｎＯ，並びに，化学気相成長法によるｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法であって，（ａ）（０００１）面を表面とする単結晶ＺｎＯ基板を加熱しつつ，基板の表面にＺｎ源ガス，Ｏ源ガス，アンモニア並びに，Ｃｕ及びＡｇより選ばれるＩＢ族元素源ガスを供給して基板上に，窒素及びＩＢ族元素をｐ型ドーパントとして含んだ単結晶ＺｎＯを成長させるステップと，（ｂ）ｐ型ドーパントを含んだ単結晶ＺｎＯをＯ源ガスの存在下にアニールするステップを含んでなる，ｐ型単結晶ＺｎＯの製造方法。 （もっと読む）

【課題】大口径で貫通転位の少ないＧａＮ系半導体基板、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮテンプレート基板１０は、ＺｎＯ単結晶基板１１と、この基板１１の裏面１１ａと側面１１ｂに形成された保護膜１２と、ＺｎＯ単結晶基板１１の表面１１ｃに形成された界面層１３と、界面層上に形成されたＺｎＯ単結晶基板１１と格子整合するＩｎＧａＮ層１４と、ＩｎＧａＮ層上に形成された数μｍ以上の厚いＧａＮ層１５と、を備える。転位密度の小さいＺｎＯ単結晶基板１１に格子整合して成長されたＩｎＧａＮ層１４を有するＩｎＧａＮ／ＺｎＯ複合基板を下地としてＧａＮ層１５が成長されているので、ＧａＮ層１５の貫通転位密度が大幅に低減されている。ＧａＮ層１５を成長する際に、ＺｎＯ単結晶基板１１がアンモニアによって破壊されるのを保護膜１２により抑制でき、ＩｎＧａＮ層やＧａＮ層へのＺｎ，Ｏの混入を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】電気的な絶縁性及び良好な熱伝導性を有する中間層を備えた化合物半導体基板の提供。
【解決手段】表面の結晶面方位が｛１１１｝面であるＳｉ単結晶基板１００と、前記Ｓｉ単結晶基板１００の表面に形成され、ＡｌＮで構成された第１層１１０ａと、ＭｇＯで構成された第２層１１０ｂとが、この順で互いに交互に複数積層された中間層１１０と、前記中間層１１０上に形成され、ＧａＮ（０００１）、ＡｌＮ（０００１）又はＩｎＮ（０００１）のいずれか１種で構成された窒化物半導体単結晶層１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】耐圧性が高く反りが小さい半導体電子デバイスを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に形成された、前記基板よりも格子定数が小さく熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第一半導体層と該第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる第二半導体層とが交互に積層した２層以上の複合層を有するバッファ層と、前記基板と前記バッファ層との間に形成された、前記第一半導体層よりも格子定数が小さく前記基板よりも熱膨張係数が大きい窒化物系化合物半導体からなる介在層と、前記バッファ層上に形成された、窒化物系化合物半導体からなる半導体動作層と、を備え、前記バッファ層は、前記各第一半導体層または前記各第二半導体層の厚さが積層方向に向かって減少するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）