【課題】加熱効率が高く、しかも更なる高速での昇温及び降温が可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すようにした熱処理装置２において、排気可能になされた処理容器４と、前記処理容器内に設けられてその上面側に前記被処理体を載置させるための載置台１８と、前記載置台の上部に設けられる複数の熱電変換素子２２と、前記処理容器の天井部を気密に覆う光透過窓８と、前記処理容器内に向けて必要なガスを導入するガス導入手段１２と、前記光透過窓の上方に設けられて前記被処理体に向けて加熱用の光を射出する半導体光射出素子５８を含む複数の加熱光源５２よりなる加熱手段４６とを備える。これにより、加熱効率が高く、しかも被処理体に対して更なる高速での昇温及び降温が可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板のプラズマ処理において、動的な温度制御能力を有する基板支持体を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる基板支持体４０であって、金属熱伝達部材４８と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャック５０と、を備え、前記熱伝達部材４８は、当該熱伝達部材４８に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも１つの流路を有する。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び／又は冷却することが出来る。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の冷却媒体の使用量を増加させずに冷却効果を高める。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内を加熱する加熱部と、処理室外に設けられ、処理室と処理室外の機器とを冷却する少なくとも1つ以上設けられた冷却部と、冷却部に供給される冷媒の熱を、冷却部から排出される冷媒へ熱移動させる熱移動部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で対象物を直接に温度制御でき、熱効率が高く、かつ小型で簡易的な温度制御装置、およびこの温度制御装置を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】この温度制御装置は、真空チャンバ１１内に設置されかつ対象物を配置する伝熱ステージ１２の温度を制御するための温度制御装置であって、ピストン機構部１３Ａと冷凍機冷却部１３Ｂを有し、冷凍機冷却部を伝熱ステージに直接に接触させるように当該冷凍機冷却部が真空チャンバの内部に配置されるようにされた冷凍機１３と、冷凍機の冷却運転動作を制御する制御部１７とを備えるように構成される。また真空処理装置１０はこの温度制御装置を備えるように構成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことにより、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗのシリコン層の表面に、ゲート絶縁膜との間に介在される界面酸化層を形成する成膜方法において、シリコン層をケミカル洗浄処理することによってケミカル酸化膜を形成するケミカル酸化膜形成工程と、ケミカル酸化膜の形成された被処理体に対して酸素分圧が０．２〜２Ｐａの範囲内の雰囲気中で熱処理を施すことにより界面酸化膜を形成する熱処理工程とを有する。これにより、シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことで、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得る。 （もっと読む）

【課題】減圧した後、上端面が外側に湾曲している縦型の反応管内に処理ガスを供給して、反応管内の基板に対して例えば成膜処理などの熱処理を行うにあたり、面内及び基板間において均一性高く処理を行うこと。
【解決手段】反応管内における基板が保持される処理領域の上方の領域に、多数の板状体などの構造物を設置することにより基板保持具の収納領域の上方側空間を埋める。反応管の外周面に沿って処理ガス導入ダクトを上下方向に設け、このダクト内を処理ガスを上昇させ、反応管の上端面のガス導入口から処理空間に導入する。前記構造物を配置することで上方領域における処理ガスの滞留が抑えられて過剰な反応活性種の生成が抑制される。 （もっと読む）

【課題】基板の加熱による成膜処理への影響を抑えることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた回転テーブルに載置された基板を加熱するために設けられた基板加熱手段と、回転テーブルの周方向に互いに離れて設けられ、前記回転テーブルにおける基板の載置領域側の面に夫々反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、反応ガスが供給される各処理領域間の雰囲気を分離するために、前記周方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域に分離ガスを供給する分離ガス供給手段と、前記回転テーブルに供給された各反応ガス及び分離ガスを排気するための排気口と、前記真空容器を加熱し、また冷却することができるように構成された温調手段と、を備えるように成膜装置を構成することで、真空容器の温度制御を行い、前記基板加熱手段からの温度の影響を抑える。 （もっと読む）

【課題】チャンバー内部の温度を正確に調節できる電極部材及びこれを含む基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマを生成するための電極部材において、電極板と、前記電極板と熱接触する複数の熱電モジュール（１０）を備える冷却ユニットとを含んで電極部材を構成する。また、電極板は、プラズマが生成される生成空間と対向する前面及び前面と対向する後面を有し、各熱電モジュール（１０）は電極板の後面に配置される。電極板の後面には後面から陥没された設置ホールが形成され、各熱電モジュール（１０）は設置ホールに実装される （もっと読む）

【課題】ステージに対する電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して、基板Ｇを処理するプラズマ処理装置１において、温度調節機構２０，２１を備えたステージ本体１３と、ステージ本体１３の上面に配置された回転部材３１と、回転部材３１を介してステージ本体１３の上面と一定間隔に保持するように配置された、基板Ｇを載置する均熱板１４と、均熱板１４を回転させる回転機構３６とを備える。ステージ本体１３の上方において均熱板１４のみが回転し、基板Ｇに対する均一なプラズマ処理が行われる。固定されたステージ本体１３に対して、電力供給や熱媒の循環を容易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理を行う場合でもトレイの温度上昇を抑えることができるようにする。
【解決手段】前記トレイ１６は、下部電極１２の上面とほぼ同じ直径寸法を有する円板状の部材で、その上面には円形状の凹部２０が設けられている。前記凹部２０の数及び直径寸法は載置される基板の直径寸法に応じた適宜の値に設定されている。トレイ１６には、前記凹部２０の底面に温度制御面が接するようにペルチェ素子２２が配設されている。下部電極１２には、前記ペルチェ素子２２に直流の電流を供給する電流供給機構２５が設けられている。トレイ１６を下部電極１２に載置することによりペルチェ素子２２と電流供給機構２５が電気的に接続されてペルチェ素子２２に電流が供給される。 （もっと読む）

【課題】温度変更を迅速に行なうことが可能な気相成長装置および当該気相成長装置を用いた半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】気相処理装置１は、処理室４と、サセプタ２と、ヒータ５と、壁部冷却部材５２と、反応ガス供給部材９とを備える。サセプタ２は、処理室４の内部に表面が露出し、当該表面に基板８を搭載する。ヒータ５は、サセプタ２を加熱する。壁部冷却部材５２は、処理室４の壁面を冷却する。反応ガス供給部材９は、処理室４の内部に反応ガスを供給する。ヒータ５の昇温速度は１００℃／分以上であり、かつ、投入可能最大熱量は１０ｋＷ以上である。壁部冷却部材５２の冷却能力はヒータ５の投入可能最大熱量より大きい。反応ガス供給部材９は、水素ガスおよび窒素ガスの少なくともいずれか一方を含むガスを処理室４の内部に１００ｓｃｃｍ以上の流量で供給可能である。サセプタ２の熱容量は５０Ｊ／Ｋ以上５００Ｊ／Ｋ以下である。ヒータ５の熱容量は１０Ｊ／Ｋ以上１００Ｊ／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】MOCVD膜堆積装置に用いられる気化装置は、複数のガス通路が上方向からガスを導入する構造であったため、噴出ノズルの位置合わせが困難で、気化部に噴出する原料溶液を混合したキャリアガスの圧力と流量を正確に制御できず、MOCVD膜の組成の高精度制御が困難であった。
【解決手段】複数のガス通路を平面円盤型基板上に配置することにした。噴出ノズルの正確な位置合わせが容易になり、MOCVD膜の組成を高い精度で制御できるようになった。 （もっと読む）

【課題】各反応の反応速度を速くして短時間で成膜することができるＡＬＣＶＤ法による基板処理方法及びＡＬＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】金属又は半金属を含む反応ガスと前記金属又は半金属を含む反応ガスを酸化する酸化剤からなる反応ガスを１つずつ交互に基板表面と反応させて、金属又は半金属を前記基板表面に吸着させる種付け反応と、この基板表面に吸着させた金属又は半金属を酸化する酸化反応とを交互に行うことにより前記基板上に前記金属又は半金属の酸化膜を形成する際に、前記基板を加熱又は冷却して前記基板の温度を前記種付け反応と前記酸化反応とで変化させる。 （もっと読む）

プロセスシステム内で基板を支持し、この基板の温度をコントロールするための基板ホルダが、記述されている。この基板ホルダは、第１の領域の温度を上昇するためにこの第１の領域に位置されている第１の加熱要素を有している。第２の領域に位置されている第２の加熱要素は、この第２の領域の温度を上昇するように設定されている。さらに、第１のコントロール可能な絶縁部材が、前記第１の加熱要素の下に位置され、前記基板と、前記第１の領域でこの基板の下に位置されている少なくとも１つの冷却要素との間の熱の移動をコントロールするように設定されている。第２のコントロール可能な絶縁部材が、前記第２の加熱要素の下に位置されている。
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基材の温度を制御する装置が、基材テーブルと、基材テーブルに配置され、基材テーブルの熱表面と熱的に接続する熱組立体を有する。熱組立体は、熱輸送流体を輸送するチャネルを有する。装置は、熱輸送流体の温度を第１温度に制御するように構成される第１流体ユニットと、熱輸送流体の温度を第２温度に制御するように構成される第２流体ユニットと、熱組立体のチャネル、第１流体ユニットと第２流体ユニットと流路連通する出口流制御ユニットとを更に有する。出口流制御ユニットは、第１温度を有する熱輸送流体と第２温度を有する熱輸送流体の少なくとも１つまたはこれらの組み合わせを含む制御された熱輸送流体をチャネルに供給するように構成される。
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