【課題】本発明は、第III族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウエハを製造するために、特にＧａＮウエハを製造するために最適化された方法及び装置に関する。
【解決手段】
具体的には、この方法は、化学気相成長（ＣＶＤ）反応器内の隔離弁取付具上の不要な材料の形成を実質的に防止することに関する。特に、本発明は、システムで使用される隔離弁上のＧａＣｌ₃及び反応副生成物の堆積／凝縮を抑制する装置及び方法と、１つの反応物質としてのある量の気体状第III族前駆体と別の反応物質としてのある量の気体状第Ｖ族成分とを反応チャンバ内で反応させることによって、単結晶第III−Ｖ族半導体材料を形成する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板のプラズマ処理において、動的な温度制御能力を有する基板支持体を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置に用いられる基板支持体４０であって、金属熱伝達部材４８と、基板支持表面を有した上に位置する静電チャック５０と、を備え、前記熱伝達部材４８は、当該熱伝達部材４８に加熱及び冷却の少なくとも一方を行うために、それを通して液体が循環される少なくとも１つの流路を有する。前記熱伝達部材は、小さい熱質量を有し、プラズマ処理の間に、前記基板温度を急激に変化させるように、前記液体によって所望の温度に急激に加熱及び／又は冷却することが出来る。 （もっと読む）

【課題】リッジ電極及び基板の熱変形を抑制し、大型の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマが生成される排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂを有するリッジ導波管からなる放電室２と、高周波電力を方形導波管の基本伝送モードであるＴＥモードに変換して放電室２に伝送し、排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間にプラズマを発生させる一対の変換器と、基板側リッジ電極２１ｂの外面側に設置されて温度を均等に加熱する均熱温調器４０と、排気側リッジ電極２１ａの外面側に設置されてプラズマ処理が施される基板Ｓの板厚方向の熱流束を制御する熱吸収温調ユニット５０とを有し、基板Ｓを排気側リッジ電極２１ａ及び基板側リッジ電極２１ｂの間に設置してプラズマ処理を施す。 （もっと読む）

【課題】構成を複雑化させることなく基板の温度変化を促進することができる基板の載置台を提供する。
【解決手段】ウエハＷを載置するサセプタ１２に設けられ、且つ断面が矩形の媒体流路２６において、載置されたウエハＷから再遠方の内面である底面２６ａの全部、並びに、該底面２６ａに隣接する２つの内面である側面２６ｂ，２６ｃのそれぞれにおける略下半分が樹脂からなる低熱伝導層３５で覆われ、該低熱伝導層３５の厚さは、例えば、１ｍｍ乃至２ｍｍである。 （もっと読む）

堆積処理中に、材料が基板上だけでなく他のチャンバ構成要素の上にも堆積することがある。ＭＯＣＶＤチャンバでは、これらの構成要素の１つはガス分配シャワーヘッドである。シャワーヘッドは、不活性ガスおよび塩素を含むプラズマで発生させたラジカルでシャワーヘッドをボンバードすることによって洗浄することができる。プラズマを発生させるために、シャワーヘッドを基板支持体に対して負にバイアスするか、またはフローティングさせることができる。シャワーヘッドはステンレス鋼を含み、セラミックコーティングでコーティングすることができる。
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【課題】バブリング量の変化に追従してピックアップ量を制御することができるバブリング気化供給方法及び装置を提供する。
【解決手段】熱交換器１１が内蔵された密閉原料槽１０内に液体原料Ｌを貯えると共に導入管８を挿入し、熱交換器１１に所定温度の熱媒Ｍを循環させつつ導入管８にキャリアガスＣを所定流量で導入して液体原料Ｌをバブリングし、バブリングによる気化ガスＧとキャリアガスＣとの混合ガス（Ｇ＋Ｃ）を原料槽１０の気相部から抜出して供給する。好ましくは、導入管８上に熱交換器１４を設け、所定温度の熱媒Ｍを原料槽１０内の熱交換器１１及び導入管８上の熱交換器１４に循環させつつキャリアガスＣを導入する。更に好ましくは、原料槽１０に原料補充管１５を接続すると共に補充管１５上に熱交換器１６を設け、その熱交換器１６にも熱媒Ｍを循環させながら液体原料Ｌを補充する。 （もっと読む）

【課題】地絡を防止しつつ、大型の放電電極を安定して保持することができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】製膜処理が施される基板に沿って延びるとともに基板と対向して配置され、かつ、高周波電流が供給される放電電極６と、基板とともに放電電極６を挟む位置に配置されるとともに、放電電極６に沿って延び、かつ、共通電位に接地された電極支持部３１と、電極支持部３１から放電電極６に向かって延びるとともに放電電極６を保持し、かつ、放電電極６および電極支持部３１と電気的に接続された導電性を有する突出部４１と、が設けられ、突出部４１は、放電電極６および電極支持部３１との間で所定のインダクタンスを有する回路を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ネジ止めされた基板載置台の表面に，ネジのある部分とない部分との間の熱膨張量の差に起因して生じる撓みが発生することを防止する。
【解決手段】ウエハＷを載置する載置台２００であって，載置台本体を構成するサセプタ２１０と，このサセプタの周縁部を処理室１０２内に固定するネジ２３２とを備え，サセプタの周縁部に側面全周に渡る環状溝２４０を設けて，サセプタの周縁部をネジ２３２で締め付けられて熱膨張が抑えられる部分を含む下側の部分と，自由に熱膨張する上側の部分とに分けた。 （もっと読む）

【課題】放電電極の面調整を短時間に、かつ、人的要因によるバラツキを抑制できる放電電極の面調整方法及び電極面位置計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電極面１７に沿ったＺ方向の両端側の位置が電極面１７に交差する厚さ方向に移動可能に取り付けられた放電電極３における電極面１７のレベルを略一定となるように調整する放電電極３の面調整方法であって、複数の変位計６１が直線状に配置された計測部材４２を、変位計６１が電極面１７に対向するとともにＺ方向と直交するＹ方向に沿った位置に配置されるように設置する設置工程と、各変位計６１によって電極面１７のレベルを計測する計測工程と、計測工程で計測された結果に基づいて放電電極３の両端側の位置を調整する位置調整工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】適正に脱ガス処理を行うことができる真空処理装置の脱ガス装置、真空処理装置の脱ガス方法および真空処理装置を提供することである。
【解決手段】ワークＷを処理する真空チャンバ２が真空配管３２を介して真空吸引装置３１に接続された真空処理装置１に組み込まれ、真空吸引装置３１と協働して、真空処理装置１の装置内部に吸着した吸着ガスを除去する真空処理装置１の脱ガス装置であって、吸着ガスを除去するためのキャリアガスのキャリアガス源１６に連通し、キャリアガスを加熱して真空チャンバ２に供給する加熱ガス供給装置１２と、真空吸引装置３１の上流側近傍の真空配管３２に介設され、真空吸引装置３１に吸引されるキャリアガスを冷却するガス冷却装置３３と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内のステージ温度を調節する際の調整時間を低減できる方法を提供する。
【解決手段】ステージ内部の空間４に高沸点オイルを充填し、昇温や降温の際にこのオイルを適正な温度の同質のオイルと入れ替えることによりレスポンスを改善した。ステージ１を冷却する際には、加熱された内部のシクロパラフィンをＡより排出し、Ｂより常温管理されたオイルを注入する。これにより、加熱された電熱ヒーター２を急速に冷やすことができる。またこのオイルの交換を数度行うことにより、より迅速に温度調節をすることが可能となる。また、連続的に交換する事で、更に高い冷却効果を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】基板の加熱による成膜処理への影響を抑えることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた回転テーブルに載置された基板を加熱するために設けられた基板加熱手段と、回転テーブルの周方向に互いに離れて設けられ、前記回転テーブルにおける基板の載置領域側の面に夫々反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、反応ガスが供給される各処理領域間の雰囲気を分離するために、前記周方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域に分離ガスを供給する分離ガス供給手段と、前記回転テーブルに供給された各反応ガス及び分離ガスを排気するための排気口と、前記真空容器を加熱し、また冷却することができるように構成された温調手段と、を備えるように成膜装置を構成することで、真空容器の温度制御を行い、前記基板加熱手段からの温度の影響を抑える。 （もっと読む）

【課題】製膜されたシリコン膜に発生する膜質分布を抑制し、製品の性能向上をはかり得るとともに放電電極の構造を簡素化しコストを低減し得る真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板側面３３に原料ガスを放出する複数のガス供給孔３５を有するとともに接地されている接地電極５と、それぞれ高周波電力が供給される複数の分割電極３ａ〜３ｈが接地電極５の基板側面３３に対向するように並列されて形成され、接地電極５に対向する表面に基板８を保持する放電電極３と、分割電極３ａ〜３ｈの裏面側に取り付けられ、分割電極３ａ〜３ｈをインダクタンス成分を介して接地させるアースバー６と、が備えられていることを特徴とする。 （もっと読む）

プラズマ強化型プロセスチャンバ内の部品の温度を調節するための方法及び装置が、本明細書内に提供される。いくつかの実施形態では、基板を処理するための装置は、プロセスチャンバと、プロセスチャンバ内でプラズマを形成するためにＲＦエネルギーを供給するＲＦ源を含む。プラズマが形成されたときに、プラズマによって加熱されるような部品が、プロセスチャンバ内に配置される。ヒーターは、部品を加熱するために構成され、熱交換器は、熱を部品から取り除くために構成される。チラーは、オン／オフ流量制御バルブを中に配置し、及び流量制御バルブを迂回させるバイパスループを有する第１フローコンジットを介して熱交換器に結合され、バイパスループは、流量比バルブを中に配置する。
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【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニールまたは熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】冷却可能の支持台４上に支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃを相互に所要の間隔を置いてほぼ垂直に吹き付けると基板表面のみをアニールできる。これと共に、これら高温ガスビーム２ｂ，２ｃと前記基板１の表面とにより画成された高温空間６に、堆積性を有する膜形成用の熱分解ガス７を供給し、それを熱分解させて活性種を生成させ基板１の表面に吹き付ける。 （もっと読む）

【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニールまたは熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に密着して支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃをほぼ垂直に吹き付けると基板表面のみをアニールできる。 （もっと読む）

基板サポートの温度を制御するための方法及び装置が提供される。いくつかの実施形態において、基板サポートの温度を制御するための装置は、第１熱伝達ループ及び第２熱伝達ループを含んでもよい。第１熱伝達ループは第１温度の第１熱伝達流体が入った第１浴槽を有していてもよい。第２熱伝達ループは第２温度の第２熱伝達流体が入った第２浴槽を有していてもよい。第１及び第２温度は同じであるか、又は異なっていてもよい。第１及び第２流量コントローラは、第１及び第２熱伝達流体を基板サポートにそれぞれ提供するために備わっていてもよい。第１及び第２熱伝達流体を第１及び第２浴槽に戻すために、１以上の回収ラインが、基板サポートの1以上の出口を、第１及び第２浴槽に連結してもよい。
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【課題】大きな表面積を覆い、薄く、一様な厚さの重合パラキシリレンの膜を堆積させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、固体または液体の出発原料を蒸発させるための蒸発器（１）を備える。搬送ガスのためのガスライン（１１）が蒸発器（１）に延びる。搬送ガスは、蒸発した出発原料を分解チャンバー（２）に運び、その中で出発原料が分解される。この堆積装置は、更に、プロセスチャンバー（８）を備える。プロセスチャンバー（８）は、搬送ガスによって運ばれる分解生成物が入るガス注入部（３）と、重合させられる分解生成物で覆われることになる基板（７）を支持するためにガス注入部（３）に対向して支持面（４’）を持つサセプタ（４）と、ガス排出口（５）とを有する。ガス注入部（３）は、支持面（４’）と平行に広がるガス放出面（３’）を有する平面ガス分配器を形成し、ガス放出面（３’）全体に渡って複数のガス放出ポート（６）が分布する。 （もっと読む）

【課題】
欠陥の形成および高次シランの混入が少ない高品質なアモルファスシリコン等の薄膜を形成可能なプラズマＣＶＤ装置およびアモルファスシリコン薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】
真空容器と、真空容器を減圧に保持するための真空排気装置と、複数のガス供給孔を備える第１の電極と、第１の電極に接続する高周波電源と、第１の電極に対向して設置し第１の電極に略平行に基板を保持する第２の電極とを備えたプラズマＣＶＤ装置であり、第１の電極のガス供給孔から第２の電極へ向かうガス直進流路を遮断する障害物を第１の電極と第２の電極との間に配置する。また、前記障害物は複数の開口を持つ平板であり、前記開口はガス直進流路にかからない部分に設ける。 （もっと読む）

【課題】基板をトレイに載置した状態でプラズマ処理を行う場合でもトレイの温度上昇を抑えることができるようにする。
【解決手段】前記トレイ１６は、下部電極１２の上面とほぼ同じ直径寸法を有する円板状の部材で、その上面には円形状の凹部２０が設けられている。前記凹部２０の数及び直径寸法は載置される基板の直径寸法に応じた適宜の値に設定されている。トレイ１６には、前記凹部２０の底面に温度制御面が接するようにペルチェ素子２２が配設されている。下部電極１２には、前記ペルチェ素子２２に直流の電流を供給する電流供給機構２５が設けられている。トレイ１６を下部電極１２に載置することによりペルチェ素子２２と電流供給機構２５が電気的に接続されてペルチェ素子２２に電流が供給される。 （もっと読む）