基板装入工程または／および基板引出工程時に、反応室内からパーティクルを有効に排除することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
ウェハ（２００）を反応室（２０１）に装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、ウェハ（２００）を処理する工程における排気流量よりも大きな排気流量にて反応室（２０１）内を排気する。前記ウェハ（２００）を装入する工程または／およびウェハ（２００）を引き出す工程では、前記反応室（２０１）内に不活性ガスを導入しつつ排気することが好ましい。
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バッチ式プロセスシステムのプロセスチャンバにおけるシステム構成要素の状態をモニタリングするための方法及びシステムが提供されている。この方法は、システム構成要素を光源からの光に露出させることと、システム構成要素の状態を決定するためにシステム構成要素との光の相互作用をモニタリングすることとを有している。この方法は、チャンバクリーニングプロセス、チャンバコンディショニングプロセス、基板エッチングプロセス及び基板フィルム形成プロセスを含み得るプロセスの間のシステム構成要素からの光の透過並びに／もしくは光の反射を検出することができる。システム構成要素は、プロセスチューブ、シールド、リング、バッフル及びライナーのようなシステムの消耗する部分であり得て、保護コーティングをさらに有することができる。
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処理中にコンポーネント(200,300)の状態をモニタリングする方法およびシステム。本方法は、処理中にコンポーネントを反応ガス(エロージョン生成物発生のためコンポーネント材をエッチングできる)に曝露することと、コンポーネントの状態を判定するため処理中にエロージョン生成物の放出をモニタリングすることを含む。モニターできる処理はチャンバークリーニング、同コンディショニング、基板エッチングおよび薄膜形成処理を含む。コンポーネントは、チューブ(25)、シールド、リング、バッフル、インジェクター、基板ホルダー(35,12)、ライナー、ペデスタル、キャップカバー、電極およびヒーター(15,20,65,70,122)等消耗部品でもよく、それらは保護コーティングを有していてもよい。処理システム(1,100)は、処理チャンバー(10,102)内のコンポーネント、ガス噴射システム(94,102)、チャンバー保護システム(92,108)およびコントローラ(90,124)を含む。
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真空プラズマ処理された加工物を製造するために、処理される加工物は真空チャンバ（１）へと導入される。真空チャンバ（１）において、少なくともＨｆ周波数帯域における第１の周波数（ｆ₁）でプラズマ放電が確立される。今では処理された加工物を真空チャンバ（１）から取出した後に、後者は洗浄され、これにより、述べられた第１の周波数（ｆ₁）よりも高い第２の周波数（ｆ₂）においてプラズマ放電を確立する。 （もっと読む）

基板の表面を処理するために必要な反応性物質やキャリアガスなどを効率的に利用するとともに、ガスの移送のための設備を簡略化し、省エネルギー化を図ることができる基板処理装置を提供する。反応性物質を含むプロセスガスを供給するガス供給源１２と、ガス供給源１２に接続されプロセスガスを貯留するリザーバタンク１４と、内部に配置された基板をプロセスガスに曝露する反応器１０と、反応器１０の内部のプロセスガスをリザーバタンク１４に導入する第１の循環配管３８と、リザーバタンク１４内のプロセスガスの少なくとも一部を反応器１０に導入する第２の循環配管４２と、第２の循環配管４２に設置され反応器１０に導入されるプロセスガスの量を調整する流量調整バルブ４４とを備えた。
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プラズマ処理装置に有用な部品を表面仕上げする方法が提供される。本部品は、少なくとも１つのプラズマに曝される石英ガラス面を含む。本方法は、所望の表面形態を実現するために、前記プラズマに曝される面を機械研磨すること、化学エッチングすること及び洗浄することを含む。それらの方法により、前記部品の石英ガラス密封面も仕上げることができる。同一の部品のプラズマに曝される面及び密封面は、互いに異なる表面形態に仕上げられうる。
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【課題】 有機モノマーを飽和蒸気圧の大きい高温で効率良く気化させるとともに得られた有機モノマーガスのプラズマ重合反応により有機高分子膜を高真空中で高速成長する。
【解決手段】 液体ジビニルシロキサンビスベンゾシクロブテン（ＤＶＳ−ＢＣＢ）モノマーをキャリアガスと混合した後、高温に保持された減圧気化室に噴霧して有機モノマーの液体微粒子からなるエアロゾルを形成し、該エアロゾルを介してＢＣＢモノマー（有機モノマー）を瞬時に気化させてＢＣＢモノマーガス（有機モノマーガス）を発生させる。これによって、比表面積の大きいエアロゾルは気化面積が大きく、高温加熱しても重合反応が生じる前に気化が生じるため、飽和蒸気圧の大きい２００℃での０．１ｇ／ｍｉｎ以上のＢＣＢモノマーガスが可能となり、プラズマ重合ＢＣＢ膜を従来の５倍以上の高速成膜が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 真空ポンプを損傷させず整備、点検の容易で且つ燃焼処理を必要としないＰＦＣの処理方法および処理装置を提供する。
【解決手段】 真空室１２の後段には配管１４を介して真空ポンプ１６と反応ガス導入部１７とプラズマ処理部１８と重合体回収部２０とが連続して設置され、処理装置１０を構成する。このように処理装置１０を構成すれば、プラズマ処理後の反応物が真空ポンプを通過することがなく、反応物によって真空ポンプが損傷するのを防止することができる。またプラズマ処理を行う部分については大気圧の環境に設置されるため、プラズマ処理部の整備や点検を容易に行うことができる。また混合ガスをプラズマ処理することによって重合体を生成するので、当該重合体を回収するだけでＰＦＣの処理を済ませることができる。 （もっと読む）