【課題】基板の位置を容易に検出可能にする。
【解決手段】本発明の露光装置ＥＸは、露光対象の基板Ｐに回路パターンを露光する露光部と、基板Ｐを貫通して設けられ、露光の位置基準となるアライメントマークＡＭに光を通して基板Ｐの位置を検出するアライメント系４を備える。アライメント系４は、光を射出する光学部材と、光学部材から射出されてアライメントマークＡＭを通った光を反射させる反射部とを備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】ワークの姿勢を良好にアライメントできるアライメント装置、基板処理装置、およびアライメント方法を提供する。
【解決手段】注目マーク９４ａが初期位置Ｐ０から第１計測位置Ｐ１へ第１距離Ｄ１だけ移動した後、位置演算部は、対応撮像部にて撮像された第１撮像画像に基づいて、第１撮像画像の座標系における注目マーク９４ａの第１計測位置Ｐ１を演算する。また、位置演算部は、注目マーク９４ａが第１計測位置Ｐ１から第２計測位置Ｐ２に移動した後、対応撮像部により撮像された第２撮像画像に基づいて、第２撮像画像の座標系における第２計測位置Ｐ２を演算する。続いて、演算された第１および第２計測位置Ｐ１、Ｐ２と、第１角度θ１と、に基づいて、回転軸３５ａから見た注目マーク９４ａのマーク位置を演算する。そして、求められた各アライメントマークのマーク位置を通る直線を求めることによって、主走査方向に対する基板の傾きを求める。 （もっと読む）

【課題】 基板上にすでに配置されている、サブ半導体チップの電極パッドを検出して生成した電極接続データで描画処理を行う技術を提供する。
【解決手段】 パターン描画装置１００の光学ヘッド部５０に対して相対移動する基板Ｗを光学ヘッド部５０により直接露光する直接露光方法で、アライメントカメラ６０で基板Ｗをモニターし基板Ｗの電極パッドの位置を検出し、パターン描画装置１００に入力された配線パターンデータと、電極パッドの検出位置からパターン描画装置１００内の制御部７０が、電極接続データを生成する。生成された電極接続データで光学ヘッド部５０が、移動する基板Ｗを電極接続データに基づいて直接露光することで電極パッドの位置がずれていても配線パターンを正確に描画することができる。 （もっと読む）

【課題】露光装置のステージ上に被露光ガラス基板を搭載してから、フォトマスクとガラス基板のアライメントとが終了するまでのステージの移動回数を低減するの提供である。
【解決手段】露光用光源、露光光制御機構、基板ステージ位置調節機構、アライメントマークの画像認識機構、該画像情報等を使用して位置情報を保存・算出する機構とを備える露光装置であって、ステージに被露光基板を搭載する都度、位置情報に基づいて被露光基板を初期位置に移動し、その後、画像認識によりフォトマスクのアライメントマークと被露光基板のアライメントマークが所定の許容差に収まるまで、別の位置情報に基づいて被露光基板を段階的に移動するとともに、移動後の位置を位置情報として蓄積し、次に露光する被露光基板の初期位置についての情報を、蓄積された位置情報に基づいて算出し位置情報として設定するする機構を備えたことを特徴とする露光装置。 （もっと読む）

【課題】 マスクレス露光工程で仮想のマスクを用いてレイヤ別にオーバーレイする方法を通してマスクレス積層露光を行うことができる整列方法を提案する。
【解決手段】 マスクレス露光で既存のマスク露光のマスクと同一の役割をする仮想のマスクという概念を導入し、既存のマスク露光の整列マークと同一の役割をする仮想のターゲットマークという概念を導入してレイヤ別にオーバーレイを行うことによって、マスクレス露光でも積層露光を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】スループットの低下を低減しつつ、レシピに登録された座標と実際の座標とのずれを自動的に補正する。
【解決手段】基板Ｗにおけるモデルの検査・測定座標を記憶したレシピに基づいて搬送ステージ１３上に載置された基板Ｗにおけるモデルを検査・測定する基板検査・測定装置１０は、搬送ステージ１３上に載置された基板Ｗにおけるモデルの実座標を特定し、特定した実座標をレシピに登録する（ステップＳ１１４、Ｓ４１５）。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクと基材との位置合わせの時間を短縮することが可能なフォトマスクと基材との位置合わせ方法およびそれを用いた配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】露光システムは、露光機６０および画像処理装置６４を備える。露光機６０は、複数のカメラ６２ａ，６２ｂを含む。カメラ６２ａ，６２ｂは、フルスキャンモードおよびパーシャルスキャンモードに選択的に設定可能に構成される。カメラ６２ａ，６２ｂは、フルスキャンモードでは、得られた画像データの全てを転送し、パーシャルスキャンモードでは、得られた画像データから一部を抽出して転送する。画像処理装置６４が、カメラ６２ａから転送される画像データを用いた処理とカメラ６２ｂから転送される画像データを用いた処理とを並列的に行う。 （もっと読む）

【課題】基板テーブルＰＴの第１保持部２６上面の温度分布に基づいた条件で、ショットＳ１〜Ｓ３２の配列を求めることで、基板ＰのショットＳ１〜Ｓ３２の各ショットと、マスクＭのパターン像とを高精度に位置合わせする位置合わせ方法を提供する。
【解決手段】ＥＧＡの処理条件として、ショットＳ１〜Ｓ３２からサンプルショットに指定するショットの数と、サンプルショットの配置と、基板アライメントマークＰＡＭの変位モデルの算出に用いる回帰分析の次数とを、第１保持部２６上面の温度分布に基づいて決定し、ＥＧＡ処理を実行してショットＳ１〜Ｓ３２の配列を推定する。そして、順次、配列を推定したショットＳ１〜Ｓ３２の各ショットと、マスクＭのパターン像とを位置合わせし、基板Ｐを露光していく。 （もっと読む）

【課題】粗面を有する発光ダイオード（ＬＥＤ）加工時の改良された光学アライメント方法を提供する。
【解決手段】この方法では、二乗平均平方根（ＲＭＳ）表面粗さσ_ｓを有する少なくとも一つの粗面化アライメントマークがウエハ上に形成される。粗面化アライメントマークは、ウエハアライメントマークが位置するＬＥＤ１０の表面をプラズマエッチングによって粗面化する際に形成される。また、この方法では、約２σ_ｓから約８σ_ｓの範囲の波長λ_Ａを有するアライメント光を利用して、少なくとも一つの粗面化ウエハアライメントマークが結像される。また、この方法では、検出画像がアライメント対照と比較されてウエハアライメントが確立される。ウエハアライメントが一旦確立すれば、ｐ型コンタクト９０ｐ及びｎ型コンタクト９０ｎをＬＥＤの上面の適切な位置にそれぞれ形成することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の露光工程を経て変形したウエハであっても高精度に位置合わせを実施することができ、かつ、高いスループットが容易に得られる露光装置を提供する。
【解決手段】光源から光を導入し、測定対象物６に形成されたアライメントマーク５０ａ、５０ｂに対して光を照射する照明系と、アライメントマーク５０ａ、５０ｂにおいて反射、又は回折、又は散乱された光を結像する結像系とを有する位置検出系を備え、位置検出系が検出したアライメントマーク５０ａ、５０ｂの位置情報に基づいて、測定対象物６に対して回転、シフト、及び倍率補正の少なくとも１つを実施する露光装置であって、結像系は、光からアライメントマーク信号を検出する画像検出素子を備え、画像検出素子による測定領域７０は、測定対象物６の回転中心からアライメントマーク５０ａ、５０ｂへ向かう第１方向の測定領域に比べ、第１方向に直交する第２方向の測定領域の方が広い。 （もっと読む）

【課題】ワークに形成されたパターンの画像のコントラストが低い場合であっても、ワークマークを誤検出なく確実に検出できるようにすること。
【解決手段】アライメント顕微鏡１０は例えば３倍の倍率と１０倍の倍率に切り替えが可能であり、ワークＷ上には、ワークマークＷＡＭと、ワークマークＷＡＭよりコントラストが高く見えやすいワークマークＷＡＭに対して所定の相対位置にある探索マークが設けられている。まず、アライメント顕微鏡を３倍の倍率にして、ワーク上に形成された上記探索マークを検出する。探索マークが検出されたら、ワークマークＷＡＭが１０倍の倍率のアライメント顕微鏡１０の視野に入るようにワークステージＷＳを移動させ、１０倍の倍率でワークマークＷＡＭを検出する。これにより、ワークマークを確実に検出することができ、マスクとワークの位置合わせを行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】光学的に位置を評価する機器及び方法を提供すること。
【解決手段】リソグラフィ機器は、表面上に位置合わせマークを有する基板を支持する基板テーブルを備える。この機器はさらに、走査動作モード又はステップ動作モードを実現するために、この基板に対して相対的に移動可能なフレームを備える。基板の目標部分にそれぞれのパターン化されたビームを投影するために、このフレーム全体にわたって投影システムのアレイを配設する。このフレームに取り付けられた複数の位置合わせマーク検出器は、それぞれの直線駆動機構を使用してこのフレームに関して移動可能である。各位置合わせマーク検出器に関連する位置センサは、フレームに対する相対的な検出器の位置を求める。制御システムは、基板上の位置合わせマーク・パターンの上でこれらの検出器の初期位置決めを行うことと、リソグラフィ工程中にフレームと基板を動的に位置合わせする役割を担う。 （もっと読む）

【課題】試料に形成された段差を有する基準マークのエッジラフネスの影響を受けることなく、基準マークの位置を再現性良く検出することが可能な荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】ステージをＸＹ方向に動かして該ステージに載置された試料Ｍに形成された段差を有する基準マークＦＭ’に対して光てこ式の高さ測定器の投光光を走査し、その反射光の強度の変化を検出し、その反射光の強度が変化したときのステージのＸＹ位置を検出し、検出したＸＹ位置を基準マークＦＭ’の位置Ｃとして検出し、検出した基準マークＦＭ’の位置Ｃから試料Ｍに存在する位相欠陥Ｄの位置を特定し、特定した位相欠陥Ｄの位置との関係で描画位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】 より簡便な印刷装置を用いて、大型な電子・電気回路をアライメント精度良く製造可能な電子・電気回路の製造方法を提供する。
【解決手段】 印刷法を用いて複数の構成要素を有する素子から成る電子・電気回路を製造するための製造方法である。特定の波長の光又は電磁波を透過する基板１００の裏面に、光又は電磁波の透過率の低いアライメントマーク１１〜１９（マークパターン）を配置し、基板１００の上面から光又は電磁波を照射し、アライメントマーク１１〜１９の位置を検出することによりアライメントを行い、素子の各構成要素を印刷法を用いて形成する。 （もっと読む）

【課題】アライメント顕微鏡の撮像素子に写し出されるワークマークの見え方が異なったとしても、ワークマークを正しく検出することができるようにすること。
【解決手段】アライメント顕微鏡１０を使って、ワークＷの表面画像を受像し、ワークマークＷＡＭとして登録すべき見え方（形状や明暗や色調）の異なる複数のパターンを、ワークマークＷＡＭ１〜ｎとして制御部１１の記憶部１１ｂに登録する。ワークマークを検出する際には、このワークマークＷＡＭ１〜ｎを使って、検索領域内のパターンを検索し、比較・評価部１１ｃで、登録されているワークマークＷＡＭ１〜ｎと検索領域内のパターンとを比較して一致度のスコアを求め、スコアが例えば一定値を越えていると、このパターンをワークＷ上のワークマークＷＡＭと判定する。このワークマークＷＡＭを使って位置合わせ制御部１１ｅはマスクＭとワークＷの位置合せを行う。 （もっと読む）

【課題】ウエハ処理によってダメージを受け、目標とするマークが検出できない場合もしくは、計測ができなくなった場合でも正確にアライメントを実施する。
【解決手段】基板の各ショットごとに配列された複数の位置検出マークの中からターゲットマークを検出して基板の位置合わせを行う露光装置であって、スコープにより第１の倍率で撮像された画像から、複数の位置検出マークの中の第１のマークの位置と当該第１のマークの外側の領域の特徴とを抽出して第１のマークを識別し、スコープにより第２の倍率で撮像された画像から、ターゲットマークの位置を抽出し、抽出されたターゲットマークの位置の信頼性が閾値を下回る場合、新たなターゲットマークとして複数の位置検出マークから第２のマークを選択し、第２の倍率で撮像された画像から第２のマークの位置を抽出する演算処理部と、第２のマークの位置に基づきステージの位置を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】被検光学系の高次成分を含む波面収差を高精度に測定することができる測定方法を提供する。
【解決手段】波面測定用マークと前記波面測定用マークからの光を被検光学系の瞳面上の異なる位置に入射させるためのピンホールとを含む測定用レチクルを用いて、前記被検光学系の波面収差を測定する測定方法であって、前記測定用レチクルを前記被検光学系の物体面に配置して、前記被検光学系の像面に前記波面測定用マークの像を形成する形成ステップと、前記被検光学系の像面に形成された前記波面測定用マークの像の理想位置からの位置ずれ量に基づいて前記被検光学系の波面収差を算出する算出ステップと、を有し、前記波面測定用マークは、第１の方向に長手方向を有するように形成された第１のマークと、前記第１の方向に直交する第２の方向に長手方向を有するように且つ前記第１のマークから離れるように形成された第２のマークとを含むことを特徴とする測定方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタを含む半導体装置を歩留まりよく製造するためのアライメントマークを、工程増となることなく、歩留まりと精度のよい半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン半導体膜１３と、少なくとも表面が異なるシリコン相６ａ，６ｂで図形化されたシリコン膜５からなるアライメントマーク４と、が基板１０上に形成されている半導体装置１によって、上記課題を解決する。この異なるシリコン相６ａ，６ｂは、多結晶シリコン相６ｐと非晶質シリコン相６ａである。こうした異なるシリコン相６ａ，６ｐは、半導体素子部２に多結晶シリコン半導体膜１３を形成するためのマスクパターンＡを形成するとともに、アライメントマーク部３にアライメントマーク４を形成するためのマスクパターンＢを形成し、そのマスクパターンＡ，Ｂ上からイオン注入して、マスクパターンＡ，Ｂで覆われていない多結晶シリコン膜の露出部の少なくとも表面を非晶質シリコン相に変化させることによって形成できる。 （もっと読む）

【課題】物体上の複数のマークを効率的に、かつ高精度に検出する。
【解決手段】ウエハマークを検出するアライメント装置であって、互いに異なる位置に配置された複数の検出領域ＡＬ１ｆ〜ＡＬ２₄ｆの像を撮像素子上に形成し、その撮像素子上に形成されたその像に関する情報を検出する複数のアライメント系と、複数の検出領域ＡＬ１ｆ〜ＡＬ２₄ｆの位置関係を求める装置と、そのアライメント系の撮像信号のうち、その位置関係に基づいてそれぞれ定められる積算領域１５１Ｘ，１５１Ｙの撮像信号を積算し、該積算結果に基づいてそのマークの位置情報を求める検出信号処理部とを有する。 （もっと読む）

【課題】大面積のイメージエリアの露光ができる、分割露光方式を用いた露光方法を提供する。
【解決手段】チップ領域を複数の一括露光領域に分割して露光する露光方法が、基板を準備する工程と、基板上にフォトレジストを形成する工程と、アライメントマークを有するフォトマスクを用いて複数の一括露光領域を露光しチップ領域内のフォトレジストにアライメントマークを転写する転写工程と、フォトレジストに転写されたアライメントマークのうち不要なアライメントマークに重ねてフォトレジストを部分的に露光する２重露光工程とを含む。 （もっと読む）