【課題】窒化物系半導体基板の上に平坦性と結晶性に優れたエピタキシャル膜が成膜された、窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置である発光装置は、窒素と化合物を形成する３Ｂ族元素であるＧａと窒素とを含む化合物から形成されるＧａＮ基板１と、ＧａＮ基板１の上に形成されたＧａと窒素とを含むエピタキシャル半導体膜であるｎ型バッファ層２とを備えている。そして、１０μｍ×１０μｍの範囲におけるＧａＮ基板１の表面粗さが、平均自乗平方根粗さで、１５ｎｍ以下であり、ｎ型バッファ層２の表面部が、１００μｍ〜１５０μｍのピッチで生成した高さ５０ｎｍ〜１５０ｎｍの凹凸を有しない。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、追加の工程を必要とすることなく転位密度低減を図ったＧａＮ層の選択成長方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
凹凸表面を有するサファイア基板を用意し、成長温度Ｔ（℃）と、水素と窒素を含むガス雰囲気に係るＦ値（＝水素流量／（水素流量＋窒素流量））を調整することにより、凸部からの成長を抑止する一方凹部からの成長を促進させ、サファイア基板の凹部から成長を開始して凸部上に横方向成長させることを特徴とするＭＯＶＰＥ法によるＧａＮ層の選択成長方法。 （もっと読む）

【課題】クラック発生を防止し、転位密度も低減することのできる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１は、下地層４上に成長し、厚み方向に沿った断面が略三角形状であって、かつ周期的なストライプ状をなし、ストライプの斜面６１上に凹凸面６２を設けられたＧａＮ系半導体層６と、ＧａＮ系半導体層６上に形成されたＡｌＧａＮ又はＩｎＡｌＧａＮからなる埋め込み層７とを備える。凹凸面６２は、水平断面における斜面の垂線方向が多方向にわたる多数の細斜面からなる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層を島状あるいは網状に形成することにより、一枚のシリコン基板から、高品質なＳＯＩ基板を提供する。
【解決手段】シリコン基板２の上面には、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４が島状あるいは網状に形成されている。熱処理を行なうことにより、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の間から酸化シリコン層６が成長する。次に、γ−Ａｌ_２Ｏ_３層４の上面より単結晶シリコン層８が上方向に成長し、結晶欠陥の少ないＳＯＩ基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】段差領域における被り成長を抑制しながら、段差領域から一定の距離以上離れた領域でも十分な厚さを有する平坦性の良い埋込層が形成されるようにして、その後のプロセスを容易にし、歩留まりを良くすることができるようにする。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面上に存在する段差領域Ｍ１を、酸素を供給しながらＩＩＩ族元素としてＩｎ又はＧａを含む半導体結晶を成長させて埋込層１４を形成する埋込工程を含む。 （もっと読む）

【課題】パターニングされた基板上に窒化物半導体層を積層形成する際に、ピンホールの生成を抑制し結晶品質を向上できる窒化物半導体層の形成方法と、それを有する高輝度及び高信頼性の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】複数の突出部及びリセス領域からなるパターンを有するようにパターニングされた基板を準備し、前記パターニングされた基板上に核層を形成し、前記核層が形成された基板上に３Ｄ成長条件で窒化物半導体層を成長させて第１の３Ｄ成長層を形成し、前記第１の３Ｄ成長層上に２Ｄ成長条件で窒化物半導体層を成長させて第１の２Ｄ成長層を形成し、前記第１の２Ｄ成長層上に３Ｄ成長条件で窒化物半導体層を成長させて第２の３Ｄ成長層を形成し、前記第２の３Ｄ成長層上に２Ｄ成長条件で窒化物半導体層を成長させて第２の２Ｄ成長層を形成する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に成膜する窒化物半導体層の結晶性を向上させる。
【解決手段】エピタキシャル成長用の単結晶サファイア基板であって、主面の算術平均表面粗さＲａが０.０００２〜０.００１μｍであり、上記主面の最大高さＲｍａｘが０．１μｍ以下であること。 （もっと読む）

【課題】 マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること、また従来困難であったＡｌＧａＮの選択成長ができない問題を解決する事を目的とする。さらにＳｉ基板等を用いた場合の反りやクラックの発生を押さえることを目的とする。
【解決手段】 １は基板であり、２は該基板１上に気相成長された半導体結晶をそれぞれ示している。基板１の結晶成長面には凸部１１及び凹部１２が形成されており、前記凸部１１の上方部から専ら結晶成長が行われるよう構成されている。前記凸部１１は、その幅aが０＜a＜１μmの範囲のサブミクロンオーダーとされ、且つ、上記基板表面に対して該凸部の占有する面積の割合が５０％以下とされる。 （もっと読む）

【課題】素子構造と下地基板との間に空隙を有した構造が実現された窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】窒化物半導体デバイスは、ウルツ鉱構造III族窒化物半導体であって、｛０００１｝面以外の面が表面に露出し、｛０００１｝面以外の面のいずれかに張り出す形でウルツ鉱構造III族窒化物半導体による板状構造が形成されている。ここで、板状構造は、有機金属化学気相成長方法において、ジメチルヒドラジンを窒素源に用いることによって水素を含有せずに形成されている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりの向上を図ることができ、量産性に優れ、高性能でかつ高信頼性な半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１０は、ZnO（酸化亜鉛）単結晶基板１２と、ZnO単結晶基板１２上に成長させて形成される窒化物半導体層を含む素子３０と、ZnO単結晶基板１２の外面のうち、素子３０を形成する表面１２ａとは反対側の裏面１２ｂおよび両側面１２ｃ、１２ｃを覆う窒化物半導体からなる保護膜４０と、を備えている。ZnO単結晶基板１２の裏面１２ｂおよび両側面１２ｃ、１２ｃが窒化物半導体からなる保護膜４０で覆われているので、ZnO単結晶基板１２の表面１２ａ上に窒化物半導体層を成長させる際にZnOの昇華を抑制できる。V族原料としてアンモニアNH₃を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。
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【課題】半導体リソグラフィープロセスや大型光学部品、半導体材料、放熱基板等に好適な大型ダイヤモンド基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されたダイヤモンド基板であって、シリコン基板に凹部が存在し、この凹部上に主面の面方位が（１１１）である単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されており、シリコン基板の凹部以外の表面上に（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８が設けられており、単結晶ダイヤモンド種基板１とシリコン基板が（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８を介して接合され、ダイヤモンド層８と単結晶ダイヤモンド種基板１とが表面近傍で密着し、両者の表面が実質的に平坦化且つ一体化されているダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【目的】 上下より電極を取り出せる構造を有する窒化物半導体素子素子を提供する。
【構成】 窒化物半導体よりなる基板の上に窒化物半導体層を形成してウェーハを得る工程と、前記ウェーハの表面に、［外１］乃至［外６］の内のいずれかに相当する面に沿って、溝を設ける工程と、前記溝に沿って窒化物半導体層及び基板を劈開する工程とを有し、前記溝は、前記ウェーハの端部に設けられ、前記劈開により形成された面は、レーザ素子の少なくとも一方の共振面とすることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に成膜されるＳｉエピタキシャル層中の結晶欠陥、特に双晶欠陥を低減する。
【解決手段】サファイア基板１０のＲ面１２上にエピ成長によりＳｉ膜１４を成膜する工程、Ｓｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成する工程、ＳｉＯ₂膜を格子状にパターニングして、被エッチング領域２４を形成する工程、ＳｉＯ₂膜パターン２２をマスクとして、ＫＯＨを含む溶液で被エッチング領域のエッチングを行い、ＳｉＯ₂膜パターン直下に、Ｓｉ膜由来のファセット面を有する成長用マスク前駆体２６を形成する工程、成長用マスク前駆体の表面に絶縁膜２８を形成して成長用マスク３０を作成する工程、及び露出したＲ面に選択エピ成長法で、成長用マスクで囲まれた領域を充填して、成長用マスクの高さよりも厚い単結晶Ｓｉ層４１を平坦に成長させる工程を備える。 （もっと読む）

【課題】ｃ面以外の成長主面を持ち、かつ結晶欠陥が少ないIII族窒化物半導体層を有する窒化物半導体積層構造およびその製造方法、ならびにそのような窒化ガリウム半導体積層構造を備えた窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ基板１は、ｃ面以外の主面（たとえばｍ面）を持つ。このＧａＮ基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。ＧａＮ半導体基板１の主面には、ｃ面に平行なストライプ状に複数の凸条６０が形成されている。この凸条６０の−ｃ軸側側面６２に沿って、ｃ面に平行な成長規制面６６を有するマスク６０が形成されている。Ｎ型コンタクト層２１は、マスク６０の間の領域から当該マスクを覆うように、＋ｃ軸方向への異方的な横方向選択成長によって形成されたものである。 （もっと読む）

ポリマーを含有する溶液中に溶解されている金属前駆物質を、小滴噴霧分布を用いて基板上に配置することは知られている。引き続きカルコゲン含有試薬との気相反応は、ポリマーマトリックス中の量子ドットを生じさせる。任意の、しかしながらポリマー不含のマトリックスを生じさせるために、本発明による方法は、前駆物質（ＰＣ）からなる量子ドット（ＱＤ）の施与後に、これを引き続き施与された量子ドット（ＱＤ）及び覆われていない基板（ＳＵ）と気相の試薬（ＲＧ）とを接触させることを用意し、この試薬は生じさせるべきマトリックス（ＭＡ）の全ての成分を含有し、その際に、前駆物質（ＰＣ）及び試薬（ＲＧ）の間の化学反応は、接触と同時の又は次の温度増大によりもたされる。それゆえ、量子ドット（ＱＤ）及びマトリックス（ＭＡ）の間の調和する組成が製造されることができ、その際に量子ドット（ＱＤ）は、前駆物質（ＰＣ）及び試薬（ＲＧ）の元素からなる添加組成を有し、かつマトリックス（ＭＡ）は試薬（ＲＧ）の元素から専らなる組成を有する。相応する元素選択により、二元系、三元系又は多元系の化合物半導体が製造されることができ、これらはナノオプティクス及びナノエレクトロニクスにおいて、しかしまた太陽電池の場合に使用される。 （もっと読む）

【課題】平坦度の高いエピタキシャルシリコンウェーハを得る。
【解決手段】エピタキシャル成長用シリコンウェーハ１２は、薄円板状のウェーハを研削又は研磨のいずれか一方又は双方の処理を行うことにより中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたものである。エピタキシャルシリコンウェーハは、このように中央部が凹んだお椀状の反りが付与されたエピタキシャル成長用シリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成することにより得る。エピタキシャル層を形成する以前のエピタキシャル成長用シリコンウェーハの表面を鏡面研磨することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。
【解決手段】(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 （もっと読む）

【課題】 精度の高いマスクのアライメントを行うことができる半導体装置の製造方法を実現する。
【解決手段】 半導体基板１０の基板面１０ａに第１アライメントマーク１１を形成し、第１アライメントマーク１１の上方にその形状に対応した第２アライメントマーク１３が形成されるエピタキシャル層１２を基板面１０ａ上に形成する。続いて、ＫＯＨ溶液を用いてエピタキシャル層１２をエッチングすることにより、第２アライメントマーク１３が基板面１０ａである（１１０）面と異なる方位の（１１１）面に沿って優先的にエッチングされるので、エピタキシャル層１２の表面と第２アライメントマーク１３との境界を明確にすることができる。これにより、露光装置により第２アライメントマーク１３の位置及び形状を正確に認識することができ、精度の高いマスクのアライメントを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】不所望の発熱を生じるＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを効率的に冷却し得る冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】冷媒用マイクロチャネル含有ＩＩＩ族窒化物半導体基板の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体の基礎基板（１）の主面に概略直交する複数の貫通孔（２）を形成する工程と、その貫通孔に概略平行な一対の２平面に沿って、またはさらにその一対の２平面に交差する他の一対の２平面に沿って基礎基板を切り出すことによって、貫通孔の少なくとも一つを含む切片からなるＩＩＩ族窒化物半導体基板（３）を得る工程とを含み、それによって、そのＩＩＩ族窒化物半導体基板に含まれる貫通孔が冷媒を通過させるためのマイクロチャネルとして利用され得る。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの発光再結合効率を高める。
【解決手段】（１００）スピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置にセッティングし、その上にノンドープＧａＮ薄膜２を形成し（図１（ａ））、抵抗加熱蒸着によって、カタリスト材料層となるＦｅ薄膜３を５ｎｍ蒸着する（図１（ｂ））。再び、そのスピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置内にセッティングし、昇温アニールすることで前記Ｆｅ薄膜３を島状のＦｅ粒４とする（図１（ｃ））。以降、このＦｅ粒４からＧａとＮとを取込ませ、（１０−１１）面を有するＧａＮナノコラム５を成長させる（図１（ｄ））。したがって、得られたＧａＮナノコラム５の成長面は半極性面であり、ピエゾ電界の影響を緩和し、量子井戸内の電子と正孔との波動関数の重なりを大きくすることができる。また、ナノコラムによって貫通転位を減少することもできる。こうして、発光再結合効率を高めることができる。 （もっと読む）