【課題】半導体製造装置の大型化やコスト増を伴うことなく、加熱後のヒータの冷却速度を従来よりも格段に高めることができ、生産性の改善向上に寄与し得るヒータモジュール、及びこれを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】ヒータモジュールは、表面上にウエハを載置して加熱制御するヒータ部１ａと、ヒータ部１ａに対し相対的に移動可能に設けられ、ヒータ部１ａの裏面に当接又は分離してヒータ部１ａとの合計熱容量を変えるためのブロック部３ａとを備えている。ブロック部の熱容量をヒータ部とブロック部の合計熱容量の２０％以上とすることで、ヒータ冷却速度を１０℃／分以上にすることができる。 （もっと読む）

急激な金属−絶縁体遷移を行う基板と、基板上に電気伝導度及び熱伝導性の良好なペーストでコーティングまたは蒸着された金属層と、を備える金属−絶縁体遷移を行うウェーハである。これにより、ヒータや基板ホルダーに直接接着せず、直径の大きいウェーハを量産しうる。
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【課題】窒化物半導体を製造する際、半導体製造装置を構成する各種部品が上記汚染物で汚染された場合に、この汚染部品を部品の損傷を来すことなく、しかも作業者が安全に作業することができる洗浄方法および清浄装置を得る。
【解決手段】半導体製造装置内の汚染された部品を取り外して反応室１内に収め、反応室１を密閉する。ヒーター４を作動させて反応室１内の汚染部品を５００〜１０００℃の温度に加熱した後、洗浄ガス導入管２から塩素系ガスと希釈ガスからなる洗浄ガスを反応室１内に導入する。汚染物が洗浄ガスに含まれる塩素系ガスと反応し、反応物が揮発ガスとなり、洗浄ガスに同伴されて揮発ガス排出管３から排出される。 （もっと読む）

【課題】半導体等の加熱炉において、別途加熱装置を設けることなく供給ガスや排ガスを加熱できる経済的な加熱炉を提供する。
【解決手段】加熱炉において、不活性ガスやキャリアガスなどの流体を流す金属チューブ６を断熱炉壁１の外壁面と外被３の内面側との間の長手方向に延びるように設け、チューブにキャリアガスなどの流体を流し、断熱炉壁の蓄熱により加熱し、この加熱した流体で供給ガスを加熱し、及び／または密閉容器５内のワーク４の反応処理を終えた排ガスに混入させ加熱する。 （もっと読む）

本発明の半導体製造装置は、処理チャンバ（１１）、処理チャンバ（１１）に対してウエーハを出し入れする搬送通路（１２）、処理チャンバ（１１）内の処理ガスを排出する排気通路（１３）及び排気ライン（４０，４０’）等を備え、処理チャンバ（１１），搬送通路（１２）、排気通路（１３）及び排気管（４１０，４２０）の内壁面（１１ａ，１１ｂ，１２ａ，１３ａ，４１０ａ，４２０ａ）を加熱するべく、薄板状の抵抗発熱体を一対の金属板で挟み込んで覆うと共に内壁面を内側から覆うように形成された面状の加熱ユニット（５０，６０，７０，８０，１７０，２７０）を有する。これにより、処理ガスに曝される壁面の加熱効率が高まり、副生成物等の付着を防止でき、又、抵抗発熱体の劣化も防止できる。
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【課題】
流路壁面に固形膜が形成されるのを防止して清掃についての負担を大幅に軽減し、半導体製造装置の稼働率を向上させる。
【解決手段】
反応室でのＣＶＤ処理と共に排気される排気ガスが排気ガス流路を有する弁箱等の固定部と排気ガス流路を開閉する弁体等の可動部とから成り、固定部に固定部用ヒータを固着した弁装置の排気ガス流路を流通する際に固定部用ヒータが固定部を加熱する。
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【課題】 支持した被処理ウエハーの温度分布を均一にする半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】 等間隔のアレイ状の突起５０４が形成されたサセプター１０２で被処理ウエハー１０３を支持することにより、被処理ウエハー１０３とサセプター１０２との接触する部分が被処理ウエハー１０３の表面全面に対して均等に点接触し、限りなく面接触に近い状態となるので、被処理ウエハー１０３の温度分布が均一になる。 （もっと読む）

ウェハを支持するための領域を有する表面および本体を備えるステージと、ステージに結合されたシャフトと、第１および第２の加熱素子とを含む加熱装置。第１の加熱素子は、ステージの本体の第１の平面内に配置される。第２の加熱素子は、第１の加熱素子よりステージの表面から離れた距離にあるステージの本体の第２の平面内に配置され、第２の加熱素子は、第１の平面および第２の平面の少なくとも１つに対して実質的に平行な平面に第１の加熱素子からずらされる。
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【課題】 ウェハヒータアセンブリを提供することである。
【解決手段】 ウェハ加熱アセンブリは、単一のウェハ処理システムために、独特なヒータ部材を有して説明されている。加熱ユニットは、石英外筒で包まれるカーボンワイヤ素子を包含する。加熱ユニットは、ウェハに直接接触を可能にする石英としてコンタミネーションフリーである。カーボン「ワイヤ」または「編まれた」構造の機械的なフレキシビリティは、コイル構成を可能にし、そして、それは、ウェハ全体に独立したヒータゾーン制御を可能にする。ウェハ全体の複数の独立したヒータゾーンは、膜成長／堆積均一性を調整する温度勾配と、従来の単一ウェハシステムより優れている膜均一性およびウェハゆがみを最小とする高速熱調整とを可能にすることができる。 （もっと読む）

基板を支持するための基盤ホルダ。加熱要素が、支持面に隣接し、この支持面と冷却要素との間に位置している。流体用ギャップが、この冷却要素と加熱要素との間に位置している。この流体用ギャップは、冷却要素と加熱要素との間の熱伝導を増加させるように、流体を受容するように構成されている。ろう付け用素材が、冷却要素と加熱要素との間に配置されており、このろう付け用素材は、流体用ギャップに隣接して配置されている。
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腐食的な製造環境での製作中に、半導体ウェハーを加熱するための改良された加熱システム（１０）が開示されている。前記システム（１０）は、新規なセラミックヒータ（１２）を備えており、前記セラミックヒータ（１２）は、該セラミックヒータ（１２）のセラミック基板（１６）内部に完全に直接埋め込まれている多数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）を有している層状のセラミック基板（１６）から作成されている。前記複数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）は、前記セラミックヒータ（１２）の作動効率を改良する低い温度抵抗係数を備えているモリブデンと窒化アルミニウムの複合物から構成されている。作動時に、前記温度センサ配置（３８）は、前記半導体ウェハーの全表面に渡って一定で一様な温度分布を供給するような方法で前記加熱素子（４４）を制御すること可能であるマイクロプロセッサー（１４）に温度示度を伝達する。 （もっと読む）