【課題】凹凸基板にスパッタバッファを介して結晶性の良いＧａＮを得る。
【解決手段】エッチングによりサファイア基板に凹部を設け、且つその凹部はサファイア基板の主面とほとんど平行となっており、当該エッチングにより形成された凹部の底面に影響されたエピタキシャル成長が生ずる。スパッタ装置の対応可能温度は５００℃程度であるため、加熱処理を行うことが少なかった。荒れた凹部の底面が表面の半分以上の基板を用いる場合は、当該凹部底面に影響されたエピタキシャル成長が生じ、良好な単結晶が形成されなかった。そこで水素雰囲気下、１０００℃以上１５００℃以下の加熱処理を行うことで、当該凹部の底面の原子配列の乱れを正すことができ、スパッタバッファを介して結晶性の良いIII族窒化物系化合物半導体が得られることを見出した。 （もっと読む）

【課題】基板の表面性を向上させると共に、ＳｉＣエピタキシャル層の結晶性を向上させることが可能で、しかも低コストで製造することが可能な単結晶ＳｉＣ半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に多孔質層２、３を形成し、その多孔質層２、３上に単結晶シリコン層４を形成する。次に、加熱処理により多孔質層２、３内に中空構造層５を形成し、酸化処理により中空構造層５を酸化する。更に、炭化処理により単結晶シリコン層４を単結晶の炭化シリコン層に変成させてＳｉＣシード層９を形成する。その後、ＳｉＣシード層９を核としてエピタキシャル成長させて単結晶ＳｉＣ層１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面の傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好なウェーハを提供する。
【解決手段】｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】単一の極性の結晶を製造する歩留まりを向上するＩＩＩ族窒化物基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法、ＩＩＩ族窒化物基板およびＩＩＩ族窒化物結晶基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物基板３０の製造方法は、以下の工程が実施される。まず、主表面３０ａと反対側の裏面３０ｂとを有し、かつ主表面３０ａから裏面３０ｂに貫通する第１の極性からなる第１の領域１３と、主表面３０ａから裏面３０ｂに貫通するとともに第１の極性と異なる第２の極性からなる第２の領域１５とを含み、ＩＩＩ族窒化物結晶よりなる下地基板が準備される。そして、下地基板の主表面の第１の領域１３において、第２の領域１５との境界に向けて、主表面１３ａから裏面１３ｂへの方向に傾斜する傾斜面１３ａ２が形成される。 （もっと読む）

【課題】各導波路を経由して出射するレーザ光の波長を自在に設定できる複数本の導波路を有する半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子は、（０００１）面を基板面とするｎ型ＧａＮ基板上にステップ状構造を備えると共に、ｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＮを含むＶ族元素を含む活性層を有するＡｌＧａＩｎＮ系の化合物半導体層からなる半導体積層体を備えている。複数本の導波路が、段差からの距離が互いに異なるようにステップ状構造の高領域に設けられている。ステップ状構造の高領域における活性層中のＩｎ濃度は、段差に近い程高く、段差から離隔する程低くなる。活性層中のＩｎ濃度が高い程、活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなり、従って発振波長が長くなる。同一の基板面内で発振波長を変えた複数の導波路を有する半導体レーザ素子、例えばＡｌＧａＩｎＮ系の半導体レーザ素子を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】均一かつ広い面積の低電位密度領域を有する窒化物単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１窒化物単結晶層１０１を成長させる段階と、第１窒化物単結晶層１０１上に第１窒化物単結晶層１０１上面中一部を露出させたオープン領域を備える誘電体パターン１０２を形成する段階と、オープン領域を通して第１窒化物単結晶層１０１上に第２窒化物単結晶層１０３を誘電体パターン１０２の高さより低いか同じ高さに成長させる段階とを含み、第２窒化物単結晶層１０３の成長過程において、第２窒化物単結晶層１０３内部の電位Ｄが側方向に進行して誘電体パターン１０２の側壁にぶつかって消滅するよう誘電体パターン１０２の高さはオープン領域の幅より大きい値を有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換特性が向上し、コスト競争力に強い光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体接合を有する光電変換装置であって、微結晶半導体で形成した一導電型の不純物半導体層上に、針状結晶が成長した半導体層を有する。微結晶半導体層上に、成膜初期の段階では半導体材料ガス（代表的にはシラン）に対して希釈ガス（代表的には水素）の流量比を１倍以上６倍以下として非晶質半導体層を成膜することで、微結晶半導体層から非晶質半導体層に被膜の成膜方向に向かって先細りとなる立体形状を有する結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】緑色発光を呈するＬＥＤ構造の内部量子効率を低下させることなく、光取り出し効率に優れたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１０１上に形成された単結晶の下地層１０３上にＬＥＤ構造２０が形成されてなり、基板１０１は、（０００１）Ｃ面からなる平面１１と複数の凸部１２とからなる主面１０を有するものであるとともに、凸部１２の基部幅が０．０５〜１．５μｍとされており、下地層１０３は、基板１０１の主面１０上に、平面１１及び凸部１２を覆うようにＩＩＩ族窒化物半導体がエピタキシャル成長することによって形成されたものであり、ＬＥＤ構造２０における発光波長が４９０〜５７０ｎｍの範囲である。 （もっと読む）

【課題】 格子の差異により生じる膜層品質不良の問題を解決でき、また発光ダイオードにおいてサファイア基板とその上に成長されるIII族窒化物間の格子不整合により発生する応力に起因する亀裂の問題の解決に利用できる、半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】 本発明の半導体素子の製造方法は、基板を提供し、前記基板表面にフォトリソグラフィエッチングまたはレーザーエッチングの方式で複数本の溝部を形成し、この複数本の溝部が前記基板表面を複数個のメサ構造（ｍｅｓａ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）に分割し、かつ前記基板をパターン化基板とする、及び半導体素子（例：光電素子または発光ダイオード）を前記パターン化基板表面に成長させる、という手順を含み、前記半導体素子は少なくとも１層の膜層を備え、前記パターン化基板と接触する第一膜層が複数本の溝部により複数個の相互に連続しない区域に分割される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は半導体をその基板から分離する方法を提供することである。
【解決手段】 複数の棒状体を基板上に形成し、複数の棒状体上で半導体層をエピタキシー成長させ、更に、複数の棒状体の間の空隙にエッチング液を注入することによって、半導体層をその基板から分離する。複数の棒状体の間の空隙がエッチングの反応面積を大幅に増加させることができるため、本発明による方法によれば、エッチングによって半導体層を基板から分離する効率を向上させ、製造工程のコストを低減させることができ、しかも、基板に使われる材料も前記分離方法に制限されない。 （もっと読む）

【課題】半導体層に生ずる格子歪みを効果的に緩和する。
【解決手段】Ｓｉからなり、面方位が（１１１）または（１１１）と等価な面方位である半導体結晶成長用基板１１の半導体層を形成する表面に、凹凸の少ない表面状態を有する鏡面な部分１２と、鏡面な部分１２の表面粗さよりも大きい表面粗さを有する荒れた部分１３とを形成する。この場合、荒れた部分１３を周期的に形成し、荒れた部分１３のパターン形状を四角形の格子状とする。また、荒れた部分１３の中心間の寸法を５ｍｍとし、荒れた部分１３の幅を１０μｍとして、荒れた部分１３が形成された周期ｘを５ｍｍとし、また荒れた部分１３と鏡面な部分１２との面積比ｙを約０．００４とする。 （もっと読む）

テンプレート化基板は、ベース層と、ベース層上に配置されており、単結晶ＩＩＩ族窒化物を含む組成物を有している、テンプレート層とを含む。テンプレート層は、ベース層上にある連続副層と、第１の副層上のナノ円柱状副層とを含み、ナノ円柱状副層は、複数のナノスケール円柱を含む。上記ベース層は、サファイア、ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、Ｓｉ、ＭｇＡｌ_２Ｏ_４、およびＬｉＧａＯ_２から成る群より選択される材料を含み得る。
（もっと読む）

【課題】基板のＡｌＧａＮが露出した最表面上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長させるのに適したＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法およびその方法を用いたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水素と窒素とアンモニアとを含み水素の体積比率が水素の体積と窒素の体積との合計体積の０．２以下であるガス雰囲気または窒素とアンモニアとを含み水素を含まないガス雰囲気においてＡｌＧａＮが最表面に露出した基板を９００℃以上に加熱する加熱工程と、加熱工程後に基板の最表面上にＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶を成長させる結晶成長工程とを含むＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法とその方法を用いたＩＩＩ−Ｖ族窒化物半導体レーザ素子の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】改善された表面および構造的品質を示すフィルムを成長させる、改善された方法を提供すること。
【解決手段】非極性のａ平面窒化ガリウム薄膜を、ｒ平面基板上で、金属・有機化学気相成長によって成長させる方法が提供される。この方法は、以下の工程：
（ａ）該基板をアニールする工程；
（ｂ）窒化物ベースの核生成層を、該基板上に堆積させる工程；
（ｃ）該非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを、該核生成層上で成長させる工程；および
（ｄ）窒素の過剰圧力下で、該非極性のａ平面窒化ガリウムフィルムを冷却する工程、を包含する。この方法により、上記課題が解決される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に緻密なダイヤモンド薄膜を形成させるためのシリコン基板及びその製造方法であって、１０００℃以上の高温でも孔形態が変化せず、核発生密度も維持でき、熱膨張係数差に伴う応力の緩和機構も備えたダイヤモンド薄膜形成用シリコン基板およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】サブミクロン〜ミクロンサイズの柱状多孔質層とナノサイズシリコン粒子層からなる２層構造を、所定濃度のフッ酸系電解液中で、シリコン単結晶基板を陽極酸化する電解酸化することによって、シリコン単結晶基板表面に設ける。 （もっと読む）

本発明は、下記の工程：ａ） 金属凝集体(３)を金属酸化物基体(２)上に形成させる工程；および、ｂ） ナノ構造体(１)を、金属凝集体で被覆した金属酸化物基体(２)上で気相成長させる工程を含み、上記基体を１種以上のプレカーサーガスの存在下に加熱し、ナノ構造体(１)の気相成長を金属凝集体(３)によって触媒する、ナノ構造体(１)の金属酸化物基体(２)上での製造方法に関する。本発明によれば、上記金属凝集体の形成工程ａ）は、上記金属酸化物基体の表面を還元性プラズマ処理によって還元して、上記基体(２)上に金属凝集体(３)の液滴を形成させる操作を含み；上記金属凝集体形成工程ａ）および上記ナノ構造体成長工程ｂ）を単一の共用プラズマ反応器チャンバー(４)内で連続して実施し、上記ナノ構造体成長を金属凝集体(３)の液滴上で直接実施する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面を有効に利用すると共に、極性面及び非極性面の両特性を兼ね備える窒化物系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第１導電型窒化ガリウム系半導体層、活性層及び第２導電型窒化ガリウム系半導体層が支持基体１３上に順に配置されている。表面１３ａのステップ２１における第１及び第２の面２１ａ、２１ｂは、Ｚ軸に対して傾斜しており、また異なる結晶面からなる。窒化ガリウム系半導体領域１５の表面１５ａは複数のステップ２５を有しており、各ステップ２５は主要な構成面して第１の面２５ａ及び第２の面２５ｂを有する。これらの面２５ａ、２５ｂは、Ｚ軸に対して傾斜しており、また互いに異なる結晶面からなる。ステップ２５の配列上に形成された活性層１７の第１及び第２の部分１７ａ、１７ｂは、それぞれ、ステップ２５の面２５ａ、２５ｂ上に成長され、また異なる発光波長の光を発生する。 （もっと読む）

【課題】反りが抑制され、結晶性を低下させることなく、高品質なＳｉＣ膜が形成された化合物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０の表面１０ａに、前記Ｓｉ基板１０の表面１０ａに該表面１０ａにおける幅Ｗおよび該表面１０ａからの深さＤが、ＳｉＣ膜２０の厚さよりも大きい溝部３０を形成し、前記Ｓｉ基板１０の表面１０ａに、前記溝部３０によって島状にそれぞれ分離された複数のＳｉＣ島部２０ａとして、ＳｉＣ膜２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｍ面を主面とするIII族窒化物系化合物半導体を得る方法を提供する。
【解決手段】Ｒ面１０Ｒとそれに垂直なＡ面との交線Ｌ_sapph-AMの回りにＲ面１０Ｒを３０度回転させた面を主面１０ｓとするサファイア基板１０を用いる(２．Ａ)。Ｒ面１０Ｒを露出させ（２．Ｂ）、主面１０ｓに二酸化ケイ素から成るマスク２０ｍを形成する（２．Ｃ）。Ｒ面１０ＲにＡｌＮバッファ層３０ｂを形成する（２．Ｄ）。ＡｌＮバッファ層３０ｂ上にＧａＮ層４０を形成する（２．Ｅ及び２．Ｆ）。ＧａＮの成長は初期段階では横方向成長によりサファイア基板１０の上方全面が覆われる。ＧａＮ層４０は、サファイア基板１０の露出したＲ面に対してはａ軸が垂直、サファイア基板１０の軸方向Ｌ_sapph-AMに対してはｃ軸が平行、サファイア基板１０の露出したＲ面と３０度を成す主面１０ｓに対しては、ａ軸と３０度を成すｍ軸が垂直となるように成長する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体素子の製造に用いるのに適した、六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のＣ面単結晶基板と、その基板の上にＧａＮ系半導体結晶をエピタキシャル成長させてなるエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】六方晶構造の結晶からなるエピタキシャル成長用のＣ面単結晶基板であって、エピタキシャル成長用の面に形成された第１の割り溝および第２の割り溝とを有し、該第１の割り溝および第２の割り溝は相互に直交し、かつ、それぞれが前記六方晶構造の結晶のＭ面とＡ面とがなす角を二等分する平面に平行である。 （もっと読む）