【課題】インプリントテンプレートアライメントマークを改善する。
【解決手段】アライメントマークを備えたインプリントリソグラフィテンプレートが提供される。アライメントマークは、インプリントリソグラフィテンプレートの屈折率とは異なる屈折率を有する誘電体材料から形成され、誘電体材料は、誘電体材料を通過したアライメント放射と誘電体材料を通過しなかったアライメント放射との間に位相差を生じるような厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】位置合せが容易な位置合せ方法を提供する。
【解決手段】照明部より前記基板又はシートの面に対し斜め方向より光を入射させ、前記基板又はシートに設けられた前記位置合せマークの直上に設けられた撮像機器により、前記位置合せマークを撮像することにより位置合せを行う基板又はシートの位置合せ方法であって、前記位置合せマークは、前記基板又はシートに設けられた可視領域で透明な材料により形成されており、前記透明な材料の形成される領域と前記透明な材料の形成されない領域とが形成されたパターンにより形成されているものであることを特徴とする位置合せ方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度を高める。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に形成され、金属膜により構成されたアライメントマーク１１０と、アライメントマーク１１０上に形成され、アライメントマーク１１０の表面全体を覆うカバー絶縁膜１０４と、カバー絶縁膜１０４上に形成され、平面視において、アライメントマーク１１０上で開口するとともに端面１０８ａがアライメントマーク１１０の端面１１０ａと一致する開口部１０８が形成されたポリイミド膜１０６とを含む。 （もっと読む）

【課題】モールドと被加工物間に光硬化樹脂を介在させた状態でも、モールドと被加工物とを精度高く位置あわせができるモールドを提供する。
【解決手段】モールドであって、
第１の材料を含み構成される基板と、
該基板上に設けられており、且つ該第１の材料とは異なる第２の材料を含み構成されているアライメントマークと、
を備え、
波長６３３ｎｍの可視光に対する前記第２の材料の屈折率は、１．７以上である構成とする。 （もっと読む）

【課題】オーバーレイバーニア形成時に半導体基板に段差を形成し、段差の形態が維持され得るように上部に積層膜を形成してハードマスクを形成することで、ドレインキーオープンマスク工程とドレインキーオープンエッチ工程を別途設けるずとも、オーバーレイバーニアの形成が可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ソースコンタクトプラグ及びドレインコンタクトプラグを形成する半導体素子１００を製造するに際して、その半導体基板１００の一部をエッチングして段差を形成することでオーバーレイバーニアを形成し、上記段差が維持されるように上記段差の上部にハードマスク１０８を形成する。ハードマスク１０８がたとえば光を透過しない不透明な膜の場合でも、オーバーレイバーニアを別途形成する工程を追加せずとも、工程が単純化し、また工程時間が短縮されて製造コストの低減に有効であり、素子の信頼性も向上する。 （もっと読む）

【課題】埃等の不着の無い部分から基準パターンの抽出を行えるようにする。
【解決手段】実質的に同一の加工が施された複数の所定領域を有する物体上の該所定領域内に任意に設定される該所定領域よりも小さい面積を有する被計測領域内でユニークな信号特徴を有する基準パターンを抽出する基準パターン抽出方法である。前記複数の所定領域のうち任意に選択される第１所定領域内で、前記被計測領域の信号情報を計測する工程（Ｓ１２）と、この工程で計測された信号情報に基づいて、前記被計測領域内でユニークな信号特徴を有する候補パターンを抽出する工程（Ｓ１７）と、前記複数の所定領域のうちの前記第１所定領域とは異なる第２所定領域内で、前記被計測領域を計測する工程Ｓ２２と、この工程で計測された信号情報に基づいて、前記候補パターンに対応する比較パターンを抽出する工程Ｓ２３と、前記比較パターンに基づいて、前記候補パターンの前記基準パターンとしての適性を判断する工程Ｓ２５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＳｉＣを基板に用いた半導体装置において、製造工程の重ね合わせに用いるアライメントマークが、製造工程中の活性化アニール処理やエピタキシャル成長などの熱処理工程で非対称に変形することを防止することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ＳｉＣを基板に用いた半導体装置を製造する方法であって、ＳｉＣ基板１の｛０００１｝面に、アライメントマーク２を形成する工程と、アライメントマーク２に基づき、転写マスクとＳｉＣ基板１との位置合わせを行いＳｉＣ基板１上に所定のパターンを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高温アニール後でも高精度なマスク合わせができるアライメントマークを提供する。
【解決手段】基板１の主面に、段差パターン２をなす溝部を形成する。そして、溝部を覆うようにカーボン膜３を形成してアライメントマーク１０を形成する。カーボン膜３は耐熱性であるため、カーボン膜３により溝部を覆うことで、高温アニール後に溝部の形状が崩れるのを防ぐことができる。溝部形状の崩れが抑制されることで、高温アニール後も高精度のマスク合わせができる。 （もっと読む）

【課題】スクライブライン領域にアライメントキーを形成するための半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体装置及びその製造方法は、スクライブライン領域によって定義された複数のチップ領域を有する半導体基板を含み、各チップ領域に少なくとも１つの集積回路を形成するとき、使用される複数のアライメントキーをスクライブライン領域に形成し、アライメントキーのうち、少なくとも１つのアライメントキー１１は、集積回路を構成する物質上に形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の加工時における位置決めの際に、透明な基板に対しても良好な位
置情報の検出を実現することのできるアライメントマークを設けたアライメントマーク付
き半導体基板及びアライメントマークの製造方法を得る。
【解決手段】 彫りこみ形のアライメントマーク４及び５を構成するそれぞれの彫りこみ
６を、第一段目の彫りこみの底面６１にさらに第二段目の彫りこみ６２を設けた、二段の
階段状に形成し、アライメント光源等を照射したときに散乱による反射を起こしやすくし
て、透明な半導体基板に対しても十分な安定した反射光を得る。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉシリサイドの表面荒れが抑制され、リソグラフィー時の下地パターンとの合わせ精度が向上する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板（１）と、前記半導体基板に形成されたｐ型不純物拡散層（２）と、前記拡散層上に形成されたＮｉシリサイド（３）と、を備え、前記Ｎｉシリサイド上にリソグラフィー用の合わせマーク（６）を有する。 （もっと読む）

【課題】チップ領域に素子形成用パターンを形成するとき、スクライブ領域に整列キーのキャッピング層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板２００のチップ領域２０１にアクティブ領域を限定する素子分離膜２４１を形成し、スクライブ領域２０５に半導体基板２００の表面に対して段差を有する整列キー２４５を形成するステップと、半導体基板２００上に少なくとも一つの素子形成層を形成するステップと、素子形成層を変形させて、チップ領域２０１の半導体基板２００上に素子形成用パターン２５１を形成し、スクライブ領域２０５の半導体基板２００上に整列キー２４５をキャッピングするキャッピング層２５５を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィ投影装置で透過性のプロセス層を有する基板をマスクで露出する際に、基板整列のためにこの透過性層にある整列マークを放射線の整列ビームで照射するとき、このマークで反射した放射線と、透過性層を通って基板表面で反射しマークへ戻った放射線が干渉してマーク位置測定精度を損うことのないようなマークを備える基板を提供すること。
【解決手段】 この基板Ｗの透過性プロセス層にある整列マークＰ₁、Ｐ₂は、整列ビームの放射線を反射するための高反射率の領域３と放射線を少ししか反射しない低反射率の領域１を含み、この低反射率領域に整列ビームの放射線を散乱し且つ吸収するための散乱構造体５を含むので干渉によって整列システムが妨害されることが少ない。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構成や手順で、レチクルと感光基板との位置合わせを的確に行うことができ、導体パターンを感光基板の適切な位置に形成できる投影露光装置を提供する。
【解決手段】 露光光の照射によって光応答する光応答部材を用い、この光応答部材に露光光を照射してパターン基準マークの投影像を光応答部材に形成して、このパターン基準マークの投影像の位置と、感光基板の基準位置を示す基板基準マークの位置と、を検出し、感光基板にパターンを投影すべき位置に感光基板が載置された載置手段を位置づける。 （もっと読む）

【課題】スクライブ・レーンのスペースを減少させることを可能にし、基板のスペースのより効率の良い使用を可能にする位置調整用マークを提供すること。
【解決手段】本発明は基板で使用するための位置調整用マークに関し、この位置調整用マークは、構造体の周期的な２次元配列からなり、構造体の間隔は位置合わせビームよりも小さいが、露光ビームよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】収差の影響を考慮したフォトマスクの製造方法および露光方法を提供する。
【解決手段】石英などからなる透明基板５１の上に、透過する露光光の透過率と位相角とを制御するためのシフタ膜５２を形成する。このシフタ膜５２の材質としては、たとえばＭｏＳｉＯ、ＭｏＳｉＯＮ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮなどが用いられる。レジスト膜５２をマスクにして、ＭｏＳｉＯとＭｏＳｉＯＮとに対してはＣＦ₄＋Ｏ₂ガス、ＣｒＯとＣｒＯＮとに対してはＣＬ₂ＣＯ₂ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、シフタ膜５２のエッチングを行ない、補助測定パターンに対応する光透過部８５２を形成する。その後、レジスト膜５３を除去することにより、フォトマスク５０を完成させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の合わせマーク、ならびに前記合わせマークを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の合わせマークは、絶縁層８０に設けられた凹部３８と、凹部３８に埋め込まれた導電層３２と、導電層３２上に設けられた酸化バリア層４２と、を含み、平面パターンにおける凹部３８の面積占有率が５％以上である。 （もっと読む）

【課題】 耐圧外周構造を有する半導体装置の製造方法において、耐圧外周構造部の製造工程数を従来よりも削減する。
【解決手段】 半導体基板１、２上にパッド酸化膜２０を形成し、ＬＯＣＯＳ酸化膜形成予定領域が開口するように窒化膜２１を形成する。そして、窒化膜２１において、パターニングされたことで膜厚差が生じた部分をエッジ部２１ａとし、このエッジ部２１ａを、フォトレジストマスクのマスク位置合わせに用いて、Ｐ型ウェル１０の形成予定領域が開口するようにフォトレジスト２２を形成する。この後、フォトレジスト２２をマスクとして、パッド酸化膜２０および窒化膜２１をスルーしてイオン注入を行うと共に、拡散処理を施してＰ型ウェル１０を形成する。そして、パターニングされた窒化膜２１において開口した領域にＬＯＣＯＳ酸化膜１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板によって提供される情報を測定する方法を提供すること。
【解決手段】この基板は、リソグラフィ装置によって形成されたフィーチャを含んでいる。この方法は、基板上のフィーチャの上方及び／又は近傍に配置されるマーカ上に光ビームを投影すること、並びにこのマーカによって提供される情報をセンサで検出することを含む。コーティングが基板上に配置され、従って、このコーティングが光ビームとフィーチャの間にあると、光ビームが、フィーチャに反射し、マーカによって提供される情報を不正確に読み取る原因になることを実質的に防止する。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクス、触媒作用、および診断法における使用のための、コーティングされたチップを使用する金属ナノ構造のナノリソグラフィ付着が開示される。AFMチップは金属前駆体でコーティングすることができ、この前駆体を基板上にパターニングする。パターニングされた前駆体は、熱を適用することよって金属状態に変換できる。高解像度および優れたアライメントを達成できる。 （もっと読む）