【課題】シャットダウンが正常に終了しなかった場合、再起動後の誤動作を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置の起動後、シャットダウンが正常に終了しなかった場合には、基板処理装置の再起動後、シャットダウンが正常に終了しなかった旨を操作者に通知する通知手段と、基板処理装置の再起動後、操作者によって適切な処置がなされるまで、基板処理装置の各部を一時停止する停止手段とを有する基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】回転台支持部に対する回転台の位置が変わったことを検知し、載置の中止ないしその旨の警告を行なうことにより、載置の失敗を含む被処理物に対する処理の失敗および処理装置の故障などを未然に防止する。
【解決手段】被処理物を回転台に載置し処理する処理装置であって、前記被処理物を載置する載置場所を有する前記回転台と、前記回転台を支持する回転台支持部と、前記回転台支持部を回転させる回転機構と、前記回転台が備える目印の位置を測定する位置センサとを備え、前記目印の位置から前記回転台支持部に対する前記回転台の位置ずれを求め、前記位置ずれが一定以上の場合に警告または停止する。 （もっと読む）

【課題】 抵抗加熱ヒータの劣化に起因する抵抗値の変化を高い分解能で検出することにより、抵抗加熱ヒータの交換時期を正確に予測できる電力供給システムを提供する。
【解決手段】 電力供給システム１００は、抵抗加熱ヒータ１０６、供給電力調節器１１０、温度調整用調節計１３０、抵抗検出装置１４０、及び熱電対１３１、１４１を備えている。供給電力調節器１１０は、入力側フィルタ回路１１１、ＩＧＢＴ変換器１１２、カレントトランス１１３、電圧測定ライン１２３、電源変動検出手段フィードフォワード回路１１４、周波数変換回路１１５、出力側フィルタ回路１１６、カレントトランス１１７、電圧測定ライン１１８、及び負荷変動検出手段フィードバック回路１１９を備えている。抵抗検出装置１４０は、演算器（ＣＰＵ）１４４、ヒータ製作時基準テーブル１４５、及びヒータ温度係数テーブル１４６を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程におけるウェハーの載置ズレを検出、調整し、ウェハーの載置精度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】ウェハーＷを処理するチャンバと、チャンバ内に設けられ、ウェハーＷの裏面にガスを供給する複数の穴２０を有するウェハーステージ１４と、複数の穴２０におけるガスの漏れ量をそれぞれ独立に検出するガス検出機構と、検出された穴の位置及びガスの漏れ量に基づき、ウェハーＷのウェハーステージ１４の所定の位置からのズレの方向及び量を求めるウェハー位置検出機構３０と、ウェハーステージの所定の位置からのズレの方向及び量に基づき、ウェハーの位置を調整するウェハー位置調整機構３２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】大電流が触媒線に流された場合でも、触媒線又は触媒線と接続された接続端子からの放電を抑制することができる触媒化学気相成長装置を提供すること。
【解決手段】触媒線６、接続端子１２、及び電源回路８を有する触媒線発熱回路２０を、接地された真空チャンバ３に対して電気的にフローティング状態となるように設ける。仮に触媒線発熱回路２０の電位がグランド電位であると、触媒線６に電力が印加される際に、触媒線６又は接続端子１２から、真空チャンバ３の外壁内面等に向けて放電が発生してしまうことが懸念される。しかしながら、触媒線発熱回路２０はフローティング状態であるので、その電位がグランド電位となることはなく、電源回路８により大電流が触媒線６に流された場合でも、触媒線６又は接続端子１２からの放電を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 反応容器内から大気中への水素ガスの漏洩を抑制しつつ、反応容器内の温度制御の応答性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容する反応容器と、反応容器内に水素ガスを供給する水素ガス供給手段と、反応容器の外部に設けられ、前記反応容器を介して前記基板を加熱する加熱手段と、反応容器及び前記加熱手段を収容する外部容器と、外部容器と前記反応容器との間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、外部容器内外を連通させる通気口と、外部容器と前記反応容器との間の空間の雰囲気を排気する排気手段と、外部容器と前記反応容器との間の空間の酸素濃度を測定する酸素濃度測定手段と、外部容器と反応容器との間の空間の水素濃度を測定する水素濃度測定手段と、外部容器と反応容器との間の空間の温度を測定する温度測定手段と、各手段の動作を制御する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】複数の処理ヘッドを含むプラズマ処理装置における各処理ヘッドへの供給電力の検査を簡易に行なえるようにする。
【解決手段】プラズマ処理装置の電源１０から各電極ユニット２３への電力供給ライン１４にプローブ取付端子３０を設ける。プローブ取付端子３０に、検電手段５０用の高電圧プローブ４０の接続端子４１を抜き差し可能に接続する。プローブ取付端子３０の弾性保持部３１によって、接続端子４１を弾性的に押さえて保持する。 （もっと読む）

【課題】石英製保護部材の局所的劣化を防止することで交換サイクルを延ばし、さらに、熱電対の交換が容易な気相成長装置及びそれを用いたシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１内で薄膜を形成する基板を載置するサセプタ１４と、該サセプタを支持する支持部材１３と、該支持部材が上端に固定された管状シャフト１６と、該管状シャフト内に挿通され、先端が前記管状シャフトの上端から突出して前記サセプタの下面に近接するように配置され、前記サセプタの温度を測定する熱電対１９と、該熱電対を覆う石英製保護部材１８と、該石英製保護部材の上端部を覆う保護カバー１７とを有する気相成長装置１０であって、前記保護カバーが、前記石英製保護部材の上端から、前記管状シャフトの上端から下方に２〜１０ｍｍまでの領域を覆うものである気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】着脱可能な記録媒体が誤って取り外されないよう、使用者の注意を喚起するとともに、記録媒体を取り外すことができるか否かの確認を操作画面上で行うことのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理に関する情報を操作する操作画面の表示を制御する制御手段と、着脱可能な外部記憶装置に前記情報を出力する出力手段とを有する基板処理装置であって、前記制御手段は、前記外部記憶装置が装着されている場合、装着された外部記憶装置を取り外すためのボタンが押下可能な場所に配置されるよう制御し、前記外部記憶装置が装着されていない場合、前記ボタンが押下されないよう制御する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】液体流量制御装置の初期調整の際に不具合が発覚した場合の作業を軽減すると共に、液体原料が残留したことによる汚染を防止できる基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室と、該処理室に常温常圧で液体である液体原料を供給する液体原料供給系５９と、前記処理室に液体原料よりも蒸気圧が高い溶媒を供給する溶媒供給系６１と、前記液体原料及び前記溶媒の流量を制御する液体流量制御装置３５と、前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する制御部５７とを具備し、該制御部は前記液体原料供給系が前記液体流量制御装置を介して前記処理室に液体原料を供給する前に、前記溶媒供給系より溶媒を前記液体流量制御装置に供給することで該液体流量制御装置の動作確認を行う様前記液体原料供給系、前記溶媒供給系及び前記液体流量制御装置を制御する。 （もっと読む）

【課題】載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止することができる載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器内に設けられて処理すべき被処理体を載置するための載置台構造において、被処理体を載置して支持すると共に被処理体を加熱する加熱手段が設けられた誘電体よりなる載置台と、処理容器の底部側より起立させて設けられ、上端部が載置台の下面に接合されると共に下端部が開放された複数の保護支柱管と、保護支柱管内に挿通されると共に上端部が加熱手段に接続されたヒータ給電棒と、処理容器の底部側に設けられると共に、保護支柱管内に連通されたパージガス流通用気密室と、パージガス流通用気密室内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段とを備える。これにより、載置台に大きな熱応力が発生することを防止して、この載置台自体が破損することを防止する。 （もっと読む）

【課題】保守員の技量によらず異常解析を迅速かつ正確に行うことを可能とし、異常解析を行う保守員の負担を低減する。
【解決手段】データ解析パターン定義情報に含まれるタイトル情報を選択可能に表示した解析受付画面を作成して表示手段に表示し、タイトル情報の選択操作を受け付け、解析受付手段が受け付けたタイトル情報を含むデータ解析パターン定義情報を読み出し、読み出したデータ解析パターン定義情報に含まれるデータ種別情報及びデータ範囲情報に基づいてデータを読み出し、読み出したデータを、データ解析パターン定義情報に含まれる解析・表示方法特定情報により特定される解析及び表示方法により解析して表示する。 （もっと読む）

【課題】シリコン系薄膜の成膜を行なうための成膜室が大気開放される際に生じるＨＦガスの量を抑制することができる、成膜装置のクリーニング方法およびシリコン系薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜室５０内においてフッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられる。フッ素系ガスを用いてプラズマが発生させられた後に、成膜室５０内においてシリコン系材料が堆積させられる。シリコン系材料が堆積させられた後に、成膜室が大気開放される。 （もっと読む）

【課題】処理室内に排気ラインの雰囲気が逆流するのを防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室２０１と、該処理室２０１に接続された排気ライン２３１と、該排気ライン２３１に設けられた開閉弁２４３ｂと、前記排気ライン２３１における前記開閉弁２４３ｂの上流側圧力を測定する上流側圧力センサ３０２と、前記排気ライン２３１における前記開閉弁２４３ｂの下流側圧力を測定する下流側圧力センサ３０３と、前記上流側圧力センサ３０２と前記下流側圧力センサ３０３とを監視し、前記上流側圧力センサ３０２の圧力値が前記下流側圧力センサ３０３の圧力値以上の時に前記開閉弁２４３ｂを開き、かつ、両圧力値を共にオフセットするコントローラ１２１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 加熱処理装置等にセッティングするときに、封止部を破損させるおそれの少ない支持構造を有するフィラメントランプを提供することである。
【解決手段】 両端に、金属箔が埋設されて気密に封止された板状の封止部を有する発光管と、前記発光管内に、発光管の管軸方向に伸びるように配設されたフィラメントと、前記フィラメントの両端のそれぞれに連設されるとともに、前記封止部に埋設された金属箔に対し電気的に接続された内部リードと、前記封止部を収納する有底開口を有するベース部と、前記ベース部に装着される固定用金具とを備え、前記固定用金具は、前記発光管の管軸方向に延伸して前記ベース部の有底開口に挿入される舌片部と、前記舌片部に連接され鉛直方向に延伸するとともに、回動自在な鉛直方向部とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程から排出される排ガス中に含まれるヒドラジン誘導体を効果的に除害処理することができる排ガス処理方法及び除害剤を提供する排ガス処理方法及び除害剤を提供する。
【解決手段】ヒドラジン又はヒドラジン誘導体を含む排ガスを、酸化鉄(III)を反応主成分とする除害剤に接触させる。特に、有機金属化合物、アミン化合物、揮発性無機水素化物のいずれか少なくとも一種を含む排ガスを前記除害剤に最初に接触させてヒドラジン又はヒドラジン誘導体を除害処理することにより、排ガスに含まれる有機金属化合物、アミン化合物、揮発性無機水素化物の除害処理を確実に行える。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布を均一化するとともに、放電電極における反射電力を抑制することを目的とする。
【解決手段】所定の周波数の高周波電力を位相変調して出力する高周波電源部１７ａ，１７ｂと、基板を支持する対向電極３と、高周波電源部から出力された高周波電力が供給され、高周波電力により対向電極との間にプラズマを形成する放電電極と、夫々が異なるインピーダンスに設定された複数の整合回路２０ａ〜２０ｄを有し、高周波電源部側のインピーダンスに放電電極側のインピーダンスを整合させる整合器１３と、高周波電力の供給時に、複数の前記整合回路のうち、位相変調により変動する放電電極側のインピーダンスが高周波電源部側のインピーダンスに整合する整合回路を選択する選択手段２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】エネルギーの無駄を可能なかぎり削減しつつ、シール部材の保護および反応生成物の付着防止の両方を確実に実現することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】縦型炉１０は、反応管１１、ヒータ２０、マニホールド１６、冷却ガス供給手段３１０を備える。マニホールド１６は、反応管１１のフランジ部１２２を支持するフランジ支持部１６６を少なくとも有し、反応管１１のフランジ部１２２にＯリング１７４を介して接合されるように構成される。フランジ支持部１６６には、冷却ガス供給手段３１０が噴出した冷却ガスを反応管１１のフランジ部１２２に導くための貫通孔３３が設けられる。冷却ガス供給手段３１０は、マニホールド１６におけるフランジ支持部１６６に対して冷却ガスを選択的に噴出する。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を招くことなく、反応性ガスとの反応に起因するヒーターの断線を防止した、ヒーターを内蔵してなる支持台を提供する。
【解決手段】反応性ガスが供給されるチャンバー内にて、被処理体を支持するための支持台１７である。一対のプレート１８ａ、１８ｂと、これらの間に設けられたヒーター１９を備える。プレート１８ａ、１８ｂの一方には、その表裏面を貫通する気抜き孔２１と、気抜き孔２１に連通する導入溝２２と、導入溝２２に連通する気抜き溝２３と、導入溝２２と気抜き溝２３との一方に連通し、かつ気抜き溝２３より幅が狭い埋設溝２４とが形成されている。ヒーター１９は、導入溝２２、気抜き溝２３、及び埋設溝２４内に埋設されるとともに、気抜き孔２１を介して電気配線２０に接続されてなり、かつ、導入溝２２内に埋設された部分の少なくとも気抜き孔２１側が、非発熱部１９ｂになっている。 （もっと読む）

【課題】基板上に処理液が存在するか否かについて、簡易な構造で検出し、製品の歩留まりの悪化を抑えること。
【解決手段】スピンチャック２に静電センサ５４Ａ〜５４Ｃを埋設する。静電センサ５４の静電容量は、基板であるウエハＷ上に処理液が存在すると、存在しない場合に比べて大きくなる。従って静電センサ５４Ａ〜５４Ｃにより、スピンチャック２上のウエハＷ上に処理液が存在するか否かについて検出することができる。従って所定のタイミングでウエハＷ上に処理液が存在するか否かについて検出することによって、処理液ノズル４からの処理液の吐出や、基板上における処理液の拡散の異常を速やかに検出できるため、これらの異常に直ちに対処でき、製品の歩留まりの悪化を抑えることができる。 （もっと読む）