【課題】 露光装置における投影光学系を介してマスク面とプレート面の位置検出をするにあたり、前記投影光学系における非点隔差の影響をできる限り受けない位置で位置検出マークを検出し、精度良くマスク面とプレート面の位置検出をする方法を提供する。
【解決手段】 露光装置（１００）は、物体面（１１）上に形成されたパターンを像（２１）面上に結像させる投影光学系（３０）と、露光波長と異なる波長を有し物体面と像面の相対的な位置ずれ量を前記投影光学系を介して検出する位置検出装置（５０）を備えている。位置検出を投影光学系（３０）で生ずる非点隔差の影響が少ない位置で実施することで、位置検出の精度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＥＵＶ露光用の反射型マスクにおいても、レーザ描画装置を用いてアライメントマークを検出する際に、十分なコントラストを有する反射信号を得ることができ、それゆえ、位置精度良く、遮光領域形成用レジストパターンを形成することができる反射型マスク、およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 反射型マスクに形成するアライメントマークを、レーザ描画装置のアライメント光の波長に対し、解像限界以下の微細な線幅および間隔を有するスリット状の構造体で構成して、アライメント光照射における反射信号の強度を小さくすることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの検出条件を最適化する。
【解決手段】アライメント検出系を用いてウエハ上に形成されたアライメントマーク（ＥＧＡマーク又はサーチマーク）が複数の照明条件又は複数の結像条件で検出される。しかる後、得られた検出信号を信号処理アルゴリズムを用いて解析処理することにより検出信号の波形の変形に関する判定量が求められ（ステップ３０２〜３１０）、その判定量に基づいて複数のマークの検出結果に対するＴＩＳが評価される（ステップ３１２）。そして、その解析結果に基づいて複数の照明条件又は複数の結像条件が最適化される（ステップ３１４）。これにより、検出結果に対するＴＩＳが最小になるようにアライメントマークの検出条件を最適化することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップ半導体基板の位置検出を、可視光を用いて高精度に行う。
【解決手段】一実施形態によれば、ナローギャップ半導体基板（例えばＳｉ基板２）の主面の所定の位置に彫り込み型のアライメントマーク４が形成されたナローギャップ半導体基板のその主面上にワイドギャップ半導体層（例えばＧａＮ層１９）をエピタキシャル成長したことにより、基板位置決め用のアライメントマークが予め埋め込まれているワイドギャップ半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】被検光学系の開口数が大きい場合にも、被検光学系の光学特性を正確に計測する。
【解決手段】特性計測装置２０において、投影光学系ＰＬの物体面及び像面に配置されるＬ＆Ｓパターン２１Ａ及びＬ＆Ｓパターン２３Ａと、Ｌ＆Ｓパターン２１Ａ及び投影光学系ＰＬを介してＬ＆Ｓパターン２３Ａを照明する照明光学系ＩＬＳと、Ｌ＆Ｓパターン２３Ａを通過した光の開き角を小さくする蛍光膜２４と、蛍光膜２４を通過した光を集光して検出するコンデンサーレンズ３２Ａ〜３２Ｅ及び光電検出器３３Ａ〜３３Ｅと、光電検出器３２Ａ〜３３Ｅの検出信号に基づいて投影光学系ＰＬの光学特性を求める計測部１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】 コスト上昇を招くことのない方法によってウェーハ上に形成される露光ショットの配列誤差を低減し、ショットエリアの大きさが異なる露光装置を混用しても上下のマスクパターンの重ね合わせ精度が向上できるフォトリソ工程を提供する。
【解決手段】 露光装置に露光ショットの配列誤差測定用マークを備えたフォトマスクを装着し、ウェーハ上に前記マークのレジストパターンを形成した後、前記マークを用いて露光ショット配列誤差に基づくズレに関する量を測定する。次に測定した量を上下パターンレイヤの重ね合わせ誤差と見なした時の誤差成分を算出し、さらにこの誤差成分から露光ショット配列誤差に関する誤差成分を算出する。次にこの結果を判定し、誤差成分値が所定の基準を満たさない場合は算出した露光ショット配列に関する誤差成分値を用いて露光装置のパラメータを補正し、基準を満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】計測装置のうち光学系の像面側に配置する部分の構成を簡素化して、光学系の光学特性を計測する。
【解決手段】特性計測装置２０において、投影光学系ＰＬの物体面及び像面側に配置されるＬ＆Ｓパターン２１Ａ及びＬ＆Ｓパターン２３Ａと、Ｌ＆Ｓパターン２１Ａ及び投影光学系ＰＬを介してＬ＆Ｓパターン２３Ａを照明する照明光学系ＩＬＳと、Ｌ＆Ｓパターン２３Ａからの反射光を投影光学系ＰＬ及びＬ＆Ｓパターン２１Ａを介して受光する受光系３０と、を備え、Ｌ＆Ｓパターン２１Ａの像とＬ＆Ｓパターン２３Ａとを相対移動したときに受光系３０から得られる検出信号に基づいて投影光学系ＰＬの結像特性を求める。 （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィ工程で使用するオーバーレイマークを提供する。
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、基板を準備する工程１３と、基板の中にオーバーレイマークの第１の部分を形成し、第１の部分は、第１の方向で測定される第１の寸法と、第１の方向に対して略垂直な第２の方向で測定され、第１の寸法より大きな第２の寸法と、をそれぞれ有する複数の第１のフィーチャを有する工程１５と、基板の中にオーバーレイマークの第２の部分を形成し、第２の部分は、第１の方向で測定される第３の寸法と、第２の方向で測定され、第３の寸法より小さい第４の寸法と、をそれぞれ有する複数の第２のフィーチャを有する工程１７と、を含む。 （もっと読む）

【課題】インプリント・リソグラフィによって基板上にパターンを形成するシステムを提供する。
【解決手段】インプリント・ヘッド３１００はインプリント・ヘッド支持体３９１０に取り付けられている。インプリント・ヘッド３９１０はインプリント・ヘッドが常に固定位置に留まるように取り付けられている。使用中、Ｘ−Ｙ面に沿ったすべての動きはモーション・ステージ３６００によって基板に対して実行される。システム３９００は硬化液を基板上に分配する液体分配システムも備える。液体分配システムは、インプリント・ヘッド３１００に結合される。インプリント・リソグラフィは液体を基板上に分配するプロセスである。テンプレートが液体に接触され、液体が硬化される。硬化した液体はテンプレート内に形成されるパターンのインプリントを含む。一実施形態では、基板上に予め形成された層に対するテンプレートの整列は散乱計測を用いて行われる。 （もっと読む）

【課題】計測用の光学系を大型化することなく、マスクの面形状の情報を効率的にかつ高精度に計測する。
【解決手段】レチクルの形状情報を計測する計測装置において、投影光学系ＰＬの物体面側に配置され、複数の位相マーク２０が形成されたパターン面を有するレチクルＲと、投影光学系ＰＬの像面側に配置され、位相マーク２０に対応して複数の周期パターン３９が形成された蛍光膜３５と、位相マーク２０、投影光学系ＰＬ、及び周期パターン３９を通過した照明光ＩＬから生成される検出光ＤＬを検出するＦＯＰ３７及び撮像素子３８と、撮像素子３８の検出信号からそのパターン面の形状情報を求める演算装置とを備える。 （もっと読む）

【課題】精確に検出可能なアライメントマークを有する半導体装置を提供することにある。
【解決手段】本発明による半導体装置は、リソグラフィ製造工程用のアライメントマークを有する。アライメントマークは、検出光の走査方向に沿って所定の間隔で配置された複数の棒状マーク１０を備える。複数の棒状マーク１０の各々は、走査方向に直交する第１方向に沿って所定の間隔で配置された複数の配線マーク１１によって形成される。互いに隣接する配線マーク１０間隔ＷＳは、半導体装置の設計制約の範囲内において前記検出光の波長より短い。 （もっと読む）

【課題】重ね合わせ測定の精度を向上できる重ね合わせ測定マークを提供する。
【解決手段】第１パターンと第２パターンの重ね合わせ測定のためのマークにおいて、プラグ用ホールの開口パターンからなる第１パターンが形成された層間絶縁膜に該プラグ用ホールと同時に形成された第１ホールの開口パターンからなる第１マークと、前記層間絶縁膜に第１ホールと同時に形成され、前記プラグ用ホールの開口サイズと同程度で且つ第１ホールの開口サイズより小さい開口サイズを有する第２ホールの開口パターンからなる第２マークと、前記層間絶縁膜上の導電膜上に形成されたレジスト膜をパターニングして第２パターンと同時に形成されたレジストパターンからなる第３マークを含む構成とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハのアライメントを行う際に、精度の向上と共に処理時間の短縮を図る。
【解決手段】露光装置において基板に設けられたマークの位置を検出するマーク位置検出装置であって、解像度及び読み出し領域が変更可能な撮像素子と、マークから反射される光を撮像素子に導く光学系と、撮像素子の出力に基づいてマークの位置を検出する制御手段とを有し、該制御手段は、第１の解像度及び第１の読み出し領域に設定された撮像素子の出力に基づいて第１の位置検出Ｓ３２を行い、該第１の位置検出Ｓ３２の結果に基づいて第１の読み出し領域よりも狭範囲で、かつ第１の読み出し領域内にある第２の読み出し領域に設定し、第１の解像度よりも高解像な第２の解像度及び第２の読み出し領域に設定された撮像素子の出力に基づいて第２の位置検出Ｓ３９を行う。 （もっと読む）

【課題】マークごとの変化の影響が低減されたアライメント構成及びアライメント方法を提供する。
【解決手段】アライメント測定構成は、光源、光学システム及び検出器を含む。光源は、複数の波長範囲を含む放射ビームを生成する。光学システムは、放射ビームを受光し、アライメントビームを生成し、アライメントビームをオブジェクト上に位置するマークに誘導し、そのマークから戻るアライメント放射を受光し、受光した放射を伝送する。検出器は、アライメント放射を受光し、アライメントマークの画像を検出し、各々が波長範囲の１つに関連付けられた複数のアライメント信号ｒを出力する。プロセッサは、検出器と通信し、アライメント信号を受信し、アライメント信号の信号品質を決定し、アライメント信号の整列位置を決定し、信号品質、整列位置、及び整列位置を波長範囲とマーク深さ及びマーク非対称性を含むマーク特性とに関連付けるモデルに基づいてアライメントマークの位置を計算する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ工程におけるアライメントマークや重ね合わせ検査マークの計測が確実に、精度良くでき、また、マークにとって不要な構成を有さず、半導体装置の製造プロセスの過程で異物が発生することを抑制して製造歩留が低下することを防止した半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】マーク構造体１００はシリコン基板１０１上に形成されたゲート酸化膜１０２と、ゲート酸化膜１０２上に形成されたゲート配線層１０３と、ゲート配線層１０３上に形成された絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４、ゲート配線層１０３、ゲート酸化膜１０２の側面に接するように形成されたサイドウォール１０５とで構成され、層間絶縁膜１０７の上部からマーク構造体１００の上部にかけては、不透明なビット線層１１３が、ドープトポリシリコン層１１３１と、タングステンシリサイド層１１３２のポリサイドとして構成されている。 （もっと読む）

【課題】露光装置のチャンバーの内部と外部との間に温度差が存在する場合においても、より正確に投影光学系の投影倍率を補正する。
【解決手段】露光装置は、チャンバーの内部で原版のパターンを投影光学系によって基板に投影し該基板を露光する。露光装置は、前記原版の変形量を求めるための計測を行う計測部と、前記チャンバーの内部の温度における前記原版の形状を基準とする前記原版の変形量と前記原版が露光光を受ける時間との関係を示す情報と、前記チャンバーに搬入され露光に使用される前の状態において前記計測部が計測を行うことによって得られた計測値に基づいて決定される前記原版の露光前の変形量と、前記原版が露光光を受ける時間とに基づいて、前記原版の予測変形量を演算し、前記予測変形量を補正するように前記投影光学系の投影倍率を補正する制御部とを備える。 （もっと読む）

【課題】アライメントマーカを照明するために照明源が大面積のビームを供給しなければならないということに起因する問題を緩和する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持する支持部と、基板を保持する基板テーブルと、を含む。投影系は、基板の目標部分にパターン付き放射ビームを投影する。パターニングデバイスは、１つまたは複数のアライメントパターンを含み、リソグラフィ装置は、前記放射ビームとは別の放射によりアライメントパターンの各々を照明する副照明系を含み、投影系は、各アライメントパターンの像を基板テーブルに投影する。基板テーブルは、アライメントパターンの投影像を検出する１つまたは複数のセンサを含む。 （もっと読む）

【課題】原版と基板との位置合わせの正確度または精度への迷光の影響を軽減する露光装置およびデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】原版１１の位置を表す原版基準マークと基板３１の位置を表す基板基準マークのそれぞれに含まれ、ＸＹ方向に延びる二種類のマーク部を、投影光学系２０を介して同時に、ＸＹ方向の各々に対応する二種類の検出部を使用して検出する検出器４０と、迷光成分を検出器４０の検出結果から除去した後のピーク位置に基板ステージ３２を移動することによって原版１１と基板３１とをＸＹ平面内で位置合わせする制御部５０と、を有する露光装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造歩留まりを向上できる。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体装置は、ウェハ１内に設けられる第１及び第２半導体チップエリア２_１，２_２と、第１及び第２半導体チップエリア２_１，２_２内の各々に設けられ、トランジスタが形成される第１素子領域５_１，５_２と、第１及び第２半導体チップ５_１，５_２間に設けられるダイシングエリア３Ａと、ダイシングエリア３Ａ内に設けられ、アライメントマークが形成されるアライメント領域３５と、第１素子領域５_１，５_２とアライメント領域３５との間に設けられ、ウェハ１表面に対して垂直方向に突出した凸部９_１，９_２を有する凸部形成領域７_１，７_２とを具備し、凸部９_１，９_２の上端は、ウェハ１表面より高い位置にあり、トランジスタのゲート電極１２上端よりも低い位置にある。 （もっと読む）

【課題】精度の高い位置計測に有利なパターン形成技術を提供する。
【解決手段】パターン形成方法は、膜の形成、第１レジストを塗布する第１塗布、前記第１レジストを露光する第１露光、前記第１レジストを現像する第１現像および前記膜をエッチングする第１エッチングを含む第１リソグラフィー工程により少なくとも１つの第１エッジ対を含む第１エッジ群を前記膜に形成する第１工程と、第２レジストを塗布する第２塗布、前記第２レジストを露光する第２露光、前記第２レジストを現像する第２現像および前記膜をエッチングする第２エッチングを含む第２リソグラフィー工程により少なくとも１つの第２エッジ対を含む第２エッジ群を前記膜に形成する第２工程とを含み、前記第１エッジ対は、第１対称軸に関して対称な位置に配置された２つの第１エッジで構成され、前記第２エッジ対は、第２対称軸に関して対称な位置に配置された２つの第２エッジで構成される。 （もっと読む）