【目的】
基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛系半導体結晶の成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れ、量産性に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法において、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、（ａ）低成長温度かつ１ｋＰａ〜３０ｋＰａの範囲内の低成長圧力で結晶成長を行って第１の単結晶層を形成するステップと、（ｂ）高成長温度かつ上記低成長圧力よりも高い圧力で結晶成長を行って上記第１の単結晶層上に第２の単結晶層を形成するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を生産性良く得ることができる。
【解決手段】サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を反応炉を用いて製造するに際し、少なくとも下地層を成膜したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体ウエハーを反応炉から取り出し、ついで次の成膜を別の反応炉で行なう。 （もっと読む）

【課題】基板上に結晶欠陥の少ない、単結晶性及び平坦性に優れた酸化亜鉛を成長する方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ法により酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気を用い、成長温度が２５０℃から４５０℃の範囲内で、かつ、成長圧力が１ｋＰａから３０ｋＰａの範囲内であって、酸素原子を含まない有機亜鉛化合物材料と水蒸気とを少なくとも含む材料ガスを基板１０に吹き付けて酸化亜鉛の単結晶層１１を成長させる。ＺｎＯ結晶層１１の成長後、ＺｎＯ結晶層１１の結晶性および平坦性の向上を目的として、ＺｎＯ結晶層１１を１ｋＰａから３０ｋＰａの圧力下で、７００℃から１１００℃の温度範囲内で熱処理を行う。熱処理は水蒸気雰囲気下で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板とその上に形成される窒化物半導体単結晶層との間に、ＳｉＮ_x層を生成することなく、低抵抗であり、窒化物半導体単結晶層の結晶性に優れた窒化物半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ（１１１）基板１上に、ＴｉおよびＶのいずれか１種以上からなる金属膜を形成する工程と、前記金属膜を窒化して、ＴｉＮ、ＶＮおよび両者の化合物のいずれか１種以上からなる窒化物中間層２を形成する工程と、前記窒化物中間層上に、ＧａＮ（０００１）、ＡｌＮ（０００１）およびＩｎＮ（０００１）のうちの少なくともいずれか１種以上からなる窒化物半導体単結晶層３を形成する工程とを経て、窒化物半導体基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】高電子密度、高電子移動度のIII−Ｖ族化合物半導体を提供する。
【解決手段】化合物半導体を用いた半絶縁性の基板２上に、バッファ層３、電子供給層４、スペーサ層５、チャネル層６、スペーサ層７、電子供給層８、コンタクト層９を有するIII−Ｖ族化合物半導体１において、前記チャネル層６を境にして、一方のスペーサ層が前記チャネル層側からＧａＡｓスペーサ層とＡｌＧａＡｓスペーサ層との２層で構成され、他方のスペーサ層がＡｌＧａＡｓスペーサ層の単層で構成されるものである。 （もっと読む）

【課題】下地基板の無極性面上に高品質のIII族窒化物半導体層を成長させ得る、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ｍ面の無極性面を主面とする下地基板１０の当該無極性面上に炭素とアルミニウムとを含む中間層１１を形成する工程と、中間層１１の少なくとも一部を窒化して窒化膜１１Ｎを形成する工程と、窒化膜１１Ｎの上部にIII族窒化物半導体層１２，１３をエピタキシャル成長させる工程と、III族窒化物半導体層１２，１３から下地基板１０を剥離させてIII族窒化物半導体層１２，１３を含むIII族窒化物半導体基板１４を得る工程と、を含むIII族窒化物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】目的とする場所以外での反応を抑制した、複数の原料ガスを使用する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】第１原料ガスと、前記第１原料ガスと異なる第２原料ガスと、を用いて基板の上に成膜する気相成長装置であって、前記基板が設置される反応室と、前記反応室に連通し、前記第１原料ガスを導入する第１原料ガス導入路と、前記反応室に連通し、前記第２原料ガスを導入する第２原料ガス導入路と、前記第１原料ガス導入路と前記第２原料ガス導入路との間において前記反応室に連通し、前記第１原料ガスとの反応速度及び前記第２原料ガスとの反応速度が、前記第１原料ガスと前記第２原料ガスとの反応速度よりも遅い分離ガスを導入する分離ガス導入路と、を備えたことを特徴とする気相成長装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】電気エネルギへの変換効率の向上が図られる化合物太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１の表面に、エピタキシャル成長法によってトップセルＴとなる各層が形成される。そのトップセルＴ上にミドルセルＭとなる各層が形成される。そのミドルセルＭ上にボトムセルＢとなる各層が形成される。次に、ボトムセルＢの表面に裏面電極９が形成される。次に、ワックスによりガラス板と裏面電極とが張り合わされる。次に、ガラス基板に支持されたＧａＡｓ基板１をアルカリ溶液に浸漬することによって、ＧａＡｓ基板１が除去される。その後、トップセルＴの表面に表面電極が形成される。最後に、ガラス基板が裏面電極から分離される。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】気化器４０９は、内部空間を有する容器９００と、容器９００内の空間を加熱し、霧状の材料溶液を気化させる加熱部９０７とを備える。霧化部４０８は、内部空間に向かって材料溶液と霧化支援ガスを噴出し、ヒーター９０８を内蔵するフィン９０７により霧化した材料溶液を加熱する。これにより、溶液材料を効率よく気化することができる。 （もっと読む）

【課題】材料溶液を完全に気化し、基板に安定供給することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】内部に基板を保持する基板保持部を備えた反応容器４２０と、常温で液体の材料溶液を霧状にする霧化部４０８と、霧状の材料溶液を気化させて反応容器に供給する気化部４０９とを有する成膜装置とする。霧化部４０８は、材料溶液と、霧化を支援するための霧化支援ガスとを噴出することにより材料溶液を霧状にする。霧化部４０８には、霧化支援ガスを所定温度に加熱して供給する霧化支援ガス加熱部４０７が接続されている。これにより、加熱した霧化支援ガスにより材料を霧化させることができ、気化を効率よく行うことができる。 （もっと読む）

【課題】温度変更を迅速に行なうことが可能な気相成長装置および当該気相成長装置を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。サセプタ２は、処理室４の内部に表面が露出し、当該表面に基板８を搭載する。ヒータ５は、サセプタ２を加熱する。壁部冷却部材５２は、処理室４の壁面を冷却する。反応ガス供給部材９は、処理室４の内部に反応ガスを供給する。ヒータ５の昇温速度は１００℃／分以上であり、かつ、投入可能最大熱量は１０ｋＷ以上である。壁部冷却部材５２の冷却能力はヒータ５の投入可能最大熱量より大きい。反応ガス供給部材９は、水素ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含むガスを処理室４の内部に１００ｓｃｃｍ以上の流量で供給可能である。サセプタ２の熱容量は５０Ｊ／Ｋ以上５００Ｊ／Ｋ以下である。ヒータ５の熱容量は１０Ｊ／Ｋ以上１００Ｊ／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によりバンドギャップの大きさを制御して窒化珪素膜を製造する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００において、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択される一定の処理圧力で、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／窒素ガス流量）を０．００５以上０．２以下の範囲内から選択してプラズマＣＶＤを行い、膜中に含まれるＳｉ／Ｎ比をコントロールしてバンドギャップの大きさが２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内の窒化珪素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体層に生ずる格子歪みを効果的に緩和する。
【解決手段】Ｓｉからなり、面方位が（１１１）または（１１１）と等価な面方位である半導体結晶成長用基板１１の半導体層を形成する表面に、凹凸の少ない表面状態を有する鏡面な部分１２と、鏡面な部分１２の表面粗さよりも大きい表面粗さを有する荒れた部分１３とを形成する。この場合、荒れた部分１３を周期的に形成し、荒れた部分１３のパターン形状を四角形の格子状とする。また、荒れた部分１３の中心間の寸法を５ｍｍとし、荒れた部分１３の幅を１０μｍとして、荒れた部分１３が形成された周期ｘを５ｍｍとし、また荒れた部分１３と鏡面な部分１２との面積比ｙを約０．００４とする。 （もっと読む）

【課題】結晶性が改善され、高輝度且つ長時間安定動作が可能な半導体発光素子及びその製造方法、エピタキシャルウェーハを提供する。
【解決手段】 キャリア濃度が３×１０^１７乃至１×１０^１８ｃｍ^−３の範囲のＧａＰ基板と、第１の面側が前記ＧａＰ基板に対して接着された接着層と、前記接着層の前記第１の面側と対向する第２の面側に形成され、前記接着層との間の格子のずれが前記ＧａＰ基板と前記接着層との間の格子のずれより小さく、前記ＧａＰ基板を透過する光を放出可能な発光層を含む上部成長層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子及びその製造方法、エピタキシャルウェーハが提供される。 （もっと読む）

【課題】基板保持部材をサセプタから取り外しても転動部材が落下することを防止するとともに、原料ガスや反応生成物がサセプタの裏面側に極力流れないようにした気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１３の外周部に設けられた複数の収容孔２０の内周下部に内フランジ２０ａを周設する。基板保持部材１４の外周上部に内フランジ２０ａに対向する外フランジ１４ｂを周設し、内フランジ２０ａの内周側に外フランジ方向に突出するリング状の上向き突片２０ｂを設ける。外フランジ１４ｂの外周側に内フランジ方向に突出するリング状の下向き突片１４ｄを設ける。内フランジ２０ａ、外フランジ１４ｂ、上向き突片２０ｂ及び下向き突片１４ｄに囲まれた部分に、転動部材２１を回転可能に配設する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ基板の替わりにＧａＰ層がエピタキシャル成長されて形成された化合物半導体基板において、発光素子に通電する際の電気伝導度が良好な化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＡｌＧａＩｎＰからなる第一導電型クラッド層と活性層と第二導電型クラッド層とを有する発光層と、該発光層の片方の主表面側に形成された第一の電流拡散層と、前記発光層のもう一方の主表面側に形成された第二の電流拡散層とを有する化合物半導体基板であって、前記発光層と前記第二の電流拡散層の間に、前記第一導電型クラッド層よりバンドギャップの小さい（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（０≦ｘ≦１、０＜ｙ≦１）層が形成されたものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱により加熱対象物を加熱する加熱装置において、加熱対象物の温度分布を制御すること。
【解決手段】加熱対象物をその内部に収容する処理容器と、処理容器を囲むように設けられたコイルと、前記コイルに高周波を供給し、加熱対象物の周囲に誘導磁界を形成して、電磁誘導により加熱対象物を誘導加熱するための高周波電源と、コイルにより形成される前記誘導磁界中に設けられ、その周囲の誘導磁界を緩和して加熱対象物の温度分布を制御するための導体により構成される温度分布制御部材と、を備えるように加熱装置を構成する。例えば前記温度分布制御部材を、コイルに対して任意の位置に移動することができるように構成し、処理条件に応じてその位置を調整することで容易に温度制御を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ベース・エミッタをエピタキシャル成長により形成するバイポーラトランジスタにおいて、真性ベースを薄くして遮断周波数を向上すると同時に、厚い外部ベースを形成することでベース抵抗を低減する。
【解決手段】具体例を述べれば、ベース層をエピタキシャル成長した後に、低温アニールを行うことで、開口部周辺部分のシリコン・ゲルマニウム層に凸部ができるように変形させ、真性ベースのキャリア走行時間を増大させずにベース抵抗を低減する。 （もっと読む）

【課題】 二硼化物単結晶上に成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の極性を制御することによって、高品質、低転位の窒化ガリウム系化合物半導体を得ること。
【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体は、ＸＢ_２（ただし、ＸはＺｒ，Ｔｉ及びＨｆから選択される１種以上の元素である。）から成る基板１０の主面上に形成されたＸＢ_２から成る膜１１上に形成されたＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ａｌ_ｘＩｎ_ｙＮ単結晶層（ただし、０＜ｘ＋ｙ≦１、０≦ｙ＜０．１）１２と、その上に形成されたＧａ極性の窒化ガリウム系化合物半導体層１３とを有している。 （もっと読む）

【課題】埋め込み再成長型の端面窓構造を形成する工程における不純物の拡散を抑制して、半導体レーザの出力特性の向上、及び出射端面の劣化を回避する。
【解決手段】基板１１の上に第１クラッド層１２、第１光ガイド層１３、活性層１４、第２光ガイド層１５、及び第２クラッド層１６を含む積層構造を結晶成長させる工程と、積層構造の一部をエッチングにより除去して開口部を形成する工程と、開口部に活性層より禁制帯幅が大きな材料からなる結晶を埋め込み成長させて埋め込み成長部１９ｂを形成する工程と、光導波路を形成する工程と、埋め込み成長部をへき開面が通るようにへき開することにより、出射端面を形成する工程とを含む。埋め込み成長部を形成する工程において、結晶の成長を、開口部の側壁面から進行し、且つ開口部を除く領域の表面から進行し難い条件により行う。 （もっと読む）