露光処理の補正方法
【課題】リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることが可能な露光処理の補正方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の面内の領域を、中心近傍の第１の領域と、第１の領域よりも外周側の第２の領域と、に区分けし、計測用投影露光により投影されたパターンの第１の領域の計測点の座標における基準位置からの合わせずれ量を計測し、合わせずれ量および計測点の座標に基づいて、計測用投影露光の第１の領域の合わせずれ算出値を算出し、合わせずれ算出値および第１の領域の座標に基づいて、第１の補正式により第１の補正値を算出し、この第１の補正値に応じて、第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、合わせずれ算出値および第２の領域の座標に基づいて、第１の補正式と異なる第２の補正式により第２の補正値を算出し、この第２の補正値に基づいて、第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正する。
【解決手段】半導体基板の面内の領域を、中心近傍の第１の領域と、第１の領域よりも外周側の第２の領域と、に区分けし、計測用投影露光により投影されたパターンの第１の領域の計測点の座標における基準位置からの合わせずれ量を計測し、合わせずれ量および計測点の座標に基づいて、計測用投影露光の第１の領域の合わせずれ算出値を算出し、合わせずれ算出値および第１の領域の座標に基づいて、第１の補正式により第１の補正値を算出し、この第１の補正値に応じて、第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、合わせずれ算出値および第２の領域の座標に基づいて、第１の補正式と異なる第２の補正式により第２の補正値を算出し、この第２の補正値に基づいて、第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクに形成されたパターンを半導体基板に投影露光する露光処理の補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスのリソグラフィー工程で用いられる露光装置では、原版（マスク）と被転写基板（半導体基板（ウェハ））とのアライメントを行う。
【０００３】
このアライメントは、該被転写基板の下地に対して露光ショット毎にアライメントを行うダイバイダイ方式と、代表ショットでアライメントを実行するグローバルアライメント方式との２種類に大きく分けられる。
【０００４】
ダイバイダイ方式では、ウェハ外周において下地マークが形成されていないショットにアライメントすることが不可能であった。
【０００５】
また、グローバルアライメント方式では、重ね合わせ精度向上のための合わせずれ補正式の高次化に伴い、ウェハ外周における高次補正残渣による合わせずれへの影響が見逃せなくなってきている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３-１６３１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることが可能な露光処理の補正方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る実施例に従った補正方法は、
マスクに形成されたパターンを半導体基板に投影露光する露光処理の補正方法であって、
前記半導体基板の面内の中心近傍の第１の領域の計測点の座標における、計測用投影露光により投影されたパターンの基準位置からの合わせずれ量を、計測し、
前記合わせずれ量および前記計測点の座標に基づいて、前記第１の領域の前記計測用投影露光の合わせずれ算出値を算出し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域の座標に基づいて、第１の補正式により第１の補正値を算出し、この第１の補正値に応じて、前記第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域よりも前記半導体基板の外周側の第２の領域の座標に基づいて、前記第１の補正式と異なる第２の補正式により第２の補正値を算出し、この第２の補正値に基づいて、前記第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正することを特徴とする。
【０００９】
本発明の他の態様に係る実施例に従った補正方法は、
マスクに形成されたパターンを半導体基板に投影露光する露光処理の補正方法であって、
前記半導体基板の面内の中心近傍の第１の領域の計測点の座標における、計測用投影露光により投影されたパターンの基準位置からの合わせずれ量を、計測し、
前記合わせずれ量および前記計測点の座標に基づいて、前記第１の領域の前記計測用投影露光の合わせずれ算出値を算出し、
前記合わせずれ算出値に応じて、前記第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域よりも前記半導体基板の外周側の第２の領域の座標に基づいて、補正式によりにより補正値を算出し、この補正値に基づいて、前記第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の露光処理の補正方法によれば、リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一態様である実施例１に係る露光システム１の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】図１に示す露光システム１の露光手順の一例を示すフローチャートである。
【図３】半導体基板（ウェハ）のウェハ座標系とアライメント計測ショットのショット座標系を示すウェハの模式図である。
【図４】ウェハ面内座標と露光処理の合わせずれ量との関係の一例を示す図である。
【図５】ウェハ面内におけるアライメント検出可能ショットと検出不可能ショットの一例を示す図である。
【図６】ウェハ面内におけるアライメント検出可能ショットと検出不可能ショットの他の例を示す図である。
【図７】ウェハ面内の分割領域と適用するアライメント方式との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係る各実施例について図面に基づいて説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１は、本発明の一態様である実施例１に係る露光システム１の構成の一例を示すブロック図である。本実施例では、例えば、同一の製品を製造するために、例えば２０枚程度の半導体基板（ウェハ）をまとめて一群にした所謂ロットを基本構成単位として、露光システム１を運用する。
【００１４】
以下で説明する「アライメント」とは露光装置に内蔵されたアライメントスコープにより投影露光により投影された下地計測用パターンを計測し、基準位置からのずれ量を算出し、露光装置内演算部で補正量を算出し、この補正値で露光処理を実行することである。
【００１５】
また、「合わせずれ検査」とは合わせずれ検査装置の光学系により露光処理が完了した計測用パターンと下地計測用パターンの相対位置ずれ量を計測することである。露光処理が完了した計測用パターンと下地計測用パターンで構成されるパターン対を「合わせずれ検査マーク（アライメントマーク）」と呼ぶことにする。
【００１６】
合わせずれ検査結果から露光時の補正値を算出し、本体ロットまたは次に流品するロットへ補正値を入力することにより、本体ロットもしくは次に流品するロットの重ね合わせ精度を向上させることができる。
【００１７】
図１に示すように、露光システム１は、システム制御部１０と、データサーバ１３と、ロット保管庫１６と、露光装置群１７と、合わせずれ検査装置群１９と、を備える。
【００１８】
露光装置群１７は、複数の露光装置１８ａ、１８ｂ、１８ｃを含む。
【００１９】
合わせずれ検査装置群１９は、２つの合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂを含む。
【００２０】
データサーバ１３は、製品ロットの製造工程、履歴等の情報、及び露光装置１８ａ、１８ｂ、１８ｃに入力した合わせずれ補正値等の情報を管理するロット履歴データベース１５と、合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂで計測された製品ロットの合わせずれ量及び重ね合わせ検査での計測点座標等の情報を管理するロット検査データベース１４と、を有する。
【００２１】
また、システム制御部１０は、演算部１１と、データ受け渡し部１２と、を有する。
【００２２】
データ受け渡し部１２は、露光装置群１７の露光装置１８ａ〜１８ｃ、合わせずれ検査装置群１９の合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂ、データサーバ１３、および、システム制御部１０の演算部１１に対して、データの受け渡しをする。
【００２３】
また、演算部１１は、過去のロットデータ若しくはロットを構成する各半導体基板に対するデータに基づき、合わせずれ量および計測点座標（ｘ，ｙ）に基づいて合わせずれ算出値（パラメータｋ）を算出する。
【００２４】
さらに、演算部１１は、得られた合わせずれ算出値（パラメータｋ）に基づいて、本ロットに対する露光処理１８ａ、１８ｂ、１８ｃの補正値等を設定し、さらに、露光装置１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂ、データサーバ、および、データ受け渡し部１２に対する指示等をする。
【００２５】
次に、以上のような構成を有する露光システム１の露光手順の一例について説明する。
【００２６】
図２は、図１に示す露光システム１の露光手順の一例を示すフローチャートである。
【００２７】
図２に示すように、先ず、露光工程に入る本ロットについて、そのロット情報を認識する（ステップＳ１）。例えば、バーコードリーダ等により、ロット内の半導体基板がまとめて保管されている所謂ロット箱のロットＩＤ番号を読み取る。
【００２８】
読み取られたロットＩＤ番号は、データ受け渡し部１２を介して演算部１１に送られる。そして、演算部１１からの指示により、このＩＤ番号を参照し、ロット履歴データベース１５から以下の既存データを検索する（ステップＳ２）。この既存データには、製品名、工程名、下地を露光した際の露光装置、露光条件、および、露光日時、後述の合わせずれ検査データ等が含まれる。例えば、同一製品で同一工程を有し、かつ、本露光処理に用いられた露光装置が同一であるロットに関し、合わせずれ検査データを検索する。
【００２９】
上記検索により該当したロットの既存データから該当ロットの合わせずれ量、計測点座標等を、例えば、該当したすべてのロットに関して、演算部１０へ読み出す。
【００３０】
次に、演算部１０は、読み出された合わせずれ量および計測点座標に基づいて、該第１の領域の合わせずれ検査ショットの合わせずれ算出値（パラメータｋ）を算出する（ステップＳ３）。なお、この計測された合わせずれ検査データから算出された補正値は、後述のように、これから露光処理する本ロットに対して先行して露光処理された先行ロットから計測されたデータである（ステップＳ４、Ｓ５）。
【００３１】
ここで、露光処理の重ね合わせ精度を向上するためには、露光処理でのアライメント計測ショットの数または合わせずれ検査ショットを増やすことが有効である。特に、露光処理でのアライメントに関しては、アライメント計測時間により露光装置のスループットを低下しないように、アライメント計測ショットの数を設定する必要がある。
【００３２】
以下、本実施例１においては、既述のグローバルアライメント方式を適用した例に用いて説明する。
【００３３】
図３は、半導体基板（ウェハ）のウェハ座標系とアライメント計測もしくは合わせずれ検査ショットのショット座標系を示すウェハの模式図である。
【００３４】
図３に示すように、ウェハ上任意の露光ショットにおいて、ウェハ座標系におけるショットの中心座標であるショット中心座標を（Ｘ，Ｙ）とする。また、露光ショット内座標系における露光ショット内の計測点座標を（ｘ，ｙ）とする。また、アライメント計測点における合わせずれ量を（ｄｘ，ｄｙ）とする。
【００３５】
ステップＳ６での露光処理前には、半導体基板の下地に対するアライメントを行う。半導体基板の下地に転写されたアライメントマークを露光装置１８ａ、１８ｂ、１８ｃ内に内蔵されているアライメントスコープにより計測する。これにより、合わせ先である下地パターンの計測点の計測点座標（ｘ，ｙ）における基準位置からの合わせずれ量（ｄｘ，ｄｙ）を計測する。この合わせずれ量が、投影露光により半導体基板に転写されるパターンの所定の位置からのずれに相当する。
【００３６】
ここで、半導体基板（ウェハ）の面内の領域を、後述のように、中心近傍の第１の領域と、この第１の領域よりも外周側の第２の領域と、に区分けする。なお、後述のように、第１の領域を投影露光の基準位置からの合わせずれ量を計測できる領域とし、第２の領域を投影露光の基準位置からの合わせずれ量を計測できない領域とする。
【００３７】
そして、不図示の露光装置内演算部は、以下に示す式（１）を用いて、合わせずれ量（ｄｘ，ｄｙ）および計測点の計測点座標（ｘ，ｙ）に基づいて、該第１の領域のアライメント計測ショットの合わせずれ算出値（パラメータｋ）を算出する。
【００３８】
不図示の露光装置内演算部は、各アライメント計測のショットに対して式（１）の残渣αx、αyが最小になるように、パラメータｋを、算出する。すなわち、合わせずれ検査装置で計測した実際の合わせずれ量を、例えば、シフト成分、ウェハ倍率成分、ウェハ回転成分、ショット倍率成分、ショット回転成分等で最小２乗フィッティングするする。
【００３９】
露光ショット内でアライメントマーク対が１対の場合は、式（１）の解を得ることができない。しかし、アライメントマーク対が３対以上ある場合は、式（１）の解を得ることができる。
【数１】
【００４０】
この式（１）により求められるパラメータｋ1、ｋ2は、シフト成分である。また、パラメータｋ3、ｋ4は、露光ショットのショット倍率成分である。また、パラメータｋ5、ｋ6は、露光ショットのショット回転成分である。なお、露光ショット内でアライメントマーク対が１対の場合はパラメータｋ1、ｋ2のみが求まることになる。
【００４１】
そして、演算部１１は、各アライメント計測ショットにより求めたパラメータｋ1〜ｋ6とウェハ座標系におけるショット中心座標（Ｘ，Ｙ）を式（２）に入力し、残渣α1〜α6が最小になるようなパラメータＰ1mn〜Ｐ6mn（補正値）を算出する（ステップＳ４）。
【数２】
【００４２】
なお、本実施例１では、式（１）は、ショット内座標系（ｘ，ｙ）の１次式である場合を示した。しかし、アライメント計測ショット内の計測点を６点以上にした場合は、２次以上の（１）式で近似することが可能である。なお、式（１）が２次式の場合、ｋ1〜ｋ12までで近似するため、式（２）のパラメータｋを表す式を１２個に増やす必要がある。
【００４３】
上記のように、式（２）は、ショット中心座標（Ｘ，Ｙ）の関数である。この式（２）における「ｍ＋ｎ」がＸＹ関数の次数に相当する。この次数が高次になるほどアライメント補正値のフィッティング精度は向上する。
【００４４】
しかし、ＸＹ関数は、Ｘ、Ｙの値が大きくなれば大きくなるほど合わせずれ量に対する補正量が大きくなる。例えば、図４は、ウェハ面内座標と露光処理の合わせずれ量との関係の一例を示す図である。なお、図４において、ウェハ面内座標が０ｍｍの点は、ウェハ（半導体基板）の中心を示す。
【００４５】
図４に示すように、ウェハ外周部において、補正式による合わせずれ量と実際の（計測された）合わせずれ量との乖離が大きくなる可能性がある。
【００４６】
そこで、実施例１では、ウェハ面内の領域を２つ以上の領域に区分けし、区分けした領域各々でＸＹ関数の次数を変えて、補正値を計算する。既述のように、実施例１では、ウェハ面内の領域を、中心近傍の第１の領域と、この第１の領域よりも外周側の第２の領域と、に区分けする。
【００４７】
図５は、ウェハ面内におけるアライメント検出可能ショットと検出不可能ショットの一例を示す図である。
【００４８】
図５において、その他の空白ショットはアライメント検出可能ショット（第１の領域：投影露光の基準位置からの合わせずれ量を計測できる領域）である。さらに、×印で示したショットがアライメント検出不可能ショット（第２の領域：投影露光の基準位置からの合わせずれ量を計測できない領域）である。
【００４９】
上記アライメント検出可能ショットに対しては、式（１）、（２）を用いてアライメント計測結果から補正値を算出する。
【００５０】
例えば、アライメント検出可能ショットに対しては、アライメント検出可能ショットでの計測結果を、式（２）の「ｍ＋ｎ」の上限を“５”に設定（すなわち、５次関数フィッテイング）し、アライメント検出可能ショットの領域で第１の補正値を算出する。
【００５１】
すなわち、不図示の露光装置内演算部は、合わせずれ算出値および第１の領域の座標に基づいて、５次関数である式（２）（第１の補正式）により第１の補正値を算出する。
【００５２】
一方、アライメント検出不可能ショットに対しては、アライメント検出可能ショットでの計測結果を、例えば、式（２）の「ｍ＋ｎ」の上限を“３”に設定（すなわち、３次関数フィッテイング）し、アライメント検出不可能ショットの領域で第２の補正値を算出する。これにより、ウェハ外周で補正量が大きくなりすぎないような補正を行う。
【００５３】
すなわち、不図示の露光装置内演算部は、合わせずれ算出値および第２の領域の座標に基づいて、３次関数である式（２）（第１の補正式と異なる第２の補正式）により第２の補正値を算出する。
【００５４】
このように、上述のステップＳ６により、本実施例１においては、ウェハ面内の領域に応じて、式（２）の次数を変えて第１、第２の補正値を算出する。
【００５５】
そして、露光装置は、第１の補正値に応じて、第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正する。また、露光装置は、第２の補正値に基づいて、第２の領域の投影露光における合わせずれを補正する。
【００５６】
このように、補正値に基づいて、露光処理の合わせずれをウェハの領域に応じて補正する。これにより、ウェハ外周部においても、重ね合わせ精度を向上することができる。
【００５７】
次に、本ロットに対して、上記補正が実行された露光処理をする。例えば、２０枚程度の半導体基板を単位として構成された本ロットを露光装置に導入する。露光装置に導入された半導体基板は、１枚ずつ露光処理される。半導体基板への露光は、例えば、半導体基板内への１チップ或いは複数のチップを１つのショット単位として行われる。
【００５８】
露光終了後、例えば、本ロットの中から半導体基板を抜き取り、その半導体基板を合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂに導入し、合わせずれ検査を実行する（ステップＳ７）。
【００５９】
抜き出された半導体基板の下地に転写された合わせずれ検査マークを合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂにより計測する。これにより、合わせずれ検査の第１の領域の計測点の計測点座標（ｘ，ｙ）における基準位置からの合わせずれ量（ｄｘ，ｄｙ）を計測する。
【００６０】
次に、合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂは、得られた合わせずれ検査データを、データ受け渡し部１２を介して演算部１１に送信する。そして、演算部１１は、得られた合わせずれ検査データを本ロットの所定の規格と比較し、該規格内か或いは該規格外かを判断する（ステップＳ８）。
【００６１】
なお、該規格内か該規格外かに係わらず、得られた合わせずれ検査データは、ロット検査データベース１４に格納する。例えば、該規格内のデータは、後続ロットの合わせずれ補正値を算出するのに用いるため、ロット検査データベース１４の所定のファイルに保存される（ステップＳ１０）。合わせずれ検査結果から補正値を算出する際には上記アライメントの補正値を求めたやり方と同様の方法で補正値算出を行ってもよい。
【００６２】
一方、該規格外のデータは、例えば、規格外の原因等を分析する際に用いるため、ロット検査データベース１４の他のファイルに保存される（ステップＳ９）。
【００６３】
以上のフローにより、実施例１に係る露光システム１の露光手順が終了する。
【００６４】
既述のように、本実施例では、半導体基板の面内の領域について、計測可能ショットと計測不可能ショットに応じた領域の区分を行った。しかし、実際の半導体基板には、ウェハチャックによる歪、ＣＭＰプロセスによる歪、熱工程による歪、拡散工程による歪等が発生する。このため、半導体基板に生じる歪みの要因に応じて、ウェハ面内の領域を、該第１の領域と、該第２の領域と、に区分けしてもよい。
【００６５】
また、アライメント計測可能な領域内においても、上述の領域の区分けをしてもよい。
【００６６】
以上のように、本実施例に係る露光処理の補正方法によれば、リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることができる。
【００６７】
これにより、半導体チップの歩留まりを向上することができる。さらに、露光処理のやり直しを削減し、フォトレジスト塗布現像装置またはパターン形成装置の処理能力を向上することができる。すなわち、半導体装置の生産性を向上することができる。
【実施例２】
【００６８】
既述の実施例１においては、半導体基板の中心近傍の領域の露光処理に対してグローバルアライメント方式を適用した例について説明した。
【００６９】
既述のように、重ね合わせ精度向上のためにはアライメントのサンプリングショットを増やすことが有効である。
【００７０】
そこで、本実施例２においては、半導体基板の中心近傍の領域の露光処理に対してダイバイダイ方式を適用した例について説明する。なお、本実施例２においても、図１に示す露光システム１を運用する場合について説明する。
【００７１】
図２のステップＳ５までは、実施例１と同様にして、不図示の露光装置内演算部は、読み出された合わせずれ量および計測点座標に基づいて、該第１の領域のアライメント計測ショットの合わせずれ算出値（パラメータｋ）を算出する。ここで、実施例２においては、該第１の領域のアライメント計測ショット毎に合わせずれ算出値（パラメータｋ）を算出する。
【００７２】
そして、ステップＳ６の露光装置でのアライメントにおいて、実施例１と同様に、アライメント検出不可能ショットに対しては、アライメント検出可能ショットでの計測結果を、例えば、式（２）の「ｍ＋ｎ」の上限を“３”に設定（すなわち、３次関数フィッテイング）し、アライメント検出不可能ショットの領域で補正値を算出する。これにより、ウェハ外周で補正量が大きくなりすぎないような補正を行う。
【００７３】
すなわち、演算部１１は、合わせずれ算出値および第２の領域の座標に基づいて、３次関数である式（２）（第１の補正式と異なる第２の補正式）により第２の補正値を算出する。
【００７４】
このように、上述のステップステップＳ６の露光装置でのアライメントにより、本実施例１においては、ウェハ面内の領域に応じて、式（２）の次数を変えて第１と第２の補正値を算出する。
【００７５】
そして、露光装置は、合わせずれ算出値に応じて、第１の領域の前記投影露光における合わせずれを露光ショット毎に補正する。また、露光装置は、該補正値に基づいて、第２の領域の投影露光における合わせずれを補正する。
【００７６】
以降の露光手順のフローは、実施例１と同様である。
【００７７】
既述のように、本実施例でも、半導体基板の面内の領域について、計測可能ショットと計測不可能ショットに応じた領域の区分を行った。しかし、実施例１と同様に、半導体基板に生じる歪みの要因に応じて、ウェハ面内の領域を、該第１の領域と、該第２の領域と、に区分けしてもよい。
【００７８】
また、アライメント計測可能な領域内においても、上述の領域の区分けをしてもよい。
【００７９】
ここで、図６は、ウェハ面内におけるアライメント検出可能ショットと検出不可能ショットの他の例を示す図である。また、図７は、ウェハ面内の分割領域と適用するアライメント方式との関係を示す図である。
【００８０】
例えば、図６に示すように、ウェハ面内を４分割（第１の領域：Ａ、Ｂ、Ｃ、第２の領域：Ｄ）する。そして、図７に示すようにして、グローバルアライメント方式とダイバイダイ方式を組合せて、合わせずれ算出値、補正値を算出してもよい。
【００８１】
以上のように、本実施例に係る露光処理の補正方法によれば、リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００８２】
１ 露光システム
１０ システム制御部
１１ 演算部
１２ データ受け渡し部
１３ データサーバ
１５ ロット履歴データベース
１６ ロット保管庫
１７ 露光装置群
１８ａ、１８ｂ、１８ｃ 露光装置
１９ 合わせずれ検査装置群
２０ａ、２０ｂ 合わせずれ検査装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスクに形成されたパターンを半導体基板に投影露光する露光処理の補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスのリソグラフィー工程で用いられる露光装置では、原版（マスク）と被転写基板（半導体基板（ウェハ））とのアライメントを行う。
【０００３】
このアライメントは、該被転写基板の下地に対して露光ショット毎にアライメントを行うダイバイダイ方式と、代表ショットでアライメントを実行するグローバルアライメント方式との２種類に大きく分けられる。
【０００４】
ダイバイダイ方式では、ウェハ外周において下地マークが形成されていないショットにアライメントすることが不可能であった。
【０００５】
また、グローバルアライメント方式では、重ね合わせ精度向上のための合わせずれ補正式の高次化に伴い、ウェハ外周における高次補正残渣による合わせずれへの影響が見逃せなくなってきている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３-１６３１５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることが可能な露光処理の補正方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る実施例に従った補正方法は、
マスクに形成されたパターンを半導体基板に投影露光する露光処理の補正方法であって、
前記半導体基板の面内の中心近傍の第１の領域の計測点の座標における、計測用投影露光により投影されたパターンの基準位置からの合わせずれ量を、計測し、
前記合わせずれ量および前記計測点の座標に基づいて、前記第１の領域の前記計測用投影露光の合わせずれ算出値を算出し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域の座標に基づいて、第１の補正式により第１の補正値を算出し、この第１の補正値に応じて、前記第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域よりも前記半導体基板の外周側の第２の領域の座標に基づいて、前記第１の補正式と異なる第２の補正式により第２の補正値を算出し、この第２の補正値に基づいて、前記第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正することを特徴とする。
【０００９】
本発明の他の態様に係る実施例に従った補正方法は、
マスクに形成されたパターンを半導体基板に投影露光する露光処理の補正方法であって、
前記半導体基板の面内の中心近傍の第１の領域の計測点の座標における、計測用投影露光により投影されたパターンの基準位置からの合わせずれ量を、計測し、
前記合わせずれ量および前記計測点の座標に基づいて、前記第１の領域の前記計測用投影露光の合わせずれ算出値を算出し、
前記合わせずれ算出値に応じて、前記第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域よりも前記半導体基板の外周側の第２の領域の座標に基づいて、補正式によりにより補正値を算出し、この補正値に基づいて、前記第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の露光処理の補正方法によれば、リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一態様である実施例１に係る露光システム１の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】図１に示す露光システム１の露光手順の一例を示すフローチャートである。
【図３】半導体基板（ウェハ）のウェハ座標系とアライメント計測ショットのショット座標系を示すウェハの模式図である。
【図４】ウェハ面内座標と露光処理の合わせずれ量との関係の一例を示す図である。
【図５】ウェハ面内におけるアライメント検出可能ショットと検出不可能ショットの一例を示す図である。
【図６】ウェハ面内におけるアライメント検出可能ショットと検出不可能ショットの他の例を示す図である。
【図７】ウェハ面内の分割領域と適用するアライメント方式との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係る各実施例について図面に基づいて説明する。
【実施例１】
【００１３】
図１は、本発明の一態様である実施例１に係る露光システム１の構成の一例を示すブロック図である。本実施例では、例えば、同一の製品を製造するために、例えば２０枚程度の半導体基板（ウェハ）をまとめて一群にした所謂ロットを基本構成単位として、露光システム１を運用する。
【００１４】
以下で説明する「アライメント」とは露光装置に内蔵されたアライメントスコープにより投影露光により投影された下地計測用パターンを計測し、基準位置からのずれ量を算出し、露光装置内演算部で補正量を算出し、この補正値で露光処理を実行することである。
【００１５】
また、「合わせずれ検査」とは合わせずれ検査装置の光学系により露光処理が完了した計測用パターンと下地計測用パターンの相対位置ずれ量を計測することである。露光処理が完了した計測用パターンと下地計測用パターンで構成されるパターン対を「合わせずれ検査マーク（アライメントマーク）」と呼ぶことにする。
【００１６】
合わせずれ検査結果から露光時の補正値を算出し、本体ロットまたは次に流品するロットへ補正値を入力することにより、本体ロットもしくは次に流品するロットの重ね合わせ精度を向上させることができる。
【００１７】
図１に示すように、露光システム１は、システム制御部１０と、データサーバ１３と、ロット保管庫１６と、露光装置群１７と、合わせずれ検査装置群１９と、を備える。
【００１８】
露光装置群１７は、複数の露光装置１８ａ、１８ｂ、１８ｃを含む。
【００１９】
合わせずれ検査装置群１９は、２つの合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂを含む。
【００２０】
データサーバ１３は、製品ロットの製造工程、履歴等の情報、及び露光装置１８ａ、１８ｂ、１８ｃに入力した合わせずれ補正値等の情報を管理するロット履歴データベース１５と、合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂで計測された製品ロットの合わせずれ量及び重ね合わせ検査での計測点座標等の情報を管理するロット検査データベース１４と、を有する。
【００２１】
また、システム制御部１０は、演算部１１と、データ受け渡し部１２と、を有する。
【００２２】
データ受け渡し部１２は、露光装置群１７の露光装置１８ａ〜１８ｃ、合わせずれ検査装置群１９の合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂ、データサーバ１３、および、システム制御部１０の演算部１１に対して、データの受け渡しをする。
【００２３】
また、演算部１１は、過去のロットデータ若しくはロットを構成する各半導体基板に対するデータに基づき、合わせずれ量および計測点座標（ｘ，ｙ）に基づいて合わせずれ算出値（パラメータｋ）を算出する。
【００２４】
さらに、演算部１１は、得られた合わせずれ算出値（パラメータｋ）に基づいて、本ロットに対する露光処理１８ａ、１８ｂ、１８ｃの補正値等を設定し、さらに、露光装置１８ａ、１８ｂ、１８ｃ、合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂ、データサーバ、および、データ受け渡し部１２に対する指示等をする。
【００２５】
次に、以上のような構成を有する露光システム１の露光手順の一例について説明する。
【００２６】
図２は、図１に示す露光システム１の露光手順の一例を示すフローチャートである。
【００２７】
図２に示すように、先ず、露光工程に入る本ロットについて、そのロット情報を認識する（ステップＳ１）。例えば、バーコードリーダ等により、ロット内の半導体基板がまとめて保管されている所謂ロット箱のロットＩＤ番号を読み取る。
【００２８】
読み取られたロットＩＤ番号は、データ受け渡し部１２を介して演算部１１に送られる。そして、演算部１１からの指示により、このＩＤ番号を参照し、ロット履歴データベース１５から以下の既存データを検索する（ステップＳ２）。この既存データには、製品名、工程名、下地を露光した際の露光装置、露光条件、および、露光日時、後述の合わせずれ検査データ等が含まれる。例えば、同一製品で同一工程を有し、かつ、本露光処理に用いられた露光装置が同一であるロットに関し、合わせずれ検査データを検索する。
【００２９】
上記検索により該当したロットの既存データから該当ロットの合わせずれ量、計測点座標等を、例えば、該当したすべてのロットに関して、演算部１０へ読み出す。
【００３０】
次に、演算部１０は、読み出された合わせずれ量および計測点座標に基づいて、該第１の領域の合わせずれ検査ショットの合わせずれ算出値（パラメータｋ）を算出する（ステップＳ３）。なお、この計測された合わせずれ検査データから算出された補正値は、後述のように、これから露光処理する本ロットに対して先行して露光処理された先行ロットから計測されたデータである（ステップＳ４、Ｓ５）。
【００３１】
ここで、露光処理の重ね合わせ精度を向上するためには、露光処理でのアライメント計測ショットの数または合わせずれ検査ショットを増やすことが有効である。特に、露光処理でのアライメントに関しては、アライメント計測時間により露光装置のスループットを低下しないように、アライメント計測ショットの数を設定する必要がある。
【００３２】
以下、本実施例１においては、既述のグローバルアライメント方式を適用した例に用いて説明する。
【００３３】
図３は、半導体基板（ウェハ）のウェハ座標系とアライメント計測もしくは合わせずれ検査ショットのショット座標系を示すウェハの模式図である。
【００３４】
図３に示すように、ウェハ上任意の露光ショットにおいて、ウェハ座標系におけるショットの中心座標であるショット中心座標を（Ｘ，Ｙ）とする。また、露光ショット内座標系における露光ショット内の計測点座標を（ｘ，ｙ）とする。また、アライメント計測点における合わせずれ量を（ｄｘ，ｄｙ）とする。
【００３５】
ステップＳ６での露光処理前には、半導体基板の下地に対するアライメントを行う。半導体基板の下地に転写されたアライメントマークを露光装置１８ａ、１８ｂ、１８ｃ内に内蔵されているアライメントスコープにより計測する。これにより、合わせ先である下地パターンの計測点の計測点座標（ｘ，ｙ）における基準位置からの合わせずれ量（ｄｘ，ｄｙ）を計測する。この合わせずれ量が、投影露光により半導体基板に転写されるパターンの所定の位置からのずれに相当する。
【００３６】
ここで、半導体基板（ウェハ）の面内の領域を、後述のように、中心近傍の第１の領域と、この第１の領域よりも外周側の第２の領域と、に区分けする。なお、後述のように、第１の領域を投影露光の基準位置からの合わせずれ量を計測できる領域とし、第２の領域を投影露光の基準位置からの合わせずれ量を計測できない領域とする。
【００３７】
そして、不図示の露光装置内演算部は、以下に示す式（１）を用いて、合わせずれ量（ｄｘ，ｄｙ）および計測点の計測点座標（ｘ，ｙ）に基づいて、該第１の領域のアライメント計測ショットの合わせずれ算出値（パラメータｋ）を算出する。
【００３８】
不図示の露光装置内演算部は、各アライメント計測のショットに対して式（１）の残渣αx、αyが最小になるように、パラメータｋを、算出する。すなわち、合わせずれ検査装置で計測した実際の合わせずれ量を、例えば、シフト成分、ウェハ倍率成分、ウェハ回転成分、ショット倍率成分、ショット回転成分等で最小２乗フィッティングするする。
【００３９】
露光ショット内でアライメントマーク対が１対の場合は、式（１）の解を得ることができない。しかし、アライメントマーク対が３対以上ある場合は、式（１）の解を得ることができる。
【数１】
【００４０】
この式（１）により求められるパラメータｋ1、ｋ2は、シフト成分である。また、パラメータｋ3、ｋ4は、露光ショットのショット倍率成分である。また、パラメータｋ5、ｋ6は、露光ショットのショット回転成分である。なお、露光ショット内でアライメントマーク対が１対の場合はパラメータｋ1、ｋ2のみが求まることになる。
【００４１】
そして、演算部１１は、各アライメント計測ショットにより求めたパラメータｋ1〜ｋ6とウェハ座標系におけるショット中心座標（Ｘ，Ｙ）を式（２）に入力し、残渣α1〜α6が最小になるようなパラメータＰ1mn〜Ｐ6mn（補正値）を算出する（ステップＳ４）。
【数２】
【００４２】
なお、本実施例１では、式（１）は、ショット内座標系（ｘ，ｙ）の１次式である場合を示した。しかし、アライメント計測ショット内の計測点を６点以上にした場合は、２次以上の（１）式で近似することが可能である。なお、式（１）が２次式の場合、ｋ1〜ｋ12までで近似するため、式（２）のパラメータｋを表す式を１２個に増やす必要がある。
【００４３】
上記のように、式（２）は、ショット中心座標（Ｘ，Ｙ）の関数である。この式（２）における「ｍ＋ｎ」がＸＹ関数の次数に相当する。この次数が高次になるほどアライメント補正値のフィッティング精度は向上する。
【００４４】
しかし、ＸＹ関数は、Ｘ、Ｙの値が大きくなれば大きくなるほど合わせずれ量に対する補正量が大きくなる。例えば、図４は、ウェハ面内座標と露光処理の合わせずれ量との関係の一例を示す図である。なお、図４において、ウェハ面内座標が０ｍｍの点は、ウェハ（半導体基板）の中心を示す。
【００４５】
図４に示すように、ウェハ外周部において、補正式による合わせずれ量と実際の（計測された）合わせずれ量との乖離が大きくなる可能性がある。
【００４６】
そこで、実施例１では、ウェハ面内の領域を２つ以上の領域に区分けし、区分けした領域各々でＸＹ関数の次数を変えて、補正値を計算する。既述のように、実施例１では、ウェハ面内の領域を、中心近傍の第１の領域と、この第１の領域よりも外周側の第２の領域と、に区分けする。
【００４７】
図５は、ウェハ面内におけるアライメント検出可能ショットと検出不可能ショットの一例を示す図である。
【００４８】
図５において、その他の空白ショットはアライメント検出可能ショット（第１の領域：投影露光の基準位置からの合わせずれ量を計測できる領域）である。さらに、×印で示したショットがアライメント検出不可能ショット（第２の領域：投影露光の基準位置からの合わせずれ量を計測できない領域）である。
【００４９】
上記アライメント検出可能ショットに対しては、式（１）、（２）を用いてアライメント計測結果から補正値を算出する。
【００５０】
例えば、アライメント検出可能ショットに対しては、アライメント検出可能ショットでの計測結果を、式（２）の「ｍ＋ｎ」の上限を“５”に設定（すなわち、５次関数フィッテイング）し、アライメント検出可能ショットの領域で第１の補正値を算出する。
【００５１】
すなわち、不図示の露光装置内演算部は、合わせずれ算出値および第１の領域の座標に基づいて、５次関数である式（２）（第１の補正式）により第１の補正値を算出する。
【００５２】
一方、アライメント検出不可能ショットに対しては、アライメント検出可能ショットでの計測結果を、例えば、式（２）の「ｍ＋ｎ」の上限を“３”に設定（すなわち、３次関数フィッテイング）し、アライメント検出不可能ショットの領域で第２の補正値を算出する。これにより、ウェハ外周で補正量が大きくなりすぎないような補正を行う。
【００５３】
すなわち、不図示の露光装置内演算部は、合わせずれ算出値および第２の領域の座標に基づいて、３次関数である式（２）（第１の補正式と異なる第２の補正式）により第２の補正値を算出する。
【００５４】
このように、上述のステップＳ６により、本実施例１においては、ウェハ面内の領域に応じて、式（２）の次数を変えて第１、第２の補正値を算出する。
【００５５】
そして、露光装置は、第１の補正値に応じて、第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正する。また、露光装置は、第２の補正値に基づいて、第２の領域の投影露光における合わせずれを補正する。
【００５６】
このように、補正値に基づいて、露光処理の合わせずれをウェハの領域に応じて補正する。これにより、ウェハ外周部においても、重ね合わせ精度を向上することができる。
【００５７】
次に、本ロットに対して、上記補正が実行された露光処理をする。例えば、２０枚程度の半導体基板を単位として構成された本ロットを露光装置に導入する。露光装置に導入された半導体基板は、１枚ずつ露光処理される。半導体基板への露光は、例えば、半導体基板内への１チップ或いは複数のチップを１つのショット単位として行われる。
【００５８】
露光終了後、例えば、本ロットの中から半導体基板を抜き取り、その半導体基板を合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂに導入し、合わせずれ検査を実行する（ステップＳ７）。
【００５９】
抜き出された半導体基板の下地に転写された合わせずれ検査マークを合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂにより計測する。これにより、合わせずれ検査の第１の領域の計測点の計測点座標（ｘ，ｙ）における基準位置からの合わせずれ量（ｄｘ，ｄｙ）を計測する。
【００６０】
次に、合わせずれ検査装置２０ａ、２０ｂは、得られた合わせずれ検査データを、データ受け渡し部１２を介して演算部１１に送信する。そして、演算部１１は、得られた合わせずれ検査データを本ロットの所定の規格と比較し、該規格内か或いは該規格外かを判断する（ステップＳ８）。
【００６１】
なお、該規格内か該規格外かに係わらず、得られた合わせずれ検査データは、ロット検査データベース１４に格納する。例えば、該規格内のデータは、後続ロットの合わせずれ補正値を算出するのに用いるため、ロット検査データベース１４の所定のファイルに保存される（ステップＳ１０）。合わせずれ検査結果から補正値を算出する際には上記アライメントの補正値を求めたやり方と同様の方法で補正値算出を行ってもよい。
【００６２】
一方、該規格外のデータは、例えば、規格外の原因等を分析する際に用いるため、ロット検査データベース１４の他のファイルに保存される（ステップＳ９）。
【００６３】
以上のフローにより、実施例１に係る露光システム１の露光手順が終了する。
【００６４】
既述のように、本実施例では、半導体基板の面内の領域について、計測可能ショットと計測不可能ショットに応じた領域の区分を行った。しかし、実際の半導体基板には、ウェハチャックによる歪、ＣＭＰプロセスによる歪、熱工程による歪、拡散工程による歪等が発生する。このため、半導体基板に生じる歪みの要因に応じて、ウェハ面内の領域を、該第１の領域と、該第２の領域と、に区分けしてもよい。
【００６５】
また、アライメント計測可能な領域内においても、上述の領域の区分けをしてもよい。
【００６６】
以上のように、本実施例に係る露光処理の補正方法によれば、リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることができる。
【００６７】
これにより、半導体チップの歩留まりを向上することができる。さらに、露光処理のやり直しを削減し、フォトレジスト塗布現像装置またはパターン形成装置の処理能力を向上することができる。すなわち、半導体装置の生産性を向上することができる。
【実施例２】
【００６８】
既述の実施例１においては、半導体基板の中心近傍の領域の露光処理に対してグローバルアライメント方式を適用した例について説明した。
【００６９】
既述のように、重ね合わせ精度向上のためにはアライメントのサンプリングショットを増やすことが有効である。
【００７０】
そこで、本実施例２においては、半導体基板の中心近傍の領域の露光処理に対してダイバイダイ方式を適用した例について説明する。なお、本実施例２においても、図１に示す露光システム１を運用する場合について説明する。
【００７１】
図２のステップＳ５までは、実施例１と同様にして、不図示の露光装置内演算部は、読み出された合わせずれ量および計測点座標に基づいて、該第１の領域のアライメント計測ショットの合わせずれ算出値（パラメータｋ）を算出する。ここで、実施例２においては、該第１の領域のアライメント計測ショット毎に合わせずれ算出値（パラメータｋ）を算出する。
【００７２】
そして、ステップＳ６の露光装置でのアライメントにおいて、実施例１と同様に、アライメント検出不可能ショットに対しては、アライメント検出可能ショットでの計測結果を、例えば、式（２）の「ｍ＋ｎ」の上限を“３”に設定（すなわち、３次関数フィッテイング）し、アライメント検出不可能ショットの領域で補正値を算出する。これにより、ウェハ外周で補正量が大きくなりすぎないような補正を行う。
【００７３】
すなわち、演算部１１は、合わせずれ算出値および第２の領域の座標に基づいて、３次関数である式（２）（第１の補正式と異なる第２の補正式）により第２の補正値を算出する。
【００７４】
このように、上述のステップステップＳ６の露光装置でのアライメントにより、本実施例１においては、ウェハ面内の領域に応じて、式（２）の次数を変えて第１と第２の補正値を算出する。
【００７５】
そして、露光装置は、合わせずれ算出値に応じて、第１の領域の前記投影露光における合わせずれを露光ショット毎に補正する。また、露光装置は、該補正値に基づいて、第２の領域の投影露光における合わせずれを補正する。
【００７６】
以降の露光手順のフローは、実施例１と同様である。
【００７７】
既述のように、本実施例でも、半導体基板の面内の領域について、計測可能ショットと計測不可能ショットに応じた領域の区分を行った。しかし、実施例１と同様に、半導体基板に生じる歪みの要因に応じて、ウェハ面内の領域を、該第１の領域と、該第２の領域と、に区分けしてもよい。
【００７８】
また、アライメント計測可能な領域内においても、上述の領域の区分けをしてもよい。
【００７９】
ここで、図６は、ウェハ面内におけるアライメント検出可能ショットと検出不可能ショットの他の例を示す図である。また、図７は、ウェハ面内の分割領域と適用するアライメント方式との関係を示す図である。
【００８０】
例えば、図６に示すように、ウェハ面内を４分割（第１の領域：Ａ、Ｂ、Ｃ、第２の領域：Ｄ）する。そして、図７に示すようにして、グローバルアライメント方式とダイバイダイ方式を組合せて、合わせずれ算出値、補正値を算出してもよい。
【００８１】
以上のように、本実施例に係る露光処理の補正方法によれば、リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００８２】
１ 露光システム
１０ システム制御部
１１ 演算部
１２ データ受け渡し部
１３ データサーバ
１５ ロット履歴データベース
１６ ロット保管庫
１７ 露光装置群
１８ａ、１８ｂ、１８ｃ 露光装置
１９ 合わせずれ検査装置群
２０ａ、２０ｂ 合わせずれ検査装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成されたパターンを半導体基板に投影露光する露光処理の補正方法であって、
前記半導体基板の面内の中心近傍の第１の領域の計測点の座標における、計測用投影露光により投影されたパターンの基準位置からの合わせずれ量を、計測し、
前記合わせずれ量および前記計測点の座標に基づいて、前記第１の領域の前記計測用投影露光の合わせずれ算出値を算出し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域の座標に基づいて、第１の補正式により第１の補正値を算出し、この第１の補正値に応じて、前記第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域よりも前記半導体基板の外周側の第２の領域の座標に基づいて、前記第１の補正式と異なる第２の補正式により第２の補正値を算出し、この第２の補正値に基づいて、前記第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正する
ことを特徴とする露光処理の補正方法。
【請求項２】
マスクに形成されたパターンを半導体基板に投影露光する露光処理の補正方法であって、
前記半導体基板の面内の中心近傍の第１の領域の計測点の座標における、計測用投影露光により投影されたパターンの基準位置からの合わせずれ量を、計測し、
前記合わせずれ量および前記計測点の座標に基づいて、前記第１の領域の前記計測用投影露光の合わせずれ算出値を算出し、
前記合わせずれ算出値に応じて、前記第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域よりも前記半導体基板の外周側の第２の領域の座標に基づいて、補正式によりにより補正値を算出し、この補正値に基づいて、前記第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正する
ことを特徴とする露光処理の補正方法。
【請求項３】
前記合わせずれ算出値は、前記投影露光の露光ショットのシフト成分、前記露光ショットのショット倍率成分、前記露光ショットのショット回転成分である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の露光処理の補正方法。
【請求項４】
前記半導体基板に生じる歪みの原因に応じて、前記半導体基板の面内の領域を、中心近傍の第１の領域と、前記第１の領域よりも外周側の第２の領域と、に区分けする
ことを特徴とする請求項１または２に記載の露光処理の補正方法。
【請求項５】
前記第２の領域は、投影露光の基準位置からの合わせずれ量を計測できない領域であることを特徴とする請求項１または２に記載の露光処理の補正方法。
【請求項１】
マスクに形成されたパターンを半導体基板に投影露光する露光処理の補正方法であって、
前記半導体基板の面内の中心近傍の第１の領域の計測点の座標における、計測用投影露光により投影されたパターンの基準位置からの合わせずれ量を、計測し、
前記合わせずれ量および前記計測点の座標に基づいて、前記第１の領域の前記計測用投影露光の合わせずれ算出値を算出し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域の座標に基づいて、第１の補正式により第１の補正値を算出し、この第１の補正値に応じて、前記第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域よりも前記半導体基板の外周側の第２の領域の座標に基づいて、前記第１の補正式と異なる第２の補正式により第２の補正値を算出し、この第２の補正値に基づいて、前記第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正する
ことを特徴とする露光処理の補正方法。
【請求項２】
マスクに形成されたパターンを半導体基板に投影露光する露光処理の補正方法であって、
前記半導体基板の面内の中心近傍の第１の領域の計測点の座標における、計測用投影露光により投影されたパターンの基準位置からの合わせずれ量を、計測し、
前記合わせずれ量および前記計測点の座標に基づいて、前記第１の領域の前記計測用投影露光の合わせずれ算出値を算出し、
前記合わせずれ算出値に応じて、前記第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、
前記合わせずれ算出値および前記第１の領域よりも前記半導体基板の外周側の第２の領域の座標に基づいて、補正式によりにより補正値を算出し、この補正値に基づいて、前記第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正する
ことを特徴とする露光処理の補正方法。
【請求項３】
前記合わせずれ算出値は、前記投影露光の露光ショットのシフト成分、前記露光ショットのショット倍率成分、前記露光ショットのショット回転成分である
ことを特徴とする請求項１または２に記載の露光処理の補正方法。
【請求項４】
前記半導体基板に生じる歪みの原因に応じて、前記半導体基板の面内の領域を、中心近傍の第１の領域と、前記第１の領域よりも外周側の第２の領域と、に区分けする
ことを特徴とする請求項１または２に記載の露光処理の補正方法。
【請求項５】
前記第２の領域は、投影露光の基準位置からの合わせずれ量を計測できない領域であることを特徴とする請求項１または２に記載の露光処理の補正方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【公開番号】特開２０１１−６６３２３（Ｐ２０１１−６６３２３Ａ）
【公開日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２１７６０８（Ｐ２００９−２１７６０８）
【出願日】平成２１年９月１８日（２００９．９．１８）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月１８日（２００９．９．１８）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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