【課題】処理水等をスムーズにドレインタンクへ流れ込むようにすることで、ドレインタンク流入口での水流の停滞による異常水位検出センサの誤動作を防止するのに好適な除害装置を提供する
【解決手段】除害装置Ｍ１は、外部から隔離された除害処理室１と、除害処理室に処理水を散布する処理水散布手段２と、除害処理室の下方に設けたドレインタンク３と、除害処理室の底部からその室内に排ガスや微粒子ダストを導入する配管４と、配管から下向きに分岐してドレインタンク内の上部空間に連通するドレイン管５と、ドレイン管の内側に挿入された連通管６とからなり、連通管６の下端部には、ドレインタンクの上部空間に開口した下端側開口部６０を設け、連通管６の上端部には、ドレイン管と配管との境界線Ｌより高い位置に開口した上端側開口部６１を設ける。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス周期を延長し、メンテナンス性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、基板を積層載置して収容する処理室と、前記基板の積層方向に沿って立設され、前記処理室内に処理ガスを供給するガスノズルと、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、を備える基板処理装置であって、前記ガスノズルは、前記処理室内に処理ガスを導入する複数のガス供給口を有する第１のノズル部と、前記第１のノズル部より外径が細い第２のノズル部とを有し、第１のノズル部及び前記第２のノズル部はノズル接合部にて、前記第１のノズル部が処理ガスの流れの下流側となるよう互いに接合され、前記第２のノズル部の外周に前記ノズル接合部を補強する補強部材を設けることを特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ガス配管内のガスの流れが電磁バルブを実際に開閉する前に表示されることで、誤った操作による電磁バルブの開閉し忘れ、或は誤ったガスの混合による危険を防止し、安全性の向上を図る。
【解決手段】ガス配管路１に設けられたバルブ２，３，３６，３８の開閉要求状態及び開閉状態を検出する状態検出部４４と、前記バルブの開閉要求状態により予測される前記ガス配管路を流れるガスの予測状態と、前記バルブを開いて前記ガス配管路を流れるガスの状態とを状態毎に識別表示する表示部４４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置のノズルを処理槽から分離可能とし、かつ、処理槽内のガスが処理槽の設置口の周縁部とノズルとの間を通って外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】処理槽１０により、被処理物９の処理空間１９を囲む。ノズル２０を処理槽１０の設置口１３を介し処理空間１９に臨ませ、処理空間１９に処理ガスを供給する。ノズル２０を処理槽１０に対し分離可能又は移動可能にする。処理槽１０の設置口周縁部１４とノズル２０との間を環状のシール部材３０によって気密に塞ぐ。好ましくは、シール部材３０を、柔軟性及び伸縮性を有するシート状にし、設置口周縁部１４とノズル２０とで作る環状の空間１３ａに張り渡す。 （もっと読む）

【課題】被処理物を表面処理する処理槽から処理ガスが漏れるのを防止し、かつ処理空間での処理ガスの流れを安定化する。
【解決手段】被処理物９を搬送手段２０によって搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。このガス排出によって外部のガスが開口１３，１４を通して処理槽１０の内部に流入する。この流入ガスの平均流速が、０．１ｍ／ｓｅｃ以上、かつ流入ガスが処理空間１９に達する大きさ未満になるよう設定する。 （もっと読む）

【課題】排気口の近傍に付着している反応副生成物が燃焼することを防止することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してシリコン含有ガスを用いて薄膜を形成する成膜処理と酸化ガスを用いて酸化を行う酸化処理とを施すことが可能な成膜装置２において、被処理体を複数枚収容できる処理容器４と、原料ガスを供給する原料ガス供給手段２６と、原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給手段２８と、酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段３２と、処理容器に設けられた第１の排気口５４と、第１の排気口とは異なる位置に設けられた第２の排気口８８と、第１の排気口に接続されて成膜処理時に用いる第１の排気系５６と、第２の排気口に接続されて酸化処理時に用いる第２の排気系９０と、酸化処理時に第１の排気口に不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段６６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 金属部分の腐食を抑制して、基板の汚染を抑制し、処理品質を向上させ、或は歩留りを向上させる。
【解決手段】 処理室と、基板保持具と、処理室を開閉する蓋体と、基板保持具載置部と、基板保持具載置部を回転させる回転機構と、蓋体との間に第一のガス噴出口を構成するように蓋体を貫通し基板保持具載置部及び回転機構に接続される回転軸と、回転機構および蓋体、回転軸とで囲われ構成され第一のガス噴出口を介して処理室と連通する第一ガス溜り部と、基板保持具載置部に設けられる第二のガス噴出口と、回転軸に設けられ第二のガス噴出口を介して処理室と連通する第一ガス溜り部と、回転軸に設けられ第一ガス溜り部と第一ガス溜り部とを連通させる流通口と、を有する。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの積算流量条件の検証を省略できる方法を提供する。
【解決手段】ウエハを処理する処理室２２と、処理室２２内へＨ_２ガスを供給する水素ガス供給管２７と、処理室２２内へＮ_２ガスを供給する窒素ガス供給管２８と、処理室２２内を排気する処理室用排気管２５とを備えたアニール装置１０において、処理室用排気管２５に処理室２２内のＨ_２ガスの濃度を測定する高濃度計Ｇ１と、高濃度計Ｇ１とは検出限界の異なる低濃度計Ｇ２とを設け、コントローラ５５にそれぞれ接続する。コントローラ５５は、Ｈ_２アニール後のＮ_２ガスパージステップにおいて、処理室２２内に残留したＨ_２の濃度を高濃度計Ｇ１により測定しつつ処理室２２内にＮ_２ガスを供給し、高濃度計Ｇ１の検出限界に達すると、低濃度計Ｇ２に切り替えて、低濃度計Ｇ２によりＨ_２ガスの濃度を測定しつつ処理室２２内にＮ_２ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】気密シールに用いられるＯリングを熱から有効に保護できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】その内側で基板２００が処理される反応管２０５と、少なくとも基板２００が処理される箇所を加熱する加熱手段２０６と、反応管２０５を取り付けるインレットフランジ２０９と、反応管２０５とインレットフランジ２０９を気密にシールするＯリング２２０ａと、反応管２０５およびインレットフランジ２０９の少なくとも一方に気体を吹き付け、反応管２０５およびインレットフランジ２０９の少なくとも一方を介してＯリング２２０ａを冷却する気体吹き付け手段２１５、２２６を備える。 （もっと読む）

【課題】密閉部材がシール面に固着してしまうという問題を解決し、安全にメンテナンスを行うことができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】反応管と該反応管に密閉部材を介して当接するマニホールドとで画成され、内部で基板を処理する反応容器と、前記反応管と前記マニホールドとを切り離す際に、前記密閉部材の剥離を補助する剥離補助手段とが設けられる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造においては、加熱炉内の温度条件が極めて重要であるが、加熱炉内の温度が所望プロファイルではない場合、これに対処する手段が何ら講じられていなかった。この発明の課題は、前記課題を解決する装置の提供にある。
【解決手段】加熱部５を備えた加熱炉内にウェハ７を収納し、加熱炉内を所定の温度に加熱してウェハ７に処理を施す半導体製造装置において、加熱炉内の温度を任意の時点でその実測温度に維持することのできる手段を備えた半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】石英部品を床置きした場合、床の汚れがシール面に付着して炉内に持ち込まれることによる炉内の汚染を防止できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】石英からなるアウタチューブ１４とインナチューブからなる反応管と、前記アウタチューブと石英からなるマニホールド５０との間を気密に接合する第1の接合面と、前記マニホールドと石英からなるシールカバー３１との間を気密に接合する第２の接合面と、前記シールカバーとシールキャップ３０との間を気密に接合する第３の接合面と、を有する熱処理装置であって、前記第１または第２または第３の接合面の少なくとも１つの接合面にはＯリング５３が設けられており、前記接合面のＯリング部より外側に突起を設ける構成としたことを特徴とする熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】炉口部を非金属製とし、基板処理中の基板の金属汚染を防止すると共に、シール部に設けられるＯリングの温度上昇を抑制し、劣化、焼損を防止することにより長寿命化した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内部で処理する反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、前記反応管に連設され非金属部材で構成されるマニホールド２２と、該マニホールド２２を蓋する蓋体と、前記マニホールド２２と前記蓋体との間に設けられる密閉部材とを備え、前記マニホ―ルド２２には、前記反応管の軸心に対し直交する方向の外壁から内壁にかけてガス供給部が配設され、前記加熱装置と前記密閉部材との間に中空部７１が形成され、該中空部７１内に金属部材が配置された。 （もっと読む）

【課題】
基板処理装置に於いて、排ガスの燃焼除害装置の不具合による被処理ウェーハのスクラップ発生を防止するものである。
【解決手段】
基板１０を保持する基板保持具２３と、該基板保持具を収納し、基板を処理する処理室と、前記基板保持具に基板を装填、払出しする基板搬送部２１と、該基板搬送部を制御し、又前記基板保持具に保持された基板に前記処理室内で所定の処理をする為のレシピプログラムを実行する制御部と、前記処理室で基板を処理した後の排ガスを燃焼させる為の燃焼装置とを具備し、該燃焼装置は、前記レシピプログラム実行開始と同時に排ガス処理準備を行い、前記制御部は排ガス処理準備完了後、前記基板搬送部による前記基板保持具への基板の移載を開始する。
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【課題】 基板に曇りを生じることなく、ガス導入管の破損を防止しガス導入管を容易にガス供給管と接続できる縦型熱処理装置を提供することにある。
【解決手段】 少なくとも、反応管と、基板を保持するための熱処理用ボートと、基板を加熱するためのヒータと、反応管内に雰囲気ガスを導入するためのガス導入管と、ガス導入管と接続されるガス供給管と、反応管の下に設けられたフランジ体又は反応管に形成され、ガス導入管が挿通されるガスポート部を有する縦型熱処理炉において、ガス導入管とガス供給管の接続は、反応管外でジョイントを介して行われ、該ジョイントは少なくともフランジ部を有する金属製短管を有し、該金属製短管のフランジ部がガスポート部に設けられたフランジ部とＯリングを介して接続され形成された貫通孔に、ガス導入管が挿通されてジョイントでガス供給管と接続されたものであることを特徴とする縦型熱処理炉。 （もっと読む）

【課題】温度制御管理に関する機能性が高く信頼性を向上させる。
【解決手段】反応管４内部のウェーハを加熱処理するためのヒータ２と、上記ヒータ２の温度を測定して上記ヒータ２の温度を調節する温度調節用の複数の第１の温度センサ３と、上記ヒータ２の温度を測定して上記ヒータ２の温度を監視する監視用の複数の第２の温度センサ６と、上記複数の第１の温度センサ３のうちの任意の第１の温度センサ３が故障したときは、上記故障した任意の第１の温度センサ３により測定される温度に代えて、上記複数の第２の温度センサ６のうち上記任意の第１の温度センサ３の近傍に設けられた第２の温度センサ６により測定される温度に応じて、上記ヒータ２ヘの電力供給の制御を継続させる制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】石英ベースを設置する際に、落下の衝撃を和らげ、破損を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板保持具と蓋体との間に緩衝部材２６６を複数設け、前記緩衝部材２６６は、突起部２７１と載置部２７２とを有し、前記突起部２７１は前記蓋体の外周側に位置し、前記載置部２７２は前記突起部２７１から前記蓋体の中心側に向かって暫時厚みを小さくするように形成され、スライドさせて抜き取り可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】筒状シャフトの内部空間からガスがリークするのを防止する。
【解決手段】シャフト付きヒータ１０は、ウエハを支持可能で抵抗発熱体２２が埋設された窒化アルミニウム製のセラミック基板２０と、該セラミック基板２０の背面に接合された筒状シャフト３０とを備えている。筒状シャフト３０は、少なくともセラミック基板側の端部がアルミニウム−シリコン合金製であり、該端部がセラミック基板２０の背面に接合されている。このため、筒状シャフト３０自身の気密化や筒状シャフト３０とセラミック基板２０との接合部位の気密化を図ったり、筒状シャフト３０のうちセラミック基板側の端部の熱膨張係数をセラミック基板２０の熱膨張係数に近付けたりすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】固体原料を使用する基板処理装置において、原料供給用タンクを装置から外すことなく原料供給用タンクに原料を補充することができる基板処理装置および原料補充方法を提供する。
【解決手段】固体原料を保持する第１の原料容器２７０と、該第１の原料容器と第１の配管を介して接続され固体原料が補充される第２の原料容器２６０と、該第２の原料容器と処理室を接続する第２の配管２３０と、少なくとも第１の原料容器及び第１の配管を加熱可能な加熱手段２８３と、少なくとも第１の原料容器及び第２の原料容器の内部の圧力を調整可能な圧力調整手段とを設け、第１の原料容器から第２の原料容器へ固体原料を補充する際には、固体原料を気体原料へ変態させて補充するように加熱手段及び圧力調整手段を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、異常傾向の発生とその深刻度を知ることができる製造プロセスの監視方法、監視プログラム、監視システムおよび製品の製造方法を提供する。
【解決手段】製造過程における品質特性に関するデータを収集し、前記品質特性に関するデータから検知対象となるデータを抽出し、前記検知対象となるデータに対して周波数分析を行い、前記周波数分析の結果と、予め定められた限界値と、に基づいて異常傾向の発生を監視し、前記異常傾向の発生が検知された場合には、深刻度の判断をし、前記検知がされた時点の前記品質特性に関するデータと前記異常傾向の発生時点の前記品質特性に関するデータとを特定し、前記深刻度の判断のデータと、前記検知がされた時点の前記品質特性に関するデータと、前記異常傾向の発生時点の前記品質特性に関するデータと、を出力すること、を特徴とする製造プロセスの監視方法が提供される。 （もっと読む）