【課題】アノード電極側に生じる変異電流を整合回路に容易に戻すことができるようにする。
【解決手段】成膜室１０は、表面枠体５及び裏面枠体６により形成されている。表面枠体５は、カソード電極３を保持しており、カソード電極３とは絶縁されている。裏面枠体６は、表面枠体５に対して離間可能であり、アノード電極４を保持し、かつアノード電極４に電気的に接続している。そして表面枠体５及び裏面枠体６は、プラズマ処理時に、基板１の一部（例えば縁）を互いの間に位置させる。そして成膜室１０は、さらに、接続部材９を備えている。接続部材９は、裏面枠体６の外周面を表面枠体５の外周面に接続している。 （もっと読む）

【課題】応答要求に対する応答を制限時間内に返せないことによる、通信障害を防止する基板処理システムを提供する。
【解決手段】基板を処理する少なくとも１つの基板処理装置１と、該基板処理装置を通信手段３１を介して管理する管理装置２９とで構成され、前記基板処理装置１と前記管理装置２９との間で通信状態を確認しながらオンラインで接続される基板処理システムであって、前記基板処理装置１から前記管理装置２９へ所定のメッセージを送信すると共に、該管理装置２９との通信状態を確認するメッセージを付随して送信する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の冷却媒体の使用量を増加させずに冷却効果を高める。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内を加熱する加熱部と、処理室外に設けられ、処理室と処理室外の機器とを冷却する少なくとも1つ以上設けられた冷却部と、冷却部に供給される冷媒の熱を、冷却部から排出される冷媒へ熱移動させる熱移動部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理することによってトレイが高温或いは低温になった場合でも、トレイ上の所定位置に正確に被処理基板を載置したり前記トレイから被処理基板を確実に取り出したりすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、反応室２外に設けられたトレイステージ３０、ウエハＷが載置されたトレイ１４をトレイステージ３０と反応室２との間で搬送するロボット２２、反応室２外に設けられたウエハＷを収納するウエハケース３２、トレイステージ３０上のトレイ１４からプラズマ処理済みのウエハＷを取り出してウエハケース３２に収納すると共にウエハケース３２からプラズマ処理前のウエハＷを取り出してトレイステージ３０上のトレイ１４に載置する移載用ロボット３４、トレイステージ３０上に載置されるトレイ１４の温度を所定温度範囲に維持する赤外線ヒータ３８を備える。 （もっと読む）

【課題】
流体貯蔵・計量分配装置であって、内部容積を有する流体貯蔵・計量分配容器として内部容積は流体を吸着して保持する物理的吸着剤を含みかつ容器から計量分配するために流体は該吸着剤から脱着可能である容器と、脱着された流体を容器から計量分配するため容器に結合された計量分配アセンブリと、を含んでいる。
【解決手段】
物理的吸着剤はモノリス炭素質物理的吸着剤を含み、該モノリス炭素質物理的吸着剤は、（ａ）アルシンガスについて２５℃、圧力６５０トルで測定した充填密度がアルシン４００ｇ／吸着剤１Ｌより高い充填密度であり、（ｂ）吸着剤の気孔率全体の少なくとも３０％は、約０．３〜約０．７２ｎｍの範囲のサイズのスリット形状の気孔を含み、並びに気孔率全体の少なくとも２０％は、直径２ｎｍ未満のミクロ細孔を含んでおり、（ｃ）１０００℃未満の温度で、熱分解及び随意的活性化により形成されており、約０．８０〜約２．０ｇ／ｃｍ^３のかさ密度を有する、という特性のうち少なくとも１つを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】複数のマグネトロンを用いて反射電力を少なくしてマイクロ波を照射することができるマイクロ波照射装置およびマイクロ波照射方法を提供すること。
【解決手段】マイクロ波照射装置１００は、被処理体を収容するチャンバ１と、電圧が供給されることによりマイクロ波を発生させ、そのマイクロ波を前記チャンバ１内の被処理体に照射するための複数のマグネトロン１０ａ，１０ｂと、これら複数のマグネトロン１０ａ，１０ｂにパルス状電圧を供給する電源部２０とを具備し、電源部２０は、複数のマグネトロン１０ａ，１０ｂにそれぞれ供給されるパルス状電圧の電圧パルス同士が時間的に重ならないように電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】累積膜厚値等の累積項目について閾値を超えた場合の運用形態を選択可能にすることにより、予めトラブル発生時の動作を指定することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本願発明の基板処理装置は、少なくともパラメータ編集などを行うための操作画面を表示する表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや各種レシピや各種パラメータをファイルとして格納する記憶部と、各種レシピ作成時における各種パラメータの設定値を入力する入力部とを少なくとも備え、更に、前記表示部は、所定の構成部品毎に、各部品が実行される回数又は時間と、これら回数又は時間に対応した閾値と、及び該閾値に到達した後に実行される所定の動作を設定する設定画面を表示する。 （もっと読む）

【課題】基板上における異常放電の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、順に積層された、天井電極板２５、冷却板２６及び上部電極支持体２７を有する円板状のシャワーヘッド２４を備え、上部電極支持体２７は上部高周波電源３０に接続され、冷却板２６は中央バッファ室３４と周縁バッファ室３５とを内部に有し、上部電極支持体２７には２つのクランプ３８が中央バッファ室３４に対応する位置に配置され、且つ２つのクランプ４０が周縁バッファ室３５に対応する位置に配置され、各クランプ３８，４０はそれぞれガス供給系３９，４１に接続され、２つのクランプ３８は、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において１８０°±３°毎に配置され、２つのクランプ４０も、シャワーヘッド中心を中心とする円周上において１８０°±３°毎に配置されている。 （もっと読む）

【課題】Ｌ型ガスノズルを設置する際にガスノズルが破損するリスクを低減し、ガスノズルの設置が容易な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を、複数の基板をＹ方向に積層して処理する反応容器と、反応容器の側壁をＹ方向と垂直なＸ方向に貫通して設けられるガス導入ポートと、Ｘ方向に延在するＸ部とＹ方向に延在するＹ部とを有し反応容器内からガス導入ポート内にＸ部がＸ方向に挿入されＸ部とＹ部を貫通する第１ガス流路が設けられる第１ガス流路部と、反応容器内で第１ガス流路部のＹ部に接続されＹ方向に貫通する第２ガス流路が設けられる第２ガス流路部と、反応容器の内壁からＸ方向に突出して設けられＹ方向の第３ガス流路を有し第２ガス流路部に接続される第３ガス流路部と、第３ガス流路部に支持されＹ方向の第４ガス流路が設けられるとともにガスを基板に対して供給するガス供給口が設けられた第４ガス流路部とから構成する。 （もっと読む）

【課題】反応管下部周囲に設置されるガスノズルや熱電対等の石英部品と干渉することがなく、取り付けや取り外しが容易な耐震構造を実現する基板処理装置を提供する。
【解決手段】下端が開放された筒状であって内部に基板を収容して処理する反応容器と、反応容器の下端が開放された状態を保ちつつ前記反応容器の外方向から下端部まで水平に延在し、反応容器の下端部を下方から支持する支持部と、該支持部に固定され反応容器の揺れを抑制するための固定具とを備え、反応容器は、反応容器の下端部内壁に内方向に突出して設けられる内側鍔部、若しくは、前記反応容器の下端側壁を内から外へ貫通して形成される貫通口を有し、固定具は、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から前記内側鍔部の側方及び上方まで延在するか、若しくは、支持部の下側に固定されるとともに支持部の下側から反応容器の内壁及び貫通口内部まで延在するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス時に塩化水素発生の原因となる不安定な塩素含有化合物が排気管等に残留することを抑制できる窒化シリコン膜のＣＶＤ技術を提供する。
【解決手段】処理室２０４内に基板２００を搬入する基板搬入工程と、シリコンおよび塩素を含有する第１の処理ガス２４０ａと窒素を含有する第２の処理ガス２４０ｂと、を処理室内の雰囲気中において窒素原子よりもシリコン原子が多くなるように前記処理室２０４内へ供給しつつ、前記処理室２０４内の第１および第２の処理ガスを含む雰囲気を排気ライン２２７から排気して前記基板２００上にシリコン窒化膜を形成する成膜工程と、該成膜工程中に、窒素を含有する第３（第２）の処理ガスを前記排気ライン２２７へ供給し、前記排気ライン２２７内に存在する前記第１の処理ガスと反応させる窒素供給工程と、から構成する。 （もっと読む）

【課題】装置パラメータの設定に係る信頼性の低下を解決し、安全に調整でき、又保守作業から通常運用に容易に且つ確実に移行できる装置パラメータを設定可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】装置パラメータの編集を行う為の表示部７３と、前記装置パラメータを保存する記憶部７５とを有する操作部２８と、該操作部からダウンロードされる前記装置パラメータを実行する制御部３１，３２，３３とを具備し、前記装置パラメータは調整作業や故障の修理や定期的な保守作業時のセットアップモード時に使用されるセットアップパラメータと、通常運用時の運用モード時に使用される運用パラメータとを有し、前記セットアップパラメータが編集された場合でも前記運用パラメータが影響を受けない様構成された。 （もっと読む）

【課題】 減圧環境下においても、障害物と接触したことを検出することが可能な搬送装置を提供すること。
【解決手段】 前進後退が可能な、搬送体Ｇを支持する支持部材７１と、支持部材７１が前進したとき、支持部材７１の先端が障害物に接触したことを検出するセンサ８と、を備え、センサ８が、支持部材７１の先端に接地された状態で設けられた、可撓性を有する第１の導電性リング８１と、第１の導電性リング８１の内側に、第１の導電性リング８１から離隔して設けられた、第２の導電性リング８２と、第１の導電性リング８１が障害物に接触し変形して第２の導電性リング８２に接触したとき、第１の導電性リング８１と第２の導電性リング８２とが短絡したことを検出する検出器と、を含む。 （もっと読む）

【課題】炉口部の温度を、炉口部を構成する各部材の耐熱温度以下に保つことを可能とする。
【解決手段】 鉛直方向に所定の間隔で積層された複数の基板を処理する処理室と、処理室内で複数の基板を保持する基板保持部と、処理室内で基板保持部をその下方側から支持するとともに、処理室内を基板保持部の側から下方側へ向けて流れるガスとの熱交換を行う第一熱交換部と、を備えて構成された基板処理装置において、第一熱交換部は、ガスが流れる方向に沿って上下に延びる中空筒状の断熱筒部と、断熱筒部内に設けられた断熱板部と、を有し、断熱筒部内における断熱板部を挟んだ上下２つの領域は、空間的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】真空ポンプの停止によるチャンバーへの逆流を防止すると共に復旧が容易であることを兼ね備えた逆流防止システム及び該逆流防止システムを備えた真空ポンプを提供する。
【解決手段】インバータ回路１３に流れる電流値が一時的な過負荷状態であることをタイミングｔ１でコンパレータ１７若しくはコンパレータ２７のいずれかが検出したときにゲートバルブ３の閉止信号が例えばｔ１からｔ２に至るまでの１秒間だけパルスとして送信され、ゲートバルブ３はｔ１から閉止動作を開始する。過負荷状態は一時的なものであり、すぐに収束したような場合には真空ポンプ５はそのまま停止せずに継続して動作する。しかしながら、ゲートバルブ３は閉止指令を受けてほぼ１秒後には完全に閉止しているため、センターにおいて監視員が真空ポンプの運転が継続されていることを確認した後、ｔ３においてゲートバルブ３の開指令を送信する。 （もっと読む）

【課題】製造装置における運転工程、製造装置に供給されるガスの種類およびガス流量をコントローラに入力することにより、真空ポンプ、排ガス処理装置等を最適な運転条件で運転することができ、また排気系システム側の機器のメンテナンス要求等を製造装置側に出力することにより、適正なタイミングで排気系システムの機器をメンテナンスできる排気系システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は液晶又はＬＥＤ又は太陽電池を製造する製造装置のチャンバを排気する排気系システムにおいて、真空ポンプ装置３と、排ガスを処理する排ガス処理装置５と、真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するコントローラ６とを備え、製造装置１の運転工程、製造装置１に供給されたガスの種類およびガス流量の情報をコントローラ６に入力して真空ポンプ装置３及び／又は排ガス処理装置５を制御するようにした。 （もっと読む）

【課題】ガス排気ラインに設けられたポンプから副生成物が逆流し、パーティクルが発生した場合のリーク検出を可能とし、基板の処理品質、歩留りの向上を図ることができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室１９と、前記処理室１９にガスを供給するガス供給系と、前記処理室１９を排気する排気系３０と、を有し、前記排気系３０の減圧ポンプ３６の上流側であってメインバルブ３２の下流側に、リークを検出するための圧力センサ５０と、酸素濃度計５４と、ガス分析器５８と、が設けられた基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】処理室内および排気ラインへの反応生成物の堆積を抑制でき、かつ、塩化水素ガスによる腐食を抑制できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理室２０１で基板に対して膜を形成する第一ステップと、前記第一ステップ後に、前記処理室２０１の外部から前記処理室２０１の内部へ大気を取り込み、前記処理室２０１の内部および前記処理室２０１に接続された排気ラインの内部に付着した付着物と前記大気中に含まれる水分とを反応させて、少なくとも塩化水素ガスを発生させるとともに、前記塩化水素ガスを前記排気ラインから排気する第二ステップとを有し、前記第二ステップは、前記処理室２０１の前記塩化水素ガスの濃度値が設定濃度値以下になるまで維持される。 （もっと読む）

【課題】基板載置領域における基板の位置ずれの発生を抑えることができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に設けられ、水平面に沿って回転する回転テーブル２に形成された凹部２４の内部に、ウエハＷを載置するための載置部材２００を着脱自在に設け、該載置部材２００に、ウエハＷの下面と載置部材２００の表面との間の空間と、この空間の外側領域と、の間でガスを通流させるためにウエハＷを前記表面から浮かせた状態で保持する突起２０１を形成する。真空容器の内部にて圧力変動が発生したとしても、ウエハＷの下面に処理ガスを速やかに通気させることによって、ウエハＷの下面側において局所的にガス圧が高まりウエハＷが持ち上がって正常な位置からウエハＷが移動してしまう現象の発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】取換え可能な部分を有する半導体処理反応器用の多部品上部電極、およびこの電極の一部を取り換える方法の提供。
【解決手段】リング状のバッキングプレート１１６と、リング状の電極を形成する複数の電極セグメント１１４と、複数の電極セグメント１１４をリング状のバッキングプレート１１６に固定する導電性のエラストマと、を備え、複数の電極セグメント１１４は、内径が約１２インチ（３０．４８センチメートル）のリングと、傾斜した面を有する内側エッジ１４０とを形成し、リング状のバッキングプレート１１６は、ねじ込みねじ１３４，１３６でプラズマ反応チャンバの上板１１８に取り付け可能であり、ねじ込みねじ１３４，１３６は、上板１１８の裏面からリング状のバッキングプレート１１６の中に延びる。 （もっと読む）