【課題】シリコン化合物の合成物及びシリコン含有膜を堆積させるためにシリコン化合物を用いる方法を提供する。
【解決手段】シリコン化合物を基板表面に導入するステップとシリコン化合物の一部、シリコンモチーフをシリコン含有膜として堆積させるステップとを用いる。インサイチュエッチング剤は、選択的シリコンエピタキシーの成長を支持する。シリコン化合物は、ＳiＲＸ₆、Ｓi₂ＲＸ₆、Ｓi₂ＲＸ₈（ここで、Ｘは独立して水素又はハロゲンであり、Ｒはカーボン、シリコン又はゲルマニウムである。）を含んでいる。シリコン化合物は、また、３つのシリコン原子と、４つのカーボン、シリコン又はゲルマニウム原子と、水素又はハロゲンと少なくとも１つのハロゲン原子とを含む化合物、また、４つのシリコン原子と、５つのカーボンと、シリコン又はゲルマニウム原子と、水素又はハロゲンと少なくとも１つのハロゲン原子とを含む化合物を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】縦型ウエハ処理装置において、反応管のフランジの厚みが薬液洗浄により減少した場合であっても、追加で緩衝材を挿入することなく、反応管とマニホールドの気密性を確保する。
【解決手段】反応管１のフランジ１ａの上面を金属管７側に付勢するために金属管７に着脱可能に取り付けられた金属製のフランジ押え部２９を備えている。フランジ押え部２９は、金属管７の上方に配置される金属管側フランジ押え部材３１と、突起部３３ａでフランジ１ａの上面を付勢するするフランジ側フランジ押え部材３３と、金属管側フランジ押え部材３１及びフランジ側フランジ押え部材３３の互いに対向する面に取り付けられた金属製バネ３５とを備えている。フランジ押え部２９の高さは可変になっている。フランジ押え部２９は、フランジ側フランジ押え部材３３が取付けネジの締め付けによって金属管７に固定されることによって金属管７に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は従来技術ではなかった郡管理システムのＨＳＭＳ通信状態表示機能を提供するものである。
【解決手段】基板を処理する基板処理装置１０と、該基板処理装置１０に接続される群管理装置２０とで構成される基板処理システムであって、前記群管理システムは、オンライン時に接続された他の装置と通信を行う通信部と、該通信時の状態を記憶する記憶部と、該記憶部に取得した通信データを表示する操作部２２とを有する （もっと読む）

本書の一態様によれば、物体を把持するための真空グリッパー組立体が提供され、真空グリッパー組立体は：平らなプレートを含むグリッパーフィンガー；真空パッド；グリッパーフィンガーに対して真空パッドを支持するための支持システム；および真空グリッパー組立体が物体を把持していないときに、少なくとも１つの真空パッドをグリッパーフィンガーの平らなプレートに対して全体的に平らな向きにして安定させるように適合された安定化構造を含む。
（もっと読む）

【課題】基板を載置するサセプタを収納した成膜室１内に反応ガスを供給して、被成膜基板の表面に膜を形成する成膜装置であって、上端にサセプタ用の支持部材が連結され、成膜室の底壁部１ａに開設した貫通孔１ｃを通して下方にのびる回転軸６と、成膜室の下方に配置された回転軸用の回転機構部７とを備えるものにおいて、回転機構部への反応ガスの侵入を確実に阻止できるようにする。
【解決手段】回転機構部７は、成膜室１の底壁部１ａの下面との間に筒状の押え部材８を介設した状態で配置した軸受９と、軸受９の下方に配置した駆動源１０とを有する。押え部材８に、環状の分布室１３と、分布室１３に周囲１個所からパージガスを導入する導入口１４とが形成されると共に、押え部材８と回転軸６との間の隙間に分布室１３からのパージガスを噴出するノズル孔１５が周方向の間隔を存して複数形成される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】太陽電池製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、膜分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。分離されたモノシランは、シランガス除害部５０により除害される。また、分離された水素は、水素ガス排気部６０により大気に放出される。 （もっと読む）

【課題】小さな負荷で短時間に装置の正常／異常を判定することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】センサ及びコントローラの信号値を取得する装置側モジュールＡ，Ｂ，・・・，Ｚと、これらの信号値を演算する演算モジュールＭ１と、演算モジュールＭ１により得られる演算結果をチェックするチェックモジュールＭ２とを備え、信号値を演算モジュールＭ１で基板処理装置が管理する処理単位毎に、あるいは一定の期間単位毎に代表値化し、代表値化した値がチェックモジュールＭ２でチェックされる。 （もっと読む）

【課題】効率的な製造工程を提供し、製造コストを低減することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造装置１００は、ウェハカセット２，３，４と、ウェハの洗浄および表面改質を行う装置５と、ウェハの位置合わせを行う装置６と、ウェハ表面にパッシベーション膜となる材料を射出する装置７と、パッシベーション膜の外観検査を行う装置８と、パッシベーション膜に熱処理を行う装置９と、処理順にウェハを各装置に搬送する装置１０を備えている。製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。次いで、パッシベーション膜のパターンが、所望のパターン条件を有しているか否かを検査する。パッシベーション膜が所望のパターンで形成されている場合に、パッシベーション膜を硬化および焼成する熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内の処理空間に対して給排気を行うための給排気構造を有する基板処理装置において、処理チャンバから漏洩するＸ線を効果的に減衰させる。
【解決手段】壁面側での孔形成禁止範囲以外にアルゴンガス供給孔２７を形成して漏洩Ｘ線Ｘ２の経路上にチャンバ壁２６が位置し、また壁面対向面側での孔形成禁止範囲以外に供給孔８３２を形成して漏洩Ｘ線Ｘ１の経路上に供給カバー８３１の壁面が位置するように、アルゴンガス供給孔２７および供給孔８３２が配置されている。したがって、処理空間２１内で発生したＸ線は必ず供給カバー壁および／またはチャンバ壁２６を透過し、処理チャンバ２から漏洩するＸ線を効果的に減衰させることができる。 （もっと読む）

【課題】近赤外線放出源によって加熱され近赤外放射に対して透過性の処理チャンバ内で熱処理を行っている間に、回転サセプタの円形のポケット内にある半導体ウェハの不適正な位置を識別する方法において、サセプタのポケット内の半導体ウェハの実際の位置を求め、誤差が発生している場合にはこの誤差およびその原因を検出して解消すること。
【解決手段】パイロメータによって検出される測定スポットの一部は前記半導体ウェハ上であり、該測定スポットの一部は該半導体ウェハの外側であって前記回転サセプタ上であるように前記パイロメータを方向決めし、前記半導体ウェハの不適正な位置とは、前記回転サセプタのポケット内の偏心位置である方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、半導体製造、液晶製造、または太陽電池製造に関する装置のクリーニングに用いられるＮＦ_３を、安価で、温室効果の高いガスの生成を抑制し、且つ、工業的に分解する方法、さらには、安価でランニングコストの安いＮＦ_３の分解装置または検出器を提供することである。
【解決手段】 ＮＦ_３と、金属、金属酸化物、金属フッ化物、または金属フッ化物の水和物とを化学反応させることによりＮＦ_３を分解させることを特徴とするＮＦ_３の分解方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】エラー解析のためのデータを効率的に収集し、エラー解析を高精度で行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板に処理を施す処理ユニット及び基板を搬送する搬送ユニットの状態及びこれらの動作を検出する検出部を有し、これらを制御する下位コントローラと、前記下位コントローラを制御する制御部及び前記検出部からの出力内容を表示する操作部を有する上位コントローラとを備える基板処理装置であって、前記上位コントローラは、前記検出部からの出力内容にエラーが含まれる場合には、前記下位コントローラにエラーを通知し、前記下位コントローラは、前記上位コントローラから前記操作部へのデータ転送周期よりも短い周期で、前記エラー通知前後の前記検出部からの出力内容を記憶する。 （もっと読む）

【課題】分解や組み立てをより容易に行うことができるプラズマ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】導波路の少なくとも一部を、同軸ケーブル１２およびこの同軸ケーブル１２の両端に設けられた同軸導波管変換器１１，１３とする。これにより、導波路に用いる導波管を少なくすることができるので、組み立てたり分解したりする際に、従来のように多数のボルトとナットの取り付けや取り外しが不要となり、結果として、より容易に組み立てや分解を行うことができる。また、同軸ケーブル１２がフレキシブルなので、従来のような歪みの問題を解消することができ、より容易に組み立てを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積されるべき物質は、半導体処理チャンバの種々の表面上の望ましくない物質を堆積する。高製造品質を維持するために、これを定期的、かつ最小の休止時間で、洗浄する必要があり、その方法と装置を提供する。
【解決手段】洗浄ガス混合物１０６の予備反応器１０２、と、そのバッファータンク１０７を有する装置を用い、ある時間に亘ってバッファータンク１０７に貯蔵した後、半導体処理チャンバ１００へ導入して、プラズマの発生なしで、かつ３００℃未満の温度で、前記チャンバの種々の表面から望ましくない物質を取除く。処理ガスとしては、ＮＦ３：ＮＯを１：１〜５：１で予備反応させたガスを用いる。又、表面上の望ましくない物質としては、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、ＳｉＯ２，ＳｉＮ、ＳｉＯＮ，ポリＳｉ、αＳｉ、微結晶Ｓｉ、やＭ（Ｍ；Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｗ）の、Ｍ、ＭＮ、ＭＯｘ、ＭＯＮ、ＭＳｉＯｘＮｙ等が有る。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の均一性が良く、放電集中等の異常放電を低減させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板２０にプラズマ処理を行う処理室１０と、処理室１０の内部に配置され、基板２０を載置する接地電極１２と、ガス供給空間１４ｃを囲む空洞形状をなし、接地電極１２と対向した電極板１６がガス供給空間１４ｃからガスを噴出する複数のガス噴出孔１６ａ〜１６ｇを備え、処理室１０から外部に露出した電極本体１４ａが高周波電源２４に接続され、電極本体１４ａがガス供給空間１４ｃにガスを供給するガス供給孔１４ｄを有する空洞電極１８とを備える。ガス供給空間１４ｃに、ガス供給空間１４ｃの側壁部１４ｂから離間した中心部分Ａにおいて、電極板１６と電極本体１４ａとを電気的に接続するメッシュ状金属部材３０が収納されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜担持体上に薄膜材料を含む塗布液を塗布し、これを基板表面に転写させた後に薄膜担持体を剥離することによって基板上に薄膜を形成する薄膜形成システムおよび薄膜形成方法において、溶媒への引火を防止しながら効率よく薄膜形成を行う。
【解決手段】雰囲気管理された搬送空間ＴＰ２内をＸ方向に往復移動する主搬送ロボット７０の搬送経路の両側に複数の処理ユニットを並べて配置した薄膜形成システムである。溶媒蒸気が発生しうる塗布ユニット３４と、静電気が発生しうる剥離ユニット１０とが搬送空間ＴＰ２を挟んで互いに反対側となるようなレイアウトとする。これにより溶媒への引火が防止されるので、薄膜形成処理を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 プロセス異常等が発生した場合においても生産性の低下を抑制できるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 被処理体Ｇに対して、処理条件に従ってプラズマ処理を行う処理室を備えたプラズマ処理装置であって、処理条件とは異なる複数の再処理条件を記憶した記憶部と、プラズマ処理中の異常発生の有無を監視する監視機能と、発生した異常の種類を判定する判定機能とを備えた制御系５０を具備し、プラズマ処理中に異常が発生した場合、制御系５０は、判定した異常の種類に応じて、複数の再処理条件の中から一つの再処理条件を選択し、被処理体Ｇに対して再処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性および着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室１、絶縁体からなりドーム状の真空容器蓋１２、ガス導入口３、真空処理室１の外部上方に設けた高周波誘導アンテナ（アンテナ）７、真空処理室１内に磁場を形成する磁場コイル８１、８２、磁場の分布を制御するヨーク８３、アンテナ７に高周波電流を供給するプラズマ生成用高周波電源５１、前記磁場コイルに電力を供給する電源とを備え、アンテナ７をｎ個の高周波誘導アンテナ要素７−１（図示せず）、７−２、７−３（図示せず）、７−４に分割し、分割されたアンテナ要素を一つの円周上に縦列に並べ、縦列に配置された各アンテナ要素に遅延手段７−２〜７−４を介して順次高周波電源の波長λ／ｎずつ遅延させた高周波電流を右回りに順に遅れて流れるようにするとともに、前記磁場コイルより磁場を印加してＥＣＲ現象を発生させるプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバー内の静電チャック表面に静電吸着された異物の除去が困難である。
【解決手段】反応チャンバー１の出入口１ａに挿入可能な真空搬送ロボットのウェハローダー用ロボットハンド９の下部に、不活性ガスを噴射するガスノズル１０と、イオンにより静電気を中和させるイオナイザー１１とが付加された。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に保持されている基板の移載状態とその詳細情報とを同じ画面上に同時に表示させる。
【解決手段】複数の基板を載置した基板保持具を炉内に搬入して所定の処理を行う基板処理装置であって、各基板の移載状況と、各基板の割れ検知結果情報と、割れ検知結果情報で異常とされた基板の復旧状況と、を操作画面上に表示させる。 （もっと読む）