【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニールまたは熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に密着して支持されたガラス基板１の表面にあるアモルファスシリコン膜上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃをほぼ垂直に吹き付けてアモルファスシリコン膜をアニールする。 （もっと読む）

【課題】成長させる膜のキャリア濃度の面内均一性の悪化を抑制し、かつパーティクルの混入を抑制するサセプタおよび気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１ａは、本体部２と、第１および第２のコーティング部５、６とを備えている。本体部２は、基板１００を載置する載置面３と、基板１００の側面１００ａを支持する支持部４とを含んでいる。本体部２の表面２ａは、支持部４において載置面３の延在方向に沿った方向に伸びる領域を含み、かつ載置面３の外周を囲む第１の領域２ａ１と、第１の領域２ａ１の外周を囲む第２の領域２ａ２とを有している。第１のコーティング部５は、第１の領域２ａ１上に位置し、Ｓｉを含まない材料よりなる。第２のコーティング部６は、第２の領域２ａ２上に位置し、ＳｉＣよりなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、化学気相蒸着工程時に発生する反応副産物を素早く排出することにより、被蒸着体の表面に高品質の薄膜を形成でき、チャンバ内部のクリーニングサイクルが延ばされ、生産性を向上させることができるガス供給ユニット及び化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るガス供給ユニットは、化学気相蒸着工程時に反応ガスを供給するユニットであって、反応ガスを熱分解する熱線部と、熱線部を向かって反応ガスを噴射する噴射部と、熱線部に隣接して配置され、反応ガスの反応副産物を吸入し排出する吸入部とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱処理時の異常を厳密に検知することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ベークプレートに基板が載置された際に実測されたベークプレートの表面温度と設定温度との差の積分値を算定する。常温近傍の基板がベークプレートの表面所定位置に正確に載置されると、ベークプレート表面から基板への熱伝導が直ちに生じ、基板が急速に昇温する一方でベークプレートの表面温度が一時的に低下する。しかし、基板が傾いて載置されるなどの現象が発生したときには、ベークプレートから基板への伝熱量が少なくなり、ベークプレート表面温度の低下の程度が少なくなり、積分値も小さくなる。このため、算定された積分値が所定の閾値以下である場合には、熱処理に異常が発生したものと判定する。 （もっと読む）

【課題】ヒータの使用電力を低減する。
【解決手段】成膜装置４０はウエハ２を加熱するメインヒータ４７と、筐体４２を加熱するチャンバヒータ４３と、ガス供給系を加熱する供給系ヒータ７１と、排気系を加熱する排気系ヒータ７３とを具備する。メインコントローラ８０は成膜装置４０の立ち上げ時に、チャンバヒータ４３、メインヒータ４７、供給系ヒータ７１および排気系ヒータ７３のうち最大電気容量のメインヒータ４７の電力供給装置４８を先に電源投入し、電力負荷が下がる時にチャンバヒータ４３の電力供給装置４３Ａ、供給系ヒータ７１の電力供給装置７２および排気系ヒータ７３の電力供給装置７４を一度に電源投入する。成膜装置の設備仕様としては、最大電気容量のメインヒータの電力供給装置の電力を配慮すれば済むので、イニシャルコストやランニングコストを低減でき、電力容量不足を回避できる。
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【課題】原料ガス中のミスト及びパーティクルを低減できるとともに原料気化器の気化効率を向上させる。
【解決手段】本発明の原料気化器は、原料気化室と、該原料気化室の原料気化空間に液体原料を噴霧する原料噴霧手段と、原料ガスを送出する原料ガス送出部とを具備し、原料ガス送出部１５０Ｚは、原料ガス送出口を備えた隔壁１５１Ｚと、隔壁と原料気化空間との間に配置され、隔壁に直接熱接触する外枠部及び該外枠部から内側に伸び前記隔壁との間に間隙を有する梁部１５７Ｚａを備える伝熱枠１５７Ｚと、外枠部の内側に配置され、外枠部に固定された外縁部を備えたフィルタ部材１５３Ｚと、隔壁若しくは伝熱枠の内部に配置された加熱手段１５２、１５７Ｈとを有し、フィルタ部材の外縁部より離間した中心側に前記梁部が熱接触している。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑止でき、また、基板の大型化に対応することができる加熱装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】平板状のヒータ２１と、ヒータ２１の表面に立設された複数の基板支持ピン２３とを有する基板加熱ユニット２４と、複数の基板加熱ユニット２４が上下方向に積層され、固定配置されてなる基板加熱部３０と、基板加熱部３０に隣接配置され、基板加熱部３０に対して基板１１を出し入れ可能であって、上下方向に昇降可能に構成された基板搬送ロボット５０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜ガスと酸化性ガスを交互に複数回供給して、基板上に例えば高誘電体材料などの酸化膜例えばＺｒＯ2膜などを成膜するにあたり、処理ガスの浪費を抑えると共に、成膜時間を短縮すること。
【解決手段】基板の上方に中央領域と周縁領域とに区画されたガスシャワーヘッドを設けて、この中央領域から成膜ガスと酸化性ガスとを交互に供給することにより、ガスシャワーヘッド内の処理ガスの滞留空間を小さくすると共に、成膜ガスと酸化性ガスとを切り替えるときに、中央領域と周縁領域とからパージガスを供給して速やかに処理雰囲気を置換する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性基板の表面部分を簡易にかつ効率良く加熱して所定の処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法。
【解決手段】基板１０表面に導電薄膜２０を形成し、該導電薄膜２０に電極３０を設け、該電極３０と電源６０に接続される電極４０とを電気的に導通状態とし、スイッチ５０を閉接して導電薄膜２０に通電し、その際の電熱効果により導電薄膜２０を直接発熱させて所望温度に上昇させ、反応ガスとしてＳｉＨ_４ガスおよびＢ_２Ｈ_６ガスを薄膜２０表面に供給してＰｏｌｙ−Ｓｉを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】分解温度の高い成膜ガスを分解して安定な成膜を行うことが可能な成膜装置と、分解温度の高い成膜ガスを分解して安定な成膜を行うことが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】減圧空間とされる内部に成膜ガスが供給される処理容器と、前記減圧空間に設置される、被処理基板を保持する基板保持部と、前記減圧空間に設置される、前記被処理基板を加熱して前記成膜ガスによる成膜を当該被処理基板上に生じさせるヒータと、を有する成膜装置であって、前記ヒータは、高融点金属と炭素を含む化合物よりなることを特徴とする成膜装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セラミック板に基板を加熱する抵抗発熱体を内蔵した基板加熱装置に関し、基板を所定の温度に加熱することのできる基板加熱装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板４０が載置されるセラミック板１２と、セラミック板１２に内蔵された第１の抵抗発熱体１４〜１６と、を有し、第１の抵抗発熱体１４〜１６が隣り合う第１の抵抗発熱体１４〜１６から離間するように、セラミック板１２の基板載置面１２Ａに対して略平行となる同一平面上に配置されており、第１の抵抗発熱体１４〜１６がそれぞれ独立して温度制御可能な構成とされた基板加熱装置１０であって、第１の抵抗発熱体１４〜１６間に位置する部分のセラミック板１２を加熱する第２の抵抗発熱体２８，２９をセラミック板１２に内蔵した。 （もっと読む）

【課題】
バイパスラインをメインバルブと一体化することで小型化、配管の簡略化でコストの低減を図ると共に、排気能力が経時的に変動しない様にしたものである。
【解決手段】
基板５０を処理する処理室２７と、該処理室にガスを供給するガス供給ライン３４と、前記処理室を排気する排気ライン３７と、該排気ラインに設けられる弁装置３９とを備え、該弁装置は、前記排気ラインを連通する管路と、該管路を開閉する第１の弁体と、該第１の弁体をバイパスするバイパス路と、該バイパス路を開閉する第２の弁体と、前記バイパス路に設けられるオリフィス部材とを具備する。
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【課題】基板上の半導体装置における素子の電気的特性を概ね同じに揃える。
【解決手段】加熱部１２と記憶部１６と演算部１７と制御部１５とを具備するアニール装置を用いる。加熱部１２は、複数の領域を有し、複数の領域の各々ごとにアニール温度の調整が可能である。記憶部１６は、加熱対象の素子の形状的な特徴を示す形状パラメータとアニール温度と加熱対象の素子の電気的特性とを関連付けた実績データを記憶する。演算部１７は、複数の領域の各々ごとに、基板上の製造中の当該領域に対応する素子の形状パラメータに基づいて、記憶部１６を参照して、所望の電気的特性を得られるアニール温度）を決定する。制御部１５は、記複数の領域の各々ごとに、決定されたアニール温度で当該領域に対応する素子を加熱するように加熱部１２を制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板Ｗを載置支持して加熱するための基板加熱装置において、側面からの放熱により被処理基板Ｗの温度分布が不均一となることを防止する。
【解決手段】基板加熱装置１０の表面に沿って第一の加熱用電極１３Ａを設けてこれを第一の電圧印加手段１５Ａで発熱させると共に、基板加熱装置の側面に沿って第二の加熱用電極１３Ｂを設けてこれを第二の電圧印加手段１５Ｂで発熱させることにより、側面からの放熱を補って外周部の温度低下を防ぎ、被処理基板Ｗの温度分布が均一になるように加熱する。 （もっと読む）

【課題】反応管内を減圧すると共に、反応管内の基板に対して熱処理を行うにあたり、反応管の内壁と基板との間隙を小さくすることによって、面内均一性の高い熱処理を行うこと。
【解決手段】反応管の外側にダクトを設けて、このダクトに反応管内に連通するガス吐出孔を形成し、このダクトからガス吐出孔を介して反応管内にガスを供給するようにすることで、反応管の内壁と基板との間にガスを供給するためのインジェクターが不要になるため、反応管の内壁と基板との間の間隙を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】一組の半導体基板を立てた状態で対面させて工程処理する半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】密閉された工程空間を提供する反応チャンバーと、反応チャンバー内で半導体基板の背面方向から中央が開放されたリング形状のホルダーが弾着され、一組のサセプター及び支持ローラーにより支持して反応チャンバーに投入されるボートと、サセプター及び支持ローラーの中のいずれか一つの支持ローラーにより回転させる駆動装置と、半導体基板の熱処理を遂行する一組のヒーター装置と、ヒーター装置の加熱面と対面する半導体基板の背面とを近接させる搭載装置と、半導体基板の上部領域を包囲するように形成される供給ノズルと、下部領域を包囲するように形成される排気ノズルと、半導体基板の下部領域を包囲するように排気ノズルをホルダー間に挿入させる昇降装置とを有する。 （もっと読む）

【課題】外界と成膜用真空室との圧力差に起因して壁体に歪が発生した場合においても、壁体の板厚を増加させることなく、接地電極の接触面の傾きを抑制できるようにする。
【解決手段】成膜用真空室１３と外界との圧力差に起因する壁体１５の歪中心に形成された固定体３１の連通穴を壁体１５の貫通穴に同心に位置合わせを行い、固定体３１の平面に垂直な２対の対向する基準面を構成するガイド体３２に勘合されたレール３４に沿って支持体３３を駆動することにより、伸縮体３５を伸縮させながら枠体５４の端面に可撓性基板１を密着させ、成膜室５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 立体的形状を有するシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を、その部位によって区別して把握することが可能な窒素濃度の測定方法を提供する。
【解決手段】 被測定基板表面に形成されたシリコン酸化膜を窒化処理して得られたシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を測定する窒素濃度の測定方法であって、シリコン酸窒化膜が形成された被測定基板を再酸化処理し、その再酸化レート減少率ＲＯＲＲを算出して検量線と照合することにより、被測定基板のシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を決定する、窒素濃度の測定方法。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率と高機械強度を長期に渡り安定して得られるとともに、絶縁特性を確保した膜を製造することができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 ボラジン骨格を有する化合物を供給する導入口を有する反応容器と、上記反応容器内に設置され、基板を支持するとともに負電荷を印加する給電電極と、上記基板を介し、上記給電電極に対向して設けられ、上記反応容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とをプラズマＣＶＤ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】サセプタの熱歪みにより生じる回転不具合を解消し、メンテナンス性や経済性の向上が図れる気相成長装置を提供する。
【解決手段】加熱手段によって加熱されるとともに駆動手段によって回転するサセプタ１１に、該サセプタの周方向に複数の基板保持部材２１を転動部材（ボール２２）を介して回転可能に設け、前記サセプタの回転に伴って前記基板保持部材２１を回転させ、該基板保持部材に保持された基板１２をサセプタの回転軸に対して公転させながら自転させる自公転構造を備えた気相成長装置において、前記サセプタと前記転動部材との間に転動部材をガイドするガイド部材２３を設ける。 （もっと読む）