【課題】 光学ヘッドの位置が設計時の位置から位置ずれを起こしている場合でも描画処理ごとに光学ヘッドのステージに対する位置ずれを取得することができるパターン描画装置およびパターン描画方法。
【解決手段】 ステージ上の蛍光材６１が塗布された第１基準マーク６０上に、第２基準マーク６２を描画し、該描画によって生じる第１基準マーク６０上からの第２基準マーク６２の形状に対応した励起光を受光することで第１基準マーク６０および第２基準マーク６２の像を取得する。第１基準マーク６０と第２基準マーク６２の相対位置関係を算出することで、光学ヘッドのステージに対する位置ずれを取得することができる。相対位置関係に基づき描画される所定のパターンの位置を制御して、所定のパターンの描画を実行することで、光学ヘッドが設計時の位置からずれている場合でも、該位置ずれを補正して所定のパターンを描画することができる。 （もっと読む）

【課題】物体上に形成された複数の基準マークの位置検出精度を維持しながら検出時間の短縮を図る。
【解決手段】実測すべき基準マークの各々を対象マークとしながら評価値を求め、それらの評価値に基づき基準マークの補間位置情報が実測位置情報と一致することの確からしさを評価する。そして、最良評価値≦しきい値を満足する場合、つまり一の基準マークの位置情報を他の基準マークの位置情報から高い確からしさで補間できる場合、実測すべき基準マークから一の基準マークを除外する。このため、２枚目以降の基板については、高い検出精度を保ちながら実測すべき基準マークの個数を低減することができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 光学系の設計を複雑にせず安定した重ね合わせ描画を行うための描画装置および描画方法。
【解決手段】 撮像部５０と光照射部４０とを備え、撮像された画像と撮像時のステージ１０の移動誤差とから基板の変形に起因する下層パターンの位置ずれ量を算出する。次に撮像後から照射時までの間にステージ１０の移動誤差を検出することで、検出時の移動誤差と光ビームが照射される照射時の実際のステージの移動誤差との差分である相対誤差の変動幅を小さくすることができる。そして、検出された移動誤差と下層パターンの位置ずれ量とを加算し上層パターンの形成位置を算出する。該位置に基づいて光ビームを照射することでステージ１０の移動誤差に起因した位置ずれに対しても、光学系を複雑にすることなく安定した重ね合わせ描画を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】物体に設けられた複数のマークをより短時間に高精度に検出する。
【解決手段】ウエハマークの位置を検出するマーク検出方法であって、複数のアライメント系ＡＬ１，ＡＬ２１〜ＡＬ２４の検出領域に対してウエハＷを移動中に、アライメント系ＡＬ１，ＡＬ２１〜ＡＬ２４とウエハＷの表面とのデフォーカス量を計測し、この計測結果に基づいてウエハＷの面位置及び傾斜角の少なくとも一方を制御し、ウエハマークＷＭＣ１，ＷＭＡ１，ＷＭＤ１がアライメント系ＡＬ２２，ＡＬ１，ＡＬ２３の検出領域内に達したときに、ウエハＷを静止させて、アライメント系ＡＬ２２，ＡＬ２３で対応するウエハマークＷＭＣ１，ＷＭＤ１の位置を検出する。 （もっと読む）

【課題】下層および上層に形成したデバイスパターン間のズレ量を現状で実施されている方法よりも高精度に計測可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、パターン形成工程と、開口部形成工程とを含む。パターン形成工程では、第１層に位置ズレ計測用のパターン１１１と第１パターン１０１とを形成する。開口部形成工程では、前記第１層よりも上層に積層した第２層１０３に前記位置ズレ計測用のパターン１１１を露出させる開口部と第２パターン１０２とを形成する。 （もっと読む）

【課題】露光マスクを用いて形成されるパタンと、合せ先の工程において形成されたパタンとの合せずれを低減し、歩留りの低下を抑えることが可能な半導体装置の製造方法、露光マスクの出荷判定方法及び作製方法を提供する。
【解決手段】露光後合せずれ測定パタンと、本体集積回路内のパタンとを含む第１のパタンを有する第１のマスクを作製し、第１のパタンにおける、露光後合せずれ測定パタンの位置ずれと、本体集積回路内のパタンの位置ずれをそれぞれ測定した後、これらの位置ずれの差分である第１の差分を算出し、第１の差分を、第１のマスクを用いてウエハを露光処理する際の、合せパラメータに反映させる。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤ基板等を位置合せする基準となるアライメントマークを含んだ画像をテンプレートマークとして登録する作業を、位置合せの際の画像処理に必要な条件を理解していない者でも適正に行えるようにする。
【解決手段】制御部は、アライメントマーク３１を撮影した画像が表示されるモニターの画面上に、操作部の操作によってアライメントマーク３１をテンプレートマークとして登録枠２１を設定するためのグラフィカルユーザインタフェースを表示させる。そして、テンプレートマークとして登録枠２１を設定する際の操作ガイダンス２４をウィンドウ表示させ、登録枠２１内に含まれる画像を構成する画素のうち、最大の輝度を有する画素の輝度が所定の輝度値の範囲内となるように、登録枠２１に照射する照明の明るさを指示する操作ガイダンスをモニターの画面上にウィンドウ表示させる。 （もっと読む）

【課題】製造工程のリワーク率および製品の不良率を低下させることが可能な、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第１の被加工膜に第１のパターンを形成する工程と、第１のパターンにおける所定の方向の寸法である第１の距離を測定する第１の測定工程と、第１のパターン上に第２の被加工膜を形成する工程と、第２の被加工膜上に形成したフォトレジストに第２のパターンを形成する工程と、第２のパターンにおける所定の方向の寸法である第２の距離を測定する第２の測定工程と、を有し、第２のパターンの良否判定が、第１の距離と、第１の距離および第２の距離から求まる算出値とのうち、少なくとも一方によって決定されるものである。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、基板に局所的でない歪が発生している場合でも、基板の広い領域の歪みの傾向をとらえて的確にその変位を算出できる変位算出方法、描画装置を提供する。
【解決手段】 アライメントマークＭ１１〜Ｍ１４、Ｍ２１〜Ｍ２４、Ｍ３１〜Ｍ３４、Ｍ４１〜Ｍ４４、の各位置におけるＸ方向のずれ量ΔＸを算出し、そのずれ量から第１スプライン曲線ＳＬ１を描き、評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＸ位置（Ｘ＝ｘｅ）における補正値ΔＸ１〜ΔＸ４を算出する。ΔＸ１〜ΔＸ４から第１副スプライン曲線ＳＬ１Ｓを描き評価点Ｅ（ｘe、ｙｅ）のＹ位置（Ｘ＝ｙｅ）における補正値ΔＸｅを算出し、Ｘ方向の補正量とする。Ｙ方向の補正量も同様に算出する。 （もっと読む）

【課題】ワークの姿勢を良好にアライメントできるアライメント装置、基板処理装置、およびアライメント方法を提供する。
【解決手段】注目マーク９４ａが初期位置Ｐ０から第１計測位置Ｐ１へ第１距離Ｄ１だけ移動した後、位置演算部は、対応撮像部にて撮像された第１撮像画像に基づいて、第１撮像画像の座標系における注目マーク９４ａの第１計測位置Ｐ１を演算する。また、位置演算部は、注目マーク９４ａが第１計測位置Ｐ１から第２計測位置Ｐ２に移動した後、対応撮像部により撮像された第２撮像画像に基づいて、第２撮像画像の座標系における第２計測位置Ｐ２を演算する。続いて、演算された第１および第２計測位置Ｐ１、Ｐ２と、第１角度θ１と、に基づいて、回転軸３５ａから見た注目マーク９４ａのマーク位置を演算する。そして、求められた各アライメントマークのマーク位置を通る直線を求めることによって、主走査方向に対する基板の傾きを求める。 （もっと読む）

【課題】位置合わせ測定の精度を向上する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、位置合わせ測定方法では、測定光学系の測定領域内が２次元的に分割された複数の部分領域のそれぞれに位置合わせ測定用マークが位置するように前記位置合わせ測定用マークに対する前記測定領域の相対的な位置を順次にシフトさせながら前記位置合わせ測定用マークの位置合わせずれ量を予め測定して、前記測定光学系の特性ずれに関する装置要因誤差を前記複数の部分領域のそれぞれごとに求め、前記複数の部分領域ごとに求められた前記装置要因誤差に基づいて前記複数の部分領域のうち使用すべき部分領域を決定し、前記決定された前記使用すべき部分領域に前記位置合わせ測定用マークが位置するように前記位置合わせ測定用マークに対する前記測定領域の相対的な位置をシフトさせた状態で前記位置合わせ測定用マークの位置合わせずれ量を測定する。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの検出条件を最適化する。
【解決手段】アライメント検出系を用いてウエハ上に形成されたアライメントマーク（ＥＧＡマーク又はサーチマーク）が複数の照明条件又は複数の結像条件で検出される。しかる後、得られた検出信号を信号処理アルゴリズムを用いて解析処理することにより検出信号の波形の変形に関する判定量が求められ（ステップ３０２〜３１０）、その判定量に基づいて複数のマークの検出結果に対するＴＩＳが評価される（ステップ３１２）。そして、その解析結果に基づいて複数の照明条件又は複数の結像条件が最適化される（ステップ３１４）。これにより、検出結果に対するＴＩＳが最小になるようにアライメントマークの検出条件を最適化することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハプロセスの影響による計測誤差を低減するマークの位置計測方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 基板に形成されたマークの位置を計測する計測方法において、
前記マークを照明するステップと、結像光学系を用いて前記マークの像をセンサの受光面に形成するステップと、前記センサにより前記マークの像を撮影して画像データを取得するステップと、前記マークの形状、前記結像光学系の結像倍率および前記センサの撮像範囲の情報を用いて前記画像データの基本波及び高調波の補正用データを設定する設定ステップと、前記補正用データを用いて前記画像データを補正するステップと、該補正された画像データを用いて前記マークの位置を算出するステップとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】センサにより計測されたアライメントのズレ量を、各装置を制御するためのレシピを用いて補正することにより、アライメント処理時間を短縮し、露光ラインを止めずにアライメント補正することを可能として、スループットを向上させることができる露光システム及びその制御方法を提供する。
【解決手段】制御装置２１は、前回のプリアライメント時に検出された基板ステージ１６と基板Ｗとのズレ量Ｅ１、Ｅ２に基づいて算出した補正値をプリアライメント制御レシピＲ１に書き込むと共に、露光装置１３における前回の基板ＷとマスクＭとのアライメント調整時に検出された基板ＷとマスクＭとのズレ量ｅ１、ｅ２に基づいて算出した補正値を露光制御レシピＲ２に書き込む。そして、次回のプリアライメント及び露光の際、プリアライメント制御レシピＲ１及び露光制御レシピＲ２に基づいてプリアライメント装置１２及び露光装置１３を制御する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光ビーム方式において発生する被描画体の描画パターンの変形を簡単な方法で、短時間で補正できる露光装置及び露光方法を提供する、あるいは、本発明の露光装置または露光方法を用いることでスループットの高い表示用パネル基板製造装置または表示用パネル基板製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、光ビームを光ビーム照射装置で照射し、前記基板へ描画する描画データを作成し、前記基板にパターンを描画するに際し、前記基板に設けられた複数のアライメントマークを撮像し、前記描画データの作成は、前記描画する描画点に対応して前記複数のアライメントマークで結ぶ辺に対して予め規定される前記描画点の座標比率に基づいて前記描画点の位置を決め、前記描画データを作成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】インプリントリソグラフィを用いてパターン形成する際のレイヤ間の位置合わせを精度良く行なうパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】実施の形態によれば、第１のテンプレート作製ステップは、光露光装置によってショット毎に所定の位置ずれ分布を与えて第１の基板上パターンを形成し、その後、前記第１の基板上パターンを前記ショット毎に切り出して第１のテンプレートを作製する。第２のテンプレート作製ステップは、前記第１のテンプレートのパターンを転写して第２のテンプレートを作製する。パターン形成ステップは、第２の基板に既に形成されている下層側パターンとの間の位置ずれ量が所定の基準値以下となる第２のテンプレートのパターンを転写して前記第２の基板上に第２の基板上パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】ウエハとパターンとを精度良く位置合わせする。
【解決手段】位置計測系を用いてステージの位置を計測し、その計測結果に基づいてステージを駆動し、ステージ上に保持されたウエハ上のアライメントマークをアライメント系を用いて検出して得られる検出結果と、その検出結果に対するステージの位置に依存する補正情報（理想格子の格子点ｍ_ｉｊについて与えられた補正データ）と、に基づいてウエハ上に形成されるパターンが理想格子状に配列されるようにウエハを保持するステージを駆動する。 （もっと読む）

【課題】原版と基板とのアライメントとの点で有利なリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】原版に形成された第１のマーク、及び、前記原版を介して前記基板の上の複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークを検出する第１の検出部と、前記原版を介さずに第２のマークを検出する第２の検出部と、前記原版のパターンを前記基板に転写するための処理を行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記第２の検出部による前記第２のマークの検出結果の一部を統計処理して前記複数のショット領域の配列を表す統計量を求める処理と、前記複数のショット領域のそれぞれについて、前記統計量から求められる前記複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークの位置と、前記第２の検出部によって検出された前記複数のショット領域のそれぞれに形成された第２のマークの位置との差分を求める処理と、を行う。 （もっと読む）

【課題】 マスクレス露光工程で仮想のマスクを用いてレイヤ別にオーバーレイする方法を通してマスクレス積層露光を行うことができる整列方法を提案する。
【解決手段】 マスクレス露光で既存のマスク露光のマスクと同一の役割をする仮想のマスクという概念を導入し、既存のマスク露光の整列マークと同一の役割をする仮想のターゲットマークという概念を導入してレイヤ別にオーバーレイを行うことによって、マスクレス露光でも積層露光を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】アライメントマークの位置を計測する時間の短さの点で有利な位置計測装置の提供。
【解決手段】位置計測装置の制御部は、撮像系のテレセントリシティに関する情報を予め記憶し、基板に形成された複数のアライメントマークのうち少なくとも１つに関して、ステージの位置制御により撮像系に対するフォーカス調整を行って撮像系に撮像を行わせ、撮像によるアライメントマークの信号に基づいてＸ−Ｙ平面に平行な面における位置を求め、フォーカス調整のなされた少なくとも１つのアライメントマークに関して、基板表面の第１の位置を検出系に検出させ、他のアライメントマークに関して、フォーカス調整を行わずに、撮像系に撮像を行わせ、かつ基板表面の第２の位置を検出系に検出させ、撮像によるアライメントマークの信号と第１の位置と第２の位置とテレセントリシティに関する情報とに基づいて、Ｘ−Ｙ平面に平行な面における位置を求める。 （もっと読む）