【課題】 基板を加熱するためのヒータ、及び該ヒータに通電する電流導入端子を備えた気相成長装置であって、電流導入端子から気相成長装置外部への熱拡散を効果的に抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電流導入端子の内部に冷媒の流路が設けられ、導電性の電流導入端子本体に該冷媒が接触可能となるように構成されてなる気相成長装置とする。好ましくは前記の冷媒の流路のほか、側壁部と電流導入端子の間及び／または電流導入端子と電流導入端子の間に、冷媒が流通する冷却容器を備えた気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴには、ソレノイドコイル３１が、石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３１に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットＴと基材２間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材２にシリコン系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】発生したプラズマ励起ガスを効率的に取り出すことができる、簡易な構成のプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルに交流電圧を印加する電源部１７と、前記電極セルを囲繞する筐体と、当該筺体外部から前記電極セルの外周部へと原料ガスを供給する原料ガス供給部とを、備えている。前記電極セルは、低圧電極１と高圧電極３と誘電体２ａ，２ｂとを備え、誘電体バリア放電空間６を有し、貫通口ＰＨを有するドーナツ形状である。また、プラズマ発生装置は、貫通口ＰＨの内部に配設されている円筒形状の側面部に噴出孔２１ｘを有する絶縁筒部２１と、絶縁筒部２１の空洞部２１Ａ内の圧力を減圧する、減圧装置とをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】薄膜がアンテナに付着するのを抑制可能なプラズマ装置を提供する。
【解決手段】プラズマ装置は、アンテナ１を備える。アンテナ１は、絶縁管１ａと、導体１ｂと、伝熱材１ｃとを含む。絶縁管１ａは、略Ｕ字形状を有し、Ａｌ_２Ｏ_３からなる。導体１ｂは、略Ｕ字形状からなり、筒状部分１ｄを有する。筒状部分１ｄには、冷却水が流される。そして、導体１ｂは、絶縁管１ａ内に挿入される。伝熱材１ｃは、絶縁管１ａと導体１ｂとの間に充填される。そして、伝熱材１ｃは、シリコン樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ装置の大型化にも対応でき、膜厚や組成比が均一の良質なデバイスの製造が可能なシャワープレート及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置に用いるシャワープレートの製造方法であって、第一構成部材及び第二構成部材にザグリ孔及び貫通孔を設ける工程と、前記第一構成部材のザグリ孔に前記ガス吐出パイプを差し込む工程と、第二構成部材のザグリ孔に前記第一構成部材に差し込まれた前記ガス吐出パイプの他端が前記第二構成部材から突出するように差し込む工程と、前記第一構成部材のザグリ孔と、前記ガス吐出パイプを溶接する第一溶接工程と、前記第二構成部材のザグリ孔と、前記ガス吐出パイプを溶接する第二溶接工程と、前記第一構成部材と前記第二構成部材を溶接する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁波を入射する入射窓の冷却ムラを抑制し、かつ、冷却に使用する空気流量を減らすことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】アンテナ１５からの電磁波をチャンバ内部に入射する入射窓（天井板）を有するプラズマ処理装置において、アンテナ１５の上方に、入射窓（天井板）を冷却する空気を供給する噴出孔３１ａ〜３１ｆを複数設けると共に、噴出孔３１ａ、３１ｂ、３１ｄ、３１ｅを、アンテナ１５の周囲で密に配置した。 （もっと読む）

【課題】ガス吐出部分が金属とセラミックスの２層構造のシャワープレートを有するシャワーヘッドを用い、均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】シャワーヘッド１８は、ガス導入孔６１ａが形成された金属製の上部プレート６１と、複数のガス通過孔６６が形成された金属製の下部プレート６２と、上部プレート６１と下部プレート６２との間に設けられたガス拡散空間Ｓと、下部プレート６２の下側全面を覆うように設けられ、ガス通過孔６６に対応して複数のガス吐出孔６７が形成されたセラミックス製のカバー部材６４と、ガス拡散空間Ｓ内に上部プレート６１と下部プレート６２との間を接続するように設けられ、処理にともなって発生する熱を上方へ伝熱する複数の伝熱部材７０ａ，７０ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱を用いて基板を熱処理する熱処理装置において、基板の温度均一性を高くし、かつ効率を高くすること。
【解決手段】複数の基板Ｓに熱処理を施す熱処理装置１は、熱処理が施される複数の基板を収容する誘電体からなる処理容器２２と、複数の基板Ｓを上下に配列した状態で保持し、処理容器２２内へ挿脱される基板保持部材２４と、処理容器２２の外周に巻回される誘導加熱コイル１０４と、誘導加熱コイル１０４に高周波電力を印加する高周波電源１１０と、処理容器内２２で、複数の基板Ｓにそれぞれ重ね合うように設けられ、誘導加熱コイル１０４に高周波電力を印加することにより発生した誘導電流が流れて発熱する、スパイラル状部を有する誘導発熱体Ｎとを具備する。 （もっと読む）

【課題】電界強度を均一にし、且つ導入したガスの分布を均一にすることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】上部電極１１０と下部電極１１２が対向し、チャンバー壁１１４により覆われた処理室１０２と、処理室とは上部電極と絶縁物により隔てられ、チャンバー壁により覆われたライン室１０４とを有する。処理室は、シャワー板１１８、第１のガス拡散室１０６、分散板１１６、第２のガス拡散室１０８、上部電極内の第１のガス管１２０、第２のガス管１２２に接続され、第２のガス管は処理用ガス供給源１２４に接続されている。分散板は、上部電極の電極面に接続された上部電極内の第１のガス管のガス導入口と対向し、ガス孔が設けられていない分散板中央部１３０と、複数のガス孔が設けられている分散板周辺部１３２とを有する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の温度をより均一にすることが可能な真空処理装置を提供する。
【解決手段】被処理物２の温度を制御する温度制御機構３０が、アノード電極３１に設けられる。温度制御機構３０は、加熱器３３、冷却管３４、および低熱伝導物質３５を含む。冷却管３４は、端面３１Ｔからアノード電極３１の内部に入り込み、アノード電極３１の表面３１Ｓに沿うように加熱器３３と並んで延設される。冷却管３４には端面３１Ｔ側から冷却用媒体が通流される。低熱伝導物質３５は、端面３１Ｔから冷却管３４を取り囲みつつアノード電極３１の内部に入り込むように所定の長さＬ２で延在し、冷却管３４の長手方向における一部とアノード電極３１との間を埋める。低熱伝導物質３５は、冷却管３４の長手方向における残部とアノード電極３１とが直接接触している部分の熱伝導率よりも低い熱伝導率を有する。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができ、かつ、再現性に優れたプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的としている。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射する。真鍮ブロック５は開口部１２を先端として先細形状に構成され、放射光の光軸４３が真鍮ブロック５によって遮られない位置に、基材２の表面温度を測定するための放射温度計受光部４２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極及び基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが生成される排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を方形導波管の基本伝送モードであるＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間にプラズマを発生させる一対の変換器と、基板側リッジ電極２１ｂの外面側に設置されて温度を均等に加熱する均熱温調器４０と、排気側リッジ電極２１ａの外面側に設置されてプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向の熱流束を制御する熱吸収温調ユニット５０とを有し、基板Ｓを排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間に設置してプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】従来よりも加工時間を短縮でき、且つ流路のリークや汚染を抑制することができる流路付きプレート等を提供する。
【解決手段】流路付きプレートは、流体を流通させる流路がプレートの内部に形成された流路付きプレートであって、金属又は合金によって形成され、流路となる溝が設けられた本体プレートと、上記溝を覆う蓋プレートと、金属又は合金の粉体をガスと共に加速し、本体プレート及び蓋プレートに向けて固相状態のままで吹き付けることにより形成され、蓋プレートを覆う堆積層とを備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ処理装置において、カソード電極の反りや歪みを防止する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマＣＶＤ装置１００は、基板を収容する処理容器１０３と、処理容器１０３内に配置されたカソード電極１０１およびアノード電極１０２とを備えている。カソード電極１０１は、互いの間にバッファ室４を構成するバッキングプレート３とシャワープレート２とを備えている。シャワープレート２には、バッキングプレート３と接する中間締結部６および外周締結部７が形成されており、バッキングプレート３の熱容量に対するシャワープレート２の熱容量の比は１／２以上である。このため、プラズマ発生時において、シャワープレート２とバッキングプレート３との温度差の過渡的な変化が抑制され、カソード電極１０１の反りや歪みが抑制される。 （もっと読む）

【課題】高周波電極の温度分布の温度勾配を少ない状態に保ち、高周波電極の歪みを抑制する。また、プラズマＣＶＤ成膜装置のメンテナンスにおいて、メンテナンス操作を簡易なものとし、メンテナンスに要する時間を短縮する。
【解決手段】高周波電極の熱放射の放射効率を高めることによって高周波電極を冷却し、これによって高周波電極に温度分布の均一性を向上させる。本発明の高周波電極は、放電面と反対側の背面に熱放射の放射率を高める表面処理を施し、背面に熱放射の放射率を高める表面処理を施すことによって、高周波電極の熱放射による冷却効率を高める。熱放射は高周波電極から一様に行われるため、高周波電極は一様に冷却され、高周波電極の温度分布は均一となる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、上部電極に供給する電力が高周波である場合の上部電極の表面における電力の伝播を安定なものとする。
【解決手段】上部電極と下部電極が対向してチャンバー内に備えられたプラズマ処理装置における、該上部電極と該上部電極を覆うチャンバー壁の間（同軸管内）の雰囲気を、陽圧の不活性ガス雰囲気とし、前記上部電極と前記上部電極を覆う前記チャンバー壁は同軸形状とする。前記上部電極には整合器が電気的に接続されていることが好ましい。また、前記不活性ガス雰囲気は冷却されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】珪素粒子の欠陥密度を可及的に低減すること。
【解決手段】珪素粒子１を積載する第一の電極２と、水素プラズマの発生領域を挟んで第一の電極２に対向して配設されている第二の電極４と、第一の電極２の温度が第二の電極４の温度よりも高くなるように温度制御して第一の電極２と第二の電極４との間に原料ガスの対流を起こす温度制御手段（ヒーター３、冷却管６）と、を備え、原料ガスの対流によって第一の電極２に積載されている珪素粒子１を水素プラズマ中に浮遊させて水素プラズマに曝露する。 （もっと読む）

【課題】導電体の熱断線の発生を抑制することができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】反応性ガスが導入される密封可能なチャンバーと、前記チャンバー内に対向状に配置されたカソード電極およびアノード電極を有し前記カソード電極と前記アノード電極の間でプラズマ放電を発生する放電部と、前記カソード電極に電力を供給する電源と、前記電源と前記カソード電極とを電気的に接続する導電体と、前記導電体を冷却する空冷手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板を一定温度に保つことができ、バッチ処理の回数が増えても基板に形成される膜の品質を安定させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室内に基板Ｗを配し、基板Ｗの被成膜面にＣＶＤ法により所望の膜を形成する成膜装置１０において、電圧が印加される平板状のシャワープレート７５と、シャワープレート７５に離間して対向配置されるアノード６７とを有する電極ユニット３１を成膜室に対して着脱自在に設け、アノード６７に、基板Ｗを加熱するためのヒータＨを内蔵すると共に、アノード６７のシャワープレート７５とは反対側の面に、アノード６７を冷却するための冷却板９１を設け、冷却板９１に、冷却用水を循環させるための冷水配管を設けた。 （もっと読む）