【課題】吸着面に付着した不純物に起因して吸着力が低下した静電チャックを、簡単な構成により不純物を除去して吸着力を再生することができ、安定して真空処理を行うことが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の真空処理装置１は、真空チャンバ３と、前記真空チャンバの内部に配され、基板Ｓを静電気によって吸着する静電チャック用の電極、及び該基板を加熱する加熱機構を有する基板保持手段４と、前記基板保持手段の吸着面に対してＵＶ光を照射し、該吸着面に付着した不純物を除去するＵＶ照射手段９０と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 インターロックが発生した場合に、不具合箇所の特定に要する時間が不要となり、メンテナンス性を向上させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 配管ヒータによる配管の過熱により、配管の温度が過温度に到達した場合、前記配管ヒータへの電源供給を遮断する複数の過温度防止スイッチを備えた半導体製造装置において、前記複数の過温度防止スイッチが前記電源供給を遮断すべく作動した場合に、前記複数の過温度防止スイッチのうちのどの過温度防止スイッチが遮断したかを表示するようにした。 （もっと読む）

【課題】未処理のままのウェーハが存在するか否を確実に検出でき、また空処理等の不規則な処理にも対応することができ、従って未処理のウェーハを次工程へ送ってしまう等の損失を防止できるウェーハの処理システム及び処理システム並びにエピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャルウェーハの処理システムを提供する。
【解決手段】少なくとも、ウェーハの処理装置のロードロック室内に配したカセットに複数枚のウェーハを収納し、前記カセットから前記ウェーハを処理室に順次搬送して、該搬送した前記ウェーハに枚葉式で所定の処理を施すウェーハの処理方法において、前記カセットに移載装置によって前記ウェーハを投入する際に、前記ウェーハの投入枚数Ｎ１を計数する一方、前記カセットから前記処理室へウェーハを搬送した回数Ｎ２を計数し、前記Ｎ１と前記Ｎ２が一致するか否かを判定することを特徴とするウェーハの処理方法。 （もっと読む）

【課題】ＰＦＣ系ガス使用処理装置に近い上流側でＰＦＣ系ガスを阻止処理できる排気ガス処理システムを提供する。
【解決手段】排気ガス処理システムは、ＰＦＣ系ガス使用処理装置から排気ライン１５及び外部処理装置１４を介して排気ガスを処理し清浄化して排気する排気ガス処理システムであって、前記排気ライン１５から分かれたガス処理ライン１６を介して供給される排気ガスを吸気して該排気ガスからＰＦＣ系ガスを除去処理するガス処理装置１２と、処理した排気ガスをガス処理装置１２から外部処理装置１４へ排出する中間ライン１８と、を備える。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、
前記膜形成材料がｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３を有する。 （もっと読む）

【課題】設備負担の少ないガスボックスを提供すること。
【解決手段】ガスボックス３０は、処理装置へガスを供給するガス供給配管２２に設けられたバルブ２４およびマスフローコントローラ２３の少なくとも一方、ならびにそれらをガス供給配管２２に接続する継手２６を収容するボックス本体３１と、ボックス本体３１内に液体を供給し、その中に液体が充填されるようにする液体供給機構３６と、ボックス本体３１内に充填された液体Ｌをガス供給配管２２内の圧力と同等またはそれ以上に加圧する加圧機構３８とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ処理装置において、カソード電極の反りや歪みを防止する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマＣＶＤ装置１００は、基板を収容する処理容器１０３と、処理容器１０３内に配置された複数組のカソード電極１０１およびアノード電極１０２とを備えている。カソード電極１０１は、バッキングプレート３およびシャワープレート２から構成される。シャワープレート２には、バッキングプレート３と接する中間締結部６が形成されている。このため、シャワープレート２に加えられたプラズマの熱は、中間締結部６を介してバッキングプレート３に伝達され、カソード電極１０１の温度の均一性は向上する。よって、カソード電極１０１の反りや歪みは防止される。 （もっと読む）

【課題】ポンプの故障が生じても反応室の排気を継続することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】第１ポンプ４１Ａおよび第２ポンプ４２Ａは、反応室１２を排気するためのものであり、互いに並列接続されている。第１バルブ３１Ａは第１ポンプ４１Ａと反応室１２との間に設けられている。第２バルブ３２Ａは第２ポンプ４２Ａと反応室１２との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスに必要な寸法を減少し専有床面積を減少する。
【解決手段】基板処理装置は、基板を移載する基板移載装置が配置された移載室と、該移載室の背面に配設され、基板を待機させる待機室と、前記待機室の上方に配設され基板を処理する処理室とを備えており、前記基板移載装置は、前記移載室内の幅方向一方側に配置され、前記移載室内の前記幅方向他方側には、前記移載室の雰囲気を清浄するクリーンユニットが配置され、前記幅方向他方側の前記移載室の正面または背面には、開口部と該開口部を開閉する開閉手段とが、前記基板移載装置よりも前記クリーンユニットに近くなるに従って前記移載室の空間が漸次小さくなるように配置されている。 （もっと読む）

【課題】排ガス処理装置の圧力計への反応生成物の付着を抑制する。
【解決手段】排ガス処理装置１００は、処理室（例えば、反応室１）の排気側に接続される排気配管２を有し、排気配管２の一部の区間は、複数系統に分岐された分岐区間３を構成している。分岐区間３の各々の系統３ａ、３ｂには、排気に含まれる反応生成物を捕集するトラップ４ａ、４ｂと、トラップ４ａ、４ｂの下流側に位置する圧力計５ａ、５ｂと、が設けられている。圧力計５ａ、５ｂの更に下流側には、分岐区間３の各々の系統３ａ、３ｂのうちの何れか選択された系統が排気を通す現用系となる一方で、その他の系統が排気を通さない待機系となるように、排気系統の切り替えを行うための切替部（例えば、切替バルブ６ａ、６ｂ）が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板が破損する可能性を軽減しつつ、基板が載置台上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法を提供すること。
【解決手段】載置台の載置面から被処理体の裏面に対して、所定の吸着判定圧力にて流体を供給する工程と（ステップ２）、吸着判定圧力にて流体を供給開始してから、所定の吸着判定時間が経過したときの流体の流量を検知する工程と、該工程において検知された流体の流量が、所定の吸着判定流量以下か否か、を判定する工程と（ステップ３）、該工程における判定の結果、流体の流量が吸着判定流量以下の場合、被処理体の裏面に対して流体を供給する圧力を吸着判定圧力よりも高圧の吸着解消圧力にする工程と（ステップ７）、を具備する。 （もっと読む）

【課題】伝送線路に矩形導波管を用いて所望の形状で所望の位置に配置された電極からマイクロ波を処理室に供給する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００は、マイクロ波を出力するマイクロ波源４０と、マイクロ波源に連結された給電用導波管３０と、給電用導波管３０と連結され、内部空間が給電用導波管３０の内部空間と連通する複数の放射用導波管３１と、複数の放射用導波管３１に隣接して設けられ、２以上の放射用スロット３２ａを含むスロット群３２ａｇが放射用導波管３１を伝送するマイクロ波の管内波長λｇ／２の整数倍毎に等間隔に形成された複数の金属のスロットアンテナ３２と、を有し、給電用導波管３０から複数の放射用導波管３１に伝送したマイクロ波をスロット群３２ａｇに通して処理室内に供給し、処理室の内壁を形成するスロットアンテナ３２の金属面に沿って伝搬させる。 （もっと読む）

【課題】炉口部を非金属製とし、基板処理中の基板の金属汚染を防止すると共に、シール部に設けられる密閉部材の温度上昇を抑制、特にウェーハチャージ時に於ける前記密閉部材の温度上昇を抑制し、又該密閉部材の劣化、焼損を防止し、長寿命化を図る。
【解決手段】少なくとも下端であって外側に突出た鍔部４４と筒状に形成された筒部４３とを有し基板を内部で処理する反応管と、該反応管を加熱する加熱装置と、前記鍔部に連設され非金属部材で構成されるマニホールド１２と、前記鍔部と前記マニホールドとの間に設けられる密閉部材５５と、前記反応管を前記鍔部にて支持しつつ前記反応管の前記筒部の外周面に迄延在した支持部４６，４７，４８，４９と、該支持部に設けられ前記密閉部材を冷却する冷却部５１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高い蒸気圧を持ち、ケイ素含有薄膜を製造する際の優れた材料となる新しいケイ素化合物を提供し、またそれを危険性の無い安価な原材料を使用して収率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジアザシラシクロペンテン誘導体を、ジイミン、すなわち１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン誘導体にアルカリ金属及びオルトケイ酸テトラアルキルを反応させることにより製造し、それを用いてケイ素含有薄膜を製造する。
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【課題】プラズマ処理の時間効率を高めつつ、電極の変形を抑制することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】電極対が放電を開始され（ＳＴ０）次に、電極対に一の値の交流電力Ｐ１を供給し続けながら第１のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ１）。次に、電極対に一の値よりも大きい値の交流電力Ｐ２を供給し続けながら第２のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ２）。最終的に、さらに大きい値の交流電力Ｐ３を供給し続けながら第３のプラズマ処理が行なわれる（ＳＴ３）。かくして、電極の変形を抑制しながら効率的にプラズマ処理が可能になる。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマ処理装置において、窓部材の下面を覆うカバーの破損とパーティクルの発生を抑制し、且つカバーを容易に着脱できるようにする。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置の誘電体カバー１２は、下面とこの下面に続く側端とを有する被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を含んでいる。誘電体カバー固定具１８Ａは、誘電体カバー１２の被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１における下面に当接し、誘電体壁６を支持する支持部材としての支持梁１６と誘電体壁６のうちの少なくとも一方との間で被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を挟むようにして被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１を支持する支持部１８Ａ１，１８Ａ２と、この支持部１８Ａ１，１８Ａ２に接続され、一部が被支持部１２Ａ１，１２Ｂ１の側端の側方に配置され、支持梁１６との位置関係が変化しないように固定される被固定部１８Ａ３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜処理時の圧力帯を正常な状態で維持する為に、真空処理室内の同じ環境下に校正用の第２の圧力計を配置し、制御用の第１の圧力計を実プロセス時の圧力値で校正する。
【解決手段】真空処理室１００において、制御用の第１の圧力計１０７と排気口１０３までの距離が同じとなる位置に校正用の第２の圧力計２００を設置し、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間に、遮蔽バルブ２０１を設置し、第２の圧力計２００が、プロセスガスの雰囲気に曝されることを防止している。また、実プロセス後の任意のタイミングで、プロセスガスを真空処理室１００内より排気し、不活性ガスで置換した後に、第２の圧力計２００と真空処理室１００との間の遮蔽バルブ２０１を開放し、不活性ガスを用いて第２の圧力計２００にてプロセス圧力に制御した後、第１の圧力計１０７が、第２の圧力計２００と同じ値となるように校正する。 （もっと読む）

【課題】フッ素ガス発生装置で発生させたフッ素ガスを半導体処理装置に、安定、大量かつ精密な濃度で供給可能なフッ素ガスの供給システムを提供する。
【解決手段】フッ素ガスの供給システムにおいて、バッファタンク５に貯蔵した混合ガスを、バッファタンク５内で混合ガスを調整する前のガス導入配管４に導入し、混合ガスを循環させること、また、混合ガス中のフッ素濃度を測定する監視装置１３を設け、得られたフッ素濃度に応答して、不活性ガス供給源２の流量を調整できる構成。 （もっと読む）

【課題】
冷媒中間室のヒータからの加熱による劣化や破損を防止し、かつ、作製が容易で、かつシャワープレートの冷却を均一に行い、ガスのシャワープレートでの反応によるシャワープレートにおけるガス吐出孔の目詰まりを回避し得る冷媒中間室を備える気相成長装置を提供する。
【解決手段】
シャワープレート上に、ガスを充満させるガス中間室と、前記ガスを冷却する冷媒を充満させる冷媒中間室とが、該冷媒中間室を前記シャワープレート側にして順に積層され、
前記冷媒中間室には、前記ガス中間室から前記シャワープレートの複数のガス吐出孔に連通する複数のガス供給管が貫通させるためのガス供給管貫通孔が設けられ、
前記冷媒中間室がシャワープレート、ガス中間室との境界板、ガス供給貫通孔との仕切り部で構成されており、
前記シャワープレートと前記ガス供給貫通孔との仕切り部が一体となった構造となっている。 （もっと読む）

【課題】装置環境状況変化に対する通信タイムアウト発生に関する問題点を解決する基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置に設けられ、データ送信又は受信する複数の装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と、これら装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具えた基板処理装置であって、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するように構成される。 （もっと読む）