【課題】気相成長装置において、基板面内の温度差を低減する。
【解決手段】シャフト８には突起部であるガイド板１４を設け、ガイド板１４に電磁波が照射される位置にヒーター７を配置する。ガイド板１４がヒーター７からの電磁波によって加熱される。ガイド板１４はシャフト８に取付けられているので、ガイド板１４からシャフト８に熱が移動しシャフト８は高温となる。シャフト８が高温となるので、サセプター６からシャフト８に移動する熱が少なくなり、サセプター６のシャフト８との取付部の温度が低下することが無く、サセプターの温度が均一となる。 （もっと読む）

【課題】保持部材に保持される処理対象物としての基板に対して気相成長法を用いて成膜処理を行なうときに、基板の表面温度を従来よりも均一化することが可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置としての処理装置は、基板７を搭載する保持部材としてのサセプタ５を備える。サセプタ５は、ベース部材２０と均熱部材２８とを含む。ベース部材２０には、主表面から当該主表面と反対側の裏面にまで到達する開口部が形成されている。均熱部材２８は、ベース部材２０に形成された開口部に配置され、ベース部材２０を構成する材料より熱伝導率の大きい材料からなる。開口部の延在方向における均熱部材２８の長さは、開口部の延在方向における開口部の長さより短くなっている。 （もっと読む）

【課題】純物濃度が均一な半導体膜を化学気相成長により基板上に形成する化学気相成長半導体膜形成装置を提供する
【解決手段】サセプタ１は、ウェハ載置部１１及び固定突起１３により構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、平面状に構成されている。ウェハ載置部１１の上面は、ＳｉＣウェハを載置するための載置面Ｐ１として機能する。固定突起１３は、各ＳｉＣウェハの外周面ＳＰ１〜３に沿うように３カ所に配置されている。これにより、サセプタ１では、従来のサセプタのようなザグリを設けなくとも、固定突起１３によって各ＳｉＣウェハを所定の位置に固定できる。従って、ザグリとＳｉＣウェハとの間に隙間が形成され、当該隙間によって原料ガスの流れが乱されるということがなくなる。よって、不純物濃度が均一な炭化珪素膜をＳｉＣウェハ上に形成できる。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に回転テーブル上の基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を積層して薄膜を形成するにあたり、基板の表面に形成された凹部内に薄膜を良好に埋め込むこと。
【解決手段】ウェハＷを載置した回転テーブル２を鉛直軸回りに回転させることによって、ウェハＷの表面に第１の反応ガスを供給してこの反応ガスを吸着させ、次いでこの第１の反応ガスと反応して流動性を持つ中間生成物を生成する補助ガス及びこの中間生成物と反応して反応生成物を生成する第２のガスをこの順番でウェハＷの表面に供給し、その後ウェハＷを加熱ランプ２１０により加熱して反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】製造時の歩留まりが高く、複雑な形状のポケットを加工することができる半導体装置用ウエハホルダを提供する。
【解決手段】本発明に係るウエハホルダ１は、複数の保持部を有すると共に、炭化ケイ素を含むウエハホルダ本体３と、前記保持部に着脱可能に構成され、前記保持部の上面側においてウエハ７を保持するウエハ保持部材５と、を備えている。ウエハホルダ本体３の内側面１１とウエハ保持部材５の外側面１７ｂとは断面テーパ状に形成され、互いに密着している。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制できる気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェーハ表面に薄膜を気相成長させるための気相成長装置においてウェーハを支持するための気相成長用サセプタであって、該サセプタにはウェーハを収容可能なザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、前記それぞれの凸部の間隔が０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下であることを特徴とする気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子の製造に際して、従来の材料ガス中から不純物を極力排除する考え方とは異なる手法によって、発光素子の発光強度を高めることができるようにする。
【解決手段】反応炉２内に窒化ガリウム系化合物半導体製造用材料ガスを導入してＭＯＣＶＤ法により窒化ガリウム系化合物半導体からなる発光素子構造を基板４上に形成する際に、添加ガス容器１５から酸素原子を含む化合物からなる添加ガスを反応炉２に供給して、反応系に共存させる。添加ガスには酸素ガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス、水、一酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、亜酸化窒素ガスなどがある。 （もっと読む）

【課題】厚エピウェーハにおいて、エピタキシャル層の厚さ分布に起因して発生していたデバイス露光工程時のエッジショットを施す領域におけるデフォーカス不良を低減する。
【解決手段】チャンバ内に設けられた水平状態で回転するサセプタの上に複数枚のオリエンテーションフラット又はノッチ付き半導体ウェーハをサセプタ中心から一定の距離に位置しかつそれぞれ隣り合わせたウェーハの間隔が等間隔となるように水平に載置し、サセプタを回転させながらチャンバ内に水平方向に流れるように原料ガスを供給して、載置した複数枚のウェーハの表面にそれぞれ２０μｍ以上の厚さでエピタキシャル層を形成するエピタキシャルウェーハの製造方法の改良であり、ウェーハのオリエンテーションフラットの平坦縁又はノッチがサセプタ中心からの放射状方向に対して±４５度の角度に位置するように複数枚のウェーハをサセプタ上にそれぞれ載置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜を行う成膜装置において、ヒータ２３は基板の載置領域を備えた回転テーブル７下方側に設けられ、外側壁部材２１はヒータ２３が設けられている領域における回転テーブル７の径方向外側を囲むように配置されている。さらにこの回転テーブル７との間に第１の狭隘な空間を形成する部材が設けられ、この第１の狭隘な空間に向けてパージガスを流すことにより反応ガスが回転テーブル７の下方側へと侵入することを防止する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて薄膜を形成するにあたり、メンテナンス性に優れた成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空容器の側壁の貫通孔から回転テーブルの回転中心に向かって水平に伸びるように下面に多数のガス吐出孔が形成されたノズルを回転テーブルの回転方向に互いに離れるように複数本設けると共に、この真空容器の天板を開閉自在に構成する。 （もっと読む）

化学気相反成長応器及び方法。ＩＩＩ族金属源およびＶ族金属源を含むガス等の反応性ガスが、回転ディスク反応器のチャンバ１０内に導入され、ウェハキャリア３２と、高温基板温度、一般に、約４００℃を上回り通常は約７００〜１１００℃に維持される基板４０とに対して下方に向けられて、ＩＩＩ−Ｖ族半導体等の化合物を堆積させる。ガスは、反応器内に、望ましくは約７５℃、最も好ましくは約１００℃〜３５０℃の入口温度で導入される。反応器の壁は、入口温度に近い温度にすることができる。高温の入口温度を用いることにより、ウェハキャリアのより低い回転速度、より高い動作圧力、より低い流速、又はこれらのいくつかの組合せを用いることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】容易に真空容器内を開放してメンテナンスを行うことができる真空処理装置を提供すること。
【解決手段】真空容器の天井部及び側壁部を構成する容器本体と、この容器本体に対して着脱自在に設けられ、基板を載置する載置台を備えた真空容器の底板部と、前記真空容器の天井部に設けられ、前記載置台に載置された基板に前記処理ガスを供給するガス供給機構と、真空処理装置が設置される床面に前記容器本体を支持する支持体と、前記底板部を、容器本体に装着される上位置と、容器本体の下方側の下位置との間で昇降させる昇降部と、この昇降部を搭載し、前記床面に沿って移動可能な移動体と、を備えるように真空処理装置を構成し、天井部の真空容器からの取り外しによって必要になる管路の処理ガス及び液体原料の除去作業の手間を無くしてメンテナンスを容易にする。 （もっと読む）

【課題】真空容器内の回転テーブルに基板を回転方向に並べて載置し、また互いに反応する複数の反応ガスの処理領域をこの基板の回転方向に沿って形成し、回転テーブルを回転させてこれらの複数の処理領域に基板を順番に通過させて反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板へのガス流を一定化して面内及び面間において膜厚が均一及び膜質が均質且つ良好な薄膜を得ること。
【解決手段】夫々の反応ガスの処理領域から各々の反応ガスを排気する排気路を個別に設けると共にこれらの処理領域の間に分離領域を設けて、基板へのガス流が一定化するように、これらの排気路から排気するガス流量比及び真空容器内の圧力を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送機器に与える熱的ダメージを抑えた成膜装置を提供する。
【解決手段】互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順次基板の表面に供給するサイクルを複数回行うことにより、反応生成物を積層させて薄膜を形成する成膜装置において、真空容器内に設けられた回転テーブルと、基板を載置するため回転テーブルに設けられた複数の基板載置部と、回転テーブルを加熱する加熱手段と、第１の反応ガス供給手段と、第２の反応ガス供給手段と、第１の処理領域と第２の処理領域との間に設けられた第１の分離ガスを供給するための第１の分離ガス供給手段と、真空容器内において、前記基板を冷却するため窒素ガス又は不活性ガスを基板に対し噴射する基板冷却手段とを備えたことを特徴とする成膜装置を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】サセプタを均一に加熱することができる成膜装置、成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、容器に回転可能に設けたサセプタ２と、サセプタ２の一の面に設けた基板載置領域２４と、独立に制御可能な複数の加熱部を含み、サセプタを加熱する加熱ユニット７と、一の面に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部３１と、第１反応ガス供給部３１と離間し、一の面に第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部３２と、第１反応ガスが供給される第１処理領域Ｐ１と第２反応ガスが供給される第２処理領域Ｐ２の間の分離領域Ｄと、容器の中央の、一の面に沿って第１分離ガスを吐出する吐出孔を含む中央領域Ｃと、排気口６２とを備える。分離領域Ｄは、第２分離ガスを供給する分離ガス供給部４１と、第２分離ガスが回転方向に対し両方向に流れる狭隘な空間をサセプタ２上に形成する天井面とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の温度の昇降を効率化することが可能な成膜装置、成膜方法を提供する。
【解決手段】開示される成膜装置は、基板を放射加熱する加熱部７と、成膜装置の容器内に回転可能に設けたサセプタ２と、サセプタ２の一の面に設けた基板載置領域２４と、一の面に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部３１と、第１反応ガス供給部３１と離間し、一の面に第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部３２と、第１反応ガスが供給される第１処理領域Ｐ１と第２反応ガスが供給される第２処理領域Ｐ２との間に位置する分離領域Ｄと、容器の中央に位置し、一の面に沿って第１分離ガスを吐出する吐出孔を有する中央領域Ｃと、排気口６２とを備える。分離領域Ｄは、第２分離ガスを供給する分離ガス供給部４１と、第２分離ガスが回転方向に対し両方向に流れる狭隘な空間をサセプタ２上に形成する天井面とを含む。 （もっと読む）

【課題】サセプタを均一に加熱することができる成膜装置、成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、容器内の回転可能なサセプタ２；サセプタ２の一の面に設けた基板載置領域２４；独立に制御可能な複数の加熱部を含み、サセプタを加熱する加熱ユニット７；サセプタにおける複数の加熱部により加熱される部分の温度を独立に測定する放射温度計８Ｏ〜８Ｉ；一の面に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部３１；第１反応ガス供給部３１と離間し、一の面に第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部３２；第１反応ガス供給部３１と第２反応ガス供給部３２の間の分離領域Ｄ；一の面に沿って第１分離ガスを吐出する吐出孔を含む中央領域Ｃ；排気口６２を備える。分離領域Ｄは、第２分離ガスを供給する分離ガス供給部４１と、第２分離ガスが流れる狭隘な空間をサセプタ２上方に形成する天井面とを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の反応ガスの混合を防止し、真空容器を反応ガスに対して耐食保護できる成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内で第１及び第２の反応ガスを供給して薄膜を成膜する成膜装置において、回転テーブル２と、真空容器１を耐食保護するための保護天板４と、回転テーブル２の周縁から回転中心に向け設けられる第１の反応ガス供給部３１及び第２の反応ガス供給部３２と、その間に設けられる第１の分離ガス供給部４１と、第１の反応ガス供給部３１を含み第１の高さＨ１を有する第１の空間Ｐ１と、第２の反応ガス供給部３２を含み第２の高さＨ２を有する第２の空間Ｐ２と、第１の分離ガス供給部４１を含みＨ１及びＨ２より低く設けられる第３の空間Ｄと、真空容器１を耐食保護するために保護天板４と共に回転テーブル２、第１の空間Ｐ１、第２の空間Ｐ２及び第３の空間Ｄを囲繞する真空容器保護部４９とを備える成膜装置。 （もっと読む）

【課題】溝のサイズよりも小さいサイズの基板に成膜を行う場合であっても、基板を溝に固定できるようにする。
【解決手段】基板４０を加熱処理するための反応室１１に、一面３１を有すると共に一面３１に溝３２が設けられた基板ホルダ３０を配置し、溝３２に基板４０を配置する。このとき、溝３２のサイズよりも小さいサイズの基板４０が溝３２に配置された状態では、基板４０の側面４１と溝３２の壁面３３との間にダミー基板５０を配置する。これにより、溝３２内で基板４０の位置を固定する。 （もっと読む）

【課題】複数の膜を積層した素子を形成するにあたり、効率よく膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】原料ガスを構成する材料ガスの種類、比率および流量のうち少なくとも一つを変化させながら気相成長させることにより、複数層を積層させる。反応炉において、供給する原料ガス毎に、基板を保持する基板保持部の半径方向の膜厚分布のピーク位置が基板位置と重ならないよう、基板保持部と反応炉の基板保持部に対向する面との間隔を変化させる。また、基板を基板保持部に対して回転させるとともに基板保持部も回転させる。 （もっと読む）