【課題】半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法を用いてＳｉ基板直上にＧａＮ層を成長させるＧａＮ層成長方法において、１００Ｔｏｒｒ以下の成長圧力においてＧａＮ層を成長させることを特徴とする。本発明によれば、半導体素子の製造に適用可能であるＧａＮ層成長速度を実現できるＧａＮ層成長方法、および、Ｓｉ基板直上にＧａＮ層が成長している半導体素子を実現することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得る積層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層８を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層７を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造Ａにおいて、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で単結晶組織として製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

プラズマからの蒸着により基板上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板を容器内に配置し、前駆ガスを容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴（DECR）により容器内のガスにマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。前記蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく膜用前駆ガスの前記流動速度を材料の蒸着中に変える。 （もっと読む）

プラズマからの蒸着により基板（１４）上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板（１４）を容器内に配置し、膜用前駆ガスを各管（２０）を通じて容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から各管（２２）を通じて抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴（DECR）により容器内のガスに所定の周波数と出力レベルの連続したパルスとしてマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく材料の蒸着中にパルスの周波数および／または出力レベルを変える。 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶から成る基板上に特性の優れた窒化ガリウム系化合物半導体を形成することが可能な窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を提供することである。
【解決手段】 二硼化物単結晶から成る基板表面をフッ酸水溶液によってエッチングする工程と、次に塩化水素ガスと水素ガスとの流量比を（塩化水素ガスの流量）／（水素ガスの流量）＜１／２０とし、かつ基板の温度を６４０℃以下としてガスエッチングした後に窒化ガリウム系化合物半導体を成長する。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比較して、形成されたバッファ層の厚さをより正確に制御することができ、欠陥密度を減少させ、蒸着温度を下げることができるバッファ層を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｈ_２Ｏの前駆物質およびＯ_３の前駆物質のいずれかと、ＤＥＺｎの前駆物質とを供給し、４００℃以下の処理温度で原子層成膜処理を行い、バッファ層として機能するＺｎＯ層１２をサファイヤ基板、Ｓｉ基板、ＳｉＣ基板またはガラス基板からなる基板１０の上に形成する。 （もっと読む）

【課題】高温ＡｌＮバッファ層上に形成される窒化物半導体結晶の結晶性及び表面状態を改善することができる窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用基板上にＡｌＮバッファ層を積層し、その上に窒化物半導体結晶を結晶成長させる窒化物半導体の製造工程において、ＡｌＮバッファ層を結晶成長させる場合、９００℃以上の高温で成長させるとともに、ＡｌＮバッファ層のＡｌ原料ガスを先に反応室に供給して連続的に流しておき、その後、Ｎ原料ガスを間欠的に供給する。 （もっと読む）

【課題】ラテラル成長技術を用いて製造される新規な窒化物半導体ウェハを提供することを目的とする。
【解決手段】異種基板１と、異種基板１上に成長した窒化物半導体結晶層３と、からなる窒化物半導体ウェハであって、窒化物半導体結晶層３が、第１結晶層３１と、第１結晶層３１を下地層として成長した第２結晶層３２とを含んでおり、第２結晶層３２の少なくとも一部にはＭｇが添加されており、第１結晶層３１と第２結晶層３２との間にはマスク層Ｍが挟まれている窒化物半導体ウェハ。好ましくは、窒化物半導体結晶層３が、更に、第２結晶層３２の上にＭｇ拡散防止層３３を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉナノワイヤバッファ層を備えたシリコン上に化合物半導体層を提供する。
【解決手段】この方法では、絶縁体層１０４は、先端が露出したＳｉナノワイヤ１０６と共に、Ｓｉ基板１０２に覆い被さって形成される。化合物半導体１１０は、Ｓｉナノワイヤの先端１０８に選択的に堆積される。横方向エピタキシャル拡散（ＬＥＯ）プロセスにより、絶縁体に覆い被さる化合物半導体層を形成するために、化合物半導体がコーティングされたＳｉナノワイヤの先端から、化合物半導体が成長する。通常、Ｓｉ基板に覆い被さる絶縁体層は、熱軟化性絶縁体（ＴＳＩ）、二酸化ケイ素、またはＳｉｘＮｙ（ｘ≦３およびｙ≦４）である。化合物半導体は、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＮ、またはＳｉＣでもよい。 （もっと読む）

【課題】 良好な結晶品質の化合物半導体結晶を得ることができる化合物半導体の製造方法およびそれを製造する気相成長装置を提供する。
【解決手段】 本発明の化合物半導体の製造方法は、窒素原料と、少なくとも１種の窒素原料以外のＶ族元素を含むＶ族原料と、ＩＩＩ族原料とを用いて、窒素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を気相成長する化合物半導体製造方法であって、前記原料のいずれかに塩素を含む。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、高コレクタ電流時、高速動作を維持できるＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＳｉＧｅＣヘテロ接合バイポーラトランジスタの代表例のコレクタは、ｎ型単結晶Ｓｉ層、及びｎ型単結晶ＳｉＧｅ層からなる。又、ベースは高濃度ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層からなり、更にエミッタはｎ型単結晶Ｓｉ層からなる。ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面において、ｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のバンドギャップは、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層以上である。コレクタ電流の増加によって、実効的な中性ベースが拡大した場合でも、ｎ型単結晶ＳｉＧｅ層とｐ型単結晶ＳｉＧｅＣ層のヘテロ界面における伝導帯に、エネルギー障壁が発生しない。このため、電子の拡散が阻害されないことから、高注入状態においても、高速動作性能を維持できるヘテロ接合バイポーラトランジスタを実現でき、これを用いた回路の高性能化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は安価かつ簡単な構成で良質なＧａＮ系半導体結晶膜を成長させる装置及び方法を提供する。
【解決手段】 結晶成長装置２０は、基板２６がサセプターホルダ２７とサセプター２４とで結晶成長面を下方に向けた状態で反応容器２１内に設置され、サセプターロッド２２を上下移動させて、噴射口が基板２６方向に向けて配設されたガス供給管２８と基板２６との位置調整が行われる。結晶成長装置２０は、誘導加熱用コイル２９に通電してサセプター２４を加熱源として基板２６を加熱して、ガス供給管２８から原料ガスであるＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩ、アンモニア、水素、窒素が供給されると、原料ガスが、基板２６表面の中心から径方向に向かって外側に流れ、基板２６の表面には、ガス供給管２８から基板２６の結晶成長面に向かって噴射された新鮮な原料ガスが常に供給されて、良質なＧａＮ系半導体結晶膜が基板２６表面に成長される。 （もっと読む）

【課題】実質的に非制御下の混入による不純物を実質的に含まず、好適な特性を備えるIII-N層（IIIが周期表第III族の、Al、GaおよびInから選択される少なくとも一元素を示す）の製造方法および自立III-N基板を提供する。
【解決手段】Li(Al, Ga)O_X基板（１≦ｘ≦３）７上に、分子線エピタキシ法により少なくとも１つの第一のIII-N層１５を堆積させる工程を備える。厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。このようにして製造された層１５、１７の冷却中、Li(Al, Ga)O_X基板７は全てあるいは大部分がIII-N層１５から脱落し、必要ならば、王水などのエッチング液により残留物７’を除去する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系半導体発光素子を高い信頼性で再現性、均一性、生産性良く作製する方法を提供し、低コストでの量産化に寄与する技術を確立する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体素子１００は以下の方法に従って製造される。まず、基板１０１の上に、ｎ型クラッド層１０３と、活性層１０５と、ｐ型クラッド層１１０と、ｐ型キャップ層１１１とを積層する。積層後、窒素ガスまたは窒素ガス及び希ガスを供給して、４５０℃以上５５０℃以下の温度にまで放冷する。このとき、供給するガスの量を、ｐ型クラッド層１１０及びｐ型キャップ層１１１の積層に用いた窒素ガスの供給量と水素ガスの供給量との合計量以上とする。その後、室温にまで放冷する。 （もっと読む）

【課題】露光時における炭化珪素への光の入射が防止され、露光工程のパターン露光時における反射光による光量変動を回避して安定した露光を可能とする。
【解決手段】４Ｈ−ＳｉＣウエハ１１の表面に低光透過性のＳｉ膜１２を設け、フォトレジスト膜１３を露光する光をＳｉ膜１２で吸収もしくは反射する。 （もっと読む）

【課題】基板上に、少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層を積層し、上面に凹凸構造を有する半導体発光素子において、発光効率を高くする。
【解決手段】サファイア基板２上に、バッファ層３を形成し、１０００℃の成膜温度でｎ型窒化ガリウム化合物半導体層４、発光層５およびｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を成膜した後、開口を有するマスクを形成して、温度を８００℃に低下して再びｐ型窒化ガリウム化合物半導体層を成長させることで、先端が四角錐状で四角柱状の凸部７を形成することができる。したがって、その凸部７によって、発光層５で発生した光の取出し効率を向上しつつも、ｐ型窒化ガリウム化合物半導体層６を必要最小限の厚さとして、低抵抗化を図ることができ、発光効率が高い青色または紫外の発光ダイオード１を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 熱力学的には許されないとされる組成のＺｎＯ系化合物半導体混晶の結晶成長を可能とし、これにより、室温で紫外〜可視域の広範囲での発光が可能で、熱的に安定でしかも資源的枯渇のおそれの少ない半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 六方晶系ＳｉＣ単結晶薄膜からなるｐ型クラッド層１１と、ウルツ鉱構造で、禁制帯幅Ｅｇ＝１．８ｅＶ以上、３．１ｅＶ未満のＺｎＯ系化合物半導体混晶からなり、クラッド層１１とヘテロ接合をなす発光層１２とを備える。発光層１２は、例えば、ｎ型Ｚｎ_1-xＣｄ_xＯ（０≦ｘ≦０．７，特に０．０７＜ｘ≦０．７）である。発光層１２の上にｎ型クラッド層１３と、ｎ型クラッド層１３上にオーミックコンタクト層１４を備え、ダブルヘテロ構造を構成している。 （もっと読む）

シリコンカーバイドパワーデバイスを形成する方法が提供される。ｎ”シリコンカーバイド層が、シリコンカーバイド基板上に設けられる。ｐ型シリコンカーバイドウェル領域が、ｎシリコンカーバイド層上に設けられる。ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域が、ｐ型シリコンカーバイドウェル領域に設けられる。シリコンカーバイドのｎ^＋領域が、ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域上に設けられる。パワーデバイスのチャネル領域が、ｐ^＋シリコンカーバイドの埋込み領域とシリコンカーバイドのｎ^＋領域に隣接する。ｎ”領域は、チャネル領域上に設けられ、＆領域の一部分が除去され、それにより、ｎ”領域の一部分が、チャネル領域上に残って、チャネル領域の表面粗さの低減をもたらす。
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半導体素子は、半導体基板、及びその半導体基板に隣接する少なくとも1の活性素子を有して良い。その少なくとも1の活性素子は、電極層、その電極層の下に存在し、かつその電極と接する高誘電率誘電層、及びその高誘電率誘電層の下に存在し、かつその高誘電率誘電層と接する超格子を有して良い。その超格子は、各々が複数の層からなる複数の群を積層した状態で有して良い。超格子の複数の層からなる群の各々は、基礎となる半導体部分を画定する、複数の積層された基礎となる半導体分子層、及び隣接する基礎となる半導体部分の結晶格子の内部に束縛された少なくとも1の非半導体分子層を有して良い。

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シリコン基板上に少なくとも２ミクロンの厚さの単結晶ＧａＮ薄膜を成長させる方法を開示する。該方法は、プレレイヤー、シリコン基板上のＡｌＮを含むバッファ層、及び、該ＡｌＮバッファ層の頂部に交互に堆積された複数のＧａＮ層及びＡｌＮ層を成長させることを含む。複数のＧａＮ層及びＡｌＮ層の堆積条件及びタイミングを制御することにより、単結晶ＧａＮ薄膜は、クラック又はピット無しで２ミクロンより厚く成長させることができる。
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