【課題】安価な構成であり、被処理基板におけるプラズマ処理の面内均一性を良好にすることができる被処理基板支持構造を提供する。
【解決手段】被処理基板支持構造３１は、円板状の部材であって、その上に被処理基板Ｗを載置するようにして支持する支持台３３と、円筒状の部材であって、支持台３３の下方側に一方端部が取り付けられるシャフト部３２と、支持台３３内に設けられるヒータ３６とを備える。支持台３３は、第一の熱伝導率である部材から構成されている。シャフト部３２は、第一の熱伝導率以上の第二の熱伝導率である部材から構成されている。支持台３３の内部であって、シャフト部３２の一方端部が支持台３３に取り付けられる連結部４０に対して距離を開けて連結部４０の上側に位置する部分には、第一の熱伝導率よりも低い第三の熱伝導率である断熱部４１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 基板を加熱するためのヒータ、及び該ヒータに通電する電流導入端子を備えた気相成長装置であって、電流導入端子から気相成長装置外部への熱拡散を効果的に抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 電流導入端子の内部に冷媒の流路が設けられ、導電性の電流導入端子本体に該冷媒が接触可能となるように構成されてなる気相成長装置とする。好ましくは前記の冷媒の流路のほか、側壁部と電流導入端子の間及び／または電流導入端子と電流導入端子の間に、冷媒が流通する冷却容器を備えた気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置６０は、シャワーヘッド１６と、処理ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する処理ガス供給部６６と、処理ガス供給部６６からの処理ガスを流す処理ガス供給流路６４と、処理ガス供給流路６４から分岐してシャワーヘッド１６に処理ガスを供給する分岐流路６４ａ，６４ｂと、付加ガスをシャワーヘッド１６に向けて供給する付加ガス供給部７５と、付加ガス供給部７５からの付加ガスをシャワーヘッド１６に流す付加ガス供給流路７６とを具備し、シャワーヘッド１６は、ウエハＷの配置領域にガスを供給する第１、第２ガス導入部５１，５２と、ウエハＷの外縁よりも外側にガスを供給する第３ガス導入部５３とを有し、分岐流路６４ａ，６４ｂは第１、第２ガス導入部５１，５２に接続され、付加ガス供給流路７６は、第３ガス導入部５３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 急激な加熱に起因するサセプタの割れ、大型化による機械的強度の低下に起因するサセプタの割れを防止することが可能なサセプタ及びそれを用いた気相成長装置を提供する。
【解決手段】 中央部の孔、及び周辺部に基板ホルダーを収納するための孔を有するサセプタであって、中央部の孔と基板ホルダーを収納するための孔の間にスリットが設けられてなるサセプタとする。また、基板ホルダーを収納するためのサセプタ、該サセプタの対面、基板を加熱するためのヒータ、該サセプタと該サセプタの対面の間隙からなる反応炉、該反応炉へ原料ガスを供給する原料ガス導入部、及び反応ガス排出部を有する気相成長装置であって、前記のサセプタを用いた気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板１０が載置されるサセプタ１２０と、サセプタ１２０と対向し、被処理基板１０上に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド１３０と、シャワーヘッド１３０に複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合してそれぞれ導入する複数の混合配管と、複数の材料ガスの各々において流量を調整しつつ分岐してそれぞれを、複数の混合配管のいずれかに送る複数のガス分岐機構とを備える。シャワーヘッド１３０は、複数の混合配管のそれぞれで混合された複数の混合ガスをサセプタ上の複数の領域にそれぞれ噴き付ける。複数の混合ガスの各々においては、上記所定の複数の材料ガスの各々の濃度および流量が調節されている。 （もっと読む）

【課題】メモリー効果を抑制し、急峻な材料ガスの切替え制御が可能で、組成や不純物濃度制御に優れ、ピット密度が低く高品質な結晶成長を行うことができる気相結晶成長装置及び材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】第１の材料ガス及び第２の材料ガスがそれぞれ供給され、互いに上下に分離された第１の材料ガス供給室及び第１の材料ガス供給室の上部に設けられた第２の材料ガス供給室と、第１の材料ガス供給室に隣接して第１の材料ガス供給室の下部に設けられた第１の冷却ジャケット及び第１の冷却ジャケットの下部に配された第２の冷却水ジャケットとからなる冷却器と、冷却器を貫通するとともに第１の材料ガス供給室に連通して第１の材料ガスを噴出する第１の材料ガス通気孔と、冷却器を貫通するとともに第２の材料ガス供給室に連通して第２の材料ガスを噴出する第２の材料ガス通気孔と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜を繰り返し実行しても、ピット密度が低く高品質な成膜を行うことができ、量産性に優れたバーチカル方式のＭＯＣＶＤ装置などの気相成膜装置及びこれに用いられる材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】材料ガス噴出器１２は材料ガス供給室２３，２４と、材料ガス供給室に隣接して設けられた冷却器２１と、材料ガス供給室側に材料ガス流入開口２５，２６を備え、冷却器を貫通して材料ガス供給室の反対側に材料ガス噴出開口３１，３２を備える材料ガス通気孔と、を備えている。上記材料ガス通気孔は冷却器内部で屈曲した形状を備え、材料ガス噴出開口３１，３２から材料ガス流入開口２６，２６への見通し経路を有しないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程１、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および／または改質を行う工程２を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】冷媒の流通により気相成長装置本体の少なくとも一部（サセプタの対面、ヒータへの通電を制御する制御機器等）が冷却される構成を備えた気相成長装置であって、外気から冷媒中への雑菌や藻等の異物の混入を防止することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】冷媒の循環流路が密閉系であり、外部に設けられた冷却手段との熱交換により該冷媒を冷却できる構成とする。さらに好ましくは、該冷媒をイオン交換水とする。 （もっと読む）

【課題】排気口の周辺に生成物が付着し難い成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、反応ガスが供給されて成膜処理が行われる反応室と、反応室を構成するベースプレート１０１と、ベースプレート１０１の上に設置されてベースプレート１０１の全面を被覆するベースプレートカバー１０３とを有する。ベースプレート１０１には、反応室から余剰の反応ガスを排出する排気口６が設けられており、ベースプレートカバー１０３には、排気口６に勘合する形状と大きさを備えた貫通孔１０７が設けられている。反応ガスの下流側における貫通孔１０７の端面１０９は、排気口６の端面１１０より突出している。ベースプレートカバー１０３は、ベースプレート１０１と対向する面に突起部１０８を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴには、ソレノイドコイル３１が、石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、ソレノイドコイル３１に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させる。誘導結合型プラズマトーチユニットＴと基材２間に設置したシリコン材料にプラズマが照射することで、基材２にシリコン系薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】均熱部材を載置台内に一体的に埋め込むようにして被処理体の面内温度の均一性を高めると共に、被処理体に対する加熱効率を高めることが可能な載置台構造を提供する。
【解決手段】処理容器４内にて被処理体Ｗに対して所定の熱処理を施すために前記被処理体を加熱する加熱手段３８が埋め込まれると共に、前記被処理体を載置する載置台３２と、前記載置台を前記処理容器の底部より起立させて支持する支柱３０とを有する載置台構造において、前記載置台内に、前記埋め込まれている前記加熱手段の上方に位置させて平面方向に広がった均熱部材４０を埋め込むように構成する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の過程で形成される薄膜の処理方法を提供する。
【解決手段】反応室に配置されたサセプタ８の座ぐり部８ａに基板７を載置し、反応室に反応ガスを導入して基板７の上にＳｉＣ膜３０１を形成する（第１の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、基板７が取り除かれたサセプタ８を回転させながら、サセプタ８の上方からエッチングガスを流下させて、サセプタ８の座ぐり部８ａからその周縁部８ｂに至る段差部８ｃに形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第２の工程）。反応室にエッチングガスを導入し、サセプタ８の上に形成された反応ガスに起因するＳｉＣ膜３０１を除去する（第３の工程）。第１の工程と第２の工程を繰り返した後に第３の工程を行う。 （もっと読む）

【課題】反応ガスが滞留する空間を低減した成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１の内部に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２の上方に設けられて反応ガスが透過するシャワープレート１５とを有する。シャワープレート１５がライナ２の上部開口部５２を塞ぐ位置から上方に移動することにより、チャンバ１の壁に設けられた基板搬出入口４７を介してチャンバ１の外部とライナ２の内部とが連通する。また、成膜装置１００は、ライナ２の内部に設けられ、成膜処理が行われる基板７を支持して鉛直方向に移動させる基板支持部５０と、基板搬出入口４７を通じて反応室に出入するロボットハンド４８とを有する。基板支持部５０とロボットハンド４８との間で基板７の受け渡しが行われる。 （もっと読む）

【課題】載置台の面内全体の設定温度に対して面内の所望部位だけを局部的に設定温度よりも高くしたり，低くしたりする。
【解決手段】載置台２００内にその面内全体に渡って形成した主流路３２０と，載置台内に主流路の上側に離間して載置台の面内一部に形成した補助流路３３０と，所定の設定温度に調整した温調媒体を主流路に供給し循環させるとともに，その温調媒体を分流させて，さらに前記設定温度より高い温度又は低い温度に調整した上で補助流路に供給し循環させる温調媒体循環機構とを設けた。 （もっと読む）

【課題】縦型の熱処理炉内に混入するパーティクルを低減し、基板（ウエハ）へのパーティクル付着を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハボート３を縦型の熱処理炉２内に、当該熱処理炉の下方側に形成された炉口２０から搬入し、熱処理を行う装置において、前記ウエハボート３が前記熱処理炉２の下方側に位置しているときに、前記炉口２０を塞ぐ蓋体６１を設ける。この蓋体６１は前記炉口２０を塞ぐ位置と開く位置との間で移動自在に設けられており、蓋体６１が前記炉口２０を塞ぐ位置から外れているときに、当該蓋体６１の上面のパーティクルをクリーニングノズル７により吸引して除去する。このため、次に蓋体６１が炉口２０を塞いだ時に、熱処理炉２内に持ち込まれるパーティクル量を低減できるので、ウエハへのパーティクル付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜がアンテナに付着するのを抑制可能なプラズマ装置を提供する。
【解決手段】プラズマ装置は、アンテナ１を備える。アンテナ１は、絶縁管１ａと、導体１ｂと、伝熱材１ｃとを含む。絶縁管１ａは、略Ｕ字形状を有し、Ａｌ_２Ｏ_３からなる。導体１ｂは、略Ｕ字形状からなり、筒状部分１ｄを有する。筒状部分１ｄには、冷却水が流される。そして、導体１ｂは、絶縁管１ａ内に挿入される。伝熱材１ｃは、絶縁管１ａと導体１ｂとの間に充填される。そして、伝熱材１ｃは、シリコン樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】発生したプラズマ励起ガスを効率的に取り出すことができる、簡易な構成のプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置は、電極セルと、当該電極セルに交流電圧を印加する電源部１７と、前記電極セルを囲繞する筐体と、当該筺体外部から前記電極セルの外周部へと原料ガスを供給する原料ガス供給部とを、備えている。前記電極セルは、低圧電極１と高圧電極３と誘電体２ａ，２ｂとを備え、誘電体バリア放電空間６を有し、貫通口ＰＨを有するドーナツ形状である。また、プラズマ発生装置は、貫通口ＰＨの内部に配設されている円筒形状の側面部に噴出孔２１ｘを有する絶縁筒部２１と、絶縁筒部２１の空洞部２１Ａ内の圧力を減圧する、減圧装置とをさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】温度むらを生じることなく材料ガスの冷却を行うことができる冷却機構を備えた材料ガス供給用ノズル、該ノズルを備えた気相成長装置および該気相成長装置を用いた半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
材料ガス流通層は、材料ガスの吹き出し口と、吹き出し口に連通するガス流通通路とを有する。冷却媒体循環層は、ガス流通通路を覆う冷却媒体の循環通路を有する。材料ガス流通層は、吹き出し口側の端部において材料ガス流の上流側に凹んだ第１の凹部を有し、吹き出し口は、第１の凹部の端面に沿って設けられている。冷却媒体循環層は、第１の凹部と外縁が重なる第２の凹部と、第２の凹部を挟む両側の第２の凹部の周辺部にガス流通通路よりも外側に張り出した拡張部と、を有する。冷却媒体の循環通路は、第２の凹部の材料ガス流の上流側端部よりも下流側であって拡張部内に冷却媒体の循環の折り返し点を有する。 （もっと読む）