【課題】天盤の少なくとも一部が誘電体窓を形成するエンクロージャを有する誘導結合プラズマ反応器が提供される。
【解決手段】基板支持体２１５が誘電体窓２０７の下のエンクロージャ２００内に配置される。ＲＦ電力アプリケータ２４０が、誘電体窓を通してエンクロージャ内にＲＦ電力を印加するために誘電体窓の上に配置される。複数のガス注入装置２３０、２３５が、処理ガスをエンクロージャ内に供給するために基板支持体の上に均一に分配される。処理ガスの流れを制限するように、円形バッフル２７０が、エンクロージャの内部に配置され、基板支持体の上であるが、複数のガス注入装置の下に配置される。 （もっと読む）

【課題】プラズマからラジカルのみを確実に選択的に通過させることができるラジカル選択装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０のチャンバ１１内において、載置台１２に載置されたウエハＷ及びプラズマジェネレータ１３の間に配置されるラジカルフィルタ１４は、上部シールドプレート１７と、プラズマジェネレータ１３との間に上部シールドプレート１７を介在させるように配置される下部シールドプレート１８とを備え、上部シールドプレート１７は当該上部シールドプレート１７を厚み方向に貫通する複数の上部貫通孔１７ａを有し、下部シールドプレート１８は当該下部シールドプレート１８を厚み方向に貫通する複数の下部貫通孔１８ａを有し、上部シールドプレート１７には負の直流電圧が印加され、下部シールドプレート１８には正の直流電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】基板の処理の終了後に余熱によって薄膜に所望しない反応が生じてしまうことを防止でき、薄膜の結晶構造を安定させ、搬送ロボット等の破損を低減する。
【解決手段】複数の処理領域を有する反応容器内に設けられた基板支持部に基板を載置する工程と、基板を所定の処理温度に加熱しつつ、第１のガスを第１の処理領域内に供給し、プラズマ状態とした第２のガスを第２の処理領域内に供給し、第１の処理領域及び第２の処理領域を基板が通過するようにさせて、基板上に薄膜を形成する工程と、反応容器内への第１のガス及び第２のガスの供給を停止し、反応容器内に不活性ガスを供給して処理済みの基板を冷却する工程と、反応容器外に処理後の基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法を用いて、例えば太陽電池の発電層となるシリコン膜を成膜するにあたって、シリコン膜の結晶性を制御することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】水素ガスとモノシランガスとを予め混合し、この混合ガスをプラズマ化して、基板Ｓ上にシリコン膜Ｆ１を成膜する第１の工程（プリミックス）と、水素ガスとモノシランガスとを別々に供給してプラズマ化し、シリコン膜Ｆ２を成膜する第２の工程（ポストミックス）とを組み合わせる。組み合わせの例としては、基板Ｓ上にプリミックスによりシリコン膜Ｆ１を成膜しそのシリコン膜Ｆ１上にポストミックスによりシリコン膜Ｆ２を成膜する方法、基板Ｓ上にシリコン膜Ｆ１及びＦ２を交互に複数回成膜する方法などが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】 基板であるウエハに対して面内均一性の高い成膜処理を行うこと。
【解決手段】真空容器１内において、ＢＴＢＡＳガスが供給される処理領域Ｐ１とＯ_３ガスが供給される処理領域Ｐ２を、水平面に沿って回転する回転テーブル２の周方向に沿って配置する。前記処理領域Ｐ１のＢＴＢＡＳガスを分離ガスと共に排気するために、回転テーブル２の外側に設けられた排気口６１を設けると共に、この排気口６１を覆い、基板載置領域２４の外縁から内縁に亘って伸びる中空体よりなる排気ダクト７を設ける。この排気ダクト７には、基板載置領域２４の少なくとも内縁側の位置に第２の排気用開口部が設けられており、第１の処理ガスノズル３１から吐出されたＢＴＢＡＳガスは、この第２の排気用開口部に向けて流れるので、ウエハＷの径方向に高い均一性を持ってＢＴＢＡＳガスが供給され、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバを洗浄するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ内の支持部材の中のチャネルへの冷却流体フローを遮断するステップと、支持部材をガス分配プレートの約０.１インチ以内であるように上昇させるステップと、ガス分配プレートを加熱するステップと、熱伝導ガスをガス分配プレートを通って処理チャンバに導入するステップと、を含む前記方法及び装置。一態様においては、チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に少なくとも部分的に配置され且つその上に基板を支持するように適合された支持アセンブリとを備えている。チャンバは、チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリを更に備えている。リッドアセンブリは、最上部プレートと、それとの間にプラズマキャビティを画成するガス分配アセンブリとを含み、ガス分配アセンブリが基板を加熱するように適合されている。Ｕ型プラズマ領域を有するリモートプラズマ源は、ガス分配アセンブリに接続されている。 （もっと読む）

【課題】処理対象である複数の基板が多段に配置される熱処理装置であって、基板間の処理の均一性を改善することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を多段に支持する支持体１６と、前記支持体を内部に収容可能な反応管であって、該反応管の長手方向に配列され前記反応管の内部にガスを供給する複数のガス供給管が設けられる当該反応管１０と、前記反応管内において、前記複数のガス供給管の開口端１７ａ−ｄと、前記反応管内に収容される前記支持体との間に配置される板状部材１１ｂであって、前記複数のガス供給管に対応して形成される開口部が設けられる当該板状部材と、前記反応管の外側に配置され、前記反応管内に収容される前記支持体により支持される前記複数の基板を加熱可能な加熱部とを備える熱処理装置。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＳ系太陽電池の光吸収層形成のためのセレン化又は硫化処理を行う基板処理装置において、ガラス基板の大型化に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】銅−インジウム、銅−ガリウム、又は、銅−インジウム−ガリウムのいずれか一つからなる積層膜が形成された複数の基板を収納する処理室と、処理室を構成するように形成される反応管と、処理室にセレン元素含有ガス又は硫黄元素含有ガスを導入するガス供給管と、処理室内の雰囲気を排気する排気管と、反応管を囲うように設けられた加熱部と、複数のガラス基板の表面において、複数のガラス基板の短辺方向に前記処理室内の雰囲気を強制対流させるファンと、を具備する基板処理装置である。 （もっと読む）

【課題】基板の加熱ムラを防止する。
【解決手段】基板１の加熱ムラを防止する基板処理装置１０は、処理室内１２に設けられ基板を保持する基板保持部２１と、前記処理室内にマイクロ波を供給するマイクロ波供給部２６と、前記基板保持部と前記マイクロ波供給部との間に設けられ、複数の貫通孔２０が、前記基板保持部に保持された前記基板の中心に対向した部位の孔密度が前記基板の端部に対向した部位の孔密度よりも高くなるように設けられている拡散板１９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】処理室下部（炉口部）の熱的ダメージによる部材の劣化が成膜に影響を与えたり、歩留まりを悪くしたりすることを防止し、高品質な成膜が可能であり、生産性の高いＳｉＣ縦型熱処理装置の提供。
【解決手段】
基板を積層して収納する処理室と、該処理室内を所望の温度迄加熱する加熱手段と、前記処理室に所望の処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段とを具備し、前記ガス供給手段は、前記基板の積層方向に立設されたガス供給ノズルと、前記処理室の下部を形成するマニホールドとを有し、前記マニホールドの壁部には、処理室の下部を冷却する水路を有する。 （もっと読む）

【課題】気相成長時に原料ガス流量は大きく変化した場合においても、基板上において、膜質劣化のない膜体を高い再現性の下に作製することが可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】実施形態の気相成長装置は、ガス導入部、及びこのガス導入部と連続するようにして設けられたガス反応部を含む反応管と、前記反応管の、前記ガス反応部の内部に表面が露出し、前記表面に基板を載置及び固定するためのサセプタとを具える。また、前記反応管の前記ガス導入部において、前記反応管の高さ方向において順次に配置されてなる複数のガス導入菅と、前記反応管の外部において、前記複数のガス導入管それぞれに供給すべきガスを切り替えるための切替装置とを具える。 （もっと読む）

【課題】インジェクター本体の長さ方向に均一な濃度のガスを供給することの可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の基板に２種類の反応ガスを順番に供給して薄膜を形成する成膜装置は、基板を載置するために設けられ、回転テーブルの回転方向に互いに離れて配置された基板載置領域と、分離ガス供給手段を備えた分離領域とを備える。真空容器に反応ガスを供給するガスインジェクターは、ガス流路を構成するインジェクター本体の壁部に、その長さ方向に沿って配列された複数のガス流出孔と、前記インジェクター本体の外面との間にスリット状のガス吐出口を形成するように設けられ、ガス流出孔から流出したガスをガス吐出口に案内する案内部材と、を備える。このガスインジェクターは前記回転テーブルの移動路と交差する方向に伸び、且つ前記ガス吐出口を当該回転テーブルに対向させて配置されている。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する原子層堆積装置であって、原料ガス供給口と反応ガス供給口とが形成された成膜容器と、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部と、液体原料貯蔵部に貯蔵された液体原料を直接気化し、流量を制御する気化制御部と、を含み、原料ガスを原料ガス供給口に供給する原料ガス供給部と、原料ガスと反応して薄膜を形成する反応ガスを反応ガス供給口に供給する反応ガス供給部と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部と、原料ガス供給口から供給される原料ガスが衝突するように配置される衝立板と、衝立板の温度を調節する温度調節部と、を有することを特徴とする原子層堆積装置。 （もっと読む）

【課題】ガス排出路の下流端に堆積した材料の逆流の問題が克服または軽減される熱処理炉と、この逆流の問題を克服または軽減するように従来の熱処理炉に（場合によっては本来設置されていたライナーの交換品として）設置されうるライナーとを提供する。
【解決手段】中心軸を有する略ベルジャー形の外側反応管と、複数の基板を保持したウェーハボートを収容するための開端式内側反応管とを備える熱処理炉であって、内側反応管は外側反応管内にほぼ同軸に配設され、これにより内側反応管の外壁と外側反応管の内壁との間にガス流路が画成され、内側反応管の外壁と外側反応管の内壁の少なくとも一方に、当該壁からガス流路内に半径方向に突出する流れデフレクタが設けられる熱処理炉。 （もっと読む）

【課題】基板表面上における原料ガスの流速を部分的に、かつ、基板表面上の全体的に連続して調節可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】基板処理室２３０内に位置して、シャワープレート１１０と対向するように被処理基板３００を支持する基板支持部２１０と、ガス導入室１３０内において、ガス配管１４０とシャワープレート１１０との間でシャワープレート１１０と対向するように位置してガス導入室１３０を分割し、ガス配管１４０側からシャワープレート１１０側に原料ガス１８０を通過させる複数の孔部１２１を有する仕切板１２０と、仕切板１２０を傾斜可能に支持して、仕切板１２０とシャワープレート１１０との間の距離を連続的に変更可能なシャフト１６０とを備える。シャフト１６０により仕切板１２０の位置を調節することにより、孔部１１１および孔部１２１を通過する流速を調整された原料ガス１８０を基板支持部２１０に支持された被処理基板３００上に供給する。 （もっと読む）

【課題】複数の原料ガスを交互に供給することにより基板上に成膜する反応室の下流側に設けられるバルブや真空ポンプ等の劣化を抑制することができる真空成膜装置を提供する。
【解決手段】基板が載置される反応室と、第１の原料ガスをその原料供給源２２から前記反応室へ供給する第１の原料ガス供給手段と、前記第１の原料ガスと反応する第２の原料ガスをその原料供給源４２から前記反応室に供給する第２の原料ガス供給手段と、前記第１の原料ガスと前記第２の原料ガスとが交互に前記反応室に供給されるように前記第１の原料ガス及び前記第２の原料ガスの流れを制御する原料ガス制御手段と、前記反応室から排出される原料ガスが供給されるトラップ６１と、前記第２の原料ガスをその原料供給源４２から前記反応室を経由せずに前記トラップ６１に供給する手段とを有する真空成膜装置１。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの流れ方向におけるサセプタにかかる領域で、上流側での原料ガスの消費を抑え、エピ厚さのウェハ面内の均一性を向上させることができる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体結晶基板１１上に、化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１０において、反応炉１８内で原料ガス流路Ｇを形成する反応管１６内にスロープ２３を有する。 （もっと読む）

【課題】基板加熱用ヒータと電極部品との接続部へのプロセスガスの回り込みによる劣化を抑制し、半導体装置の高性能化や信頼性の向上、低コスト化を図ることが可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室１１にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構１２と、前記反応室より前記プロセスガスを排出するガス排出機構１３と、前記反応室にウェーハＷを載置するウェーハ支持部材１５と、該ウェーハ支持部材を載置するリング１６と、該リングと接続され、前記ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構１７と、前記リング内に設置され、前記ウェーハを所定の温度に加熱するために設けられ、平面度０〜０．０１ｍｍの電極接触面１８ｃを有するヒータ１８ａと、該ヒータの前記電極接触面と、平面度０〜０．０１ｍｍの接触面１９ａで接続され、前記ヒータに電力を供給する電極部品１９と、を備える半導体製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】製膜室内で発生したパーティクルに起因した製膜室における内部リークの発生が防止され、良好な面内均一性を長期間、安定に実現可能な半導体膜製造装置および半導体膜製造方法を得ること。
【解決手段】製膜室５と、製膜室５の一側壁部に設けられて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための搬入出ゲート１５と、搬入出ゲート１５を介して製膜室５と接続されて製膜室５へ基板２を搬入し且つ搬出するための減圧可能な搬送室２０と、一側壁部の搬送室２０側の側面における搬入出ゲート１５の周縁部の全周にシール材１１を挟んだ状態で搬入出ゲート１５を塞いで製膜室５を密閉可能な開閉自在のゲートバルブ１０と、搬入出ゲート１５に配置されて製膜室５内で発生したパーティクル８を捕捉するためのトラップ板９と、を備える。 （もっと読む）