【課題】ＭＯＣＶＤ法を用いた化合物半導体の製造において、化合物半導体の結晶を成長させる基板表面の温度分布及び平均波長の狙い値からのズレを抑制する。
【解決手段】有機金属気相成長法を用いて化合物半導体の層を形成する化合物半導体製造装置であって、反応容器と、反応容器内に配置され、被形成体の被形成面が上方を向くように被形成体が載置される保持体と、反応容器内に外部から化合物半導体の原料ガスを供給する原料供給口と、を備え、保持体は、保持体の上面の中心から被形成体の外周部よりも内側で被形成体の下面と接し、保持体の上面と被形成体の下面とが所定の間隔を保つように被形成体を支持する支持部を有することを特徴とする化合物半導体の製造装置。 （もっと読む）

【課題】 成膜工程時における基板の温度分布を改善することができる実用的なサセプタおよび半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】 サセプタ（１０）は、基板（１００）上に半導体層を成膜する成膜工程で用いられるサセプタであって、上面に、基板が載置される載置面（１３）を備え、外周側面から載置面の外周縁の下方に至るまで延在し、その上下が壁で挟まれた溝（１２）をさらに有している。このサセプタによれば、成膜工程時における基板の温度分布を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】光照射によって被測定物の測定状態を正確に判別することのできる測定状態判定装置を提供する。
【解決手段】ＭＯＣＶＤ装置１は、回転台４の回転によって基板３が描く軌跡上に光を照射する光照射部１１と、照射部から照射された光の反射光２１を測定する反射光測定部１２と、反射光測定部１２の測定値に基づいて、基板３の測定状態を判定する演算処理を行う演算処理部１４とを備える。演算処理部１４は、回転台４の回転中に測定された反射光測定部１２の測定値の最大値と最小値との差を、窓Ａ１８および窓Ｂ１９に存在する遮蔽物の有無を判定する閾値と比較する。 （もっと読む）

【課題】複数の導入管を通じてガス導入が行える半導体製造装置において、薄膜の膜厚、濃度の面内分布をより均一化できるようにする。
【解決手段】チャンバー１５に対して複数のガス導入配管２５３ａ〜２５３ｅを接続し、各ガス導入配管２５３ａ〜２５３ｅに対してフローメータ２５４ａ〜２５４ｅを備えた構成とする。これにより、ガスの導入場所に応じて独立してガス流量を制御でき、半導体基板６０に対して形成される薄膜の膜厚、濃度の面内分布を同時に均一化することが可能となる。特に、バッチ処理を行う場合にも、多数の半導体基板６０に対して形成される薄膜の膜厚、濃度の面内分布を均一化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板の端部近傍から作製する素子、例えば発光素子の発光波長が長波長にならず、基板中心部から作製する発光素子との違いを小さくすることができる、基板中心部と基板周辺部から作製する素子の特性差を小さくすることができる化合物半導体膜の気相成長に好適な化合物半導体膜気相成長用サセプタを提供する。
【解決手段】化合物半導体膜の気相成長の際に基板を支持するサセプタであって、該サセプタは、前記基板が配置されるザグリ部を少なくとも１つ以上備え、該ザグリ部は、底部底面がすり鉢状に湾曲しており、該湾曲部の凹部の最大深さが２５０〜５００μｍとなっているものであることを特徴とする化合物半導体膜気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードの製造において、従来の２インチから現在の４インチまで発展した。そこでウエハサセプタに様々なサイズのウエハサポートゾーンを設けることにより、ウエハサセプタの使用空間をより有効に利用できる有機金属化学気相堆積装置を提供する。
【解決手段】本装置は、反応室、回転スタンド、ウエハサセプタ２３２、ヒーター、シャワーヘッドを含む。ウエハサセプタ２３２は、回転スタンドに設けられ、回転スタンドにより連動して回転する。ウエハサセプタ２３２は、その一表面に設けられる、少なくとも二つの異なる直径を有する複数のサポートゾーン２３４，２３６を含み、これらのサポートゾーンが複数のウエハに対応して前記ウエハを積込むことができる。 （もっと読む）

【課題】サセプタとテーパ状の管フローブロックとを含むテーパ状の水平成長チャンバを有する、堆積を実行するためのシステム及び技術である。
【解決手段】テーパ状のチャンバは、サセプタとテーパ状の管フローブロックの間に形成される。導入されたガス種は、テーパ状の管ブロックによってサセプタに向かって流れることを強いられ、ガス種とサセプタ上のウエハとの間の反応効率を高める。 （もっと読む）

【課題】基板のオリフラ部と基板保持凹部の内周面との間に生じる隙間に反応生成物が堆積することを防止し、基板面内の温度分布を最小限に抑えることができ、発光波長分布のばらつきを改善することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体発光デバイスを成膜する気相成長装置において、基板保持凹部１４ａに基板１６を保持したときに、基板１６のオリフラ部１６ａと基板保持凹部１４ａの内周面との間に生じる隙間に、該隙間の形状と同一の形状を有し、基板の厚さと同一の厚さを有する嵌合部材２８を配置する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスをあらゆる角度に対して均等な流量で噴出でき、サセプタの対面においては原料ガスの分解、結晶化を抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ２の対面が内部に冷媒を流通する手段を有し、原料ガス導入部が円板状の仕切り１２，１２”により上下方向に仕切られた構成からなる複数のガス噴出口１３を備え、該ガス噴出口１３の少なくとも１つが複数の柱状の仕切り１４により円周方向に仕切られた構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】複数の基板を載置した回転テーブルを回転させてプラズマ処理を行うにあたり、基板に対して面内均一性の高い処理を行うこと。
【解決手段】回転テーブル２の周方向に複数のプラズマ発生部８０を備えた活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対して処理ガスのプラズマを供給して改質処理を行う。この時、夫々のプラズマ発生部８０（補助プラズマ発生部８２）の長さ寸法Ｒを変えることができるように構成し、回転テーブル２の中心部側から外周部側におけるウエハＷの改質の度合い（プラズマの量）を調整する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ特性に影響がでたり、ウェハトレイ自体にひび割れが生じたりするのを防ぐため、温度分布が均一となるＣＶＤ装置用ウェハトレイ、ＣＶＤ装置用加熱ユニット及びＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】一面にウェハを載置可能なキャビティが設けられたウェハトレイ本体と、前記ウェハトレイ本体の他面に突出して形成された接続部と、を備え、前記接続部には、ウェハトレイ本体を回転可能な回転軸を着脱自在に接続できる接続用凹部が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温成長薄膜の特性を備え、様々な種類の光電素子及び電子素子を改善し、集積回路素子の品質を改善することができる反応装置を提供する。
【解決手段】反応装置５００は、第１の加熱ユニット１００及び第２の加熱ユニット２００を備える。第１の加熱ユニット１００と第２の加熱ユニット２００とが向かい合うように配置して反応領域１５０を形成し、第１の加熱ユニット１００の内側面と第２の加熱ユニット２００の内側面とにより角度が形成され、第１の加熱ユニット１００の温度と第２の加熱ユニット２００の温度とを個別に制御する。第１の加熱ユニット１００上に少なくとも１つの基板３００を配置し、少なくとも１つの基板３００が第１の加熱ユニット１００と第２の加熱ユニット２００との間に位置し、第１の加熱ユニット１００上の少なくとも１つの基板３００上に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】第１反応ガスと第２反応ガスとの混合を抑制する分離ガスによって第１及び第２反応ガスが希釈されるのを低減できる成膜装置を提供する。
【解決手段】本成膜装置は、基板載置領域を一の面に含む回転テーブル；容器内の第１供給領域に配置され、一の面へ第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給部；第２供給領域に配置され、一の面へ第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給部；第１及び第２反応ガスを分離する分離ガスを吐出する分離ガス供給部と、分離ガス供給部からの分離ガスを第１及び第２の供給領域へ向けて供給する分離空間を形成する天井面とを含み、第１及び第２供給領域の間に配置される分離領域；第１及び第２供給領域に設けられる第１及び第２排気口；を備え、第１及び第２排気口の少なくとも一方が、対応する供給領域へ向かって分離領域から供給される分離ガスを、反応ガス供給部が延びる方向に沿った方向に導くように配置される。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第１、第２の処理領域に夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第１、第２の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の処理領域及び第２の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板を載置する回転テーブルの周方向に沿って設けられる第１の反応ガスが供給される第１の処理領域と、第２の反応ガスが供給される第２の処理領域とをこれら処理領域の雰囲気を分離するための分離領域とを備えた、薄膜を積層する成膜装置において、成膜速度の低下を抑えること。
【解決手段】反応ガスを吐出する吐出孔が、その長さ方向に沿って形成されたガスノズルと、そのガスノズルの上方側に分離ガスを通流させるための通流空間と、前記ガスノズルから前記上流側及び下流側の少なくとも一方に向かって張り出した整流部材と、を備えるように成膜装置を構成し、前記分離ガスを前記通流空間にガイドすることで処理領域の反応ガスの濃度低下を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】流量の時間変化を高精度に制御することにより、複数種類の薄膜が積層された高品質な積層構造を形成することが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】当該気相成長装置は、処理対象物である基板１５を保持する反応室５０と、反応室５０に反応ガスを供給するためのガス導入部２１とを備えている。ガス導入部２１は、ガス供給管２０と、ガス供給管２０と反応室５０とをつないで反応ガスを流通させるガス流路拡大部とを含んでいる。ガス流路拡大部は、ガス供給管２０から反応室５０まで、基板１５の主表面に沿うとともに反応ガスの流通方向に交差する方向である平面方向での幅が、ガス供給管２０側から反応室５０側に向けて広がるように構成され、ガス流路拡大部の平面方向の幅を規定する側壁では、ガス供給管２０からガス流路拡大部へ導入される反応ガスの吐出方向に対する、側壁の傾斜角度のうちガス供給管２０側に位置する部分の傾斜角度が、側壁のうち反応室５０側に位置する部分の吐出方向に対する傾斜角度より小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】基板上に均一な膜厚の薄膜を簡便な方法で高品質に形成することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ガス導入口１７から導入されて基板２０と天板部１５の間に向かう原料ガスをリング部材１３によって天板部１５側に誘導する。これにより、原料ガスは基板２０と天板部１５の間では天板部１５の基板側の面に沿って流れる。このとき、その流れから原料ガスの一部が基板２０側に拡散し基板２０表面に到達する。これにより、基板２０表面の近傍に原料ガスの均一な濃度分布が生じ、基板２０表面に均一な膜厚の薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法により反応炉内において半導体基板に気相状態で膜を形成する場合に、ガスホイール法を用いることなく半導体基板への高品質な膜の形成が可能であって、気相物質を供給した反応炉を開き人手による基板の出し入れを行う必要がないと共に、反応炉に供給される気相物質の供給効率を向上させることができる半導体基板の保持装置及び半導体基板の保持装置の搬送装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１２は回転駆動軸１５に対して上下方向において着脱可能に固定されると共に、半導体基板が載置される複数の基板ホルダ１４が配置される開口部１３は、上記サセプタ１２の厚さ方向において貫通して形成され、上記サセプタ１２の下方には上記基板ホルダ１５が上下方向において解除可能に係合して、上記サセプタ１２の回転により基板ホルダ１４が回転しうる係合部１６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 基板を保持するサセプタ、サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、サセプタとサセプタの対面の間隙からなる反応炉、反応炉へ原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有するIII族窒化物半導体の気相成長装置であって、半導体の膜厚分布の均一性、反応速度の向上を図ることが可能なIII族窒化物半導体の気相成長装置を提供する。
【解決手段】 原料ガス導入部が、アンモニア、有機金属化合物、及びキャリアガスの３種を任意の割合で混合してなる混合ガスを噴出できる第一の混合ガス噴出口と、アンモニア、有機金属化合物、及びキャリアガスから選択される２種または３種を任意の割合で混合してなる混合ガスを噴出できる第二の混合ガス噴出口を備えてなるIII族窒化物半導体の気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】被搬送物を搬送先にまで高精度に搬送することができる搬送装置および搬送方法を提供する。
【解決手段】基板トレイ搬送装置は、基板３を載せた基板トレイ１７を搬送アーム２６によって把持し、載置台５まで搬送する。搬送アーム２６の先端部には、反射型光ファイバーセンサー２５を有している。搬送アーム２６は縁に到達する直前に減速する。その際、センサー２５は載置台５の縁を検出する。搬送アーム２６が減速しているので、センサー２５による縁位置の検出は安定化する。制御装置３７は、センサー２５による縁位置の検出結果に基づき、載置台５の縁から載置台５の中心までの距離と、基板トレイ１７からセンサー２５までの距離とを加えた距離だけ、載置台５の縁から搬送アーム２６を移動させるように、第一の移動機構２８を制御する。 （もっと読む）