処理システム内で基板を支持する基板ホルダは、第1温度を有する温度制御された支持体底部、及び、該温度制御された支持体底部に対向して前記基板を支持するように備えられている基板支持体を有する。前記基板支持体と結合して該基板支持体を前記第1温度よりも高い第2温度に加熱するように備えられている1つ以上の加熱素子、及び、前記温度制御された支持体底部と前記基板支持体との間に設けられた断熱材も含まれる。前記断熱材での熱伝導係数(W/m²-K)は空間的に不均一に変化する。
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【課題】ウエハの温度をヒータの出力に見合うように上昇させる。
【解決手段】下側容器１２と上側容器１３とで処理室１４を形成した処理容器１１と、処理室１４内に設置されてウエハ１を保持するサセプタ２１と、サセプタ２１上のウエハ１を加熱するヒータ４１と、反応ガスをウエハ１に向けて供給するシャワーヘッド２６と、反応ガスを励起させる筒状電極１５と、磁界を形成する筒状磁石１９とを備えているＭＭＴ装置において、上側容器１３の外側に反射板４２をシャワーヘッド２６のキャップ状の蓋体２７と同心円状に設置するとともに、シャワーヘッド２６の遮蔽プレート３１の下面に反射鏡面を形成する。ヒータおよびウエハから入射して来る赤外線や遠赤外線等の熱線をサセプタ上のウエハに向けて反射させることができるので、ヒータの発熱を全て活用して、ウエハの温度をヒータの出力に見合うように上昇させることができる。
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処理チャンバ及び処理チャンバ内において基板支持アセンブリ上に位置決めされた基板の温度を制御するための方法を提供する。基板支持アセンブリは、熱伝導体と、この熱伝導体の表面上に在り且つその上で大面積基板を支持するように適合された基板支持表面と、熱伝導体内に埋設された１つ以上の加熱要素と、１つ以上の加熱要素と同一平面となるように熱伝導体内に埋設された２つ以上の冷却チャネルを含む。冷却チャネルを、２つ以上の長さの等しい冷却路に分岐してもよく、分岐冷却路は単一の流入口から単一の流出口に延びており、等しい抵抗冷却が得られる。
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【課題】
基板処理装置に於いて、処理炉に於ける炉口部からの放熱を抑制し、処理室の均熱長を増大させると共に基板面内の温度分布の均一性を向上して、処理品質、歩留りの向上を図る。
【解決手段】
処理室４６と、該処理室内で所要数の基板１７を保持する基板保持手段３２と、前記処理室内に所要のガスを供給・排気するガス供給・排気手段５２，５５と、前記基板保持手段を回転させる回転手段６２と、前記基板保持手段に設けられ、該基板保持手段に保持されるそれぞれの基板の少なくとも上面に対向する様に設けられる加熱手段８０と、該加熱手段に電磁気結合により非接触で電力を供給する電力供給手段とを具備する。
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【課題】
基板処理装置に具備されるヒータへの給電に於いて、給電接続部の昇温に起因する接触不良を防止し、安定で信頼性の高い基板処理装置を提供する。
【解決手段】
基板１２を収納処理する処理室２４と、該処理室に処理ガスを導入する処理ガス供給系１４と、前記処理室を排気する処理ガス排出系１５と、通電により発熱する発熱体１を有し、前記基板を加熱する加熱手段１７と、該加熱手段に締結部を介して接続され、前記加熱手段に電力を供給する加熱用電源とを具備し、前記締結部は前記発熱体に連続する接続端部と前記加熱用電源に連続する接続端子とを有し、前記接続端部と前記接続端子とを嵌合させ、前記締結部が温度上昇した場合に、前記接続端部と前記接続端子とが熱膨張差で接触面が押圧される様構成した。
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【課題】異常放電の発生及び金属汚染の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、チャンバ１１の側壁４２において、サセプタ１２及びガス導入シャワーヘッド３４の間の処理空間Ｓに対向する側壁部品としてのデポシールド４３を備え、デポシールド４３は、上部電極層４４と、下部電極層４５と、上部電極層４４及び下部電極層４５を包むように成形されたイットリアからなる絶縁部４６と、上部電極層４４に接続された上部直流電源４７と、下部電極層４５に接続された下部直流電源４８とを有し、絶縁部４６はイットリアの溶射によって形成される。 （もっと読む）

【課題】吹出し孔の設計の自由度が高く、吹出し孔の設計により調整バルブを必要とすることなくヒータ各部の降温速度を調整することができ、流路構造が単純で、シールの容易化及びコストの低減が図れる熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体ｗを多段に収容して所定の熱処理を行うための処理容器２と、該処理容器２の外周を覆って被処理体ｗを加熱する筒状のヒータ３と、該ヒータ３と処理容器２との間の空間２４内の雰囲気を排出する排熱系２５と、上記空間２４内に冷却流体を吹出して冷却する冷却手段２６とを備え、上記ヒータ３は筒状の断熱材１７の内周に発熱抵抗体１８を配設すると共に断熱材１７の外周を外皮２０で覆ってなり、上記冷却手段２６は上記断熱材１７と外皮２０の間に高さ方向に単数もしくは複数形成された環状流路２８と、各環状流路２８から断熱材１７の中心方向もしくは中心斜め方向へ冷却流体を吹き出すべく断熱材１７に設けられた吹出し孔２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】 温度制御を熱電対および放射温度計のいずれかに切替える場合に、半導体基板の温度の制御性を向上した気相成長装置、気相成長装置の温度制御方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 容器１１と、容器１１に収納された半導体基板１２を保持する保持基板１３と、半導体基板１２を加熱する加熱手段１４と、保持基板１３の温度を検出する熱電対１８と、第１温度調節器１９とを有する第１温度制御系２６と、半導体基板１２の温度を検出する放射温度計２１と、第２温度調節器２２とを有する第２温度制御系２７と、第１および第２温度制御系２６、２７の一方による半導体基板１２の加熱中に、一方の温度制御系の加熱操作量を引き継いで他方の温度制御系による半導体基板１２の加熱に切替える制御部２５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板冷却時に基板間に温度偏差が生じない様にしつつ、基板の降温速度を増大させうる基板を加熱処理する基板処理装置をて提供する。
【解決手段】複数の基板１を処理する処理室６０と、該処理室を加熱する加熱手段９１と、前記処理室に連設された気密室３９と、前記複数の基板を前記処理室と前記気密室との間で搬入出する搬入出手段と、前記気密室に加熱ガス及び冷却ガスを供給するガス供給手段７８と、該ガス供給手段からの加熱ガス及び冷却ガスの供給を制御するガス供給制御部８８とを具備し、前記ガス供給制御部は、基板処理後前記搬入出手段により前記複数の基板を前記処理室から前記気密室に搬出している間は、前記ガス供給手段から前記気密室に加熱ガスを供給する様制御し、前記搬入出手段により前記複数の基板を前記処理室から前記気密室に搬出し終えた以後は前記ガス供給手段から前記気密室に冷却ガスを供給する様制御する。 （もっと読む）

【課題】真空容器内において部材を設定温度近傍若しくは設定温度以下に制御することが可能となる真空容器内の温度制御装置および薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気内で所定の処理を行う真空容器内の温度制御装置であって、前記真空容器を構成する部材８の内部に、該処理温度近傍に融点を持つ相変化材料１１が内包されている構成とする。その際、前記相変化材料を、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｐｂのいずれかを主成分として、約１０℃以上３２７℃以下の融点を有する低融点合金で構成する。 （もっと読む）

【課題】基板を好適に加熱又は冷却できるロードロック装置，該ロードロック装置を備えた処理システム，及び，該ロードロック装置を用いた処理方法を提供する。
【解決手段】処理部３に対して基板Ｇを搬入出させる搬入出部２側に設けた搬入口６３と，処理部３側に設けた搬出口６４と，基板を支持する支持部材７８とを備えたロードロック装置２１において，支持部材７８によって支持された基板Ｇを加熱する第一の加熱用プレート７１及び第二の加熱用プレート７２を備え，前記第一の加熱用プレート７１及び第二の加熱用プレート７２のうち一方が基板Ｇの表面側に配置され，他方が基板Ｇの裏面側に配置されるようにした。 （もっと読む）

【課題】
保持用ピースのずれ、外れ、破損等を防止し、耐久性、安全性及び経済性の向上が図れるヒータ支持装置を提供する。
【解決手段】
半導体製造装置の加熱装置に用いられ、鉛直方向にコイル状に成形された発熱線３１が配設され、上面と下面の少なくともどちらか一方に凹部を設けると共に他方に該凹部に嵌合可能な突起部を設けた保持用ピース３２が鉛直方向に多数連設され、隣接する保持用ピースの前記凹部及び前記突起部間に径方向に長い長円の空洞部４１が形成され、前記発熱線が前記空洞部を挿通し、前記保持用ピースを介して支持された。
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【課題】化合物半導体製造装置を使用し続ける中で、エピタキシャルウェハにおける電気的特性の変動を低減することのできる化合物半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ガス流路４を形成する上壁の一部として板状のサセプタ１を設ける一方、このサセプタ１に対向してガス流路４の下面側に対向板７を設けると共に、対向板７の下側に冷却ジャケット８を設け、対向板７の温度を対向板表面に堆積物が生じにくいように制御する為、冷却ジャケット８に、ヒータ９と温調器を設け、板状のサセプタ１に、複数の基板３をサセプタ中心から少し離れた位置にて周方向に配設し且つその成長面をガス流路４側に向けて支持し、その基板３の裏面側からサセプタ１をヒータ５で加熱し、サセプタ中心部分から放射状に原料ガス６を流し、加熱された基板３上で半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質の蒸着膜を得ることができる蒸着装置を提供する。
【解決手段】チャンバー２０１と、チャンバー２０１内部の所定領域に位置したシャワーヘッド２１１と、シャワーヘッド２１１と対応するように位置し、表面に基板２３２が装着されたチャック２３１と、シャワーヘッド２１１とチャック２３１との間に位置した加熱体２２１と、を含み、シャワーヘッド２１１は、第１ガス注入口２１３及び第２ガス注入口２１４と、第１ガス注入口２１３と連結されたシャワーヘッド２１１内部の空洞部２１２と、空洞部２１２と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第１ノズル２１５と、第２ガス注入口２１４と連結され、チャック２３１と対応するシャワーヘッド２１１の表面に位置した複数個の第２ノズル２１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 原料ガスの分解や反応を防止するとともに、低温の原料ガスが基板やサセプタを冷却することも防止し、原料ガスを最適な温度条件で基板面に供給することにより、パーティクルによる膜質の劣化や、基板の温度低下による膜厚分布の発生を抑え、高品質な薄膜を形成することができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ１１より原料ガス流れ方向上流側のフローチャンネル１５に、原料ガス供給部１４からフローチャンネル内に導入される原料ガスの温度を、その熱分解温度以下に制御する第１温度制御領域２１を設けるとともに、第１温度制御領域とサセプタとの間に、前記第１温度制御領域によって制御される温度より高く、かつ、基板の加熱温度よりも低い温度に制御する第２温度制御領域２２を設ける。 （もっと読む）

【課題】温度測定精度を高めて、温度均一性を向上させる。
【解決手段】ウエハ処理室１４を構成するプロセスチューブ１１と、熱線を照射する複数本の加熱ランプ４２と、加熱ランプ４２の熱線を処理室１４の方向に反射させるリフレクタ４７と、加熱ランプ４２を制御するための温度を測定する熱電対７３とを備えており、熱電対７３は保護管７１に封入して加熱ランプ４２と処理室１４との間に垂直に吊り下げ、保護管７１は位置決めピン７２によって位置決めする。保護管を垂直に吊り下げることで、熱電対が傾斜するのを防止できるので、熱電対の測定精度の低下や個体差の発生を防止できる。保護管を位置決めピンによって位置決めして向きを一定に維持することで、熱電対の温度測定精度をより一層向上できる。 （もっと読む）

半導体処理チャンバ内で用いるためのガス分配器が提供される。ガス分配器は、ガス注入口と、ガス排出口と、らせん状ねじ山を有するステム部分とを備えている。ガス分配器は、更に、ステム部分から外向きに放射状に伸びているガス偏向面を有する本体とガス偏向面から本体の反対側に配置された下面と、らせん状ねじ山とガス偏向面との間に配置された横シートと、ガス注入口からステム部分と本体を通ってガス排出口に伸びているガス通路とを備えている。個々の実施形態においては、横シートはシーリング部材を保持するように適合される。 （もっと読む）

温度調節対象を循環する第１冷却水（１５）で冷却する第１の流路（１６）と第１の流路と別の第２の流路（１９）とを設け、第２の流路（１９）を流れる第２冷却水（１８）と第１冷却水（１５）とで熱の交換をする。第１冷却水（１５）を一定容量のタンク内に貯める必要が無く、チラー相当部分の第１の流路（１６）を流れる第１冷却水（１５）が略全体で第２冷却水（１８）から熱を吸収される。温度調節対象の負荷変動に対し応答が速くなり、温度制御の精度を向上させながらエネルギーの無駄を少なくできる。
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【課題】ウェハ加熱装置の温度がばらつき、必要な均熱性や温度応答性が得られないという課題があった。
【解決手段】本発明によれば、板状体の一方の主面を被加熱物を加熱する加熱面とし、その内部または他方の主面に帯状の抵抗発熱体を配設し、該帯状の抵抗発熱体の帯は略同一の幅を有する弧状配線部と折り返し弧状配線部とを連続させて略同心円環状に配設され、同一円周上に位置する一対の折り返し弧状配線部の間の距離が半径方向に隣り合う円弧状パターン間の距離よりも小さく、上記抵抗発熱体の両端に給電部を備え、該給電部が上記円環の外に備える。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバで使用される加熱基板支持アセンブリを作成するための方法および装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバは、１つ以上の加熱要素２３２を受け取るための、第１のプレート３２０とその中に溝が配置されている第２のプレート３６０とを有する基板支持アセンブリ２３８と、基板支持アセンブリ２３２を加熱するための電源とを含む。第１のプレート３２０の第１の表面３８０と第２のプレート３６０の第２の表面３９０は、両プレート３２０，３６０が静水圧圧縮によって共に圧縮され、かつ基板処理時に基板を支持するためにプレート状構成に形成されるように、その上に配置されている１つ以上の対応する構成を含む。別の実施形態において、第１および第２のプレート３２０，３６０は周辺全体に圧力を印加することによって圧縮される。さらに別の実施形態において、第１および第２のプレート３２０，３６０の圧縮は、高温で実行される。 （もっと読む）