【課題】誘導加熱を用いて分解温度の高い成膜ガスを安定に分解し、成膜を行うことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】減圧空間とされる内部に成膜ガスが供給される処理容器と、前記減圧空間に設置される、被処理基板を保持する基板保持部と、前記処理容器の外側に設置される、前記基板保持部を誘導加熱するコイルと、を有する成膜装置であって、前記基板保持部には、前記コイルによる誘導加熱を制御するための溝部が形成されていることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】分解温度の高い成膜ガスを分解して安定な成膜を行うことが可能な成膜装置と、分解温度の高い成膜ガスを分解して安定な成膜を行うことが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】減圧空間とされる内部に成膜ガスが供給される処理容器と、前記減圧空間に設置される、被処理基板を保持する基板保持部と、前記減圧空間に設置される、前記被処理基板を加熱して前記成膜ガスによる成膜を当該被処理基板上に生じさせるヒータと、を有する成膜装置であって、前記ヒータは、高融点金属と炭素を含む化合物よりなることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】フェイスダウン構造で基板を固定、支持する際、基板の下面を支持することなく、固定できる気相エピタキシャル成長用治具を提供するものである。
【解決手段】本発明に係る気相エピタキシャル成長用治具１は、基板３を治具本体１１の収容穴１２にフェイスダウン構造で支持、固定するものであり、収容穴１２内に、基板３を径方向内方に付勢してバネ力で支持するバネ部材４を複数個設けたものである。 （もっと読む）

プラズマからの蒸着により基板（１４）上に非晶質材料、例えば、アモルファスシリコンの膜を形成する方法を開示している。基板は定義された容量を有する容器内に配置して、前駆ガス、例えばシラン、を各管（２０）を通じて容器内に導入している。未反応および解離ガスを容器から出口（２２）を通じて抽出し、これにより容器内を低圧にする。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴により容器内のガスにマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。前駆ガス流動速度を分散したプラズマソースの面積で割ったものとして定義している正規化した前駆ガスの流動速度は700sccm/m²以上であり、反応装置の容量を有効前駆ガスポンピング速度で割ったものとして定義しているガス滞留時間は30ms以下である。 （もっと読む）

【課題】 半導体多層膜表面内の最大反射波長分布の均一性を向上させる
【解決手段】
自転機構上に基板を取り付けた基台をリアクタ内で公転させる装置を用いて、有機金属気相成長法により基板上に第１の半導体層と第２の半導体層を交互に積層して半導体多層反射膜を成長させる際、半導体多層膜の成長効率分布の傾斜を３〜１０（１０^−３／ｍｏｌ）とする。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用される、結晶成長面を下に向けた結晶成長装置でウエハーに材料ガスを供給する時に、各材料ガスの温度を別々に制御出来るものが無かった。そのため成膜効率、成膜品質を向上させる最適な成膜条件の設定が困難であった。
【解決手段】 結晶成長室内にガス冷却機構とガス加熱機構を設置して、各材料ガスを最適な温度に制御してウエハーに供給する。 （もっと読む）

【課題】 従来、半導体製造過程で使用される、成膜面を下に向けた成膜装置でウエハーにプロセスガスを押し付ける力を制御出来るものが無かった。そのため成膜効率、成膜品質を向上させる最適な成膜条件の設定が困難であった。
【解決手段】 上記従来の成膜装置のプロセスガスを上昇気流にし、その上昇力を制御する事により、ウエハーにプロセスガスを押し付ける力を制御する。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布がより均一になるように成膜できる気相反応成膜装置を提供する。
【解決手段】気相反応成膜装置は、反応室１と、この反応室１内に配置され、成膜対象面が表にくるように複数の基板としての半導体基板２を同心円状に設置するための基板保持部と、反応室１内に反応ガスを供給するための原料ガス供給部１３と、反応室１内から反応ガスを排気するためのガス排出部とを備える。基板保持部としてのサセプタ５は上記複数の基板のうちの一部である第１の基板群を環状に載置するための第１の部分５ａと、上記複数の基板のうちの他の一部である第２の基板群を上記第１の基板群の外側において上記第１の基板群と同心の環状に載置するための第２の部分５ｂとを含む。上記第１の部分５ａと上記第２の部分５ｂとの間には上記反応ガスを上記ガス排出部に導くための略環状のスリット１２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの面内全域において良好な均一性を有する薄膜を気相成長させることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 密閉可能な反応炉（１）と、該反応炉内に設置され所定の位置にウェハ（Ｗ）を載置する１または２以上の収容部（円形のポケット孔３ａ）を有するウェハ収容体（ウェハホルダ３）と、ウェハに向けて原料ガスを供給するためのガス供給手段（ガス導入管７）と、前記ウェハを加熱するための加熱手段（加熱ヒータ５）とを少なくとも備え、前記反応炉内において前記加熱手段により前記ウェハ収容体を介してウェハを加熱しつつ、高温状態で原料ガスを供給することにより、前記ウェハ表面に成長膜を形成する気相成長装置において、前記ウェハ収容体は、前記ウェハを収容部に載置した際に、ウェハ表面（１０）がウェハ収容体の上面（３ｂ）よりも上方に位置し、且つ、前記ウェハの周縁部の面取り加工により側部に形成された頂点（１１）が、ウェハ収容体の上面（３ｂ）より下方に位置するように構成した。 （もっと読む）

【課題】成膜の良好なモニタリングが可能な真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置は、真空槽３０と、基板が設置された基板ドーム２２と、蒸着材料が設置された坩堝と、基板ドーム２２に設置されたモニター部２１と、を備える。モニター部２１は、モニターガラス４１と、モニター窓４２と、投光部４３と、ミラー４４と、受光部４７等から構成されており、モニター窓４２を介してモニターガラス４１に形成された膜の厚さを投光部４３から光を照射し、各波長における吸収率光の強度の変化量を測定することにより計測する。モニター窓４２は、断面形状が台形状に形成されているため、開口４２ａ内にイオン、蒸着材料が導かれやすい。従って、モニターガラス４１は良好に成膜される。モニターガラス４１へ良好に成膜が生じることにより、基板ドームに設置された基板の成膜の良好なモニタリングが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 従来、光通信用の半導体レーザーは発振波長が微小（０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ）に異なる物が求められているが、現在、制御機器の分解能不足、加熱機構の再現性の悪さ等により、半導体レーザー製造装置で製造条件を調整して発振波長に微小な差を付ける事が解決困難であった。そこで課題は、光通信用の半導体レーザーで発振波長が微小（０．１ｎｍ〜０．２ｎｍ）に異なる物を作り分ける方法及び装置を供する事にある。
【解決手段】 従来の半導体レーザー製造装置での製造条件にサセプターを傾けると言う条件を加えて上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体の製造に際し、導入配管に吸着している残留ドーパント原料の残留量を低減する。
【解決手段】反応炉１内のガス流路６に臨ませて配置された基板１０を加熱し、導入配管１２から原料ガス、ドーパント原料をガス流路６内に供給して基板１０の表面に流すことにより、基板１０上に半導体結晶をエピタキシャル成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、前記エピタキシャル成長を行う前に、又は前記エピタキシャル成長を終了した後に、導入配管１２にクリーニングガスを流すことにより、導入配管１２の壁面に付着しているドーパント原料を離脱させて、反応炉１の外部へ排気する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも２つのガスとしてガス入口部品によりプロセスチャンバに導入される成分の薄膜を１または複数の基板に被覆する方法を提供する。
【解決手段】均一な薄膜を形成する目的で、ガス入口部品の互いに上下に配置された各室(1,2)にガスが導入され、ガス出口開口(3,4)を通してプロセスチャンバ(7)に導入される。２つの室はさらに２つの区画(1a,1b;2a,2b)に分割され、各区画は実質的に重なるように上下に配置される。２つのプロセスガスは、周方向において互いに分離されてプロセスチャンバに流れ込み、プロセスチャンバの底部を形成する基板ホルダ(9)上に環状に載置された基板(10)が、基板ホルダが軸(9')について回転するに伴い、順次異なるプロセスガスに曝される。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ装置のガス供給ゾーンにおける材料ガスの反応を抑えて、パーティクル発生を抑える。
【解決手段】 ＣＶＤ装置１０は、材料ガスをガス供給ゾーン５１に供給する２重に構成されたガス供給管２６、２７を備えている。ガス供給管２６、２７を通る材料ガスは、その先端に設けられた微小なオリフィス２８、２９を通って、成膜ゾーン５２に到達してウェハ４１、４２上に薄膜を形成する。材料ガスは、ガス供給管２６，２７のオリフィス２８，２９に至るまでは所定の高圧を維持しており、ガス供給ゾーン５１で断熱膨張することによって材料ガスは冷却され、材料ガスの温度は反応温度以下に低下する。 （もっと読む）

【課題】 Ｚｎドープエピタキシャル層を成長した後に反応炉の壁面にＺｎを残さない化合物半導体エピタキシャル成長装置を提供することにある。
【解決手段】 一定の減圧状態に保たれた加熱状態にある反応炉２内に半導体基板３をセットし、この反応炉内に、有機金属の蒸気であるIII族ガス、Ｖ族ガス、ドーピング原料をキャリアガスに含有させて送り込み、これらの原料ガスを半導体基板３上で熱分解及び化学反応させて、基板３上に化合物半導体結晶を気相成長する化合物半導体エピタキシャル成長装置において、反応炉の筐体部２０に形成した冷却水流路２３を水温制御が可能な冷却水ユニット３０と接続し、反応炉の筐体部２０を保冷するために流している冷却水の水温を常温（＝２３℃）より高く、具体的にはほぼ４０℃以上に、好ましくはほぼ４０℃に保つ。 （もっと読む）

【課題】 均熱板の材質を改善し、不純物の混入の少ない半導体結晶を成長することが可能な半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】 加熱した半導体基板４上に原料ガス１５を流し、半導体基板４上に半導体結晶を気相成長する半導体製造装置において、半導体基板４を均一に熱するために、半導体基板４に隣接して、加熱源との間に均熱板７をセットし、この均熱板７の材質に炭化珪素またはガス不透過性のカーボンを用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上にエピタキシャル成長したシリコンゲルマニウム膜の結晶欠陥や表面粗度を低減して半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体ウエハ７０上にシリコンゲルマニウム膜７１がエピタキシャル成長され、シリコンゲルマニウム膜７１上に歪シリコン膜７２がエピタキシャル成長される。シリコンゲルマニウム膜７１の厚み方向のゲルマニウム濃度分布は、シリコンゲルマニウム膜７１の厚み方向の中間領域に最大濃度のピークを有している。その後、シリコンゲルマニウム膜７１および歪シリコン膜７２が形成された半導体ウエハ７０に半導体素子が形成される。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル成長時の面内温度分布がウェハ外周部まで均一であり、キャリア濃度や混晶比について均一性の高いエピタキシャル結晶膜を得ることのできる半導体結晶ウェハを提供することにある。
【解決手段】 ウェハ裏面１２の平均粗さ（Ｒａ）を、ウェハ中心部からウェハ外周方向に向かって徐々に大きくするか、又はウェハ裏面１２の外周部のみを荒らして、ウェハ裏面のウェハ外周部の平均粗さ（Ｒａ）をウェハ中心部よりも大きくした構造とする。 （もっと読む）

【課題】半導体気相成長装置において均熱板と基板とが全面で接触する構成では、サセプタ回転中にトレイ内で均熱板が動き、トレイ部分に接触し温度伝達の不均一性を発生させる。
【解決手段】真空処理室内のトレイ２は、先端に規正ピン４と形状記憶合金からなるバネ５がトレイに２箇所以上埋め込まれており、常温時は元の状態で均熱板３と基板１をトレイ２に自動挿入することができる第一の手段と、高温時は伸びた記憶状態になり、均熱板３をセンタリングすることができる第二の手段を備える。 （もっと読む）

本発明は、ＣＶＤ反応炉の反応チャンバ（１２）を洗浄するためのプロセスに関し、適切な温度までチャンバ壁を加熱するステップと、チャンバ中にガス流を流入させるステップとを含む。この洗浄プロセスは、チャンバ内の基板上に半導体材料を堆積するためのＣＶＤ反応炉の操作プロセス中で、有利に使用することができる。この操作プロセスでは、チャンバ（１２）中に基板を順次的、循環的に取り付けるステップと、基板上に半導体材料を堆積するステップと、チャンバ（１２）から基板を取り外すステップとを含んだ成長プロセスが設けられる。取り外しステップの後に、チャンバ（１２）を洗浄するためのプロセスが実施される。本発明は、ＣＶＤ反応炉全体を洗浄するためのプロセスにも関し、それには、加熱するステップとともに、ガス流中に化学エッチングする構成要素が設けられる。
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