【課題】酸化ガリウム基板上に成長された活性層を含み発光強度を向上可能なウエハ生産物を作製する方法を提供する。
【解決手段】工程Ｓ１０５において、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮといったIII族窒化物からなるバッファ層１３を酸化ガリウム基板１１の主面１１ａ上に摂氏６００度で成長する。バッファ層１３を成長した後に、水素及び窒素を含むガスＧ２を成長炉１０に供給しながら、摂氏１０５０度で酸化ガリウム基板１１及びバッファ層１３を成長炉１１の雰囲気にさらす。III族窒化物半導体層１５の堆積は、改質されたバッファ層上に行われる。改質されたバッファ層は例えばボイドを含む。III族窒化物半導体層１５はＧａＮ及びＡｌＧａＮからなることができる。これらの材料でIII族窒化物半導体層１５を形成するとき、改質されたバッファ層１４上に良好な結晶品質が得られる。 （もっと読む）

【課題】従来の窒化物半導体膜製造技術では、ＳｉＯ_２層によって構成されたマスクパターンを用いた選択成長技術が開発されている。しかし、ＳｉＯ_２層を用いたマスクパターンは熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けたマスクパターンの構成要素であるＳｉまたはＯ_２は窒化物半導体膜に悪影響をもたらす。窒化物半導体発光素子の発光効率の低下や、個々の発光素子の発光効率のばらつきによる製品の信頼性低下及び、窒化物半導体発光素子生産の歩留まりを低下を改善する窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体構造は、窒化物半導体膜が成長する成長面が単一部材からなる基板と、前記成長面上に形成された前記窒化物半導体膜１２２とを有し、前記基板の成長面には凹凸部１１３が無秩序に形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貫通転位密度が小さく、かつ基板表面においても転位の束が存在せず、劈開面の乱れを起こさないＧａＮ基板の製造方法およびＧａＮ基板を提供すること。
【解決手段】基板の上にＧａＮ単結晶を気相成長させ、気相成長でできたＧａＮ単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。転位は成長方向に伸びるので、成長方向と平行に結晶を切ると転位延長方向と平行にスライスすることになる。スライスした基板においては、転位が表面に平行に走るので低転位密度になる。さらにこれを種結晶としてＧａＮ成長させる。表面の転位密度が低いので、2度目に成長したＧａＮはさらに低転位になる。これもＧａＮ基板とすることができる。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード（ＬＥＤ）に使用し得る、ナノサイズのボールにより形成された周期構造を有するサファイア基板を提供する。
【解決手段】サファイア基板２１の少なくとも一つの面上に形成され、複数のマイクロキャビティ２０２を有する、少なくとも１つの周期構造を含む、周期構造を有するサファイア基板であって、マイクロキャビティは配列状に配置され、マイクロキャビティは、それぞれ反転した錐様の形状であり、マイクロキャビティの底辺の長さは１００〜２４００ｎｍであり、かつマイクロキャビティの深さは２５〜１０００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長時の面内温度分布を均一にして、混晶比やキャリア濃度において均一なエピタキシャル結晶膜を成長させることができる窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】表面側に凹又は凸の反りをもつ窒化物半導体基板１であって、裏面３側を平面５に置いたとき、前記平面５と接触していない部分であって前記平面５から前記裏面３までの高さが所定値以上の部分における前記裏面３の平均粗さを、前記平面５と接触している部分を含む前記平面５から前記裏面３までの高さが前記所定値未満の部分における前記裏面３の平均粗さより大きくする。このように、窒化物半導体基板１が平面５と接触していない部分の表面粗さを大きくすれば、その部分の窒化物半導体基板１はより多くの輻射熱を受けて温度が高くなるので、基板面内温度の均一性を向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を防止し、各窒化物半導体薄膜の各膜厚が均一で、表面平坦性が良好な成長面を得ることで、諸特性にばらつきが無く、歩留まり良く作製できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】掘り込み領域２内において、側面部と底面部の境界に窪み７を形成するとともに、丘３の両端部に突起部５を形成することで、丘と掘り込み領域との間において、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子がマイグレーションなどで行き来することを抑制することにより、丘上において表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層４が形成でき、歩留まり良く窒化物半導体発光素子を製造できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、欠陥密度レベルの減少した、エピタキシーによる窒化ガリウム膜の製造に関する。それは、ＧａＮのエピタキシャル付着により窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を製造するための方法に関する。
【解決手段】本発明は、それが少なくとも１ステップのエピタキシャル横方向成長を含んでなり、それがＧａＮ基板への直接的イオン注入による脆化でその基板からＧａＮ層の一部を分離させるステップを含んでなることで特徴付けられる。本発明は、上記方法で得られる膜、並びに該窒化ガリウム膜を備えた光電子および電子部品にも関する。 （もっと読む）

【課題】非発光領域の低減により、発光層の発光効率が向上する窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】無極性、もしくは半極性、窒化物半導体基板３１にＩｎ組成比ｘが０．１５以上、０．５０以下、Ａｌ組成比ｙが０．０以上１．０以下のＩｎ_xＡｌ_yＧａ_1-x-yＮ井戸層を有する、窒化物半導体発光素子３０を製造する手法において、発光層３５より下部に形成される、ｎ型窒化物半導体層を、９００℃以上１1００℃以下の成長温度で形成し、かつ、発光層３５より上部に形成される、Ａｌを有するｐ型窒化物半導体からなる層が、６００℃以上９００℃未満の成長温度にて形成されることで、非発光領域の低減により、発光層の発光効率が向上する。また、平坦性の改善により、素子の歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】光出力を向上させられる発光ダイオードを提供する。
【解決手段】
本発明は基板の上部にパターンを形成し、パターンが形成された基板の上部に発光構造物を形成した後、基板を発光構造物から離脱させ離脱された発光構造物面に前記基板の上部に形成されたパターンに対応するパターンを形成することにより、素子の光出力を向上させられる。 （もっと読む）

【課題】良好な立方晶の炭化珪素膜を形成可能な半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１１の上面に多孔質な多孔質シリコン層１２を形成する工程と、水素ガス及び炭化水素系ガスの混合ガスまたは炭化水素系ガスを供給し、多孔質シリコン層１２の表面を結晶化及び炭化して炭化珪素膜１３を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスのスイッチング速度等の性能を向上させる。半導体基板の結晶性を向上させる。
【解決手段】ベース基板と、絶縁層と、Ｓｉ結晶層とをこの順に有する半導体基板であって、Ｓｉ結晶層上に化合物半導体の結晶成長を阻害する阻害層が設けられ、阻害層はＳｉ結晶層にまで貫通する開口を有し、開口の内部にシード結晶を備え、化合物半導体はシード結晶に格子整合または擬格子整合している半導体基板を提供する。サブストレートと、サブストレート上に設けられた絶縁層と、絶縁層上に設けられたＳｉ結晶層と、Ｓｉ結晶層上に設けられ化合物半導体の結晶成長を阻害する阻害層であって、Ｓｉ結晶層にまで貫通する開口を有する阻害層と、開口の内部に設けられたシード結晶と、シード結晶に格子整合または擬格子整合する化合物半導体と、化合物半導体を用いて形成された半導体デバイスとを備える電子デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】貫通転位が少なく、平坦性の高いIII 族窒化物半導体結晶を製造すること。
【解決手段】サファイア基板１０の凹凸が設けられている側の表面に、バッファ層を介して、ＳｉをドープしたＧａＮ層１１をＭＯＣＶＤ法によって形成した（図１（ａ））。ＧａＮ層１１のＳｉ濃度は１×１０¹⁸〜１×１０²⁰／ｃｍ³ とし、厚さは１μｍとした。次に、ＧａＮ層１１上に、ＭｇがドープされたＧａＮ層１２をＭＯＣＶＤ法によって形成した（図１（ｂ））。このＧａＮ層１２の形成において、温度、圧力等の成長条件については変更せず、ＧａＮ層１１形成時と同様の成長条件とした。また、Ｍｇ濃度は１×１０¹⁷〜１×１０²⁰／ｃｍ³ となるようにした。以上のようにして形成したＧａＮ層１２は、貫通転位の密度が低く、表面平坦性が高い良質な結晶である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上への窒化物半導体薄膜の形成時における、熱膨張係数差から生じる熱応力および多孔質シリコンの構造変化に起因したピットの問題を解消し、更に該被膜に生じる反りと応力を低減できる、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供。
【解決手段】シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の表面モホロジーを悪化させることなく、結晶性の向上やＳｉ基板上に成長したときのシート抵抗の高抵抗化を実現すること。
【解決手段】 本発明は、ＭＯＶＰＥ法により、基板１２に近い側における成長ガスの総流量に対する窒素源の流量の比である窒素源流量比より、基板１２から遠い側における窒素源流量比を小さくして、基板１２上にＡｌＮ層３２及び３４を成長する工程と、ＡｌＮ層３２及び３４上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて、ＧａＮ系半導体層１６、１８、２０及び２２を成長する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、無極性面または半極性面を有する窒化物半導体基板に、歩留まりの向上等の目的で形成されたの掘り込み領域が、窒化物半導体薄膜の成長時に埋まってしまうことを抑制することを目的し、さらに、Ａｌ組成の変動を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明は、無極性面または半極性面を有する窒化物半導体基板に掘り込み領域を形成し、該窒化物半導体基板上に、ｎ型窒化物半導体薄膜、活性層およびＡｌを含むｐ型窒化物半導体薄膜を含む窒化物半導体薄膜を形成する窒化物半導体発光素子の製造方法であって、上記ｐ型窒化物半導体薄膜を７００℃以上９００℃未満の温度で成膜することを特徴とする、窒化物半導体発光素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜化をするための加工をする際に発生するクラックを抑制し、かつ厚みの大きい窒化ガリウム結晶を成長させることのできる、窒化ガリウム結晶の成長方法、窒化ガリウム結晶基板、エピウエハ、エピウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】キャリアガスと、窒化ガリウムの原料と、ドーパントとしてのシリコンを含むガスとを用いて、ハイドライド気相成長（ＨＶＰＥ）法により下地基板上に窒化ガリウム結晶を成長させる窒化ガリウム結晶の成長方法において、前記窒化ガリウム結晶の成長時における前記キャリアガスを分子膜または吸着剤に透過させることにより精製し、窒化ガリウム結晶の成長時におけるキャリアガスの露点が−６０℃以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】良好な表面モフォロジ及び良好なキャリア濃度を提供できる、窒化ガリウム系半導体膜を含むエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮウエハの主面は、エリア（ｂ）〜エリア（ｅ）を含む。エリア（ｂ）は、オフ角ゼロの付近における六角錐状のモフォロジを示す。エリア（ｃ）は、＜１−１００＞方向に０．２度以上１．０度以下及び＜１−２１０＞方向に−０．３度以上＋０．３度以下のオフ角の範囲における、非常に平坦な表面モフォロジを示す。エリア（ｄ）は、合成オフ角１．０度以下であってエリア（ｂ）及びエリア（ｃ）に挟まれたエリアにおける、線状の表面モフォロジを示す。エリア（ｅ）は、合成オフ角１．０度を超えるエリアにおける点状の表面モフォロジを示す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基板の反りを抑制し、界面反射の影響を低減して高光取り出し効率と高内部発光効率とを実現できる半導体素子、半導体装置、半導体ウェーハ及び半導体結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ｃ面からなる主面１０６を有し、主面に凹部１１０ａが設けられたサファイア基板１０５と、サファイア基板の主面の上に設けられ、結晶性のＡｌＮからなる第１バッファ層１１０と、第１バッファ層の上に設けられ、窒化物半導体からなる半導体層１９０と、を備えた半導体素子が提供される。第１バッファ層は、サファイア基板の凹部の上に設けられた空洞１１０ａを有し、第１バッファ層は、第１領域１１０ｅと、第１領域とサファイア基板との間に設けられ第１領域よりも炭素濃度が高い第２領域１１０ｆと、を有する。 （もっと読む）

【課題】垂直構造の窒化ガリウム系発光ダイオード素子の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板の表面に凹凸パターンを形成し、バッファ層、第１のｎ型窒化ガリウム層１５０ａ、第１のＡｌＧａＮ層２００ａ、前記第１のＡｌＧａＮ層２００ａの接合界面に２次元電子ガス層が形成されるように、ＧａＮ層２１０を形成し、前記ＧａＮ層２１０の接合界面に２次元電子ガス層が形成されるように、第２のＡｌＧａＮ層２００ｂを形成し、第２のｎ型窒化ガリウム層１５０ｂを形成し、前記サファイア基板を除去し、凹凸パターンの表面を有するバッファ層を露出し、前記露出されたバッファ層と前記第１のｎ型窒化ガリウム層１５０ａの表面を共にエッチングし、前記第１窒化ガリウム層１５０ａの表面が凹凸パターンを有するようにパターニングし、前記第１のｎ型窒化ガリウム層１５０ａの凹凸パターンの表面に複数の突起部１９０ａ、１９０ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体層上に、第１導電型の半導体領域を形成する工程と、前記第１導電型の半導体領域上にマスク部材を形成する工程と、前記マスク部材に選択的に開口部を形成する工程と、前記開口部に露出した前記第１導電型の半導体領域をエッチングして、前記開口部の径よりも大きな径を有するトレンチと、前記トレンチの上に突出し前記マスク部材からなる庇状マスクと、を形成する工程と、エピタキシャル成長により、前記庇状マスクの下のトレンチ内に第２導電型の半導体領域を形成し、前記第１導電型の半導体領域と前記第２導電型の半導体領域とが、前記半導体層の主面に対して略平行な方向に交互に繰り返す構造部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）