【課題】化学蒸着を実施するための反応炉を提供する。
【解決手段】化学蒸着またはエピタキシャル層成長反応炉は反応チャンバを含んでいる。少なくとも１つの基板キャリアと基板キャリアを支持するためのサポータとが反応チャンバ内に設けられている。基板キャリアは第１面と第２面とを含んでいる。基板キャリアの第２面には少なくとも１つの内向きに窪んだ凹部が設けられている。サポータは、サポータは、スピンドル部と；スピンドル部の一端に接続されて、スピンドル部の外周から外向きに延びた支持部であって、支持部が支持面を含んだ支持部と；スピンドル部に接続されて、基板キャリアの第１面に向かって所定の高さだけ延びたプラグイン部と、を含み、サポータのプラグイン部は取外し可能に凹部内に挿入され、基板キャリアがサポータ上に配置され且つサポータによって支持されることを可能にしている。 （もっと読む）

【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１に配置されて基板７が載置されるサセプタ８と、サセプタ８を下方から加熱するヒータ９とを有する。サセプタ８は、リング状の第１のサセプタ部８ａと、第１のサセプタ部８ａに接して設けられ、第１のサセプタ部８ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部８ｂとを有し、第２のサセプタ部８ｂの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第１のサセプタ部８ａは、第２のサセプタ部８ｂの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板を棚状に保持する基板保持具において、移載マージンを確保しながら、基板の配列間隔を狭くすること。
【解決手段】基板保持具（ウエハボート３）において、互いに分割可能に合体された第１のボート部１及び第２のボート部２を設ける。第１のボート部１のウエハＷ１の保持部１６ａ〜１６ｃと、第２のボート部２のウエハＷ２の保持部２６ａ〜２６ｃとは、ボート部１上のウエハＷ１とボート部２上のウエハＷ２とが交互に配列されるように、夫々の高さ位置が設定される。第１及び第２のボート部１、２に夫々ウエハＷ１、Ｗ２を移載してから、これらボート部１、２を合体させてウエハボート３を構成するため、ウエハボート３には、第１及び第２のボート部１，２へのウエハＷの移載時の配列間隔よりも狭い配列間隔でウエハＷを搭載することができる。 （もっと読む）

【課題】ある方向に沿って延在する容器を冷却する際に、電力消費量を増加させることなく、延在する方向に沿って容器の冷却速度に差が発生することを抑制できる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理容器６５と、処理容器６５内で、一の方向に沿って基板を所定の間隔で複数保持可能な基板保持部４４と、処理容器６５を加熱する加熱部６３と、気体を供給する供給部９１と、一の方向に沿って各々が互いに異なる位置に設けられた複数の供給口９２ａとを含み、供給部９１が供給口９２ａの各々を介して処理容器６５に気体を供給することによって処理容器６５を冷却する冷却部９０とを有する。冷却部９０は、供給口９２ａの各々を介して気体を供給する供給流量が独立に制御可能に設けられたものである。 （もっと読む）

【課題】高品質なエピタキシャル層をウェハの面上に安定して堆積成長させることが可能なエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に着脱自在に取り付けられると共に、天板３の下面に堆積物が堆積するのを阻止するように、天板３の下面に近接して配置された遮蔽板１２は、ガス導入口９を反応空間Ｋの内側に臨ませる開口部１３を中央部に有する基材１２ａと、この基材１２ａの下面を被覆する薄膜１２ｂとを有し、薄膜１２ｂの表面は、基材１２ａの下面に形成された微細な凹凸を反映した凹凸形状を有し、加熱手段８により加熱されて遮蔽板１２が熱変形したときに、凹凸形状によって遮蔽板１２の下面に堆積した堆積物の脱落が抑制される。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する基板ホルダー、該基板ホルダーを回転自在に保持するサセプタ、及び該サセプタを回転自在に保持するサセプタ保持機構が備えられた気相成長装置であって、基板の入れ替え及びサセプタの脱着が容易な気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタを、該基板ホルダーを保持する円盤状部材、及び円盤状部材から分離できるリング状部材からなる構成とし、サセプタを回転自在に保持する保持機構の一部を該リング状部材に設ける。 （もっと読む）

【課題】地震等による破損の発生を防止する。
【解決手段】ボート２１７を支持する断熱筒２１８を有する基板処理装置において、断熱筒２１８をボート２１７の下に締結される上筒１０と、上筒１０の下に締結される下筒２０とから構成する。上筒１０はボート２１７と同質の炭化珪素で同径の円筒形状に形成し、ボートの下側端板２１７ａに炭化珪素のボルト１８によって締結する。下筒２０は石英で上筒１０と同径の円筒形状に形成し、上筒１０の上に印籠結合するとともに、ボルト２６によって締結する。ボルト２６は石英で形成し、基端部にねじ部２７、先端部にねじ部の無い接触部２８を形成する。ボルト２６は下筒２０に等間隔に突設された固定片２４のねじ孔２５にねじ部２７をねじ込み、接触部２８を上筒１０の側壁１１の熱通し孔１３の内周面に接触させる。 （もっと読む）

【課題】成膜精度に悪影響を及ぼさず、かつ高温に耐え得るウェーハの積層構造を有する基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェーハ１４を内周側で保持するホルダベース１１０と、ホルダベース１１０の外周側を保持するホルダ保持部ＨＳを有する各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを備え、ホルダベース１１０の外径寸法をウェーハ１４の外径寸法よりも大きくし、かつホルダベース１１０をホルダ保持部ＨＳから取り外せるようにした。ホルダベース１１０と各ボート柱３１ａ〜３１ｃとを溶接等により固着しなくて済み、ホルダベース１１０および各ボート柱３１ａ〜３１ｃをＳｉＣ等で形成して、容易に高温に耐え得るウェーハの積層構造を実現できる。また、ホルダベース１１０によって、各ボート柱３１ａ〜３１ｃからウェーハ１４を離間させることができるので、成膜精度に悪影響を及ぼすのを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ボートの変形を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を鉛直方向に夫々が間隔を成すように積層して保持するボートと、前記ボートを収容し、該ボート上に保持された前記基板を処理する処理室と、前記処理室内に収容された前記基板を加熱する加熱部と、前記処理室内へ処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内からガスを排気する排気部とを備える基板処理装置において、前記ボートを、天板と底板と補強板と複数の上側支柱と複数の下側支柱とを有し、前記天板と前記補強板を前記上側支柱で連結し、前記補強板と前記底板を前記下側支柱で連結するように構成する。 （もっと読む）

【課題】炉口部を構成する部材の熱劣化を抑制することを可能とする。
【解決手段】処理ガスの供給により複数の基板を処理する処理部と、前記処理部で前記複数の基板を水平に保持するボートと、前記ボートを下方から支持する熱交換体を有し、該熱交換体の外周にガス流通経路が形成されている熱交換部と、前記処理部から前記熱交換部の前記ガス流通経路を介して高温の前記処理ガスが排気される炉口部と、前記ガス流通経路を通って前記処理部に延在されるノズルであって、前記処理部に延在されるノズル上部に前記処理ガスを供給する供給部を有するノズルと、前記ガス流通経路を通るノズル下部と前記熱交換体との間に設けられ、前記ガス流通経路を狭めるためのガス流通経路制限部とを有し、前記ガス流通経路制限部と前記熱交換体との間隙は、前記ノズル上部から前記複数の基板までの距離より小さく設定されている。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内の雰囲気を安定化することができる気相処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバ５には、間隔を空けてサセプタ３を取り囲む穴部ＨＬが設けられている。サセプタガイド２１は、チャンバ５の外部に配置されており、サセプタ３を回転可能に保持しており、第１の外周面を有する。第１のリング部３１は、穴部ＨＬを取り囲むようにチャンバ５に取り付けられており、第１の内周面を有する。第２のリング部３２は、第１の内周面に対向する第２の外周面と、第１の外周面に対向する第２の内周面とを有し、サセプタガイド２１に取り付けられており、金属多孔体から作られている。 （もっと読む）

【課題】芳香族酸二無水物と芳香族ジアミンとの熱重合反応により成膜されるポリイミド膜の成膜速度を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を保持する基板保持部４４と、基板保持部４４に保持されている基板を加熱する基板加熱部６２と、成膜容器６０内に設けられるとともに、第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するための供給孔７５が形成された、供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給する供給機構７０と、基板保持部４４と基板加熱部６２と供給機構７０とを制御する制御部９０とを有する。制御部９０は、供給機構７０により第１の原料ガス及び第２の原料ガスを供給するとともに、基板加熱部６２により、基板保持部４４に保持されている基板を、熱重合反応が生ずる温度範囲に加熱することによって、ポリイミド膜の成膜速度を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板の面内における原料ガスの供給量を均一にし、成膜される膜の膜質を一定にすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜容器６０内で基板を水平面内で回転可能に保持する基板保持部４４と、供給孔７５が形成された供給管７３ａを含み、供給孔７５を介して成膜容器６０内に原料ガスを供給する供給機構７０と、排気孔８３が形成された排気管８２を含み、排気孔８３を介して成膜容器６０内からガスを排気する排気機構８０と、基板保持部４４と供給機構７０と排気機構８０とを制御する制御部９０とを有する。供給孔７５と排気孔８３とは、基板保持部４４に保持されている基板を挟んで互いに対向するように形成されている。制御部９０は、基板保持部４４に保持されている基板を回転させた状態で、供給機構７０により原料ガスを供給するとともに排気機構８０によりガスを排気することによって、基板に膜を成膜するように制御する。 （もっと読む）

【課題】各々石英により構成されると共に互いに気密に固定された真空容器及び排気ポートを備えた真空処理装置において、真空容器の破損を抑えること。
【解決手段】反応管１１及び排気ポート１２に夫々ボトムフランジ３１及びフランジ部材５２を取り付けて、次いでこれらボトムフランジ３１とフランジ部材５２とをシャフト７１によって互いに固定する。続いて、反応管１１を上方位置に持ち上げて、ボトムフランジ３１を筐体１０に固定する。しかる後、フランジ部材５２と排気管４１ａとを互いに接続する。 （もっと読む）

【課題】プラズマを利用して行うＡＬＤ成膜処理につき、成膜プロセスの高速化と低温化とを両立させつつ、プロセス温度が低温の場合でも高温の場合と同等の膜質が得られるようにする。
【解決手段】基板を処理する処理室と、複数枚の基板を積層した状態で保持する基板保持具と、複数段の各電極体にそれぞれ電力が供給されることで基板間にプラズマを発生させる電極体群と、各電極体にそれぞれ電力を供給する電力導入部と、処理室内に第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給系と、処理室内に第２の処理ガスを供給する第２の処理ガス供給系と、処理室内を排気する排気系と、ＡＬＤ成膜処理を行うように電力導入部、第１の処理ガス供給系、第２の処理ガス供給系及び排気系を制御する制御部と、を有して、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】一括して処理することの出来る基板の枚数を減らすことなく、隣接する基板間へのガスの供給を促進させる。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、処理ガス噴出口と排気孔とを結ぶ第１の直線が基板の中心付近を通るように構成された処理ガス噴出口から処理室内に処理ガスを供給するとともに、一対の不活性ガス噴出口と排気孔とを結ぶ第２の直線及び第３の直線が第１の直線をそれぞれ両側から挟むように構成された一対の不活性ガス供給ノズルから処理室内に不活性ガスを供給して基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハボートに棚状に積載された複数の基板の各々に対して側方側から処理ガスを供給して反応管内において熱処理を行うにあたり、処理ガスの有効利用を図ると共に、装置のコストを低減すること。
【解決手段】保持板３１の各々の上面側に基板載置領域３３を周方向に複数箇所に形成して、これら保持板３１を周縁側から周方向に亘って複数箇所において支柱３２によって支持すると共に、保持板３１上に支持されるウエハＷの上面と当該ウエハＷの上方側に対向する保持板３１の下面との間の間隔寸法ｋよりも保持板３１の外縁と内管１２ｂの内壁との間の離間寸法ｔの方が小さくなるように、保持板３１の外縁よりも内側寄りの位置に各々の支柱３２を配置する。そして、ウエハＷの各々の側方側のガス吐出口５２から、各々のウエハＷに対して処理ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】一度に処理できる基板の枚数を増加させたコールドウォール型の基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理炉２０２内に複数のウエハ２００を積載したボート２１７を配置し、該ボート２１７の外周側に、リング状に形成されたリング状プレート３１１をリングボート３１２により支持して、前記ウエハ２００の積載方向に複数並べて配置する。前記リング状プレート３１１を誘導加熱装置２０６で誘導加熱し、その輻射熱により前記ウエハ２００を外周縁全体から加熱する。前記リング状プレート３１１の外周側にガス供給ノズル２３２を配置し、該ガス供給ノズル２３２のガス供給口２３２ａから吐出されたガスを、隣り合う複数の前記リング状プレート３１１の間の隙間部分を通して前記ウエハ２００に供給する。 （もっと読む）

【課題】基板を誘導加熱する際に、放射温度計を用いて正確な温度測定が可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容して処理する反応管と、該反応管の内部に設けられ、複数の基板を加熱する積層された複数の被誘導加熱体と、前記複数の被誘導加熱体からの光を同時に集光する集光部を備え、該集光部が同時に集光した被誘導加熱体からの光に基づき、前記複数の被誘導加熱体の温度を測定する放射温度計と、前記反応管の外部に設けられ、前記放射温度計が測定した温度情報に基づき、前記被誘導加熱体を誘導加熱する誘導加熱体と、を有するように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】被処理体を支持する支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制して形成される薄膜の膜厚の面内均一性及び膜質の改善を図ることが可能な支持体構造を提供する。
【解決手段】処理ガスを一側から他側に向けて水平方向に流すようにした処理容器構造内で処理すべき複数枚の被処理体Ｗを支持する支持体構造において、天板部９２と、底部９４と、天板部と底部とを連結し、被処理体を支持する複数の支持部１００がその長さ方向に沿って所定のピッチで形成されると共に複数の支持部の内の最上段の支持部と天板部９２との間の距離と複数の支持部の内の最下段の支持部と底部９４との間の距離とが共に支持部間のピッチ以下の長さに設定されている複数の支持支柱９６とを備える。これにより、支持体構造における上下の両端部側におけるガスの乱流の発生を抑制する。 （もっと読む）