【課題】炉本体と処理容器との間の空間内の圧力を検知する圧力検知センサを簡単な構造で設置する。
【解決手段】縦型熱処理装置１は、ヒータエレメント１８を有する炉本体５と、炉本体５内に配置され、被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を備えている。炉本体５に空気供給ライン５２と空気排気ライン６２とが接続され、空気供給ライン５２に空気供給ブロア５３および空気供給ライン側弁機構５４Ａが配置され、空気排気ライン６２に空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが配置されている。炉本体５を貫通して温度センサ信号ライン８３が収納された保護管５０ａが設けられ、保護管５０ａに圧力検知孔８５が形成されている。この圧力検知孔８５に圧力検知センサ８０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】誘導コイルの外側に設けられた金属材料で構成された部材が誘導加熱されることを抑制し、基板処理中の安全性を向上させる。
【解決手段】基板１４を収容する反応管４２と、該反応管の外周を囲うように設けられた誘導加熱部５０と、該誘導加熱部の外を囲うように設けられる遮蔽部１００と、前記反応管４０内に少なくとも原料ガスを供給するガス供給部２６０，２７０，２８０と、前記誘導加熱部５０が前記反応管４０内を加熱すると共に、前記ガス供給部２６０，２７０，２８０から原料ガスを前記反応管４０内へ供給させて前記基板１４を処理する制御部１５２と、を備え、前記遮蔽部１００が、前記誘導加熱部５０の外を囲うように設けられている。 （もっと読む）

【課題】加工しろが小さく一様な加工が容易なＧａＮ基板およびその製造方法、かかるＧａＮ基板を用いたＧａＮ層接合基板および半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ基板２０は、第１領域２０ｊと、第１領域２０ｊに比べてＧａ／Ｎ組成比が高い第２領域２０ｉとを含み、第２領域２０ｉは、一方の主面２０ｍから所定の深さＤを中心に深さＤ−ΔＤから深さＤ＋ΔＤまで広がり、深さＤにおけるＧａ／Ｎ組成比と第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比との差が、深さＤ＋ΔＤにおけるＧａ／Ｎ組成比と第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比との差の３倍であり、第２領域２０ｉのＧａ／Ｎ組成比が、第１領域２０ｊの深さＤ＋４ΔＤ以上の深さにおけるＧａ／Ｎ組成比に対して１．０５以上である。 （もっと読む）

【課題】排出ストリームを削減するための改良された方法および装置を提供すること。
【解決手段】特定の実施形態では、ガスストリームから汚染物質を除去する際に使用するための装置が提供される。該装置は、複数の積層多孔性セラミックリングから形成された熱反応ユニットを含む。該多孔性セラミックリングの第１は第１の熱膨張係数（ＣＴＥ）を有しており、該多孔性セラミックリングの第２は第２のＣＴＥを有している。他の態様も提供される。 （もっと読む）

【課題】シールキャップアームや炉口シャッタアームの撓みを補正して、Ｏリングを十分潰すことができ、処理室を十分シールするができる閉塞補助機構を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を搬入する開口部を有し、搬入した基板に対し処理を行う処理室と、基板が処理室内にあるときに前記処理室の開口部を閉塞する第１の蓋体と、前記第１の蓋体を開閉動作させる第１の開閉機構と、基板が処理室内にないときに前記処理室の開口部を閉塞する第２の蓋体と、前記第２の蓋体を開閉動作させる第２の開閉機構と、前記第１の開閉機構の閉塞力を補助する第１の閉塞補助機構と、前記第２の開閉機構の閉塞力を補助する第２の閉塞補助機構とを備える基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】ガス配管同士を接続するフランジ部に於いて、該フランジ部を加熱するヒータの寿命の延長を図ると共に、前記フランジ部を効率よく加熱可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収納し処理する反応管と、該反応管内に処理ガスを供給するガス供給管、前記反応管内の雰囲気を排気するガス排気管等のガス配管を具備し、該ガス配管同士は端部に形成されたフランジ部４４ａ，４６ａを介してクランパ３によって接続され、該フランジ部に連続する直管部４４，４６にヒータ９４を設けると共に前記フランジ部にもヒータ９３，９５を設け、前記フランジ部及び前記直管部を覆う断熱材９２を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ膜のエピタキシャル成長など、高温を使用する熱ＣＶＤ装置において、ヒータの過度の温度上昇を抑制し、成膜基板の緻密な温度制御を行う。
【解決手段】頂部にプロセスガス２５の供給部４と、下部に半導体基板６を載置する回転式のサセプタ７と、前記半導体基板６の下面側の位置に配設されたヒータ８と、内壁を被覆する筒状のライナ２と、を備えるチャンバ１からなる成膜装置５０において、チャンバ１の内壁上部とライナ２との間に、複数の抵抗加熱ヒータ３６、３７、３８に分割されてライナ２の周囲に周設された抵抗加熱型の上部ヒータ３５を配設し、ヒータ８と上部ヒータ３５と、を協同させて半導体基板６を加熱する。 （もっと読む）

【課題】ロードロック装置の内容積を増やすことなく，その重量を大幅に軽量化する。
【解決手段】ロードロック装置２００は，内部圧力を減圧雰囲気と大気圧雰囲気に切り替え可能な基板収容室２０２，２０４と，基板収容室内に設けられ，収容された基板を一時的に載置するバッファ用載置台２２０と，を備え，バッファ用載置台は，１又は複数のバッファ部材２２２で構成し，バッファ部材は，その内部を中空にして気密を保持するように構成した。 （もっと読む）

【課題】処理管からボートを搬出する初期段階で発生する蓋の振動を抑制する。
【解決手段】基板を載置するボートと、ボートを収納する処理管と、ボートが載置され処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、蓋を昇降させる昇降機構と、昇降機構を駆動するモータと、処理管の下端面と蓋との間を密封する密封部材と、処理管の下端面もしくは蓋の表面から密封部材を引き離す時に生じる蓋の変形の回復期に基板がボート内の載置位置に留まるようにモータのトルクを制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】熱処理装置のプロセスチャンバに関してリークの可能性のある状態を早期に、かつ、確実に発見する方法を提供する。
【解決手段】処理ガスを導入して熱処理を行うためのプロセスチャンバを備えた熱処理装置において、プロセスチャンバ１内の気体を排気して減圧した状態でプロセスチャンバを封止し、封止されたプロセスチャンバ内の圧力の時間的変化を所定の閾値と比較するリークチェックを熱処理の実行毎に前もって行う制御装置６を具備する。前記時間的変化が閾値より大きいときは熱処理中止とする。 （もっと読む）

【課題】高周波ノイズによる影響を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ヒータ２０７に電力を供給するヒータ用電源線２０８に高周波ノイズを除去するノイズ除去フィルタ２１２を接続し、ヒータ用電源線２０８の導電性配線２０９を被覆した絶縁性の配線被覆部材２１０の内部には、高周波ノイズをシールドするシールド部材２１１をヒータ２０７とノイズ除去フィルタ２１２との間に組み込む。熱電対２６３の補償導線２６４に高周波ノイズを除去するノイズ除去フィルタ２６２を接続し、補償導線２６４の導電性配線２６５を被覆した絶縁性の配線被覆部材２６６の内部には、高周波ノイズをシールドするシールド部材２６８を熱電対２６３とノイズ除去フィルタ２６２との間に組み込む。 （もっと読む）

【課題】反応炉から排出される排ガス中に含まれる各種有害成分の除害処理を確実に行うことができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】III-Ｖ族化合物半導体材料を成膜する反応炉１２と、原料ガス及びキャリアガスを導入するための原料ガス導入管１４と、反応炉から排ガスを導出する排気管１５に設けられて原料ガスの除害処理を行う原料ガス除害装置とを備えたＭＯＣＶＤ装置において、反応炉の内面に付着した反応生成物を除去するためのクリーニングガスとしてアミン系ガス又は反応炉内でアミン系ガスに変化するガスを供給するクリーニングガス供給源２２を設けるとともに、原料ガス除害装置１８の上流側にクリーニングガスの除害処理を行うクリーニングガス除害装置１７を直列に設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の変形および熱割れを防止することができる、薄膜形成システムおよび薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】処理室の一つであり、基板１６を加熱する加熱装置、および、基板１６と加熱装置とを相対的に移動させる駆動装置が配置された加熱室３と、処理室の一つであり、加熱された基板１６に薄膜を形成するスパッタ装置２６が配置されたＺｎＯスパッタ室４と、駆動装置を操作する制御装置２２とを備えている。駆動装置は、加熱室３からの基板１６の搬送が不能となった際に、加熱室３内の基板１６と加熱装置とを相対的に移動させ続けるように制御装置２２により操作される。 （もっと読む）

【課題】密封部材を介して蓋により処理管の炉口を確実に密封状態にする。
【解決手段】基板を載置するボートと、前記ボートを収納する処理管と、前記ボートが載置され前記処理管の下端に設けられた炉口を開閉する蓋と、前記処理管の下端面と前記蓋との間を密封する密封部材と、前記蓋を昇降させる昇降機構と、前記昇降機構を駆動するモータと、前記蓋の位置を検出する位置検出手段と、前記蓋が上昇して位置検出手段によって前記処理管の下端面から規定離間距離だけ離れた位置に前記蓋が位置したことが検出された後、前記蓋が上昇する際の前記モータが受ける負荷を監視し、前記モータが受ける負荷が規定負荷値に達したときに前記処理管が気密に密封されたと判定する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】各部品の破壊や接触不良を検出する安定で信頼性の高い装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、基板を加熱するヒータと、ヒータを内包し処理室内に設けられた基板支持台と、基板支持台を支持するシャフトと、シャフト内に挿通された配線と、配線を保持する保持部と、保持部に接続された温度検出部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リアクター部への前駆物質の供給、特に有機金属化合物の供給に関係する改良された方法と装置を提供する。
【解決手段】有機金属化合物などの前駆物質を、バブラー１のようなバルク容器から複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０へバルク供給するための方法および装置であって、前駆物質を取り込んでガス状混合物を作るためにキャリヤーガス２が前駆物質の容器１に導入される。このガス状混合物は、次に、複数のリアクター部１２、１４、１６、１８、２０に選択的に供給される。ガス状混合物は貯蔵部９に貯蔵され、必要とされる時に、圧力差または真空により各リアクター部に引き出される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置や液晶製造装置等から排出される有毒ガス中の有害成分を除外、回収する除外装置において、被処理ガスを導水管内に導入、混合する吸気管の詰まりを防止する。
【解決手段】導水管２内に吸気管１３を挿着し、該吸気管の下端１３Ｃから排出される有毒ガスＧと前記導水管内の水Ｗとを混合させる気液混合攪拌装置において、前記吸気管内に可撓性チューブ１８を挿着して該可撓性チューブの下端部１８ｃを前記吸気管の下端部に対向させるとともに、少なくとも前記吸気管の下端部側と前記可撓性チューブの下端部側とを離間させて振動間隙Ａを形成させることにより、気液混合に伴って前記可撓性チューブが振動してその下端部が吸気管内周面に衝突し、前記可撓性チューブ下端に付着した固形物が剥離され、吸気管の詰まりを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板を載置するための基板載置部材を回転テーブルに着脱自在に設けることにより、前記回転テーブルにおける基板載置面の表面粗さが適切な範囲から外れた場合に容易に対応できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に設けられ、水平面に沿って回転する回転テーブル２に形成された凹部２４の内部に、基板をなすウエハＷを載置するための基板載置部材２００を着脱自在に設ける。この基板載置部材２００には、回転テーブル２の回転時に遠心力によるウエハＷの移動を規制する位置規制部２０１ａ，２０１ｂ，２０１ｃが設けられている。基板載置部材２００は着脱自在に設けられているので、回転テーブル２の回転時にウエハＷの移動がある場合や、クリーニングによって基板載置部材２００の表面が荒れ、表面粗さが適切な範囲から外れた場合には、基板載置部材２００を交換する。 （もっと読む）

【課題】複数の基板保持具を用い、移載及び回収位置が反応炉直下ではなかった場合でも基板の保持状態を確認でき、一方の基板保持具にて異常を検知した場合に該一方の基板保持具から正常な基板を回収すると共に、他方の基板保持具からも同様に正常な基板を回収できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板７を保持する複数の基板保持具２１a、２１bと、基板７に所定の処理を行う反応炉１１と、前記基板保持具２１a、２１bに対して基板７の移載と回収を行う基板移載機４１と、前記基板保持具２１a、２１bを識別する識別手段と、基板７の保持状態を検知する検知部と、前記基板移載機４１を制御する制御部とを具備し、該検知部が基板７の異常を検知した際には、前記制御部は検知した基板７の保持状態、前記識別手段による識別結果に基づき、基板７を前記基板移載機４１により回収する。 （もっと読む）

【課題】シャットダウンが正常に終了しなかった場合、再起動後の誤動作を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置の起動後、シャットダウンが正常に終了しなかった場合には、基板処理装置の再起動後、シャットダウンが正常に終了しなかった旨を操作者に通知する通知手段と、基板処理装置の再起動後、操作者によって適切な処置がなされるまで、基板処理装置の各部を一時停止する停止手段とを有する基板処理装置。 （もっと読む）