【課題】半導体製造装置において、サセプタの外周側に配置されるランプの寿命が短くならないようにする。
【解決手段】複数のランプ５０は円環状に配置された複数の円配列５１〜５３を構成すると共に、複数の円配列５１〜５３がサセプタ４０の中心軸を中心に同心円状に配置されている。また、複数のランプ５０それぞれは、サセプタ４０の中心軸に垂直な面に平行に配置され、一端部５０ａが他端部５０ｂよりもサセプタ４０の中心軸側に配置されている。そして、複数の円配列５１〜５３それぞれにおいて、各ランプ５０は、サセプタ４０の中心軸とランプ５０の一端部５０ａとを通ると共にサセプタ４０の中心軸に垂直な方向に延びる直線７０に対し、他端部５０ｂ側が同一方向および同一角度にそれぞれ傾けられている。 （もっと読む）

【課題】
排気系配管内への反応物の堆積を抑制することのできる気相成長装置を提供する。
【解決手段】
気相成長装置は、内部の温度及び圧力を制御可能なチャンバと、前記チャンバ内において回転軸で支持され、成長基板を設置するためのサセプターと、前記サセプター上の成長基板に対して原料ガスを供給するガス供給手段と、前記サセプターと前記チャンバ内で対向し、又は前記サセプターを支持するステージと、前記ステージに設置され、前記ステージよりも大きい径サイズを有する構造体と、前記チャンバ内のガスの流れ方向から見て前記構造体の下流に設けられ、前記チャンバ内から排気ガスを搬出する排気手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】簡易に生産性の向上が図れる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板４が周方向に沿って設置される円盤状のディスク１と、ディスク１をその中心軸回りに水平に回転させる回転機構（回転軸）２と、ディスク１に基板４を設置するためのホルダ５と、ディスク１に対向して配置され、ディスク１との間にガス流路１１を形成する対向板６と、複数の基板４を加熱するヒーター３とを備え、ホルダ５のガス流路１１に面した成長面５ａと基板４のガス流路１１に面した成長面４ａとが同一平面上に位置するように、ホルダ５と基板４が配置され、且つディスク１のガス流路１１に面した成長面１ａよりもホルダ５の成長面５ａが対向板６側に突出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でサセプタ表面側から裏面側への原料ガスや反応生成物の漏出や、サセプタ裏面側から表面側への不活性ガスの漏出を防止する。
【解決手段】サセプタ１３の外周部に複数の基板保持部材１４を回転可能に設け、基板保持部材１４の外周に設けられた外歯車１４ｂに歯合する内歯車２６ａを有する固定歯車部材２６を設ける。サセプタ１３に、基板保持部材１４の下方を覆う底板１３ｃを設けるとともに、底板１３ｃの外周上面を固定歯車部材２６の下方に近接させる。 （もっと読む）

【課題】サセプタに複数の半導体ウエハを配置して熱処理するに際し、各半導体ウエハの均熱化を図る。
【解決手段】サセプタ２０の一面２１に垂直な方向で、メインシャフト３１の上端部３１ａおよび各アーム３２と半導体ウエハ６０とが離間していると共に、各アーム３２の間に半導体ウエハ６０を配置する。これにより、各半導体ウエハ６０がアーム３２の影にならないようにして、アーム３２がハロゲンランプ４０の輻射熱を阻害しないようにする。これにより、半導体ウエハ６０の均熱化を図る。 （もっと読む）

複合窒化物半導体デバイスを作製するための処理システムの一実施形態は、複合窒化物半導体層を基板上に形成する１つ以上の処理チャンバと、処理チャンバに連結された搬送チャンバと、搬送チャンバに連結されたロードロックチャンバと、ロードロックチャンバに連結されたロードステーションとを備え、ロードステーションは、１枚以上の基板を積載したキャリアプレートをロードロックチャンバ内へと運ぶための可動性のコンベヤトレイを備える。単一チャンバのリアクタと比較すると、このマルチチャンバ処理システムは複合構造の潜在的な複雑性及び多様性を発展させるものである。加えて、このシステムは、個々のチャンバを特定のエピタキシャル成長処理に合わせて特別仕様とすることによってより高い質と歩留まりを達成することができる。スループットは、複数のチャンバにおける同時処理によって上昇する。
（もっと読む）

【課題】気相成長装置を使用してウェーハに薄膜を気相成長させる際、形成する薄膜のウェーハ面内における膜厚の均一性を改善することができるサセプタを提供する。
【解決手段】気相成長装置内でウェーハＷを水平に載置するザグリ１が形成されたサセプタ１０において、ザグリ１は、底面１ａと側壁１ｂを有する円形の凹形状であり、ザグリの側壁１ａの直径は、載置するウェーハＷの直径より大きく、ザグリの底面１ｂには、ウェーハがザグリの中央部に載置されるように該ザグリの底面から突出する複数の突起物１ｃが形成されたものであるサセプタ１０。 （もっと読む）

【課題】化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明による化学気相蒸着装置は、ウェーハが搭載されるサセプタが備えられ上記ウェーハに対する化学気相蒸着が行われる反応炉を備える反応チャンバーと、上記反応炉の外側から上記反応炉の中心側に反応ガスが流動するように上記反応チャンバーの外部壁に備えられるガス流入部と、そして上記反応炉で反応が完了した反応ガスを上記反応チャンバーの上部または下部に排出するように上記反応チャンバーの中心部に備えられるガス排気部を含み、高温の蒸着膜の成長条件下で成長圧力を増加させる場合にもチャンバー内でガスの密度が実質的に均一になるようにすることができるという特徴がある。 （もっと読む）

【課題】 多数の被処理体を一括受渡し可能で、かつ一括処理することが可能な載置台を提供する。
【解決手段】 サセプタ１０５に設けられた受渡し機構部１１１には、複数の板状の可動シールド部材１２３が互いに隙間を空けて同方向に昇降自在に配列されている。可動シールド部材１２３は、搬送装置２５のフォーク２３と干渉することなく、フォーク２３よりも高い位置まで上昇する。その途中で、フォーク２３に載置されていた小片基板Ｓは、可動シールド部材１２３に一括して受け渡される。 （もっと読む）

複数基質のための基質ホルダを収容するプロセスチャンバと、加熱した基質の表面上の部分に反応ガスを供給する反応ガス吸気口とを含む化学蒸着反応装置が提供される。反応ガスは、基質に対して平行又は斜めに導入される。供給される反応ガスの流れの方向とサセプタの角回転の接線成分との間の角度は、サセプタの位置に依存しない。熱いガスが基質の表面に平行又は斜めに流れる冷たい反応ガスと接触する際に生成される境界層の厚さを変えるために、基質に対してガスを垂直又は鋭角に供給する第二のガス吸気口が備えられる。
（もっと読む）

【課題】成膜元素が半導体デバイスの反成膜源側端面に回り込むことを確実に防止する半導体デバイスの成膜用ホルダを提供する。
【解決手段】半導体デバイスの被成膜面を露出させ、半導体デバイスを保持するホルダ本体と、半導体デバイスの被成膜面を露出させた状態で、半導体デバイス及びホルダ本体の間に形成される間隙を半導体デバイスの被成膜源側から遮蔽する遮蔽体１７とを備えた。これにより、成膜源３から間隙に向かう成膜元素１６は、遮蔽体１７に進行を遮断される。 （もっと読む）

回転ディスク化学気相成長反応システムにおいてウェハ上に材料層を均一に堆積するシステムおよび方法が提供され、１つ以上の基材の表面を回転軸にほぼ垂直に維持し、該回転軸に沿って上流方向に面したまま、該１つ以上の基材（１３８）が軸（１０６）を中心にキャリア（１０４）で回転される。回転時に、第１のガスが、第１のセットのガス入口（１７０）から該１つ以上の基材に向かう下流方向に放出される。第２のガスが、少なくとも１つの可動ガスインジェクタ（１０８）から該１つ以上の基材に向かう下流方向に放出され、該少なくとも１つの可動ガス入口が、回転軸に対する半径方向の運動成分によって移動される。
（もっと読む）

【課題】膜厚や組成の面内均一性が優れたエピタキシャル層の成長を実現し、従来よりも大径化した基板を利用可能とすることによって、従来よりも発光素子の低コスト化が可能な発光素子用エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】100〜200 mmの外径を有するn型導電性GaAs基板上に、少なくともn型導電性AlGaInPクラッド層、AlGaInP活性層、p型導電性AlGaInPクラッド層およびp型導電性コンタクト層のエピタキシャル層が順次形成され、前記エピタキシャル層の各層が±２％以下の有効面内膜厚分布を有する本発明のAlGaInP系半導体発光素子用エピタキシャルウエハは、有機金属気相成長法において、成長ガスの流量を20〜70 NL/minとし、サセプタと同心円状に前記サセプタに複数設置された前記基板の内接円の半径を250〜60 mmとし、基板加熱ヒータ面と前記サセプタの距離を21〜50 mmとし、かつ成長ガス流路の高さを33〜３mmと制御することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に対して均一な特性の薄膜が形成される気相成長装置および気相成長方法、を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０は、反応室１１と、反応室１１に設置されるサセプタ２２と、複数種類のガスを導入するガス導入管１３とを備える。サセプタ２２は、複数の基板２５を保持する周辺部と、周辺部に取り囲まれた中心部とを含む。ガス導入管１３は、複数種類のガスを互いに分離して流す多重管構造を有する。ガス導入管１３は、中心部２２ｔに向けてガスを流す中間多重管１６と、中間多重管１６に流れるガスを方向転換させ、サセプタ２２の中心部から周辺部に向かう方向に流すガス方向転換部１７とを含む。ガスは、中間多重管１６におけるガスの流れ方向とは異なる方向から中間多重管１６に流入する。気相成長装置１０は、中間多重管１６に配置される整流板４１をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】 Ａｓ系とＰ系との層の界面を有する場合に、界面のバンド不連続を緩和して、発光素子抵抗の減少および光の取り出し効率の向上を図ることができる半導体発光素子および半導体積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザダイオード１０は、Ｐ系混晶層であるｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１９とＡｓ系混晶層であるｐ−ＡｌＧａＡｓ光ガイド層１７との間に、これらの中間の格子定数を有するＡｌＧａＩｎＡｓＰ接合改善層１８を備える。 （もっと読む）

【課題】ホットゾーンを低減させることのできる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１内に配設され被処理基板１を保持する基板保持部材２０と、被処理基板１を加熱する基板加熱ヒータ４と、基板保持部材２０と基板加熱ヒータ４との間に配設された均熱部材３０とを備えている。均熱部材３０における基板保持部材対向面には、均熱部材３０の外周部よりも内側領域に基板保持部材２０に向けて突出する凸部３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】対向板表面の堆積物を除去した後、反応室内を所望のエピタキシャル層の形成に適した状態に速やかに復帰することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１に保持された基板３の主面と対向して配置される対向板６は、少なくとも基板３の主面と対向する領域に複数の貫通孔１５を有する。対向板６の各貫通孔１５には、対向板６と同一の材質からなる柱状部材１６がサセプタ１側の端部が対向板６の表面に露出する状態で挿入されている。駆動手段２０は、各柱状部材１６を、貫通孔１５に沿って往復動させる。各柱状部材１６が往復動中に、対向板６とサセプタ１との間には、噴出口７ａから、ガス供給管７を通じて供給された不活性ガスが噴出される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の成長完了までの時間を短縮し、基板上に成長させるエピタキシャル層の種類を選択成長可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】原料ガスが供給され、その原料ガスで基板９上に半導体膜を成長させる反応炉３と、その反応炉３内に設けられ、基板９を収納穴１０に収納して保持する成長用治具４とを備えた半導体製造装置１において、成長用治具４に、収納穴１０を開閉するシャッター１１を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】細かい加熱温度制御を容易に行うことができる加熱装置及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の反応室内に配置された支持体上に載置される半導体基板を加熱する加熱装置であって、着脱可能であると共に周方向に向きを変えて取付け可能な熱源ランプをそれぞれ有する、複数の熱源ユニットを備えたことを特徴とする加熱装置、及び反応ガスが供給される反応室と、反応室内に配置された支持体と、支持体上に載置される半導体基板を加熱する加熱装置とを備えた半導体製造装置であって、加熱装置は、着脱可能であると共に周方向に向きを変えて取付け可能な熱源ランプをそれぞれ有する、複数の熱源ユニットを備えたことを特徴とする半導体製造装置。 （もっと読む）

【課題】処理温度の高温化が可能な半導体製造装置を提供する。
【解決手段】この発明に従った半導体製造装置は、処理対象物である基板２６を保持する、回転可能なサセプタとしてのサセプタ本体５と、サセプタ本体５に回転力を伝える回転軸１３とを備える。回転軸１３のサセプタ本体５に面する先端部には回転軸連結部が配置される。サセプタ本体５の回転軸１３に面する主面の中央部には連結部材１５が配置される。回転軸１３を回転させることにより、連結部材１５の側面を回転軸連結部の側面が押圧してサセプタ本体５を回転させることが可能となるように、回転軸１３はサセプタ本体５の主面の中央部上に配置されている。 （もっと読む）