【課題】MgO基板とIr膜、Ir膜とダイヤモンド膜が各界面で剥離しにくく、特に大面積の単結晶ダイヤモンド膜を連続膜として有する積層基板を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶MgO基板と、該MgO基板上にヘテロエピタキシャル成長させたイリジウム(Ir)膜と、該Ir膜上に気相合成させたダイヤモンド膜を有する積層基板であって、前記Ir膜の結晶性が、波長λ＝1.54ÅのX線回折法で分析したIr(200)帰属の2θ=46.5°または2θ=47.3°における回折強度ピークの半値幅(FWHM)が0.40°以下のものであることを特徴とする積層基板。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ気相エピタキシーのための低エネルギー高密度プラズマ発生装置を含んでなる化合物半導体層の高速エピタキシャル成長のための装置及び方法である。上記方法は、堆積チャンバーにおいて１つ又は複数の金属蒸気を非金属元素と結合させるステップを含む。するとガスが高密度低エネルギープラズマ存在下で非常に活性化される。それと同時に、半導体層を基板上に形成するために金属蒸気は非常に活性化されたガスと反応され、反応生成物はプラズマにさらされた支持部と連通する加熱された基板上に堆積される。上記方法は炭素を一切含まず、１０ｎｍ／ｓまでの成長率で、１０００℃以下の基板温度の大面積シリコン基板に窒化物半導体をエピタキシャル成長するために特に適する。上記方法は、炭素を含むガスも水素を発生するガスも必要とせず、有毒性のキャリア又は反応ガスを用いないため、環境に優しい方法である。
（もっと読む）

【課題】ＧａＩｎＮ層などのＩｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上にその成長温度よりも高い成長温度でＩｎを含まない別の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる必要がある場合に、そのＩｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の劣化を防止し、Ｉｎを含まない窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を高品質とする。
【解決手段】Ｉｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上にこの層の成長温度とほぼ等しいかまたはより低い成長温度でＡｌＧａＮからなる保護膜を成長させ、その上にＩｎを含まない窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる場合に、Ｉｎを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層および保護膜を成長させる際のキャリアガスとしてＮ₂ を用い、Ｉｎを含まない窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる際のキャリアガスとしてＨ₂ とＮ₂ との混合ガスを用いる。 （もっと読む）

【課題】電子移動度の高いＨＥＭＴ素子を提供する。
【解決手段】基板１上に高品質な高Ａｌ組成のＡｌＧａＮによって下地層２を形成し、その上に、Ｉｎを含むチャネル層３と、ワイドバンドギャップ層５とを形成することによって、半導体積層構造１０、さらにはＨＥＭＴ素子２０を得る。これにより、Ｉｎを含み、かつ表面平坦性の良好な結晶品質の良いチャネル層３を含むＨＥＭＴ素子が得られる。その電子移動度は、従来の下地構造の上に同一のチャネル層およびワイドバンドギャップ層を有するＨＥＭＴ素子に比して、室温においては２０〜３０％程度向上しており、７７Ｋにおいては２．５〜２．６倍程度に増加しており、室温においておよそ２０００ｃｍ²／Ｖｓ、７７Ｋにおいてはおよそ８５００ｃｍ²／Ｖｓという値が得られる。 （もっと読む）

ナノ構造体の成長用基板を用意し、所定のナノパターンを有するテンプレートを用意し、テンプレートと基板との間に少なくとも１層のマスク材を設け、テンプレートからマスク材層にナノパターンを転写し、ボトムアップ成長法によってマスク材層のナノパターンを介して露出された領域において基板上にナノ構造体を成長させることを特徴とするナノ構造体を製造する方法。 （もっと読む）

基板１２を反応管１１内に載置する工程の後、３族元素を含む第１の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、窒素元素を含む第２の材料ガスを反応管内の基板上に供給する工程と、を交互に行うことにより、窒化物半導体結晶を基板上に直接堆積する窒化物半導体の結晶成長方法である。第１の材料ガスに含まれる３族元素のモル数に対する第２の材料ガスに含まれる窒素元素のモル数の比は２００以上である。
（もっと読む）

本発明は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＡｓ_zＳｂ_1-zを含有し、ここでパラメータx, y, zは、バンドギャップが３５０ｍｅＶよりも小さくなるよう選定されている半導体素子に関する。この場合、半導体素子はメサ形構造を有しており、このメサ形構造の少なくとも１つの側面に、少なくとも部分的にＡｌ_nＧａ_1-nＡｓ_mＳｂ_1-mを含有するパッシベーション層が設けられており、ここでパラメータnは０．４〜１の範囲から選択され、パラメータmは０〜１の範囲から選択される。
（もっと読む）

【課題】３ｅＶ前後の禁止帯幅をもたらすＢＰ結晶層の形成方法が開示されていないため、リン化硼素（ＢＰ）及びＢＰ系混晶を利用した耐環境型半導体素子を提供できない問題を解決する。
【解決手段】気相成長法を用いて、室温での禁止帯幅を２．８ｅＶ以上で３．４ｅＶ以下とするリン化硼素（ＢＰ）層またはそのリン化硼素を含む一般式Ｂ_αＡｌ_βＧａ_γＩｎ_1-α-β-γＰ_δＡｓ_εＮ_1-δ-ε（０＜α≦１、０≦β＜１、０≦γ＜１、０＜α＋β＋γ≦１、０＜δ≦１、０≦ε＜１、０＜δ＋ε≦１）で表記されるリン化硼素（ＢＰ）系混晶層を具備する半導体素子を作製する。 （もっと読む）

本発明は、サファイヤ基板上にＳｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層を形成する第１段階と、Ｓｉ_ａＣ_ｂＮ_ｃ
（ｃ，ｂ＞０，ａ≧０）の組成からなる第１層の上にＧａＮ成分を含む窒化膜を形成する第２段階と、を含むことを特徴とするＧａＮ系窒化膜の形成方法に関する。
（もっと読む）