【課題】基板に対する誘導電流の影響を排除して均一に熱処理を行うことができる、誘導加熱を利用した熱処理装置を提供すること。
【解決手段】熱処理が施される複数の基板Ｓを収容する処理容器２と、処理容器２内で複数の基板を保持する基板保持部材３と、処理容器２内に誘導磁界を形成して誘導加熱するための誘導加熱コイル１５と、誘導加熱コイル１５に高周波電力を印加する高周波電源１６と処理容器２内に処理ガスを供給するガス供給手段８，９，１０と、処理容器２内を排気する排気手段１１，１２，１４と、処理容器２内で基板保持部材３を囲うように誘導加熱コイル１５と基板保持部材３との間に設けられ、誘導磁界によって形成された誘導電流により加熱され、その輻射熱で基板保持部材３に保持された基板Ｓを加熱する誘導発熱体７とを具備し、誘導発熱体７により、基板Ｓへ誘導電流が流れることが阻止される。 （もっと読む）

【課題】 ＨＶＰＥ成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるＧａＰの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも１回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 （もっと読む）

【課題】蛇腹配管の内部から剥がれた反応生成物の量を低減し、排気経路から反応室へのパーティクルの導入量を抑制可能なバレル型気相成長装置を提供する。
【解決手段】蛇腹配管より小径なスリーブを、上流側配管部のみの片持ち状態で蛇腹配管に挿入した。よって、蛇腹配管の領域で反応生成物が付着するのは、大半がガス排気管のスリーブの内周面となる。これにより、仮に装置振動などで蛇腹配管が変形しても、蛇腹配管から剥離するパーティクルの量は少なく、よって反応室へのパーティクルの導入量は従来装置に比べて減少する。その結果、半導体ウェーハに付着するパーティクル量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、ドライエッチングされた基板の表面に、良好な結晶性を有する窒化物半導体を形成することができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、ドライエッチングにより処理された基板の表面をハロゲン元素を含む雰囲気中で熱処理し、前記熱処理した前記基板の前記表面に窒化物半導体層を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造でサセプタの回転軸の振れを抑制してエピタキシャルウェーハの膜厚のばらつきを低減できる気相成長装置、及びそれを利用した化合物半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、リアクタと、該リアクタの内部に配置され、回転軸周りに回転するバレル型サセプタとを備えた気相成長装置において、前記サセプタの回転軸はコレットチャック機構により固定されているものであることを特徴とする気相成長装置。 （もっと読む）

【課題】不純物汚染を十分に抑制しながら、低コストで、生産性良く気相成長を行うことができる気相成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置１０の反応チャンバー１２内に配設されたサセプタ１７のウェーハＷの載置面が、原料ガスから生成された厚さ６〜２０μｍのポリシリコン膜で被覆され、かつ、前記気相成長装置１０を構成する部材のうち前記反応チャンバー１２内に露出した金属部材の表面が、原料ガスから生成された反応副生成物からなる膜で被覆された反応チャンバーを具備する気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】ガリウム化合物を含む第一ガスと、窒素化合物を含む第二ガスを、気相成長装置の成長室内へ供給して、成長室内に設置した基板上にＧａ含有窒化物半導体を成長させるＧａ含有窒化物半導体の製造方法であって、第一ガス及び第二ガスを成長室内へ供給している期間において、平均の成長速度が６６μｍ／ｈ以上となるように、特定の供給量となるＨＣｌガスを含む第三ガスを前記第一ガスの供給口とは別の供給口から前記成長室内へ供給することを特徴とするＧａ含有窒化物半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウエーハの膜厚のばらつきを従来より更に小さくするために、サセプタの公転の有無に拘らずウエーハを自由に自転させることができ、また気相成長条件が変動してもウエーハの自転に影響を出さずに気相成長を行うことができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】リアクタ１１と、該リアクタの内部に配置されたバレル型サセプタ１２と、ウエーハＷを装着するために該サセプタの表面に配置されたトレイ１３とを備えた気相成長装置１０において、前記トレイ１３は前記バレル型サセプタ１２とは異なる回転軸で回転するものであり、かつ前記バレル型サセプタ１２は公転用電動モータ１４によって回転し、前記トレイ１３は自転用電動モータ１５によって回転する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ガス管内部に堆積したシリコン化合物を、容易かつ確実に除去することができるエピタキシャルウェーハの製造装置を提供することにある。
【解決手段】エピタキシャル炉１０と、該エピタキシャル炉１０から排出された排ガス中に含まれる有害物質を除去するための排ガス処理手段２０と、前記エピタキシャル炉１０と前記排ガス処理手段２０とを連結し、前記排ガスが移動するための密閉空間をもつガス管３０とを具えるエピタキシャルウェーハの製造装置１であり、前記ガス管３０は、冷却された前記排ガスが液状化したシリコン化合物４０を回収するための少なくとも１つのシリコン化合物捕獲手段３１を具え、前記エピタキシャル炉１０及び排ガス処理手段２０からそれぞれ前記シリコン化合物捕獲手段３１へ向かって下方に連続的に傾斜してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコンエピタキシャルウェーハに含まれる重金属不純物の定性・定量分析を高感度に行うことができる不純物評価方法を提供する。
【解決手段】原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、前記シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と前記評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、該算出温度の少なくとも上下５０℃の温度範囲において、前記シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を２０℃／ｓｅｃ以上として冷却する冷却工程と、前記シリコン単結晶薄膜の表層を化学分析して、前記評価対象不純物の濃度を測定する評価工程とを行うシリコンエピタキシャルウェーハの不純物評価方法。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の成長温度を高くすることなく、低い酸素原子濃度を有し、表面欠陥の小突起が発生しにくいＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の製造方法、およびそれにより得られるＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】筐体の内部に配置された反応炉の内部で化合物半導体基板を製造する方法であって、前記筐体の内部を酸素濃度が４５ｐｐｍ以下の雰囲気に保ったまま、ベース基板を筐体の内部であって反応炉の外部から、反応炉の内部に移動し、前記ベース基板を前記反応炉の内部に配置する段階（１）と、前記反応炉の内部に配置されたベース基板の上に化合物半導体を７００℃以下でエピタキシャル成長させる段階（２）とを含む化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

一実施形態では、シャワーヘッドを備えた有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）チャンバの処理領域内のサセプタ上に１枚または複数の基板を設置するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ中へとシャワーヘッドを通して第１のガリウム含有前駆物質および第１の窒素含有前駆物質を流すことによって、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いて基板の上方に窒化ガリウム層を堆積するステップと、大気に１枚または複数の基板を曝すことなくＭＯＣＶＤチャンバから１枚または複数の基板を取り除くステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するために、処理チャンバ中へと塩素ガスを流すステップと、シャワーヘッドから汚染物を除去するステップの後で、ＭＯＣＶＤチャンバ中へと１枚または複数の基板を搬送するステップと、ＭＯＣＶＤチャンバ内部で熱化学気相堆積プロセスを用いてＧａＮ層の上方にＩｎＧａＮ層を堆積するステップとを備えた、化合物窒化物半導体デバイスを製造するための方法を提供する。
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【課題】電流増幅率を向上させ、基板種に影響されず良好な特性のデバイスを製造できる化合物半導体エピタキシャル基板を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板２上に、サブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、エミッタ層４４、エミッタコンタクト層４６、４７がこの順序で形成されている化合物半導体エピタキシャル基板１において、ＧａＡｓ基板２とサブコレクタ層４１との間に形成されるバッファ層３を酸素を含むＡｌ_x Ｇａ_1-x Ａｓ (０≦Ｘ≦１）層とし、酸素を含むバッファ層３によりＧａＡｓ基板２に存在する欠陥の伝播を抑制し、ベース層４３の結晶性を基板種によらず安定かつ良好にできるようにした。 （もっと読む）

【課題】反応炉への副生成物の付着を効果的に低減することのできる技術を提供する。
【解決手段】反応炉１内に処理対象のウェーハＷを収容し、ウェーハＷにエピタキシャル層を気相成長させてエピタキシャルウェーハをするエピタキシャルウェーハ製造方法において、ウェーハＷにエピタキシャル層を形成するためのトリクロロシラン（ＴＣＳ）を供給して気相成長させる気相成長工程において、トリクロロシランと共に塩化水素を供給するようにする。これにより、気相成長工程中に炉内に付着する副生成物を低減することができる。このため、気相成長工程後において副生成物の除去を行う必要性を低下させることや、副生成物を除去する頻度を低減させることができ、生産性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

本発明が関連するのは、原則的に、中空の石英ピースからなる、エピタキシャル反応器の反応室であって、前記中空の石英ピースは、円柱型、角柱型、錐体型、あるいはピラミッド型の石英ピースの部分（１）と、前記石英ピースの部分（１）の中の軸が通る穴（２）とを備え、前記石英ピースの部分（１）は、三方向のうち二方向に準じて、反応沈着ゾーン（３）を定め、前記軸が通る穴（２）の中に、熱せられる、少なくとも一つのサセプター（４）を収容する。反応室は、石英に基づく物質で作られ、前記サセプター（４）によって放射される赤外線放射を反射し返すように適合された反射層（５）を備え、前記反射層（５）は、前記石英ピースの部分（１）、及び／または、前記反応室の石英の構成要素に塗布される。
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【課題】反応室本体の開口部を封止する封止部材を有する反応室を備え、開口部と封止部材の間からの反応ガスの漏れを高精度に検出できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室Ｍ１とその内部に反応ガスを供給するガス供給手段１５を備え、ガス供給手段１５により反応ガスを反応室Ｍ１の内部に供給することにより反応室Ｍ１に収容されたウェーハの表面に気相成長を行う気相成長装置１０であって、反応室Ｍ１は、ウェーハが収容される収容空間を形成すると共に収容空間にウェーハを導入するための開口部Ｍ３を有する反応室本体Ｍ２と、反応室本体Ｍ２の開口部Ｍ３を封止する封止部材１３とを有し、気相成長装置１０は、反応室本体Ｍ２の開口部Ｍ３に対して封止部材１３を締め付ける締め付け部材３１と、締め付け部材３１による封止部材１３の締め付け力についての開口部Ｍ３が拡がる方向のバランスの良否を判定可能な状態とするバランス判定手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダウンタイム発生と汚染発生を防止し、回転状態におけるウェーハの温度校正を可能とする。
【解決手段】半導体ウェーハを処理する気相成長装置の温度校正を半導体ウェーハのエッチオフ量によっておこなう方法であって、エッチオフ条件設定工程Ｓ０１と、検量ウェーハ準備工程Ｓ０２と、検量エッチオフ工程Ｓ０４と、検量線決定工程Ｓ０５と、校正ウェーハ準備工程Ｓ０６と、校正エッチオフ工程Ｓ０８と、測定炉内温度状態算出工程Ｓ０９と、測定炉校正工程Ｓ１０とを具備してなる。 （もっと読む）

内部スペースを有する加熱チャンバ内において半導体ウェハをサポートするバレルサセプタを提供する。各ウェハは、フロント面、バック面及び外周面を有する。サセプタは、本体の仮想の中心軸の周りに配置された複数の面を有する本体を含む。各面は、外面及び当該外面から本体に横方向内側へ延びる凹部を有する。各凹部は、各凹部を画定するリムにより囲まれている。さらに、サセプタは、上記本体から外側に延びる複数の棚部を備える。各棚部は、凹部の１つに配置され、凹部に受容された半導体ウェハをサポートする上方に向いたサポート面を含む。各サポート面は、各面の外面から離間されている。
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【課題】エピタキシャルウェーハの生産性を向上させる、ウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル成長装置のサセプタにウェーハをロードまたはアンロードするためのウェーハ自動移載装置であって、可動アームと、この可動アームに取り付けられるウェーハ保持ハンドと、このウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタとの相対位置をモニタする位置センサと、ウェーハ保持ハンドに固定され、ウェーハ保持ハンドとサセプタ間の距離を計測する距離センサを有することを特徴とするウェーハ自動移載装置およびこれを用いたウェーハ移載方法。 （もっと読む）

【課題】 エピタキシャル層のエピタキシャル成長を中断した部分の抵抗率の上昇を抑制できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】 エピ成長炉内で複数回に分けてエピタキシャル成長を行なうことにより、ウェーハ上にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記エピタキシャル成長を中断して再開する前に、前記エピ成長炉内にドーパントガスを流入させるエピタキシャルウェーハの製造方法とする。 （もっと読む）