【課題】高品質な窒化物半導体単結晶基板を簡易な方法で製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、エピタキシャル成長によって形成された第１のＧａＮ層１２１および第２のＧａＮ層１４１を層内で分離し、分離したＧａＮ層のうち表面状態のよい成長最表面側の第２のＧａＮ層１４１を種結晶として新たなＧａＮ層をエピタキシャル成長によって形成するという簡易な方法によって高品質なＧａＮ単結晶基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体単結晶基板自体の吸収係数を低減させる。
【解決手段】窒化物半導体単結晶基板は、ＡｌＮの組成と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、３５０〜７８０ｎｍの全波長範囲における５０ｃｍ^-1以下の吸収係数とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】従来の基板では困難であった製造コストの低減と、ひずみの低減とを同時に達成することが可能な基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複合基板９は、金属基板２と、金属基板２上に接触して形成されたＧａＮ層１とを備えている。金属基板２とＧａＮ層１とは格子整合していない。金属基板２とＧａＮ層１とは、たとえばファンデルワールス力により接合されている。そして、金属基板２とは反対側のＧａＮ層１の主面１１は、劈開面となっている。 （もっと読む）

【課題】 有機金属化学気相堆積プロセスにおいて寄生粒子形成を抑制する方法を提供する。
【解決手段】 この方法は、反応チャンバへ基板を準備するステップと、反応チャンバへ有機金属前駆物質と、粒子抑制化合物と、少なくとも第２の前駆物質とを導入するステップと、を含めてもよい。第２の前駆物質と有機金属前駆物質とが反応して、基板上に核形成層が形成される。また、ＩＩＩ−Ｖ窒化物層の形成中に寄生粒子形成を抑制する方法が記載されている。この方法は、反応チャンバへＩＩＩ族金属含有前駆物質を導入するステップを含む。ＩＩＩ族金属前駆物質には、ハロゲンが含まれてもよい。反応チャンバへハロゲン化水素ガスと窒素含有ガスとが導入される。窒素含有ガスとＩＩＩ族金属前駆物質とが反応して、基板上にＩＩＩ−Ｖ窒化物層が形成される。 （もっと読む）

【課題】電気エネルギへの変換効率の向上が図られる化合物太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。そのトップセルＴ上にボトムセルＢとなる各層が形成される。次に、ボトムセルＢの表面に裏面電極９が形成される。次に、ワックスによりガラス板と裏面電極とが張り合わされる。次に、ガラス基板に支持されたＧａＡｓ基板１をアルカリ溶液に浸漬することによって、ＧａＡｓ基板１が除去される。その後、トップセルＴの表面に表面電極が形成される。最後に、ガラス基板１３が裏面電極から分離される。 （もっと読む）

【課題】水素濃度を減らしながら、半導体素子を容易に得ることができる、製造方法およびその方法で製造された半導体素子を提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板１上にＮ含有ＩｎＧａＡｓ系層３をＭＢＥ法で成長させ、その後、６００℃以上８００℃未満の熱処理を施し、上記の熱処理により、Ｎ含有ＩｎＧａＡｓ系層３の平均水素濃度を２×１０^１７個／ｃｍ^３以下とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得ることにある。
【解決手段】本発明は、基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造において、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物半導体の転位密度の更なる低減と同時に特に自立基板製造時のケミカルリフトオフ所要時間の大幅な短縮が可能な手法を提供する。
【解決手段】サファイア、SiC、Siのいずれかからなる基板上にAlN単結晶層を0.1μm以上10μｍ以下の厚みで形成したAlNテンプレート基板又はAlN単結晶基板の上に金属層を成膜する工程と、該金属層をアンモニア混合ガス雰囲気で加熱窒化処理を行ない、略三角錐ないし三角台形状の複数の微結晶を有する金属窒化物層を形成する工程と、該金属窒化層上にIII族窒化物半導体層を成膜する工程を有することを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】所望のバンドギャップエネルギーを容易に実現できるアモルファスカーボン膜の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】所定のバンドギャップエネルギーを有するアモルファスカーボン膜を製造するための方法であって、アモルファスカーボン膜を成長させるための原料ガスＧに、パルス状のマイクロ波Ｗを所定のバンドギャップエネルギーに対応するデューティ比で断続的に照射して該原料ガスＧのプラズマＰを生成し、基材Ｂ上にアモルファスカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生を抑制し、良好なピンチオフ特性を有するＡｌＧａＮ／ＧａＮダブルへテロ接合電解効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＮ／ＧａＮダブルへテロ接合電界効果トランジスタ８０は、不純物としてＦｅを含むＧａＮバッファ層９２と、ＡｌＧａＮ第１バリア層９４を含む。Ｆｅは、キャリアトラップ効果とバッファ層９２の伝導帯のエネルギーレベルＥｃの上昇とをもたらす。これらのことは、バッファ層９２／第１バリア層９４界面へのキャリアの蓄積を抑制し、リーク電流を低減する。 （もっと読む）

【課題】バリア層と井戸層との格子不整合に起因するピエゾ電界の増大を抑制可能な窒化物系半導体装置を提供する。
【解決手段】量子井戸構造を有する活性層３を備え、活性層３が、Ａｌ_aＩｎ_bＧａ_1-a-bＮ（０＜ａ≦１、０＜ｂ≦１）からなる第１及び第２のバリア層３１１、３１２と、第１及び第２のバリア層３１１、３１２間に配置された、Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ（０＜ｘ＜１、０≦ｙ＜１）からなる井戸層３２とを備え、アルミニウム（Ａｌ）及びインジウム（Ｉｎ）の組成比が、井戸層３２より第１及び第２のバリア層３１１、３１２の方が高い。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法によるエピタキシャルウエハの製造において、原料の利用効率を向上させ、成長時間を短縮することによる生産性の向上により、低コスト化が可能な化合物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の化合物半導体製造装置は、基板上に化合物半導体エピタキシャル層を成長させる有機金属気相成長装置であって、成長ガス流路を形成する上壁の一部として円板状のサセプタを有し、前記サセプタに対向して前記成長ガス流路の下壁を構成する対向板を有し、前記サセプタと同心円状に複数の前記基板を前記サセプタに配設し、かつ前記基板の成長面を前記成長ガス流路側に向けて支持し、前記対向板における前記サセプタ中心に対面する部分から成長ガスを導入し、前記サセプタの外側に向かって前記成長ガスを排気する構造において、
前記成長ガスの流量を15〜80 NL/minとし、前記成長ガス流路の高さを１〜30 mmに制御する構成とする。 （もっと読む）

【課題】バルク全体にわたって低抵抗化が可能な高品質のｐ型ドーパントを含む窒化物系化合物半導体の結晶成長方法を提供すること。
【解決手段】本発明の結晶成長方法においては、ｐ型ドーパントを含む、組成変調のない（III族元素と窒素元素の組成比が一定の）III族窒化物系半導体を結晶成長させるプロセスにおいて、Ｍｇなどのドーパントの原料供給量（例えばＣｐ_２Ｍｇ）を実質的に一定に維持する一方、III族元素の原料供給量（例えばＴＭＧ）を連続的に増大させるという工程が設けられる。この方法により、ドーパント原料供給量とIII族元素原料供給量を何れも一定とした場合に比較して、結晶中でのドーパント濃度の深さ方向プロファイルを均一化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの反りを低減可能な半導体装置の構造及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素(ＳｉＣ)膜を有する半導体基板を用いて製造される半導体装置の製造方法において、半導体ウエハ１０上に炭化珪素膜を形成する工程と；半導体ウエハ１０の変形状態を確認する工程と；半導体ウエハ１０の変形状態に応じて定められる形状の溝１０７を炭化珪素膜に形成する工程とを含む。また、半導体ウエハ１０に一方向に延びる隆起状の反りがある場合には、溝１０７は、反りの延びる長手方向と略垂直に延びるスリット状の複数の溝１０７とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体で形成される井戸層を短波長化を抑えて良好な結晶性をもって形成できる、発光効率の高い発光素子用の化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】バリア層であるＧａＮ層１５Ａと井戸層であるＩｎＧａＮ層１５Ｆとバリア層であるＧａＮ層１５Ｂとがこの順序で積層されて成るダブルヘテロ構造を有する化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法において、ＧａＮ層１５Ｂを所要の層厚に気相成長する場合に、先ず所要の層厚よりも薄いＧａＮ層１５ＫをＩｎＧａＮ層１５Ｆの上に成長した後に、ＧａＮ層１５Ｋの成長に続けてＧａＮ層１５Ｌを残りの層厚分だけ成長するようにした。 （もっと読む）

【課題】高品質なIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】III族窒化物単結晶からなり、２５．４ｍｍ以上の直径と１５０μｍ以上の厚みを有する基板の外形寸法の温度変化から算出された線膨張係数αと前記基板の格子定数の温度変化から算出された線膨張係数α_Ｌとの差α―α_ＬをΔαとしたとき、Δα／αが０．１以下であり、主面と前記主面と最も平行度の高い格子面とのなす角度のばらつきが、前記基板の主面内で中心値±０．０３度以下とする。また、刃状成分をもつ転位の密度が２×１０６ｃｍ−２以下であり、電気的に活性な不純物の総量を１×１０１９ｃｍ−３以下とする。 （もっと読む）

【課題】バッファリーク電流を十分に抑制可能なIII−Ｖ族化合物半導体装置及びその製
造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板(11)とチャネル層(13)との間に無添加バッファ層(12)を含むIII
−Ｖ族化合物半導体装置(1)において、前記単結晶基板(11)と前記無添加バッファ層(12)
の界面に、前記無添加バッファ層(12)の前記単結晶基板(11)側の界面に、又は前記無添加バッファ層(12)中に、酸素δドーピング層(12a)を形成する。 （もっと読む）

【課題】発光出力が高く、信頼性の高い発光素子が歩留まり良く得られる発光素子、発光素子用エピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板(2)上に、少なくとも、反射層(3)と、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）からなる第一導電型クラッド層(4)、活性層(5)及び第二導電型クラッド層(6)と、窓層(8)と、窓層(8)上部の上面電極(9)と、基板(2)裏面の下面
電極(1)とを備えた発光素子において、基板(2)と活性層(5)との間に存在するＡｓ系層と
Ｐ系層との界面のうち、活性層(5)側に最も近い前記界面と活性層(5)との間に、膜厚４００ｎｍ以上のＰ系層が形成されている発光素子である。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、表面の劣化が少なく、かつ、低抵抗のｐ型III族窒化物半導体を製造することの可能なIII族窒化物半導体の製造方法およびIII族窒化物半導体および半導体装置を提供することを特徴とする。
【解決手段】 ｐ型不純物と水素の両方を少なくとも含むIII族窒化物結晶３２を結晶成長させて冷却した後に、前記III族窒化物結晶３２の上に、所定の積層構造３３を形成することによって、前記III族窒化物結晶をｐ型III族窒化物半導体として製造する。 （もっと読む）

【課題】基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を良好な結晶品質で成長させることができる窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層を基板上に化学気相成長法により成長させ、このＧａＮ層上にＡｌＧａＮ層を化学気相成長法により成長させる場合に、Ｇａの原料の供給量に対するＮの原料の供給量のモル比を８０００以上、好ましくは１００００以上、より好ましくは１１０００以上にしてＧａＮ層を成長させる。基板としてはＡｌ₂ Ｏ₃ 基板、ＺｎＯ基板、ＳｉＣ基板などを用いる。 （もっと読む）