【課題】従来のアライメント方式では、テンプレート側のアライメントマークの凹凸にインプリント用の樹脂が流れ込んで該マークの信号が取れなくなり、良好なアライメントが行えない。
【解決手段】押印パターンの形成されたメサ部から離れた位置に、テンプレート側のアライメントマーク形成用で押印パターン部と同じ高さの微小メサを設ける。該アライメントマークにより押印ショットとは異なるショットのウェハー側アライメントマークを観察してアライメントを行う。 （もっと読む）

【課題】基板の位置を容易に検出可能にする。
【解決手段】本発明の露光装置ＥＸは、露光対象の基板Ｐに回路パターンを露光する露光部と、基板Ｐを貫通して設けられ、露光の位置基準となるアライメントマークＡＭに光を通して基板Ｐの位置を検出するアライメント系４を備える。アライメント系４は、光を射出する光学部材と、光学部材から射出されてアライメントマークＡＭを通った光を反射させる反射部とを備えてもよい。 （もっと読む）

【課題】透明導電部をパターン状に形成し、これに対応するようにパターン状の機能層を積層する際に、精度良くアライメントすることが可能なアライメントマーク付き基板を提供する。
【解決手段】基板１１と、上記基板１１上に形成され、表面に凹部状に形成されたアライメント用凹部１３を有するアライメントマーク層１２と、を有することを特徴とするアライメントマーク基板１０で、アライメントマーク層１２上に透明電極または透明半導体等の透明導電部２１を形成し、さらに透明導電部２１上に機能層２２を形成する際に、アライメント用凹部１３を基準とすることにより上記透明導電部２１が透明なものであっても正確にアライメントすることができる。 （もっと読む）

【課題】 基板上にすでに配置されている、サブ半導体チップの電極パッドを検出して生成した電極接続データで描画処理を行う技術を提供する。
【解決手段】 パターン描画装置１００の光学ヘッド部５０に対して相対移動する基板Ｗを光学ヘッド部５０により直接露光する直接露光方法で、アライメントカメラ６０で基板Ｗをモニターし基板Ｗの電極パッドの位置を検出し、パターン描画装置１００に入力された配線パターンデータと、電極パッドの検出位置からパターン描画装置１００内の制御部７０が、電極接続データを生成する。生成された電極接続データで光学ヘッド部５０が、移動する基板Ｗを電極接続データに基づいて直接露光することで電極パッドの位置がずれていても配線パターンを正確に描画することができる。 （もっと読む）

【課題】オンアクシズカメラ以外にカメラを用いることなく半導体ウエハのアライメントマークの位置を測定することができる測定方法を提供する。
【解決手段】露光装置１０を用いて、半導体装置が形成されない外周部分の表面にアライメントマークが形成されている半導体ウエハのアライメントマークの位置を測定する測定方法であって、投光手段２４により感光性膜が反応する光を照射するとともにオンアクシズカメラ２２で半導体ウエハ４０の表面を撮影しながら移動手段によってステージを移動させることによってオンアクシズカメラの撮影範囲内の基準位置にアライメントマーク４２を移動させ、基準位置にアライメントマークが存在しているときのステージの位置を位置検出手段２６によって検出する。 （もっと読む）

【課題】複数の露光工程を経て変形したウエハであっても高精度に位置合わせを実施することができ、かつ、高いスループットが容易に得られる露光装置を提供する。
【解決手段】光源から光を導入し、測定対象物６に形成されたアライメントマーク５０ａ、５０ｂに対して光を照射する照明系と、アライメントマーク５０ａ、５０ｂにおいて反射、又は回折、又は散乱された光を結像する結像系とを有する位置検出系を備え、位置検出系が検出したアライメントマーク５０ａ、５０ｂの位置情報に基づいて、測定対象物６に対して回転、シフト、及び倍率補正の少なくとも１つを実施する露光装置であって、結像系は、光からアライメントマーク信号を検出する画像検出素子を備え、画像検出素子による測定領域７０は、測定対象物６の回転中心からアライメントマーク５０ａ、５０ｂへ向かう第１方向の測定領域に比べ、第１方向に直交する第２方向の測定領域の方が広い。 （もっと読む）

【課題】露光装置のフットプリントの狭小化を図る。
【解決手段】投影光学系ＰＬ等を備える露光ステーション２００とアライメント装置９９等を備える計測ステーション３００とが、それぞれの基準軸ＬＶ，ＬＨが直交するように、配置されている。さらに、露光ステーション２００と計測ステーション３００とのそれぞれから離間する基準軸ＬＶ，ＬＨの交点上に、粗動ステージＷＣＳ１，ＷＣＳ２間で微動ステージＷＦＳ１，ＷＦＳ２をリレーするためのセンターテーブル１３０が設置されている。 （もっと読む）

【課題】基板に形成された下地パターンの上に新たなパターンを露光する際、下地パターンの位置ずれ量が基板内で場所によって異なっても、新たなパターンを基板全体に渡って下地パターンに合わせて露光する。
【解決手段】下地パターンの基板１内での位置を、基板１全体に渡って検出し、検出した下地パターンの基板１内での位置に応じて、光ビーム照射装置２０の駆動回路へ供給する描画データを作成する。基板１をチャックに搭載し、チャック１０と、光ビームを変調する空間的光変調器、描画データに基づいて空間的光変調器を駆動する駆動回路、及び空間的光変調器により変調された光ビームを照射する照射光学系を有する光ビーム照射装置２０とを、相対的に移動し、光ビーム照射装置２０からの光ビームにより基板１を走査して、基板１にパターンを描画する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィー工程の重ね合わせ精度の向上を図ることが可能な露光処理の補正方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の面内の領域を、中心近傍の第１の領域と、第１の領域よりも外周側の第２の領域と、に区分けし、計測用投影露光により投影されたパターンの第１の領域の計測点の座標における基準位置からの合わせずれ量を計測し、合わせずれ量および計測点の座標に基づいて、計測用投影露光の第１の領域の合わせずれ算出値を算出し、合わせずれ算出値および第１の領域の座標に基づいて、第１の補正式により第１の補正値を算出し、この第１の補正値に応じて、第１の領域の前記投影露光における合わせずれを補正し、合わせずれ算出値および第２の領域の座標に基づいて、第１の補正式と異なる第２の補正式により第２の補正値を算出し、この第２の補正値に基づいて、第２の領域の前記投影露光における合わせずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】より高精度かつ簡便な位置合わせを実現することができる位置合わせ方法、ウエハおよびホトマスクを提供する。
【解決手段】窓部２４０および反射部３４０は、移動方向に平行な対角線を有する矩形の形状に形成されている。したがって、ウエハをホトマスクに対して相対的に移動させると、窓部２４０と反射部３４０が重なる部分が二次関数的に変化するため、窓部２４０から観察できる反射光の光量も二次関数的に変化するので、ユーザは、その光量の変化をより敏感に検出することが可能となり、より容易に反射光の光量が最大となる位置にステージ１の位置を調整することができるので、結果として、より高精度かつ簡便な位置合わせを実現することができる。 （もっと読む）

【課題】対象物同士の位置合わせを高精度かつ容易に行うことができるアライメントマーク画像の表示方法およびアライメント装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ウエハとマスクを設定間隔Ｈ２だけ離したときのウエハマーク４ａ、マスクマーク６ａの撮影画像を、予め作成した補正テーブルから読み出したずれ方向およびずれ量に基づいて補正する。ウエハとマスクの対向面が作業間隔Ｈ１のときのＸ方向、Ｙ方向のずれ量をｄＸ１、ｄＹ１、設定間隔Ｈ２のときのＸ方向、Ｙ方向のずれ量をｄＸ２、ｄＹ２とすると、マスクマーク６ａの撮影画像をＸ方向、Ｙ方向にｄＸ、ｄＹ、ウエハマーク４ａの撮影画像をＸ方向、Ｙ方向に−（ｄＸ２−ｄＸ１）、−（ｄＹ２−ｄＹ１）だけ移動して補正する。そして、補正後の仮想ウエハマーク４ｃと仮想マスクマーク６ｃを重畳してモニタに表示する。 （もっと読む）

【課題】短波長の放射線を使うリソグラフィ投影装置では反射性マスクとその支持構造体の整列を長波長の光では吸収層と反射性基板の間の反射率の差に基づいて行うことが困難であるので、それが安価にできる整列マーカおよび整列方法を提供すること。
【解決手段】この発明の整列方法は、マスクＭＡ上に基板Ｗに投影すべきパターン３と並べて設けた高さ差のある整列マーカ５を整列センサ１の光源７が出す光ビーム４で照射し、その反射光を結像光学素子８で処理して検出器９で受け、その高さ差の位置を検出してマスクＭＡと支持体ＭＴの整列に使う。それで整列マーカ５とパターン３を同じ製造プロセスで同時に製造することができ、両者間の整列不良のリスクが少なく、整列マーカ５の照明を安い光源７でパターン３の照明と独立に行えるので、この整列センサ１をリソグラフィ装置内に設け、その場での整列ができる。 （もっと読む）

【課題】分割露光における表示領域でのショットの継ぎ目の位置を発見しやすく、パターンの継ぎ目検査に要する時間の低減を図ること。
【解決手段】本発明は、複数の露光領域に分割して形成される駆動素子形成領域１０と、駆動素子形成領域１０内に設けられ、隣接する露光領域の境界となる位置に両露光領域の露光ずれを判別するマークとを有する駆動基板１である。また、このマークを、矩形から成る露光領域の隅部近傍に配置したり、矩形から成る露光領域において互いに隣接する４つの露光領域の各隅部近傍に設けるものでもある。また、本発明は、素子形成領域を分割露光によって形成するための一露光分に対応した露光パターン領域と、露光パターン領域における分割露光の継ぎ目部分に設けられるマークとを有するマスクである。 （もっと読む）

本発明は、基板上に設けられた少なくとも１つのマークの位置を決定するための方法に関し、第１の検出器を使用することによって、基板上の第１のマークを検出すること、第２の検出器を使用することによって、基板上の少なくとも第２のマークを含む第１の組のマークを検出すること、第１のマークと、第１の組のマーク内のマーク（複数個可）との間の相対距離（複数個可）の第１のリストを計算すること、第１又は第２の検出器のうちの一方を使用することによって、基板上の第２のマークを検出すること、利用可能な検出器を使用することによって、基板上の少なくとも第１のマークを含む第２の組のマークを検出すること、第２のマークと、第２の組のマーク内のマーク（複数個可）との間の相対距離（複数個可）の第２のリストを計算すること、相対距離（複数個可）の第１及び第２のリスト内の情報を使用することによって、少なくとも１つのマークの位置を決定することの動作を含む。
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ツール固有の歪みのシグネチャとレチクル固有の配置特徴とを位置合せコントロールシステムにおいて考慮することで、高度なＡＰＣストラテジーのコントロールクオリティが著しく向上する。各々の補正データはツール／レチクルと、相互に位置合わせされる層と、どの組合せにについても確立することができ、これにより、専用のオーバーレイマークから取得される標準のオーバーレイ測定データに基づいて位置合せプロセスを制御するために使用される位置合せパラメータの各々の目標値を修正することができる。
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【課題】露光工程において高い精度で位置合わせが容易にできるホログラム露光用マスク、ホログラム露光用マスクの製造方法、ホログラム露光方法、半導体装置の製造方法および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ホログラム露光用マスクとしてのホログラムマスクＨ２は、透明な基板１と、基板１上に設けられたホログラム露光領域ＨＡを有するホログラム記録層３と、ホログラム露光領域ＨＡの周辺に位置し、基板１上に設けられた４つのアライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄとを備え、各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが可視光を透過しない遮光性材料からなる。Ｘ字状の各アライメントマーク２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは、元レチクルとしてのレチクルＲ２の十字状の各アライメントマークＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ，Ｒｄと同一な位置に設けた。 （もっと読む）

【課題】アライメントの計測精度やスループット性を向上させることが可能な位置計測方法等を提供すること。
【解決手段】ＡＩＳセンサ６０でサーチアライメントを行った場合には、引き続き行われるファインアライメントでも同じＡＩＳセンサ６０で行う。このアライメント実行中に計測エラーが生じた場合、一旦位置計測操作を停止し、ＶＲＡセンサ５０により、アシスト操作用の基準マークＦＭ２を撮像した撮像素子５５の画像を目視しつつレチクルステージＲＳＴ又はウエハステージＷＳＴを手動操作で移動させ、レチクルＲと基準マーク板ＦＭとの相対位置関係を調整するアシスト操作を行うことにより、アライメントマークの投影位置と基準開口マーク６１との間の相対位置関係を調整する。この調整後、引き続きＡＩＳセンサ６０でアライメントを実行する。 （もっと読む）

【課題】 個々に分離されたチップ部品に対してもパターニング処理を容易に行うことの
できるチップ部品のパターニング処理方法及びこれを用いたチップ製品の製造方法を提供
する。
【解決手段】 本発明のチップ部品１２Ａのパターニング処理方法は、露光装置を用いて
チップ部品に対するパターニング処理を行う方法であって、前記露光装置に対応し、表面
に凹部１１ａ〜１１ｄを備えた支持基板１０が用意され、前記凹部に前記チップ部品が収
容され位置決めされた状態で、前記露光装置により前記支持基板のアライメントが行われ
るアライメント工程と、前記露光装置により前記チップ部品の表面に塗布された感光性材
料１５に露光処理が施される露光工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板の所定位置に複数の配線パターンを配置して露光する露光方法において、予め基板に設けられた複数の基準マークを検出して検出位置情報を取得し、その検出位置情報に基づいて基板上に配置された配線パターンの位置を補正して露光する露光方法において、配線パターンの補正量の算出時間を短縮する。
【解決手段】 基準マーク位置情報に基づいて基板１２に予め設けられた基準マーク１２ａを検出してその基準マーク１２ａの位置を示す検出位置情報を取得し、基板１２の所定位置に配置された配線パターンＰ１〜Ｐ４のうちの配線パターンＰ１〜Ｐ３の位置を示す描画位置情報１２ｃを、基準マーク１２ａの検出位置情報と基準マーク位置情報とのずれに応じて補正するとともに、配線パターンＰ１〜Ｐ３の描画位置情報１２ｃの補正量に基づいて配線パターンＰ４の補正量を取得し、その取得した補正量を用いて配線パターンＰ４を補正する。 （もっと読む）