【課題】従来のガスノズルの固定構造においては、ガス供給ポートへの接続に際し、ガスノズルの破損のリスクがあり、ノズルの位置、方向の調整に時間を要していたため、ガスノズルの破損のリスクの低減、ノズルの調整の簡略化という課題があった。
【解決手段】
マニホールドの上面の処理室内側に設けられ、前記ノズル固定プレートを介し、マニホールドを貫通して前記処理室外に延在するガス供給ポートとを有し、前記ガス供給ノズルは前記ノズル固定プレートに嵌合して支持されるガス供給ノズル構造。 （もっと読む）

【課題】炉口部を構成する部材の熱劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】処理ガスの供給により複数の基板を処理する処理部と、前記処理部で前記複数の基板を水平に保持するボートと、前記ボートを下方から支持する熱交換体を有し、該熱交換体の外周にガス流通経路が形成されている熱交換部と、前記処理部から前記熱交換部の前記ガス流通経路を介して高温の前記処理ガスが排気される炉口部と、前記ガス流通経路を通って前記処理部に延在されるノズルであって、前記処理部に延在されるノズル上部に前記処理ガスを供給する供給部を有するノズルと、前記ガス流通経路を通るノズル下部と前記熱交換体との間に設けられ、前記ガス流通経路を狭めるためのガス流通経路制限部とを有し、前記ガス流通経路制限部と前記熱交換体との間隙は、前記ノズル上部から前記複数の基板までの距離より小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で行われるＳｉＣエピタキシャル膜成長において複数枚の基板を均一に成膜することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持する基板保持体と、前記基板保持体を収容し、該基板保持体に保持された複数枚の基板を処理する処理室と、前記処理室内へ処理ガスを供給する複数のガス供給穴が設けられ、鉛直方向に延在するガス供給ノズルとを備えた基板処理装置において、前記ガス供給ノズルは、複数のノズルユニットで構成され、複数のノズルユニットの夫々は、その表面が保護膜でコーティングされるよう構成する。 （もっと読む）

【課題】高温条件下で熱処理を行う基板処理装置において、排気コンダクタンスの低下や副生成物の形成を抑制しつつ、排気ガスの温度を低下させる。
【解決手段】基板が搬入され処理される処理室と、処理室内に搬入された基板を加熱する加熱部と、処理室内へ処理ガスを導入する処理ガス導入部と、処理室へ接続され処理室内の雰囲気を排気ガスとして排気する排気ポートと、排気ポートのガス流れ下流側に接続されたガス排気配管と、ガス排気配管のガス流れ下流端に接続された真空ポンプと、ガス排気配管において排気ポートと真空ポンプとの間に設けられた圧力制御バルブと、排気ポートと圧力制御バルブとの間に設けられ排気ガスを通しつつ冷却する排気ガス冷却装置とを備えた基板処理装置において、排気ガス冷却装置は、内管と外管を有し、内管内部に排気ガスを通し、内管と外管の間の空間に冷却媒体を流すようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ガス供給口およびガス排出口を有し、ウェーハが導入される反応室と、反応室のガス供給口から反応室内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、反応室内に設けられ、ウェーハを保持するウェーハ保持部材と、反応室内に設けられ、ウェーハ保持部材で保持されたウェーハを所定の温度に加熱するヒータと、ウェーハ保持部材をウェーハと共に回転させる回転駆動制御機構と、反応室のガス排出口から反応室内のガスを排出するガス排出機構と、反応室の底部に壁面近傍で設置され、壁面から滴下するオイリーシランを収集して排出するドレインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板ごとに処理条件の指定を可能にする。
【解決手段】 基板に対する処理を実行するプロセスモジュールを制御するプロセスモジュール制御装置を備え、プロセスモジュール制御装置は、処理すべき基板がプロセスモジュールに搬送される搬送タイミングを取得する搬送タイミング取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件に関する処理条件基本情報を取得する基本情報取得手段と、プロセスモジュールにおける基板の処理条件の一部であって、基板ごとに設定される処理条件に関する処理条件差分情報を取得する差分情報取得手段と、搬送タイミング取得手段により取得される基板の搬送タイミングに応じ、基本情報取得手段及び差分情報取得手段により取得される処理条件に基づいて、プロセスモジュールに対し搬送される基板の処理条件を設定する制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】爆発の危険性が高いＳｉＨ_４を用いずとも、安全、比較的低温度で、しかも低廉なコストでＳｉ系膜を提供できる技術を提供することである。
【解決手段】Ｓｉ系膜を形成する為の膜形成材料であって、前記膜形成材料が、ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３（Ｘは任意の基）と、前記ｔ−Ｃ_４Ｈ_９ＳｉＸ_３と反応する反応性化合物とを有する。 （もっと読む）

【課題】 耐震対応縦型炉及びその稼働方法に関し、小規模な機構により大きな振動に対する耐震性を向上させる。
【解決手段】 ヒーターユニット受けに振動時にヒーターユニットを浮上させるガス浮上機構を設け、ボートユニット受けに振動時にボートユニットを浮上させるガス浮上機構を設けるとともに、ヒーターユニットの上部に、ヒーターユニットの横方向の揺れを制御する磁気的揺れ制御機構を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理チャンバの使用のために故障を検出する方法及び装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバ内でプラズマ処理が開始され、前記プラズマ処理に関するプラズマパラメータデータが、平面イオン流束（ＰＩＦ）タイプのプローブ１１０の使用により得られ、プローブ１１０の感知表面１１７は、プラズマに曝され、かつ前記プラズマチャンバ内のシャワーヘッド電極１１８の表面と同じ平面にあり、故障状態を示すために前記プラズマパラメータデータが評価される。 （もっと読む）

【課題】装置の特定の異常挙動を従来に比して高感度に検知することができる異常検知装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、装置パラメータ取得部１１は、装置の動作状態を表す装置パラメータを取得する。データ処理部１３は、装置パラメータの時系列データをフィッティング処理する。トレンド取得部１４は、フィッティング処理したデータを用いて、装置パラメータ取得時の２階微分値をトレンドの変化情報として取得する。フィッティング誤差取得部１５は、取得した装置パラメータと、フィッティング処理したデータと、のフィッティング誤差を装置パラメータの変化の度合い情報として取得する。そして、異常判定部１７は、データ挙動取得手段で取得されたトレンドの変化情報と装置パラメータの変化の度合い情報との組み合わせを、装置の動作状態が異常と判定される範囲を規定した異常判定基準情報と比較して、装置の動作状態が異常であるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】真空シール性能、耐プラズマ性、ならびに耐腐食ガス性などの性能を併せ持ち、また、長期にわたり真空シール性能が低下することなく、使用時に、高荷重下でも、金属パーティクルが発生することがない複合シール材を提供する。
【解決手段】シール溝に装着した際に、シール溝の一方の側壁側に位置する第１のシール部材と、シール溝に装着した際に、シール溝の他方の側壁側に位置する第２のシール部材とを備え、第１のシール部材が、弾性部材から構成され、第２のシール部材が、第１のシール部材よりも硬質の材料から構成された複合シール材であって、第２のシール部材が、第１のシール部材と連結する連結部と、シール溝の開口部側に位置し、第１のシール部材から離反する方向へ、連結部から延出する開口部側延出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する装置の損傷等を確実に防止する。
【解決手段】収納筐体２９０と包囲部材２８０との間の間隙ＳＰ３と、包囲部材２８０と処理炉２０２との間の間隙ＳＰ４とに不活性ガスを供給し、間隙ＳＰ４の不活性ガスは直接的に接続孔２８４を介して不活性ガス排出管２９１に到達し、間隙ＳＰ３の不活性ガスは包囲部材２８０の開口部２８３を介して包囲部材２８０の内側に回り込んで接続孔２８４から不活性ガス排出管２９１に到達する。これにより、不活性ガスを収納筐体２９０の隅々まで行き渡らせて、ヒータ室ＨＲ内に漏れた処理ガスを滞留させること無く略完全に希釈して外部に排出させることができる。よって、処理ガスの漏れに起因する爆発リスクをより低減して、爆発に起因する基板処理装置１０１の損傷等を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、有機亜鉛化合物の自己分解や微量の水分との反応によるパーティクルの発生を効果的に抑制することができるとともに、効率よく高純度の有機亜鉛化合物を貯蔵し、あるいは搬送・供給することができる方法および供給装置を提供すること。
【解決手段】 有機亜鉛化合物の液体材料を処理対象とし、該液体材料が周期表第４族の金属または金属化合物と接液することによって、該液体材料中での不純物の発生を抑制することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メンテナンスを実行するか否かを適切に判断することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板を処理する手順を記述したレシピを実行することにより、基板に処理を施す基板処理部と、前記基板処理部が基板に処理を施すことにより累積される、前記基板処理部を構成する部品に関する情報を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された情報を複製する複製部と、前記記憶部に記憶された情報又は前記複製部によって複製された情報に基づいて、メンテナンスを実行するか否かを判断する判断部とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】 数枚の基板を載置できる基板搬送トレイであって、ＣＶＤ成膜装置内で用いた場合に異常放電が発生しにくい基板搬送トレイを提供する。
【解決手段】基板搬送トレイ１は、複数の凹部１１がその一方面１２に形成され、凹部に基板Ｓが載置されて搬送される基板搬送トレイであって、基板搬送トレイの一方面に絶縁膜２１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】負荷を低減させて加熱部を昇温させることが可能な半導体装置の製造方法、及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】
処理室内に基板を搬入する工程と、加熱部に電力を供給して加熱部を発熱させることにより、基板を加熱して処理する工程と、処理が完了した基板を処理室から搬出する基板搬出工程と、を有し、基板を加熱して処理する工程では、加熱部の温度を検出し、検出した加熱部の温度が所定温度未満であるか否かを判定し、加熱部の温度が所定温度未満であると判定した場合には、加熱部の昇温速度が、あらかじめ設定した加熱部の昇温速度の基準となる目標昇温速度以上であるか否かを判定し、加熱部の温度が所定温度未満であり、かつ昇温速度が目標昇温速度以上であり、かつ昇温速度が目標昇温速度と異なる場合には、加熱部への電力供給量を低減させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メインコントローラの起動後に必要に応じて破損ファイルの発生を操作画面に表示し、警告を促すことで安全性を向上した基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１のメインコントローラ２４０は、立ち上げ時にレシピ実行時に使用されるパラメータファイルの破損を発見した場合、起動後に破損ファイル一覧ダイアログを操作端末２４１に表示するとともにレシピを実行させないように構成される。もし、レシピ開始ボタンが押されたとしても、アラームメッセージが表示されるだけであり、レシピ開始ボタンは無効となる。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の雰囲気を安定化することができる加熱装置および気相成長装置を提供する。
【解決手段】処理対象物の保持面ＲＰを有し、サセプタガイド２１に回転可能に保持されるサセプタ３が、該サセプタ３を取り囲む、チャンバ５の穴部ＨＬに設けられる。内周面を有する第１のリング部３１が、穴部ＨＬを取り囲むようにチャンバ５に取り付けられ、外周面を有する第２のリング部３２が、サセプタガイド２１に取り付けられる。第１のリング部３１の前記内周面と第２のリング部３２の前記外周面とが互いに対向することによって、幅を有する隙間が形成され、該隙間は、幅よりも大きい長さに渡って、サセプタ３の保持面ＲＰと交差する方向に延びている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ単結晶の製造装置に備えられる断熱材の劣化を抑制することができるようにする。
【解決手段】加熱容器８の周囲を囲む第１外周断熱材１０を、浸透性の大きな断熱基材１０ａの内周面に浸透性の小さな黒鉛シート１０ｂを配置した構造とし、さらに黒鉛シート１０ｂの内周面を高融点金属炭化膜１０ｃで覆った構造とする。これにより、黒鉛シート１０ｂによって断熱基材１０ａに原料ガス３などが浸入することで固体ＳｉＣが析出することを抑制しつつ、さらに高融点金属炭化膜１０ｃによって黒鉛シート１０ｂがエッチングガスや原料ガス３に含まれる成分と化学反応することを抑制できる。したがって、第１外周断熱材１０が劣化することを抑制することが可能となる。 （もっと読む）