【課題】製造工程のリワーク率および製品の不良率を低下させることが可能な、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第１の被加工膜に第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンにおける所定の方向の寸法である第１の距離を測定する第１の測定工程と、第１のパターン上に第２の被加工膜を形成する工程と、第２の被加工膜上に形成したフォトレジストに第２のパターンを形成する工程と、第２のパターンにおける所定の方向の寸法である第２の距離を測定する第２の測定工程と、を有し、第２のパターンの良否判定が、第１の距離と、第１の距離および第２の距離から求まる算出値とのうち、少なくとも一方によって決定されるものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、メインパターン領域内にマーク類を形成することなく、Ｎ×Ｎショットのサイズの半導体チップを製造することが可能な、半導体チップの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、チップ領域５の寸法がイメージフィールドよりも大きい半導体チップの製造方法であって、（ａ）メインパターン５ａを形成するメインマスク１と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの上下に位置する部分を形成する上下マスク２と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの左右に位置する部分を形成する左右マスク３と、周辺パターン５ｂの中でメインパターン５ａの角部に位置する部分を形成する隅マスク４を準備する工程と、（ｂ）メインマスク１、上下マスク２、左右マスク３、隅マスク４を組み合わせてチップ領域５を含むショット配列を形成する工程と、（ｃ）当該ショット配列に従いマスク毎に露光する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】原版と基板とのアライメントとの点で有利なリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】原版に形成された第１のマーク、及び、前記原版を介して前記基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークを検出する第１の検出部と、前記原版を介さずに第２のマークを検出する第２の検出部と、前記原版のパターンを前記基板に転写するための処理を行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記第２の検出部による前記第２のマークの検出結果の一部を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す統計量を求める処理と、前記複数のショット領域のそれぞれについて、前記統計量から求められる前記複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークの位置と、前記第２の検出部によって検出された前記複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークの位置との差分を求める処理と、を行う。 （もっと読む）

【課題】チップパターンを複数の領域に分け、各領域を別々に露光し繋ぎ合わせる分割露光を行なう際に、各領域間の繋ぎ合わせ精度を高精度にする。
【解決手段】分割パターン領域を露光する際に位置合せを行なうアライメントマークの形成を、先行の分割露光領域の外周近傍にＸ方向用Ｙ方向用を１対とするアライメントマークを少なくとも１対以上設け、後行の分割露光領域は先行の分割露光領域の外周近傍にある少なくとも１対のアライメントマークを含む重複領域を持ち、後行の露光領域から見た前記アライメントマーク座標で位置合せを行なうことを繰り返すことにより、チップパターンの全ての分割パターン領域用のアライメントマークを設ける。さらに、重ね合わせ層の露光において、高配置精度で設けた各分割パターン領域露光用アライメントマークに対して、ダイ・バイ・ダイ・アライメント法を用いて位置合せを行なう。 （もっと読む）

【課題】転写ショット毎に合わせずれ検査を行うための検査方法、検査プログラム、及び検査装置、並びに、検査の所要時間を短縮するための検査装置選択方法、検査装置選択プログラム、及び検査装置選択システムを提供する。
【解決手段】転写ショットＴＳ毎に異なる配置の複数の検査マークＭを用いて、ウェハＷとレチクルとの合わせずれを検査する方法は、転写ショットＴＳ上の複数の検査マークＭを計数し（Ｓ４０１）、その結果に基づいて、転写ショットＴＳの線形補正をする第１補正パラメータｋ_ｉを算出するための複数の第１補正式の中から１つを選択し（Ｓ４０２）、第１補正パラメータｋ_ｉを算出し（Ｓ４０３）、ウェハＷの線形補正をする第２補正パラメータＰ_ｉｍｎを第２補正式に第１補正パラメータｋ_ｉを代入することによって算出し（Ｓ４０４）、第１補正パラメータｋ_ｉ及び第２補正パラメータＰ_ｉｍｎをアライメント補正値として出力する。（Ｓ４０５） （もっと読む）

【課題】パターンの高い重ね合わせ精度を維持する。
【解決手段】ＥＧＡ最適化シミュレーションにおいて、１回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、２回目のウエハアライメント（ＥＧＡ計測）の計測結果を用いてのＥＧＡシミュレーションの結果と、を用いてアライメント処理パラメータが最適化される（ステップＳ３８、Ｓ３９、Ｓ４２，Ｓ４３）。これにより、ダブルパターニング法を利用してウエハ上にパターンを形成する場合においても、パターンの高い重ね合わせ精度を実現することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板が変形した場合において、描画データで想定している基板の形状と実際の基板の形状とのずれを低減して、より実際の基板の形状に合った描画を可能にする。
【解決手段】描画データ補正方法は、描画領域を規定する位置座標と、描画領域に設けられた基準点の位置を示す基準位置座標と、を有する描画データを準備すること（ステップＳ１２）と、被描画体の位置座標の変位態様を求めること（ステップＳ１４）と、被描画体の位置座標の変位態様に基づいて基準位置座標を補正すること（ステップＳ１５）と、補正後の基準位置座標に基づいて、描画領域の形状を維持したまま描画領域の位置座標を補正すること（ステップＳ１６）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置の処理能力を大きく損なうことなく、重ね合わせ精度を向上させる方法及び装置を提供する。
【解決手段】露光条件を最適化するために基板の露光時に基板上の位置合わせ標識を検査する。基板１０が露光及び位置合わせユニット１５の真下で走査を受けるとき、基板のそれぞれの部分が最初に検出器ユニット１６の下方を通過し、次いで露光ユニット１７の下方を通過する。したがって、基板１０のそれぞれの部分に関して検査器ユニット１６によって測定された、直線位置、配向、及び膨張に関する情報が露光ユニット１７に伝達可能であり、基板が露光ユニット１７の真下を通過しながら基板が露光されるとき、基板の当該部分に関する露光条件を最適化することができる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることが可能な露光処理の補正方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の面内の領域を、中心近傍の第１の領域と、第１の領域よりも外周側の第２の領域と、に区分けし、計測用投影露光により投影されたパターンの第１の領域の計測点の座標における基準位置からの合わせずれ量を計測し、合わせずれ量および計測点の座標に基づいて、計測用投影露光の第１の領域の合わせずれ算出値を算出し、合わせずれ算出値および第１の領域の座標に基づいて、第１の補正式により第１の補正値を算出し、この第１の補正値に応じて、第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、合わせずれ算出値および第２の領域の座標に基づいて、第１の補正式と異なる第２の補正式により第２の補正値を算出し、この第２の補正値に基づいて、第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】リングゲートにサイドスペーサが形成されている場合においても小径のビアホールを形成可能とする半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子３０は、第１アライメントマーク２を有する半導体基板１と、半導体基板１上に形成されて中央開口部を有するリング状のゲート６と、ゲート６の内周面に形成されたサイドスペーサ８と、半導体基板１上に第１のアライメントマーク２，ゲート６，及びサイドスペーサ８を覆って形成されて第１アライメントマーク２に対応する位置に第２アライメントマーク１１を有する第１絶縁膜１０と、第１絶縁膜１０を貫通すると共にゲート６の中央開口部を通って半導体基板１に接続するコンタクト部１７と、第１絶縁膜１０上に第２アライメントマーク１１を覆って形成された第２絶縁膜１９と、コンタクト部１７に接続する配線層２３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】描画ブロックの描画位置を高精度に調整して描画パターンを下地パターンに一致させながら描画対象物に描画することができるパターン描画方法、描画データ生成方法、ならびにパターン描画装置を提供する。
【解決手段】描画ブロック９１の周囲が非描画領域であることを示すデータが付加された拡張ラスターデータ８１３を形成するとともに、下地パターンとの位置ズレを考慮しながら拡張ラスターデータ８１３から描画ブロック９１を抽出し、当該描画ブロック９１を描画している。これによって、描画パターン９２を下地パターンと高精度に重なり合わせながら基板Ｗに描画パターン９２を描画することが可能となっている。 （もっと読む）

【課題】 プリント基板の配線パターンを露光パターンに変換する場合に、より高精度な露光を可能にすること。
【解決手段】 基準アライメントマークＡ１〜Ａ９が格子状に配置されているプリント基板１を露光する場合は、４個の基準アライメントマークで構成される最小の格子を１個の補正領域Ｈ１〜Ｈ４として定め、指定された設計配線パターンを基本図形で構成される第１の配線パターンに分割し、第１の配線パターンのうちで隣接する２つの補正領域に跨るものがある場合は、当該第１の配線パターンをそれぞれの補正領域の境界線上で分割して第２の配線パターンとし、基準アライメントマークＡ１〜Ａ９の設計上の座標値と、計測したアライメントマークＡｈ１〜Ａｈ９の実際の座標値とから、補正領域毎に補正係数を生成して第３の配線パターンを生成し、第３の配線パターンをラスタデータである第１の露光パターンに変換して露光パターンを生成し、プリント基板１を露光する。 （もっと読む）

【課題】透過膜に覆われた状態でも画像認識精度の低下を抑制し得るアライメントマークを備えた半導体装置、および半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】アライメントマーク１１のマーク本体領域１５にストライプ状の周期構造を形成する。その周期構造により、位置合わせのための撮像時の照射光の反射が大幅に抑制され、マーク本体領域１５の輝度が低くなる。一方、マーク本体領域１５の周囲のベース領域１７は、反射性に優れ、輝度が高くなる。その結果、コントラストが良好になり、画像認識精度が向上する。さらに、マーク本体領域１５での照射光の反射が大幅に抑制されるため、アライメントマーク１１を光透過性の膜が覆っている場合でも、薄膜による干渉等によってコントラストが低下しにくくなっており、画像認識精度の低下を抑制し得る。 （もっと読む）

【課題】
例えば、アライメント計測エラーが発生した場合にスループットの点で有利な露光装置を提供する。
【解決手段】
基板を保持して移動するステージを有し、前記ステージに保持された基板に形成されたアライメントマークを照明してその位置を計測し、計測された前記位置に基づいて前記基板を位置決めして露光する露光装置において、前記アライメントマークに対する複数の照明条件を予め設定し、前記複数の照明条件のうちの第１の照明条件でのアライメント計測エラーの発生に基づいて、前記第１の照明条件を前記複数の照明条件のうちの第２の照明条件に変更する制御手段を有する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い位置合わせ精度を満たすために位置合わせ時間が増加した場合においても生産性を低下させない露光装置を提供する。
【解決手段】基板を保持して移動する基板ステージと、ショットのアライメントマークの位置を計測する位置計測手段と、基板の高さを計測する高さ計測手段と、を有し、これらの計測結果にしたがって基板ステージを位置決めして基板を露光する露光装置において、基板上の一部のショットに関してショット内の複数の計測箇所で高さ計測手段に高さの計測を行わせてショット表面の形状を算出し、各ショットのアライメントマークの位置を位置計測手段に計測させてショットの配列を算出し、アライメントマークの位置の計測に並行して高さの計測を行い基板の表面の形状を算出する処理手段を有する。 （もっと読む）

【課題】 プリアライメントの誤計測をプリアライメント計測時に確実に検出して、露光装置の生産性の低下を防止する。
【解決手段】 基板に設けられた複数のショットから選択されるショットに形成されたマークをプリアライメント計測し、当該プリアライメント計測の結果に基づいて前記複数のショットから選択されるショットに形成されたマークをファインアライメント計測し、当該ファインアライメント計測の結果に基づいて基板を位置合わせしながら、前記複数のショットを順に露光する露光装置であって、前記プリアライメント計測されるショットに形成されたマークを検出する検出器と、前記プリアライメント計測を制御する制御器と、を備え、前記複数のショットのそれぞれには、複数のマークが形成されており、前記検出器は、２つのマークを検出し、前記制御器は、前記検出器により検出された２つのマーク間の距離が許容範囲内か否かに基づいて、前記プリアライメント計測に誤計測が含まれているか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】下層に形成された凹部のパターンの上に、フォトレジストを形成して上層のパターンを重ねて露光する際に、下層のパターンの影響を受けずに上層のパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】第１のデバイスパターンと、矩形状に掘り込まれたマークが第１の方向に所定の間隔で配列された第１のマーク列を第２の方向に複数配列した第１の検査用パターンと、が形成された加工処理対象上にレジストを塗布し、第２のデバイスパターンを形成するためのマスクパターンと、矩形状に掘り込まれたマークが第１のマーク列のマーク間に配置されるとともに、第２の方向の形成位置が第１のマーク列と所定の長さだけ重なるように配置される第２のマーク列を第２の方向に複数配列した第２の検査用パターンと、をレジストに形成し、第１と第２の検査用パターンを用いて算出した合わせずれ量から後の工程に進むか否かを判定する。 （もっと読む）

【課題】帯状の基板に設けられた区画領域に対して、精度よくパターンを転写することのできる転写装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 転写装置（ＥＸ）は、基板（ＦＢ）を保持して長手方向に移送する移送装置（ＦＲ、ＷＲ）と移送装置（ＦＲ、ＷＲ）に保持された基板（ＦＢ）の一部を保持し、基板（ＦＢ）の表面に沿って移動するステージ装置（ＦＢＳ）とを含む搬送機構と、搬送機構によって移動される基板（ＦＢ）に計測光を照射し、搬送機構による基板の移動方向に沿って基板（ＦＢ）に設けられた複数のマーク（ＡＭ）からの回折光を検出する検出装置（ＬＳＡ）と、検出装置（ＬＳＡ）の検出結果に基づいて区画領域（ＥＡ）の変形に関する情報を算出する演算装置と、演算装置の算出情報に基づいてパターンを補正する補正装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡便且つ高精度なショット内誤差の非線形補正を行う。
【解決手段】予め、ウエハ上の複数のショットに付設された多数のアライメントマークを検出し、その精密な検出結果に基づいてウエハの歪みの非線形成分を記述するモデル（に対する条件）を複数決定しておく。そして、ウエハ露光（ロット処理）時には、ステップ６０８又は６０６において少ない数のアライメントマークを検出してウエハの歪みを求め、ステップ６１８においてそのラフな結果に基づいて予め決定された複数のモデル（に対する条件）を選択する。そして、選択されたモデルを用いてパターンを複数のショットに順次位置合わせし、露光する。 （もっと読む）

【課題】 より簡便な印刷装置を用いて、大型な電子・電気回路をアライメント精度良く製造可能な電子・電気回路の製造方法を提供する。
【解決手段】 印刷法を用いて複数の構成要素を有する素子から成る電子・電気回路を製造するための製造方法である。特定の波長の光又は電磁波を透過する基板１００の裏面に、光又は電磁波の透過率の低いアライメントマーク１１〜１９（マークパターン）を配置し、基板１００の上面から光又は電磁波を照射し、アライメントマーク１１〜１９の位置を検出することによりアライメントを行い、素子の各構成要素を印刷法を用いて形成する。 （もっと読む）