インプリント装置および方法並びにインプリント用テンプレート
【課題】従来のアライメント方式では、テンプレート側のアライメントマークの凹凸にインプリント用の樹脂が流れ込んで該マークの信号が取れなくなり、良好なアライメントが行えない。
【解決手段】押印パターンの形成されたメサ部から離れた位置に、テンプレート側のアライメントマーク形成用で押印パターン部と同じ高さの微小メサを設ける。該アライメントマークにより押印ショットとは異なるショットのウェハー側アライメントマークを観察してアライメントを行う。
【解決手段】押印パターンの形成されたメサ部から離れた位置に、テンプレート側のアライメントマーク形成用で押印パターン部と同じ高さの微小メサを設ける。該アライメントマークにより押印ショットとは異なるショットのウェハー側アライメントマークを観察してアライメントを行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置および方法並びにインプリント用テンプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術、特にナノインプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。ナノインプリントでは、転写するべきショットのパターンをテンプレートのメサ上に形成すべく、電子線描画装置等の装置が用いられる。電子線描画装置等の装置を用いて微細パターンが形成された型を原版として該パターンを転写すべきシリコンウエハやガラスプレート等の基板上に押印して転写することで微細パターンが形成される。この微細パターンは、基板上にナノインプリント用の樹脂を塗布し、その樹脂を介して基板に型のパターンを押し付けた状態でその樹脂を硬化させることによって形成される。
【０００３】
現在実用化されている主なナノインプリント技術としては、熱サイクル法および光硬化法をあげることができる。熱サイクル法では、熱可塑性のナノインプリント樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、樹脂の流動性を高めた状態で樹脂を介して基板に型を押し付ける。そして、冷却した後に樹脂から型を引き離すことによりパターンが形成される。一方、光硬化法では、紫外線硬化型のナノインプリント樹脂を使用する。基板上に塗布された樹脂に、石英などの光透過性材料で作られた型を押し付けた状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、硬化した樹脂から型を引き離すことによりパターンが形成される。熱サイクル法は、温度制御による転写時間の増大および温度変化による寸法精度、あるいは位置精度の低下を伴うが、光硬化法には、そのような問題が存在しないため、光硬化法がナノスケールの半導体デバイスの量産において有利である。
【０００４】
これまで樹脂の硬化方法や用途に応じて多様なナノインプリント装置が実現されてきた。半導体デバイス等の量産向け装置を前提とした場合、ジェット・アンド・フラッシュ式インプリントリソグラフィ（以下ＪＦＩＬ）を応用した装置が有効である。ＪＦＩＬに適合したナノインプリント装置が特許文献１に開示されている。このようなナノインプリント装置は、基板ステージ、ナノインプリント樹脂の塗布機構、インプリントヘッド、光照射系および位置決め用のアライメントマーク検出機構を有する。インプリント動作は１回の押印するショットの面積が限られているため、光露光装置のようにステップ・アンド・リピート形式で行われる。
【０００５】
ナノインプリントの半導体応用では先ずメモリー素子への適用が考えられている。メモリー素子は大量生産によるコスト削減が第一の課題であり、コスト削減の最も効果的なのが微細化であった。ナノインプリント技術はよく知られているように微細加工能力に優れており、メモリー素子の要求に最もマッチしている。
【０００６】
従来のナノインプリント（以下、単にインプリントと呼ぶことにする）装置におけるアライメント動作は以下のようにして行われていた。ウェハーと型であるテンプレート（以降本発明ではテンプレートと呼ぶことにする）には予め押印時に重なる配置でアライメントマークが形成されている。ウェハーの各ショットにおける位置合わせ計測は該ショットのウェハー・アライメントマークとテンプレート上のアライメントマークを重ね合わせた状態で行う。即ち、位置合わせ状態を光学的に観察し、ずれ量を補正駆動した後、露光光を照射して樹脂を硬化させる方式を採用していた。
【０００７】
テンプレートとウェハーの所定部分に予め形成されているアライメントマークは半導体素子チップ製造のコスト削減のため、できる限り小型化することが求められており、従来の光露光機ではチップとチップの間のスクライブラインの中に収納される。半導体用のインプリント装置ではスクライブに隣接してモートと呼ばれる大きなアライメントマーク専用領域を各ショットに用意する方式が提案されていた。理由は後述のインデックス・マッチング効果を回避するためである。インプリント技術がまだ実験レベルの場合はモートでもよかった。しかしながら、インプリント技術を実際の量産に用いようとするとなると、モートのような大きな専用領域を各ショットに設けるのは、ウェハー上の有効領域を減らしてしまう問題がある。また、モート部にインプリント用の樹脂が塗布されないため、インプリント後のエッチングプロセスとの整合性にも問題があった。
【０００８】
上記の理由によりアライメントマークも半導体製造で用いられる他のＴＥＧマークと同じくらいの大きさにし、スクライブラインの中に格納することが、求められるようになってきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４１８５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、スクライブラインの中にアライメントマークを入れようとすると以下のような問題が生じる。第１の問題はインデックス・マッチングによりテンプレート信号検出が困難になることである。テンプレート側のアライメントマークは石英などでできたテンプレートをエッチングして作られるため、ガラスの上に単純な凹凸が形成された構造をしている。
【００１１】
押印時、凹凸構造のアライメントマーク部にインプリント用の樹脂が入り込むと、両者（石英等とインプリント用の樹脂）の屈折率が殆ど同じであるために、テンプレートのアライメントマークが見えなくなってしまう現象が生じる。インデックス・マッチングと呼ばれる現象である。このためテンプレート側のアライメントマークに薄膜を付けて光学的にマークが見えるようにする手段が提案されている。例えばアライメントマークの凹凸部の一方に選択的に金属薄膜を付ける手法である。
【００１２】
しかしながらインプリントの場合、何回も押印を繰り返すとテンプレートが汚れるので定期的な洗浄が要求される。一般的に金属薄膜は洗浄に耐久性がなく、数回洗浄するとなくなってしまい、テンプレートの寿命に制限を与える。インデックス・マッチング対策は必須なのであるが、アライメントマークに金属薄膜付着という細工をするとテンプレート寿命に制限が付くというのが第１の問題である。
【００１３】
第２の問題はアライメントマークが押印するごとにつぶれてしまい、マークの個数が沢山必要とされることである。従来の光ステッパーではグローバルアライメント方式が取られていたために、ウェハー上のアライメントマーク位置に相当するレチクルの部分を遮光部にしておけば、ポジレジストの場合、マーク上にレジストが残って、以降の工程でマークの保護を行うことができた。ネガレジストの場合は逆に開口部にすれば同様の効果が得られる。
【００１４】
しかしながら、従来のインプリントではウェハーマークの上にテンプレート上のマークを重ね、相互のずれ量をチェックした後、露光が行われる。これは押印に伴うテンプレートとウェハーの接触に伴い、両者が物理的に動く可能性があるためで、露光前に位置合わせ状態を直接チェックしているのである。このため、露光時にはウェハーのアライメントマークの上にテンプレートのアライメントマークがインプリントされてしまう。
【００１５】
アライメントマークは各工程で使い捨てとなり、前の工程で使ったアライメントマークを次の工程で使うことができない。即ち、使用する工程分の数のアライメントマークが必要なことになる。インプリント工程が多いほどアライメントマークの占有領域は大きくなり、半導体素子の設計上大きな制約となる。
【００１６】
第３の問題はコストである。インデックス・マッチングを回避するために、テンプレート上のアライメントマークに金属等の薄膜を適用するのは、テンプレート作成工程で余分な工程が必要とされる。インプリントの場合、テンプレートには接触に伴う寿命があるため、テンプレート価格がランニングコストに大きな影響を持つ。即ち、薄膜の適用はインプリントに特に要求されるテンプレートのコストダウンという要求に矛盾しているのである。
【００１７】
このため、本発明では高いアライメント精度を保ったまま、薄膜を必要とせずにテンプレート上のアライメントマークの信号を得ることができ、ウェハー上のマーク保護が可能なアライメント方式を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本課題を達成するため、本発明では本来押印するべきショットの外側の領域にテンプレート用のアライメントマークを配置し、該アライメントマークとウェハーのアライメントマークを観察することによって位置合わせを行うことを特徴とする。なお、本明細書では実際に押印されてパターンを転写する領域全体をショットと言うことにする。ショットの中には複数個のチップが入ることもあるし、大きいと１つのチップしか入らないこともある。チップとは最終的に切り離されるＩＣそのものである。
【００１９】
テンプレート用のアライメントマークが実際に押印するショット部と物理的に分離された位置にあることにより、アライメント時、テンプレートとウェハーのアライメントマークの間には未露光の流動性あるインプリント用樹脂が存在しない。従って、従来のようにテンプレート側のアライメントマークの凹凸を樹脂が埋めていくことがなく、インデックス・マッチング問題が起こらず、高精度なアライメントを行うことが可能となる。
【００２０】
本発明では実際に押印してパターンを形成させるメサと言われる部分と同面（同じ高さ）でテンプレート用のアライメントマークをメサ部と分離して選択的に形成したテンプレートを用いることを特徴とする。メサ部とテンプレート用のアライメントマークの高さを同一にすることによってテンプレート上にＥＢでパターン形成する時に同時描画が可能となり、高精度なアライメント精度を達成することが可能となる。
【００２１】
本発明にはいくつかの実施形態が考えられるが、好ましい実施形態の一つではテンプレートが押印状態にある時、テンプレート上に設けられたアライメントマークの位置を、ウェハー上にあらかじめ形成されている押印ショット以外のスクライブラインに入っているアライメントマークの位置と対応させる。スクライブラインはショットの一番外側に存在するスクライブラインでもよいし、露光するショットが複数個のチップで構成されているときには、チップ間を区切るスクライブラインであっても構わない。
【００２２】
この場合、押印動作中にテンプレートのアライメントマークとウェハー上のアライメントマークは同時に観察可能となる。押印動作中も観察可能であることから、アライメント精度向上が可能となる。更に、押印対象ショットを挟む複数個の位置でアライメント状態をモニターし平均化等の処理をすることで、アライメント精度のさらなる高精度化を図ることも可能である。
【００２３】
本発明の別の実施形態では、予めテンプレート側のアライメントマークとウェハー側のアライメントマークを合わせて計測した後に所定量ステップしてから押印動作に入ることを特徴とする。この場合、テンプレート上のアライメントマークの位置は必ずしもウェハーのスクライブラインの位置と合致する必要はなく、素子の特徴に応じて決めることが好ましい。特に本発明の場合、押印時にテンプレート側のアライメントマークがウェハーと接触する可能性がある。接触しても素子の損傷が起こりにくい箇所にテンプレート側のアライメントマークの位置をあらかじめ選んでおけば、接触に伴うダメージ発生のリスクを最小化することができる。
【００２４】
本発明ではウェハー上のアライメントマークが実際にアライメント信号を検出される時間と、押印される時間が異なっている。従って本発明では押印時、ウェハー・アライメントマークに対応するテンプレート側の部分にマークを刻まないことを特徴とする。この結果、押印後もウェハー・アライメントマークの上には表面がフラットな形状の樹脂がのっているだけとなり、マーク保護が可能となる。
【００２５】
本発明ではアライメント計測を行う場合、テンプレート上のアライメントマークとウェハー側のアライメントマークの間には未露光の樹脂を挟まず、押印してパターンを形成するいわゆるメサ部分にのみ未露光の樹脂を挟んでいる。このため、本発明では樹脂の塗布において、メサ部と同じ高さにあるテンプレート側のアライメントマークに相当する部分に未露光の樹脂が塗布されないようにして、インデックス・マッチング問題を回避する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明では押印メサとは離れた場所にアライメント用のメサ部を作ることにより、アライメントマークの保護が可能なアライメントを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１実施形態のナノインプリント方法の個性を示した図である。
【図２】本発明の第１実施形態と従来例の観察光学系の配置図である。
【図３】本発明の第１実施形態の別の実施形態のナノインプリント方法を示した図である。
【図４】本発明の第１実施形態の観察光学系の別の配置図である。
【図５】本発明の第２実施形態のナノインプリント方法の構成を示した図である。
【図６】本発明の第１実施形態のナノインプリント方法の手順を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
《第１の実施形態》
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。まず、インプリント装置とは、テンプレートに形成された凹凸パターンをウエハやガラスなどの基板上に配された（塗布された）インプリント用の樹脂に転写するものである。より具体的には凹凸パターンと光硬化機能を有するインプリント用の樹脂を接触させて、インプリント用の樹脂が凹凸パターンの間に入り込んだ状態で、紫外光を照射してインプリント用樹脂を硬化させる。硬化後のインプリント用の樹脂から、凹凸パターンが形成されているテンプレートを引き剥がすことで、転写が完了する。
【００２９】
図１（Ａ）は本発明を適用した場合の押印ショット１と隣接ショット１Ｒ、１Ｕ、１Ｌ、１Ｄ及びアライメントマークの位置を示した図である。前述したようにショットとは一回に押印してパターンを形成するエリアを言う。また、チップとは最終的に切り離されてＩＣとなるエリアと定義する。ショット内には整数個のチップが配列されているのが普通で、図１（Ａ）の場合には一つのショットが２ｘ３の６チップで構成されている。
【００３０】
ショット内のチップの間には最終的にチップを切り離すための切りしろであるスクライブラインが形成されている。また、ショットの周辺部も隣りで押印されるショットにあるチップと隣接する。従ってショット周辺部にもスクライブラインが形成されている。インプリントが最も適用されやすいメモリー素子ではショット内に複数個のチップが存在する場合が多いが、ロジックでは素子のサイズが大きいため１チップしか入らない場合もある。
【００３１】
図１（Ａ）では押印ショットを１とし、１に隣接するショットの右側を１Ｒ、上側を１Ｕ、左側を１Ｌ、下側を１Ｄとネーミングしている。ネーミングの仕方は以降の図でも同様である。インプリント装置はステップ・アンド・リピートでパターン形成が行われていくので、基本的に各ショット内に形成されるパターンは同一である。本図の場合、押印される対象のウェハー上には予め前の工程でパターンが形成されている。
【００３２】
前の工程でパターンを形成する露光装置としては液浸スキャナーが想定される。本実施形態の場合、１つのショットの大きさは液浸スキャナーが１ショットで露光できるエリアと同一であるように設定されているが、異なる大きさの場合にも本発明の考え方は適用可能である。
【００３３】
最近の液浸スキャナーはダブルパターニングへの適用が考えられているため、ショット間の精度が１ｎｍからサブｎｍオーダーの値で形成されるようになってきた。本発明ではあるショットを押印する際、押印対象となるショットのウェハー・アライメントマークを用いず、隣接するショットのウェハー・アライメントマークを用いることを特徴とする。隣接ショットのアライメントマークを用いるとショットが異なるため、同一ショット内のテンプレートのパターニング誤差にステージ誤差がのってアライメント精度が劣化するように思われる。
【００３４】
しかしながら、発明者の分析によると最近の液浸スキャナーのステージ精度向上に伴い、ステージ起因のアライメント精度の劣化は無視できるようになってきた。インプリントでは押印するテンプレート上のパターンが等倍であるため、スキャナーにおける４倍レチクルのように、倍率による描画精度緩和の恩恵が受けられない。むしろ、等倍パターン内部のパターン間の描画による位置誤差はショット間のステージ誤差より大きくなってしまった。
【００３５】
従って、押印対象ショット内にあるウェハー・アライメントマークを用いても、隣接ショットにあるウェハー・アライメントマークを用いてもトータルのアライメント精度は殆ど変わらなくなってしまったというのが発明者の分析である。本発明はこのような状況の変化を取り入れて初めて可能となった。
【００３６】
図１では各ショットのスクライブラインの中の３か所にＸＹの計測が可能なマークが３個入っている。この３個は隣接ショットにも同じように作られている。本実施形態では隣接ショットのウェハー・アライメントマークが、押印対象ショットを押印する状態でテンプレートのアライメントマークと重ねて観察できる位置関係にあることを特徴としている。
【００３７】
即ち、テンプレートのメサ上のパターンから分離した位置でテンプレートと基板双方のアライメントマークを重ねた状態で観察する。そして、アライメント観察において、テンプレート側の個々のアライメントマークに対してそれぞれ２つのパラメータを持たせる。
【００３８】
具体的には右側の隣接ショット１Ｒ では１Ｒｘｙ、上の隣接ショット１Ｕ では１Ｕｘｙ、左側の隣接ショット１Ｌでは１Ｌｘｙ、下側の隣接ショット１Ｄでは１Ｄｘｙというマークを使う。ここでｘｙという添字はそのマーク一つでＸとＹ両方向の計測が可能であるという意味である。
【００３９】
本発明では押印対象ショット１が押印位置にある時、隣接ショットでアライメント計測を行うため上述のマーク１Ｒｘｙ〜１Ｄｘｙの対応する位置にテンプレート側のアライメントマークを設ける。テンプレート側のアライメントマークは１Ｒｘｙ〜１Ｄｘｙに対応して１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔで示した位置に設ける。添字ｔはテンプレート側のマークであることを示す。
【００４０】
従ってテンプレートを押印されるウェハー側から眺めたのが図１（Ｂ）で、四角で囲ってある１及び１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔの部分がメサとなって出っ張っている。図１（Ａ）と図１（Ｂ）は観察方向が異なるところから、はんこうの関係でミラー像のように反転した関係になっていることに注意が必要である。
ウェハー・アライメントマークはスクライブラインの中に入れるのが量産時の要求である。
【００４１】
従って、本実施形態でのテンプレート側のアライメントマークは隣接ショットにおけるスクライブ線上の位置に配置することを特徴としている。スクライブ線上にあるということは、テンプレート側のアライメントマーク観察の位置の少なくとも一方の座標がショット周辺部からチップの整数倍離れた位置にあることを意味する。なお、ここで言う座標とはメサ部１ｔの周辺部に沿って設定できるＸＹ座標を意味している。なお、テンプレート２５のメサ部１ｔ上には転写するデバイスのパターン（凹凸パターン）が形成されいてることは言うまでもない。
【００４２】
装置側も図２（Ａ）に示すように、押印ショット部から離れた位置にあるマークを観察する位置に観察系を配置し、該観察結果に基づいて位置合わせすることを特徴としている。このため観察系の観察位置座標の少なくとも一方は、ショット周辺部からチップの整数倍離れた座標位置を観察する状態にあることを特徴としている。また、観察系の配置は押印ショットのメサ部１ｔを挟みこむように設けられる。挟み込むことによって、ステージ精度棟の平均化を図ってアライメント精度の向上を期待することができる。
【００４３】
図中、２０はテンプレート、２１がウェハーである。テンプレート側のアライメントマークが記されている１Ｒｘｙｔ、１Ｌｘｙｔの位置がＩＣパターンを記したメサ部１ｔから離れているために、露光光束２２と観察光学系２３、２４との分離が容易になる。これは図２（Ｂ）の従来例の構成と比べると一目瞭然であろう。図２（Ｂ）では観察位置がテンプレート２５のメサ１ｔの端に設定されるので、観察光学系２６、２７と露光光束２２との分離がギリギリで観察光学系に対する設計上の制約が厳しくなる。
【００４４】
図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ’断面におけるテンプレートの構造を示したものである。テンプレートは先に述べたように押印するショット部分１が台地状にもりあがったメサ構造１ｔとなっている。もりあがり量は１０〜数１０ｕｍの範囲の値が一般的である。これに対しテンプレート側のアライメントマーク部１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔもメサ部１ｔと同じ高さのメサ構造になっていることを特徴としている。
【００４５】
図１（Ｃ）はＡ−Ａ’断面であるので１Ｒｘｙｔと１Ｌｘｙｔがメサ部１ｔと同じ高さになる様子を示している。同じ高さにした結果、テンプレートを作る際にメサ部１ｔとアライメントマーク部１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔを一回の電子ビーム（ＥＢ）描画で露光することができ、パターンの高精度描画が可能となった。メサ部と同じ高さにしないと複数回のＥＢ描画を繰り返すことになり、テンプレートの実素子が描画される１ｔとアライメントマーク部にあるパターン間の位置合わせ精度を出すことが困難である。
【００４６】
テンプレートの製作には２つの段階が考えられる。一つはＥＢ描画で原版となるマザーテンプレートを作る工程、もう一つはそのマザーテンプレートにインプリントするレプリカ法によって子テンプレートを沢山作る工程である。マザーテンプレートを実際のウェハーの押印に用いてもよいが、ＥＢ描画に時間がかかり高価なので、通常は子テンプレートがウェハーの押印に用いられる。子テンプレート作成においても、図１（Ｃ）のようにＩＣパターンの形成されているメサ部１ｔとアライメントマーク部１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔのメサ部の高さがそろっていることが望ましい。
【００４７】
テンプレート側のアライメントマーク用に分離されているメサ部１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔには基本的にはアライメントマークの部分のみあればよい。しかしながら、アライメントマーク部のメサエリアの大きさは子テンプレート形成プロセスの関係から、アライメントマークの占める領域より大きくしてもよい。例えばメサ部１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔに形成するテンプレートのアライメントマークの深さ方向のエッチングを実素子部と同じように行うには、エッチング時、実素子部とアライメントマーク部の上の樹脂の厚さを同一にする必要がある。
【００４８】
厚さを揃えるためにテンプレート側のアライメントマーク領域のメサの面積を調整する。ＪＦＩＬのような液滴を使う塗布方法では、液滴の量とメサ部の面積、パターンの占める割合で樹脂の厚さが決まるため、アライメントマーク部のメサの面積を調整して厚みを制御する必要がある。
【００４９】
テンプレート側のアライメントマークのメサ部の面積を大きくする場合はスクライブ線に沿って大きくすることが好ましい。スクライブ線に沿って大きくするということは、テンプレート側のアライメントマーク部の占める領域がウェハー側のスクライブ線の中に納まるという幾何学的関係が成立することを意味する。テンプレート側のアライメントマークを隣接ショットのウェハー・アライメントマークに合致する位置に設ける場合、押印時にアライメントマーク同士が接触する可能性がある。これを回避するためにスクライブ線方向に大きくするのであるが、本件については後述する。
【００５０】
一方、ウェハー側のアライメントマークはこれまで何回も説明に出てきたように、ショットの一番周辺の部分も含めチップ間のスクライブ線上に形成されている。最も極端な１ショット１チップ構成の場合には、アライメントマークは周辺部に配置される。図１の例では１つのショットが２ｘ３の６チップ構成となっており、ＸＹ方向を検出するアライメントマークが両方ともスクライブ線の幅の中に入る場合を示した。
【００５１】
もし、アライメントマークの領域が大きくて、一方向がスクライブ線の中に入りきらない場合には図３に示すように、Ｘ方向検出用マーク、Ｙ方向検出用マークを別々に配置していく必要がある。図３は各ショットのスクライブラインの中の２か所にＸ計測用、２か所にＹ計測用マークが入っている例である。各２個、計４個のアライメントマークはウェハー上の各ショットに同じように予め形成されている。押印ショット３のアライメントは押印状態で隣接ショットのウェハー・アライメントマークをテンプレートのアライメントマークと重ねて観察することによって行われる。
【００５２】
具体的には右側の隣接ショット３Ｒでは３Ｒｘと３Ｒｙ、上の隣接ショット３Ｕ では３Ｕｘと３Ｕｙ、左側の隣接ショット３Ｌでは３Ｌｘと３Ｌｙ、下側の隣接ショット３Ｄでは３Ｄｘと３Ｄｙというマークを使う。ここでｘとｙという添字はそのマークでそれぞれＸとＹ方向を計測に使用するという意味である。
【００５３】
本実施形態では押印対象ショット３が押印位置にある時、隣接ショットでアライメント計測を行う。そのため上述のマーク３Ｒｘ〜３Ｄｙに対応してテンプレート側のアライメントマークを３Ｒｘｔ、３Ｒｙｔ、３Ｕｘｔ、３Ｕｙｔ、３Ｌｘｔ、３Ｌｙｔ、３Ｄｘｔ、３Ｄｙｔで示した位置に設ける。添字ｔはテンプレート側のマークであることを示す。従ってテンプレートを押印されるウェハー側から眺めたのが図３（Ｂ）で、四角で囲ってある実素子部３ｔ及び３Ｒｘｔ〜３Ｄｙｔの部分がメサとなって出っ張っている。
【００５４】
図３（Ａ）と図３（Ｂ）では観察方向が異なるところから、はんこうの関係でミラー像のように反転した関係になっている。ウェハー・アライメントマークはスクライブラインの中に入れるのが普通である。従って、本実施形態でのテンプレート側のアライメントマークは隣接ショットにおけるスクライブ線の中に納まるように配置する。スクライブ線上にあるということは、テンプレート側のアライメントマークの位置座標の少なくとも一方がショット周辺部からチップの整数倍離れた位置にあることを意味する。
【００５５】
図中のＳｘとＳｙはチップのＸ及びＹ方向の大きさを示しており、Ｙ方向を計測するマークはＳｘの整数倍、Ｘ方向を計測するマークはＳｙの整数倍だけメサ３ｔの周辺部から離れている。対象ショットの押印を行う場合、隣接ショットの上にはインプリント用の樹脂の液滴が塗布されていない。従って隣接ショットのウェハー・アライメントマークとテンプレート上のアライメントマークの間には未露光状態の樹脂が存在しないので安定したアライメント信号を得ることができる。
【００５６】
従来のように押印するショット１ｔあるいは３ｔ部内にテンプレート側のアライメントマークがあると、押印するメサ部とウェハーの間に未露光状態の樹脂が液滴状態で散布され、押印によって広げられていた。未露光状態の樹脂は流動性があり、押印によって流れ込み、テンプレート側のアライメントマークの凹凸部に侵入して該凹凸構造を埋めてしまう。テンプレート材質には通常石英が用いられるので屈折率は約１．５、一方樹脂の屈折率も約１．５である。
【００５７】
テンプレートのアライメントマークの凹凸が未露光の樹脂によって埋められると光学的にいうインデックス・マッチング効果が起こる。テンプレート側の凹凸は屈折率が同じため屈折力を失い、本来のアライメントマークとしての作用を失ってしまう。
初期のインプリント装置ではテンプレートとウェハーアライメントにおいてモートと呼ばれる特別な領域をアライメント専用に作り、該モート部に未露光樹脂が回らないようにしていた。
【００５８】
モート部で観察すればテンプレートのアライメントマーク部に未充填樹脂が回り込んでこないので、アライメント信号を検出することができた。しかしながら、メモリー素子のようにコストが重要な製品を作る際は、モートのような素子機能に関係ない領域がデッドスペースとなってウェハーの有効領域を小さくしてしまう。従って、これまでの実施形態で説明してきたように、もともとチップを切り離すために設けられていたスクライブ線の中にアライメントマークを収納する必要性が生まれた。
【００５９】
スクライブ線は実素子に隣接しているので、押印時に未露光樹脂が流れ込みインデックス・マッチング効果が発生してしまう。そこにテンプレート側のアライメントマークに光学的な薄膜を付けて、故意にコントラストを生成させるような手段を取ってきた。しかしながら、そのような薄膜は洗浄耐久性が問題であるだけでなく、製作に余分な工程を必要とするため、安価に作るべきインプリント用テンプレートを高価にしてしまう副作用も持っていた。
【００６０】
本実施形態による隣接ショットアライメントでは未露光樹脂による充填問題がないため、インデックス・マッチング現象が起こらず、テンプレート側のアライメントマークの凹凸は本来の役目を果たすことができる。従って余分な膜形成というプロセスが不要で、テンプレートのコストアップを最小限にすることができる。
【００６１】
本実施形態の露光装置では押印ショット内にあるウェハー・アライメントマークは自ショットを押印する時の位置合わせには使用せず、隣接ショットを押印する時に位置合わせに使用する。従ってウェハー・アライメントマークの観察に関しては２つの状態がある。一つは押印前の状態で観察される状態、もう一つは押印された後、ウェハー・アライメントマークの上に露光後の樹脂が存在した状態である。前者の場合はウェハー・アライメントマークが最初の状態のまま観察されるので問題ないが、後者の場合はマーク上にのった露光後樹脂上に余分なパターンが存在すると誤信号を与える恐れがある。
【００６２】
そのため本発明では、押印時、ウェハー・アライメントマークに対応する位置にあるテンプレートの部分のパターンが余分な信号を与えない形状、例えば平坦なパターンであることを特徴とする。樹脂自体は観察光に対して透明なので、表面形状がフラットであればもともと形成されているウェハー・アライメントマークを歪なく観察することができる。ただし、光学的な信号検出の観点からは、ウェハー・アライメントマーク部の上に例えフラットな形状でも樹脂の有無による出力差がある。
【００６３】
よって、装置側ではアライメント観察において、テンプレート側の個々のアライメントマークに対してそれぞれ２つのパラメータを持ち、この２つのパラメータが基板側のアライメントマークの上のインプリント用の樹脂の有無に対応したパラメータとする。即ち、装置側では上記２つの状態に対し別々のオフセット、あるいは観察光学系の状態制御、例えば最適波長選択などの制御を可能とする必要がある。
【００６４】
押印時、ウェハー・アライメントマークに余分な信号成分を与えないということは、このマークが後続する工程でも使用可能であることを意味する。従来方式では押印ショット内にあるウェハー・アライメントマークとテンプレート・アライメントマークを同時観察した後、マーク同士がアライメントされた状態で紫外線照射が行われる。
【００６５】
従って、押印後、ウェハー・アライメントマークの上の樹脂にはテンプレート・アライメントマークの凹凸パターンがしっかりインプリントされてしまい、後続する工程で使用することができない。本特許はウェハー・アライメントマークの保護を可能とし、アライメントマークの個数を削減することを可能とした。
【００６６】
本発明のテンプレート側のアライメントマークは押印ショットに対して対称の位置に配置することが望ましい。点対称の位置に配置するのが最も好ましいが、ＩＣ素子の配置に制約があるため、線対称でも効果がある。押印ショットに関して対称なアライメント検出位置の測定結果を平均化処理することによって、先に述べた前工程でウェハーを作成した際のステップ誤差を平均化して、アライメント精度を向上させることができる。
【００６７】
そして、複数個のアライメントマーク観察位置の転写するべきショットパターンのメサ部に対する配置の非対称性を補正して計算し、アライメント動作を行う。即ち、対称位置からずれた時は、幾何学的な配置に応じて内挿時に重みをかけるように、非対称性の処理を導入して対処することができる。
【００６８】
対称配置による計測が行えないのは、ウェハーのエッジ部に来て、一方しかウェハーのアライメントマークが存在しない場合である。その場合は片方のショットの結果からエッジショットのずれを類推する。隣接ショットからエッジショットのずれを類推する場合、以下が好ましい。即ち、ロットの１枚目のウェハーは全ての隣接ショットのあるショットの押印から始めて、各テンプレート側のアライメントマークの測定値と、各ショットの最終補正値との相関を学習してから、エッジショットの押印に行くことが好ましい。このような学習を１枚もしくは数枚行った後、エッジショット押印時のくせをオフセット値として記憶すれば、以降はスループットの最も早い順序で押印することが可能である。
【００６９】
隣接ショットアライメントにおける他の特徴は位置合わせの高速化が可能なことである。従来の押印ショット内に配置した位置合わせマークを用いる場合、ウェハーとテンプレートの間を未露光の樹脂が充填してから計測を開始することが前提であった。ＪＦＩＬの場合、予め樹脂の液滴をウェハーの上に置き、押印動作によって延ばして樹脂を一様に分布させる。この延ばしの過程で、ウェハー・アライメントマークとテンプレート・アライメントマークの構造の中に未露光樹脂が入っていく。樹脂が入っていく過程はアライメントマーク部を観察すると接液部がだんだん拡がっていく時間であり、その間、アライメント信号は極めて不安定である。
【００７０】
一方、本実施形態の隣接ショットでアライメント信号を検出する場合はウェハーとテンプレート側のアライメントマークの間に流動性の未露光樹脂が存在しないため、最初から安定した信号が取得できる。従って、本発明では複数個のアライメント位置における観察を、次のショットにステップ移動し押印ショット部で未だ樹脂が充填過程にある時点からアライメント信号を取って位置合わせする。具体的には複数個のアライメント位置における観察を、基板がテンプレートのメサ部に対して相対的にステップ移動した時点から、押印が終了するまで行うことを特徴としている。充填には数秒かかることもある。
【００７１】
しかも従来の押印部にアライメントマークがある場合、マークの位置が最外周部にあって充填が最後となるため、充填完了までは待ち時間となってしまう。本発明では充填期間中からアライメント信号をモニターできるため、アライメント時間を大幅に短縮できる。また、押印完了まで計測し続けることによって、押印する際のテンプレートとウェハーの接触時に起こる不測の事態にも対応することができる。例えば、押印時にゴミなどを挟んで押印動作がうまくいかない場合は、アライメント信号に異常値が出やすい。
【００７２】
アライメント観察中に異常値が出た時は警告信号を装置本体の制御部に出力し、状態に応じて装置を止める、あるいはインプリント動作を中止して、次のショットに移るといった判断を行う。異常値の検出としては、ショットを挟んだ関係にある２つのアライメント信号の計測値が、次ショットへステップした時に得られると予測した値からある閾値以上ずれることを検出するなどといった基準が適用される。
【００７３】
本発明では図１（Ｃ）に示すようにテンプレート側のアライメントマークと押印部のメサ部を同面にするために、押印時ウェハーとテンプレート側のアライメントマークが接触する恐れがある。従来は接触を恐れて、隣接ショット側のアライメントマークの高さを押印部のメサパターンよりわずかに低くして対応しようという考えがあった。しかしながら前述のようにこの方法は、ＥＢ描画を別々に行う必要があるため、テンプレート側でアライメントマーク部と実素子マーク部の位置関係をｎｍレベルで高精度に保つことは不可能である。
【００７４】
本発明では両者を同面に保ってＥＢ描画を同時に行って位置精度を確保するとともに、接触を許容することを特徴とする。接触による破壊に強ければ、接触は許容されると考えるのである。接触するのであれば接触部は実素子部ではない方が望ましい。これが前に述べたテンプレート側アライメントマークのメサ部の領域を大きくする時、スクライブライン領域内に延ばす理由である。インプリント装置も露光装置の一つなので少なくともｕｍ程度のステージ精度は持っている。
【００７５】
従ってテンプレート側のアライメントマークのメサ部が接触するメサ側とウェハー側のパターンは予め設計することが可能である。従って、テンプレート側のアライメントマークの領域を対応するウェハーのスクライブラインの中に納めることも可能である。これに加え接触時にかかる圧力も計算可能である。たまたま接触した時もテンプレートとウェハーが１ｕｍ以上の幅を持つ線の状態で接触し結果的に両者が面で接触するような形式にパターンを設計すれば、接触時の障害発生は無視することができる。
【００７６】
接触はウェハーやテンプレートの面精度起因で発生するため、ピンポイントでは接触せず、領域として接触する。従ってパターン部の接触面積が大きく、太いパターンであれば破損の可能性が少なくなる。また、テンプレート自体も弾性力があるため、押し付ける力もそれほど強くない。
【００７７】
本実施形態の構成だと、隣接ショットからの類推のためショット間のステップ方向と、チップの回転誤差や、ショット内で生じているスキューや台形歪のような非線形な歪は補正することができない。しかしこれらの誤差はウェハーを作る前工程までの露光装置やプロセス機器の誤差である。例えばステップ方向とチップ回転誤差はインプリント前の露光装置起因の誤差である。これらの補正量は予めオフラインでグローバルな項目として入力しておけば、インプリント装置側で補正可能である。
【００７８】
以上述べてきたように、本実施形態では最近の液浸等の光学露光装置のオーバーレイ精度の向上により、従来、精度が落ちるものと考えられていた隣接ショットアライメントに新たな可能性を作りだすことができた。しかも、隣接ショットでの接触を許容して、実素子に当たらないようにマークを工夫することによって、問題画素の発生も無視することが可能となった。
【００７９】
また、アライメントマーク部が１ｔや３ｔのメサ部と離れたことで、観察光学系の構成が図４の４１〜４４の配置に見られるように自由度も大幅に増した。観察光学系のＮＡの増大、照明系のフレクシブルな配置を図ることができ、アライメントの高精度化にも寄与させることができる。
【００８０】
なお、本実施形態では隣接ショットの位置として上下左右のショットを用いる例を示したが、隣接として対角位置にあるショットを用いることも同様に可能である。
【００８１】
《第２の実施形態》
ロジックの場合のように１チップ１ショットのようになると、隣接チップとは言え、テンプレート側アライメントマークの位置は、押印部のメサからかなり距離があいてしまう。極端な例としてスキャナーのショットサイズ２６ｘ３３ｍｍ２を丸ごと１チップにした場合には、テンプレート側のアライメントマークの一方は３３ｍｍも離れた位置となる。これで良い場合も精度によっては勿論存在するが、もう少し近い位置でアライメントをモニターする方式が第２実施形態である。
【００８２】
図５（Ａ）は先ずウェハーの配置図である。図に示したようにきちんと配列ができており、これまでの例と同じく２ｘ３のチップ配列が１ショットとした。今回は隣接ショットではなく自ショットのアライメントマークと、テンプレート上に設けたアライメントマークで位置合わせを行う例となっている。本実施形態ではテンプレート側のアライメントマークは押印のメサ５ｔから離れた任意の位置に設定することができる。また本実施形態でも、実施形態１の図１（Ｃ）のようにアライメントマークのメサ部の高さは押印部のメサ５ｔと同一とする。
【００８３】
図５（Ｂ）はウェハー側の１ショット内のレイアウト、図５（Ｃ）はテンプレート側のレイアウト図である。ここではウェハー側の周辺のスクライブ線上にアライメントマーク５Ｒｘｙ、５Ｕｘｙ、５Ｌｘｙ、５Ｄｘｙが形成されている。一方、テンプレート側には５Ｒｘｙｔ、５Ｕｘｙｔ、５Ｌｘｙｔ、５Ｄｘｙｔがパターンのメサ部５ｔとともに形成されている。
【００８４】
本実施形態では５Ｒｘｙｔ、５Ｕｘｙｔ、５Ｌｘｙｔ、５Ｄｘｙｔの位置が必ずしもスクライブ線状に対応しているわけではない。このため、アライメントのシーケンスは図６に示されている。順番は任意であるが、先ず図６（Ａ）で５Ｒｘｙと５Ｒｘｙｔを重ねてアライメント計測をする。ついで５Ｕｘｙと５Ｕｘｙｔ、５Ｌｘｙと５Ｌｘｙｔ、５Ｄｘｙと５Ｄｘｙｔの順に合わせてアライメント計測を行い、これらの計測値を用いて５ｔのアライメントを決定するシーケンスとなる。
【００８５】
この場合、５ｔとテンプレート上の各アライメントマーク間の距離は予め設計値として分かっているので、不図示ではあるが干渉計あるいはエンコーダー等の計測系を別途設け、該干渉計の値をモニターしながらアライメント計測と、位置合わせ駆動が行う。この場合、テンプレートとウェハーの接触に伴うずれをモニターするため、計測系はウェハー、テンプレート双方に設けられる。
【００８６】
本実施形態でも第１の実施形態が持っていたテンプレートとウェハーの間に未充填の樹脂が入らないなどの特徴は同一である。ただし、第１の実施形態のように押印時にリアルタイムでモニターすることはできないので、干渉計の精度を信用することになる。またＲ→Ｕ→Ｌ→Ｄと４回計測しなければならないので、時間がかかる。従って、学習を積むことによっていくつかの計測を省略して高速化を図ることができる。
【００８７】
本実施形態もウェハー上のアライメントマークの保護を行うことができる。押印時のウェハーアライメントマークに対応するテンプレートのパターンは押印後も余分なアライメント信号を与えない形状、例えば平坦なパターンとすればよい。
【００８８】
また、本実施形態でも押印時にテンプレート側のアライメントマークがウェハーと接触する可能性がある。接触しても素子の損傷が起こりにくい箇所にテンプレート側のアライメントマークの位置をあらかじめ選んでおけば、接触に伴うダメージ発生のリスクを最小化することができる。
【００８９】
以上述べてきた実施形態では、押印メサとは離れた場所にアライメント用のメサ部を同じ高さで作ることにより、高精度でアライメントマークの保護が可能なアライメントを行うことができる。
【００９０】
また、以上述べてきた実施形態ではテンプレート側のアライメントマークに特別な薄膜を付けることなくテンプレート側のアライメントマークの信号の取得が可能である。そして、ウェハー側のアライメントマークの保護が可能なため同一のアライメントマークを複数回使うことができてアライメントマークの占有領域を小さくすることが可能である。また、特別な薄膜工程を必要としないので低コストでなテンプレートを提供することが可能である。また、テンプレートのアライメントマークと、実際に押印する実素子部のパターンを電子ビームで同時描画できるため、テンプレート内のパターンの相対位置精度を保証できる。
【００９１】
従ってテンプレート内部のパターン間の位置関係を高精度に保つことができ高精度なアライメントが期待できる。テンプレート内部の位置関係が高精度の保たれない場合はオフセット処理を行うことが考えられるが、オフセットの計測精度の問題、インプリントで頻繁にテンプレートを交換する必要があることを考えると、オフセット処理は実用的ではない。
【００９２】
好ましい実施形態の一つでは押印時に両者のアライメント状態をモニターしながら押印できるため、アライメントの高精度化につながる。また、従来のＪＦＩＬ方式は未露光の樹脂を液滴としてウェハー上に離散的に散布し、それを押印時に広げてつなげることによって樹脂の塗布を行う。このため、離散的な液滴として塗布された樹脂がウェハー上のアライメントマーク上に流れて行って全体をカバーするまでアライメント信号を取得することは不可能であった。
【００９３】
本発明ではテンプレートとウェハーのアライメントマーク間には未露光で流動性のある樹脂が存在しないため、樹脂の充填を待つことなく計測を始めることができる。このため、装置のスループットを高めることができ、処理能力の向上に効果が大きい。
【符号の説明】
【００９４】
１・・押印するショット、１ｔ・・押印ショットに対応するテンプレート上のメサ部、１Ｒ、１Ｕ、１Ｌ、１Ｄ・・押印ショット１に隣接するショット、１Ｒｘｙ、１Ｕｘｙ、１Ｌｘｙ、１Ｄｘｙ・・隣接ショットに存在するウェハー・アライメントマーク、１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔ・・テンプレート上のテンプレート用アライメントマーク、３・・押印するショット、３ｔ・・押印ショットに対応するテンプレート上のメサ部、３Ｒ、３Ｕ、３Ｌ、３Ｄ・・押印ショット３に隣接するショット、３Ｒｘ、３Ｒｙ、３Ｕｘ、３Ｕｙ、３Ｌｘ、３Ｌｙ、３Ｄｘ、３Ｄｙ・・押印するショットの隣接ショットに存在するウェハー・アライメントマーク、３Ｒｘｔ、３Ｒｙｔ、３Ｕｘｔ、３Ｕｙｔ、３Ｌｘｔ、３Ｌｙｔ、３Ｄｘｔ、３Ｄｙｔ・・テンプレート上のテンプレート用アライメントマーク、５・・押印するショット、５ｔ・・押印ショットに対応するテンプレート上のメサ部、５Ｒｘｙ、５Ｕｘｙ、５Ｌｘｙ、５Ｄｘｙ・・ウェハー・アライメントマーク、５Ｒｘｙｔ、５Ｕｘｙｔ、５Ｌｘｙｔ、５Ｄｘｙｔ・・テンプレート上のテンプレート用アライメントマーク、２０・・テンプレート、２１・・ウェハー、２２・・露光光束、２３、２４・・アライメント用観察系、２５・・テンプレート、２６、２７・・アライメント用光学系、４１、４２、４３、４４・・アライメント光学系
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置および方法並びにインプリント用テンプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術、特にナノインプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。ナノインプリントでは、転写するべきショットのパターンをテンプレートのメサ上に形成すべく、電子線描画装置等の装置が用いられる。電子線描画装置等の装置を用いて微細パターンが形成された型を原版として該パターンを転写すべきシリコンウエハやガラスプレート等の基板上に押印して転写することで微細パターンが形成される。この微細パターンは、基板上にナノインプリント用の樹脂を塗布し、その樹脂を介して基板に型のパターンを押し付けた状態でその樹脂を硬化させることによって形成される。
【０００３】
現在実用化されている主なナノインプリント技術としては、熱サイクル法および光硬化法をあげることができる。熱サイクル法では、熱可塑性のナノインプリント樹脂をガラス転移温度以上の温度に加熱し、樹脂の流動性を高めた状態で樹脂を介して基板に型を押し付ける。そして、冷却した後に樹脂から型を引き離すことによりパターンが形成される。一方、光硬化法では、紫外線硬化型のナノインプリント樹脂を使用する。基板上に塗布された樹脂に、石英などの光透過性材料で作られた型を押し付けた状態で紫外線を照射して樹脂を硬化させた後、硬化した樹脂から型を引き離すことによりパターンが形成される。熱サイクル法は、温度制御による転写時間の増大および温度変化による寸法精度、あるいは位置精度の低下を伴うが、光硬化法には、そのような問題が存在しないため、光硬化法がナノスケールの半導体デバイスの量産において有利である。
【０００４】
これまで樹脂の硬化方法や用途に応じて多様なナノインプリント装置が実現されてきた。半導体デバイス等の量産向け装置を前提とした場合、ジェット・アンド・フラッシュ式インプリントリソグラフィ（以下ＪＦＩＬ）を応用した装置が有効である。ＪＦＩＬに適合したナノインプリント装置が特許文献１に開示されている。このようなナノインプリント装置は、基板ステージ、ナノインプリント樹脂の塗布機構、インプリントヘッド、光照射系および位置決め用のアライメントマーク検出機構を有する。インプリント動作は１回の押印するショットの面積が限られているため、光露光装置のようにステップ・アンド・リピート形式で行われる。
【０００５】
ナノインプリントの半導体応用では先ずメモリー素子への適用が考えられている。メモリー素子は大量生産によるコスト削減が第一の課題であり、コスト削減の最も効果的なのが微細化であった。ナノインプリント技術はよく知られているように微細加工能力に優れており、メモリー素子の要求に最もマッチしている。
【０００６】
従来のナノインプリント（以下、単にインプリントと呼ぶことにする）装置におけるアライメント動作は以下のようにして行われていた。ウェハーと型であるテンプレート（以降本発明ではテンプレートと呼ぶことにする）には予め押印時に重なる配置でアライメントマークが形成されている。ウェハーの各ショットにおける位置合わせ計測は該ショットのウェハー・アライメントマークとテンプレート上のアライメントマークを重ね合わせた状態で行う。即ち、位置合わせ状態を光学的に観察し、ずれ量を補正駆動した後、露光光を照射して樹脂を硬化させる方式を採用していた。
【０００７】
テンプレートとウェハーの所定部分に予め形成されているアライメントマークは半導体素子チップ製造のコスト削減のため、できる限り小型化することが求められており、従来の光露光機ではチップとチップの間のスクライブラインの中に収納される。半導体用のインプリント装置ではスクライブに隣接してモートと呼ばれる大きなアライメントマーク専用領域を各ショットに用意する方式が提案されていた。理由は後述のインデックス・マッチング効果を回避するためである。インプリント技術がまだ実験レベルの場合はモートでもよかった。しかしながら、インプリント技術を実際の量産に用いようとするとなると、モートのような大きな専用領域を各ショットに設けるのは、ウェハー上の有効領域を減らしてしまう問題がある。また、モート部にインプリント用の樹脂が塗布されないため、インプリント後のエッチングプロセスとの整合性にも問題があった。
【０００８】
上記の理由によりアライメントマークも半導体製造で用いられる他のＴＥＧマークと同じくらいの大きさにし、スクライブラインの中に格納することが、求められるようになってきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４１８５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、スクライブラインの中にアライメントマークを入れようとすると以下のような問題が生じる。第１の問題はインデックス・マッチングによりテンプレート信号検出が困難になることである。テンプレート側のアライメントマークは石英などでできたテンプレートをエッチングして作られるため、ガラスの上に単純な凹凸が形成された構造をしている。
【００１１】
押印時、凹凸構造のアライメントマーク部にインプリント用の樹脂が入り込むと、両者（石英等とインプリント用の樹脂）の屈折率が殆ど同じであるために、テンプレートのアライメントマークが見えなくなってしまう現象が生じる。インデックス・マッチングと呼ばれる現象である。このためテンプレート側のアライメントマークに薄膜を付けて光学的にマークが見えるようにする手段が提案されている。例えばアライメントマークの凹凸部の一方に選択的に金属薄膜を付ける手法である。
【００１２】
しかしながらインプリントの場合、何回も押印を繰り返すとテンプレートが汚れるので定期的な洗浄が要求される。一般的に金属薄膜は洗浄に耐久性がなく、数回洗浄するとなくなってしまい、テンプレートの寿命に制限を与える。インデックス・マッチング対策は必須なのであるが、アライメントマークに金属薄膜付着という細工をするとテンプレート寿命に制限が付くというのが第１の問題である。
【００１３】
第２の問題はアライメントマークが押印するごとにつぶれてしまい、マークの個数が沢山必要とされることである。従来の光ステッパーではグローバルアライメント方式が取られていたために、ウェハー上のアライメントマーク位置に相当するレチクルの部分を遮光部にしておけば、ポジレジストの場合、マーク上にレジストが残って、以降の工程でマークの保護を行うことができた。ネガレジストの場合は逆に開口部にすれば同様の効果が得られる。
【００１４】
しかしながら、従来のインプリントではウェハーマークの上にテンプレート上のマークを重ね、相互のずれ量をチェックした後、露光が行われる。これは押印に伴うテンプレートとウェハーの接触に伴い、両者が物理的に動く可能性があるためで、露光前に位置合わせ状態を直接チェックしているのである。このため、露光時にはウェハーのアライメントマークの上にテンプレートのアライメントマークがインプリントされてしまう。
【００１５】
アライメントマークは各工程で使い捨てとなり、前の工程で使ったアライメントマークを次の工程で使うことができない。即ち、使用する工程分の数のアライメントマークが必要なことになる。インプリント工程が多いほどアライメントマークの占有領域は大きくなり、半導体素子の設計上大きな制約となる。
【００１６】
第３の問題はコストである。インデックス・マッチングを回避するために、テンプレート上のアライメントマークに金属等の薄膜を適用するのは、テンプレート作成工程で余分な工程が必要とされる。インプリントの場合、テンプレートには接触に伴う寿命があるため、テンプレート価格がランニングコストに大きな影響を持つ。即ち、薄膜の適用はインプリントに特に要求されるテンプレートのコストダウンという要求に矛盾しているのである。
【００１７】
このため、本発明では高いアライメント精度を保ったまま、薄膜を必要とせずにテンプレート上のアライメントマークの信号を得ることができ、ウェハー上のマーク保護が可能なアライメント方式を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本課題を達成するため、本発明では本来押印するべきショットの外側の領域にテンプレート用のアライメントマークを配置し、該アライメントマークとウェハーのアライメントマークを観察することによって位置合わせを行うことを特徴とする。なお、本明細書では実際に押印されてパターンを転写する領域全体をショットと言うことにする。ショットの中には複数個のチップが入ることもあるし、大きいと１つのチップしか入らないこともある。チップとは最終的に切り離されるＩＣそのものである。
【００１９】
テンプレート用のアライメントマークが実際に押印するショット部と物理的に分離された位置にあることにより、アライメント時、テンプレートとウェハーのアライメントマークの間には未露光の流動性あるインプリント用樹脂が存在しない。従って、従来のようにテンプレート側のアライメントマークの凹凸を樹脂が埋めていくことがなく、インデックス・マッチング問題が起こらず、高精度なアライメントを行うことが可能となる。
【００２０】
本発明では実際に押印してパターンを形成させるメサと言われる部分と同面（同じ高さ）でテンプレート用のアライメントマークをメサ部と分離して選択的に形成したテンプレートを用いることを特徴とする。メサ部とテンプレート用のアライメントマークの高さを同一にすることによってテンプレート上にＥＢでパターン形成する時に同時描画が可能となり、高精度なアライメント精度を達成することが可能となる。
【００２１】
本発明にはいくつかの実施形態が考えられるが、好ましい実施形態の一つではテンプレートが押印状態にある時、テンプレート上に設けられたアライメントマークの位置を、ウェハー上にあらかじめ形成されている押印ショット以外のスクライブラインに入っているアライメントマークの位置と対応させる。スクライブラインはショットの一番外側に存在するスクライブラインでもよいし、露光するショットが複数個のチップで構成されているときには、チップ間を区切るスクライブラインであっても構わない。
【００２２】
この場合、押印動作中にテンプレートのアライメントマークとウェハー上のアライメントマークは同時に観察可能となる。押印動作中も観察可能であることから、アライメント精度向上が可能となる。更に、押印対象ショットを挟む複数個の位置でアライメント状態をモニターし平均化等の処理をすることで、アライメント精度のさらなる高精度化を図ることも可能である。
【００２３】
本発明の別の実施形態では、予めテンプレート側のアライメントマークとウェハー側のアライメントマークを合わせて計測した後に所定量ステップしてから押印動作に入ることを特徴とする。この場合、テンプレート上のアライメントマークの位置は必ずしもウェハーのスクライブラインの位置と合致する必要はなく、素子の特徴に応じて決めることが好ましい。特に本発明の場合、押印時にテンプレート側のアライメントマークがウェハーと接触する可能性がある。接触しても素子の損傷が起こりにくい箇所にテンプレート側のアライメントマークの位置をあらかじめ選んでおけば、接触に伴うダメージ発生のリスクを最小化することができる。
【００２４】
本発明ではウェハー上のアライメントマークが実際にアライメント信号を検出される時間と、押印される時間が異なっている。従って本発明では押印時、ウェハー・アライメントマークに対応するテンプレート側の部分にマークを刻まないことを特徴とする。この結果、押印後もウェハー・アライメントマークの上には表面がフラットな形状の樹脂がのっているだけとなり、マーク保護が可能となる。
【００２５】
本発明ではアライメント計測を行う場合、テンプレート上のアライメントマークとウェハー側のアライメントマークの間には未露光の樹脂を挟まず、押印してパターンを形成するいわゆるメサ部分にのみ未露光の樹脂を挟んでいる。このため、本発明では樹脂の塗布において、メサ部と同じ高さにあるテンプレート側のアライメントマークに相当する部分に未露光の樹脂が塗布されないようにして、インデックス・マッチング問題を回避する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明では押印メサとは離れた場所にアライメント用のメサ部を作ることにより、アライメントマークの保護が可能なアライメントを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１実施形態のナノインプリント方法の個性を示した図である。
【図２】本発明の第１実施形態と従来例の観察光学系の配置図である。
【図３】本発明の第１実施形態の別の実施形態のナノインプリント方法を示した図である。
【図４】本発明の第１実施形態の観察光学系の別の配置図である。
【図５】本発明の第２実施形態のナノインプリント方法の構成を示した図である。
【図６】本発明の第１実施形態のナノインプリント方法の手順を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
《第１の実施形態》
以下に、本発明の好ましい実施形態を添付の図面に基づいて詳細に説明する。まず、インプリント装置とは、テンプレートに形成された凹凸パターンをウエハやガラスなどの基板上に配された（塗布された）インプリント用の樹脂に転写するものである。より具体的には凹凸パターンと光硬化機能を有するインプリント用の樹脂を接触させて、インプリント用の樹脂が凹凸パターンの間に入り込んだ状態で、紫外光を照射してインプリント用樹脂を硬化させる。硬化後のインプリント用の樹脂から、凹凸パターンが形成されているテンプレートを引き剥がすことで、転写が完了する。
【００２９】
図１（Ａ）は本発明を適用した場合の押印ショット１と隣接ショット１Ｒ、１Ｕ、１Ｌ、１Ｄ及びアライメントマークの位置を示した図である。前述したようにショットとは一回に押印してパターンを形成するエリアを言う。また、チップとは最終的に切り離されてＩＣとなるエリアと定義する。ショット内には整数個のチップが配列されているのが普通で、図１（Ａ）の場合には一つのショットが２ｘ３の６チップで構成されている。
【００３０】
ショット内のチップの間には最終的にチップを切り離すための切りしろであるスクライブラインが形成されている。また、ショットの周辺部も隣りで押印されるショットにあるチップと隣接する。従ってショット周辺部にもスクライブラインが形成されている。インプリントが最も適用されやすいメモリー素子ではショット内に複数個のチップが存在する場合が多いが、ロジックでは素子のサイズが大きいため１チップしか入らない場合もある。
【００３１】
図１（Ａ）では押印ショットを１とし、１に隣接するショットの右側を１Ｒ、上側を１Ｕ、左側を１Ｌ、下側を１Ｄとネーミングしている。ネーミングの仕方は以降の図でも同様である。インプリント装置はステップ・アンド・リピートでパターン形成が行われていくので、基本的に各ショット内に形成されるパターンは同一である。本図の場合、押印される対象のウェハー上には予め前の工程でパターンが形成されている。
【００３２】
前の工程でパターンを形成する露光装置としては液浸スキャナーが想定される。本実施形態の場合、１つのショットの大きさは液浸スキャナーが１ショットで露光できるエリアと同一であるように設定されているが、異なる大きさの場合にも本発明の考え方は適用可能である。
【００３３】
最近の液浸スキャナーはダブルパターニングへの適用が考えられているため、ショット間の精度が１ｎｍからサブｎｍオーダーの値で形成されるようになってきた。本発明ではあるショットを押印する際、押印対象となるショットのウェハー・アライメントマークを用いず、隣接するショットのウェハー・アライメントマークを用いることを特徴とする。隣接ショットのアライメントマークを用いるとショットが異なるため、同一ショット内のテンプレートのパターニング誤差にステージ誤差がのってアライメント精度が劣化するように思われる。
【００３４】
しかしながら、発明者の分析によると最近の液浸スキャナーのステージ精度向上に伴い、ステージ起因のアライメント精度の劣化は無視できるようになってきた。インプリントでは押印するテンプレート上のパターンが等倍であるため、スキャナーにおける４倍レチクルのように、倍率による描画精度緩和の恩恵が受けられない。むしろ、等倍パターン内部のパターン間の描画による位置誤差はショット間のステージ誤差より大きくなってしまった。
【００３５】
従って、押印対象ショット内にあるウェハー・アライメントマークを用いても、隣接ショットにあるウェハー・アライメントマークを用いてもトータルのアライメント精度は殆ど変わらなくなってしまったというのが発明者の分析である。本発明はこのような状況の変化を取り入れて初めて可能となった。
【００３６】
図１では各ショットのスクライブラインの中の３か所にＸＹの計測が可能なマークが３個入っている。この３個は隣接ショットにも同じように作られている。本実施形態では隣接ショットのウェハー・アライメントマークが、押印対象ショットを押印する状態でテンプレートのアライメントマークと重ねて観察できる位置関係にあることを特徴としている。
【００３７】
即ち、テンプレートのメサ上のパターンから分離した位置でテンプレートと基板双方のアライメントマークを重ねた状態で観察する。そして、アライメント観察において、テンプレート側の個々のアライメントマークに対してそれぞれ２つのパラメータを持たせる。
【００３８】
具体的には右側の隣接ショット１Ｒ では１Ｒｘｙ、上の隣接ショット１Ｕ では１Ｕｘｙ、左側の隣接ショット１Ｌでは１Ｌｘｙ、下側の隣接ショット１Ｄでは１Ｄｘｙというマークを使う。ここでｘｙという添字はそのマーク一つでＸとＹ両方向の計測が可能であるという意味である。
【００３９】
本発明では押印対象ショット１が押印位置にある時、隣接ショットでアライメント計測を行うため上述のマーク１Ｒｘｙ〜１Ｄｘｙの対応する位置にテンプレート側のアライメントマークを設ける。テンプレート側のアライメントマークは１Ｒｘｙ〜１Ｄｘｙに対応して１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔで示した位置に設ける。添字ｔはテンプレート側のマークであることを示す。
【００４０】
従ってテンプレートを押印されるウェハー側から眺めたのが図１（Ｂ）で、四角で囲ってある１及び１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔの部分がメサとなって出っ張っている。図１（Ａ）と図１（Ｂ）は観察方向が異なるところから、はんこうの関係でミラー像のように反転した関係になっていることに注意が必要である。
ウェハー・アライメントマークはスクライブラインの中に入れるのが量産時の要求である。
【００４１】
従って、本実施形態でのテンプレート側のアライメントマークは隣接ショットにおけるスクライブ線上の位置に配置することを特徴としている。スクライブ線上にあるということは、テンプレート側のアライメントマーク観察の位置の少なくとも一方の座標がショット周辺部からチップの整数倍離れた位置にあることを意味する。なお、ここで言う座標とはメサ部１ｔの周辺部に沿って設定できるＸＹ座標を意味している。なお、テンプレート２５のメサ部１ｔ上には転写するデバイスのパターン（凹凸パターン）が形成されいてることは言うまでもない。
【００４２】
装置側も図２（Ａ）に示すように、押印ショット部から離れた位置にあるマークを観察する位置に観察系を配置し、該観察結果に基づいて位置合わせすることを特徴としている。このため観察系の観察位置座標の少なくとも一方は、ショット周辺部からチップの整数倍離れた座標位置を観察する状態にあることを特徴としている。また、観察系の配置は押印ショットのメサ部１ｔを挟みこむように設けられる。挟み込むことによって、ステージ精度棟の平均化を図ってアライメント精度の向上を期待することができる。
【００４３】
図中、２０はテンプレート、２１がウェハーである。テンプレート側のアライメントマークが記されている１Ｒｘｙｔ、１Ｌｘｙｔの位置がＩＣパターンを記したメサ部１ｔから離れているために、露光光束２２と観察光学系２３、２４との分離が容易になる。これは図２（Ｂ）の従来例の構成と比べると一目瞭然であろう。図２（Ｂ）では観察位置がテンプレート２５のメサ１ｔの端に設定されるので、観察光学系２６、２７と露光光束２２との分離がギリギリで観察光学系に対する設計上の制約が厳しくなる。
【００４４】
図１（Ｃ）は図１（Ａ）のＡ−Ａ’断面におけるテンプレートの構造を示したものである。テンプレートは先に述べたように押印するショット部分１が台地状にもりあがったメサ構造１ｔとなっている。もりあがり量は１０〜数１０ｕｍの範囲の値が一般的である。これに対しテンプレート側のアライメントマーク部１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔもメサ部１ｔと同じ高さのメサ構造になっていることを特徴としている。
【００４５】
図１（Ｃ）はＡ−Ａ’断面であるので１Ｒｘｙｔと１Ｌｘｙｔがメサ部１ｔと同じ高さになる様子を示している。同じ高さにした結果、テンプレートを作る際にメサ部１ｔとアライメントマーク部１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔを一回の電子ビーム（ＥＢ）描画で露光することができ、パターンの高精度描画が可能となった。メサ部と同じ高さにしないと複数回のＥＢ描画を繰り返すことになり、テンプレートの実素子が描画される１ｔとアライメントマーク部にあるパターン間の位置合わせ精度を出すことが困難である。
【００４６】
テンプレートの製作には２つの段階が考えられる。一つはＥＢ描画で原版となるマザーテンプレートを作る工程、もう一つはそのマザーテンプレートにインプリントするレプリカ法によって子テンプレートを沢山作る工程である。マザーテンプレートを実際のウェハーの押印に用いてもよいが、ＥＢ描画に時間がかかり高価なので、通常は子テンプレートがウェハーの押印に用いられる。子テンプレート作成においても、図１（Ｃ）のようにＩＣパターンの形成されているメサ部１ｔとアライメントマーク部１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔのメサ部の高さがそろっていることが望ましい。
【００４７】
テンプレート側のアライメントマーク用に分離されているメサ部１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔには基本的にはアライメントマークの部分のみあればよい。しかしながら、アライメントマーク部のメサエリアの大きさは子テンプレート形成プロセスの関係から、アライメントマークの占める領域より大きくしてもよい。例えばメサ部１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔに形成するテンプレートのアライメントマークの深さ方向のエッチングを実素子部と同じように行うには、エッチング時、実素子部とアライメントマーク部の上の樹脂の厚さを同一にする必要がある。
【００４８】
厚さを揃えるためにテンプレート側のアライメントマーク領域のメサの面積を調整する。ＪＦＩＬのような液滴を使う塗布方法では、液滴の量とメサ部の面積、パターンの占める割合で樹脂の厚さが決まるため、アライメントマーク部のメサの面積を調整して厚みを制御する必要がある。
【００４９】
テンプレート側のアライメントマークのメサ部の面積を大きくする場合はスクライブ線に沿って大きくすることが好ましい。スクライブ線に沿って大きくするということは、テンプレート側のアライメントマーク部の占める領域がウェハー側のスクライブ線の中に納まるという幾何学的関係が成立することを意味する。テンプレート側のアライメントマークを隣接ショットのウェハー・アライメントマークに合致する位置に設ける場合、押印時にアライメントマーク同士が接触する可能性がある。これを回避するためにスクライブ線方向に大きくするのであるが、本件については後述する。
【００５０】
一方、ウェハー側のアライメントマークはこれまで何回も説明に出てきたように、ショットの一番周辺の部分も含めチップ間のスクライブ線上に形成されている。最も極端な１ショット１チップ構成の場合には、アライメントマークは周辺部に配置される。図１の例では１つのショットが２ｘ３の６チップ構成となっており、ＸＹ方向を検出するアライメントマークが両方ともスクライブ線の幅の中に入る場合を示した。
【００５１】
もし、アライメントマークの領域が大きくて、一方向がスクライブ線の中に入りきらない場合には図３に示すように、Ｘ方向検出用マーク、Ｙ方向検出用マークを別々に配置していく必要がある。図３は各ショットのスクライブラインの中の２か所にＸ計測用、２か所にＹ計測用マークが入っている例である。各２個、計４個のアライメントマークはウェハー上の各ショットに同じように予め形成されている。押印ショット３のアライメントは押印状態で隣接ショットのウェハー・アライメントマークをテンプレートのアライメントマークと重ねて観察することによって行われる。
【００５２】
具体的には右側の隣接ショット３Ｒでは３Ｒｘと３Ｒｙ、上の隣接ショット３Ｕ では３Ｕｘと３Ｕｙ、左側の隣接ショット３Ｌでは３Ｌｘと３Ｌｙ、下側の隣接ショット３Ｄでは３Ｄｘと３Ｄｙというマークを使う。ここでｘとｙという添字はそのマークでそれぞれＸとＹ方向を計測に使用するという意味である。
【００５３】
本実施形態では押印対象ショット３が押印位置にある時、隣接ショットでアライメント計測を行う。そのため上述のマーク３Ｒｘ〜３Ｄｙに対応してテンプレート側のアライメントマークを３Ｒｘｔ、３Ｒｙｔ、３Ｕｘｔ、３Ｕｙｔ、３Ｌｘｔ、３Ｌｙｔ、３Ｄｘｔ、３Ｄｙｔで示した位置に設ける。添字ｔはテンプレート側のマークであることを示す。従ってテンプレートを押印されるウェハー側から眺めたのが図３（Ｂ）で、四角で囲ってある実素子部３ｔ及び３Ｒｘｔ〜３Ｄｙｔの部分がメサとなって出っ張っている。
【００５４】
図３（Ａ）と図３（Ｂ）では観察方向が異なるところから、はんこうの関係でミラー像のように反転した関係になっている。ウェハー・アライメントマークはスクライブラインの中に入れるのが普通である。従って、本実施形態でのテンプレート側のアライメントマークは隣接ショットにおけるスクライブ線の中に納まるように配置する。スクライブ線上にあるということは、テンプレート側のアライメントマークの位置座標の少なくとも一方がショット周辺部からチップの整数倍離れた位置にあることを意味する。
【００５５】
図中のＳｘとＳｙはチップのＸ及びＹ方向の大きさを示しており、Ｙ方向を計測するマークはＳｘの整数倍、Ｘ方向を計測するマークはＳｙの整数倍だけメサ３ｔの周辺部から離れている。対象ショットの押印を行う場合、隣接ショットの上にはインプリント用の樹脂の液滴が塗布されていない。従って隣接ショットのウェハー・アライメントマークとテンプレート上のアライメントマークの間には未露光状態の樹脂が存在しないので安定したアライメント信号を得ることができる。
【００５６】
従来のように押印するショット１ｔあるいは３ｔ部内にテンプレート側のアライメントマークがあると、押印するメサ部とウェハーの間に未露光状態の樹脂が液滴状態で散布され、押印によって広げられていた。未露光状態の樹脂は流動性があり、押印によって流れ込み、テンプレート側のアライメントマークの凹凸部に侵入して該凹凸構造を埋めてしまう。テンプレート材質には通常石英が用いられるので屈折率は約１．５、一方樹脂の屈折率も約１．５である。
【００５７】
テンプレートのアライメントマークの凹凸が未露光の樹脂によって埋められると光学的にいうインデックス・マッチング効果が起こる。テンプレート側の凹凸は屈折率が同じため屈折力を失い、本来のアライメントマークとしての作用を失ってしまう。
初期のインプリント装置ではテンプレートとウェハーアライメントにおいてモートと呼ばれる特別な領域をアライメント専用に作り、該モート部に未露光樹脂が回らないようにしていた。
【００５８】
モート部で観察すればテンプレートのアライメントマーク部に未充填樹脂が回り込んでこないので、アライメント信号を検出することができた。しかしながら、メモリー素子のようにコストが重要な製品を作る際は、モートのような素子機能に関係ない領域がデッドスペースとなってウェハーの有効領域を小さくしてしまう。従って、これまでの実施形態で説明してきたように、もともとチップを切り離すために設けられていたスクライブ線の中にアライメントマークを収納する必要性が生まれた。
【００５９】
スクライブ線は実素子に隣接しているので、押印時に未露光樹脂が流れ込みインデックス・マッチング効果が発生してしまう。そこにテンプレート側のアライメントマークに光学的な薄膜を付けて、故意にコントラストを生成させるような手段を取ってきた。しかしながら、そのような薄膜は洗浄耐久性が問題であるだけでなく、製作に余分な工程を必要とするため、安価に作るべきインプリント用テンプレートを高価にしてしまう副作用も持っていた。
【００６０】
本実施形態による隣接ショットアライメントでは未露光樹脂による充填問題がないため、インデックス・マッチング現象が起こらず、テンプレート側のアライメントマークの凹凸は本来の役目を果たすことができる。従って余分な膜形成というプロセスが不要で、テンプレートのコストアップを最小限にすることができる。
【００６１】
本実施形態の露光装置では押印ショット内にあるウェハー・アライメントマークは自ショットを押印する時の位置合わせには使用せず、隣接ショットを押印する時に位置合わせに使用する。従ってウェハー・アライメントマークの観察に関しては２つの状態がある。一つは押印前の状態で観察される状態、もう一つは押印された後、ウェハー・アライメントマークの上に露光後の樹脂が存在した状態である。前者の場合はウェハー・アライメントマークが最初の状態のまま観察されるので問題ないが、後者の場合はマーク上にのった露光後樹脂上に余分なパターンが存在すると誤信号を与える恐れがある。
【００６２】
そのため本発明では、押印時、ウェハー・アライメントマークに対応する位置にあるテンプレートの部分のパターンが余分な信号を与えない形状、例えば平坦なパターンであることを特徴とする。樹脂自体は観察光に対して透明なので、表面形状がフラットであればもともと形成されているウェハー・アライメントマークを歪なく観察することができる。ただし、光学的な信号検出の観点からは、ウェハー・アライメントマーク部の上に例えフラットな形状でも樹脂の有無による出力差がある。
【００６３】
よって、装置側ではアライメント観察において、テンプレート側の個々のアライメントマークに対してそれぞれ２つのパラメータを持ち、この２つのパラメータが基板側のアライメントマークの上のインプリント用の樹脂の有無に対応したパラメータとする。即ち、装置側では上記２つの状態に対し別々のオフセット、あるいは観察光学系の状態制御、例えば最適波長選択などの制御を可能とする必要がある。
【００６４】
押印時、ウェハー・アライメントマークに余分な信号成分を与えないということは、このマークが後続する工程でも使用可能であることを意味する。従来方式では押印ショット内にあるウェハー・アライメントマークとテンプレート・アライメントマークを同時観察した後、マーク同士がアライメントされた状態で紫外線照射が行われる。
【００６５】
従って、押印後、ウェハー・アライメントマークの上の樹脂にはテンプレート・アライメントマークの凹凸パターンがしっかりインプリントされてしまい、後続する工程で使用することができない。本特許はウェハー・アライメントマークの保護を可能とし、アライメントマークの個数を削減することを可能とした。
【００６６】
本発明のテンプレート側のアライメントマークは押印ショットに対して対称の位置に配置することが望ましい。点対称の位置に配置するのが最も好ましいが、ＩＣ素子の配置に制約があるため、線対称でも効果がある。押印ショットに関して対称なアライメント検出位置の測定結果を平均化処理することによって、先に述べた前工程でウェハーを作成した際のステップ誤差を平均化して、アライメント精度を向上させることができる。
【００６７】
そして、複数個のアライメントマーク観察位置の転写するべきショットパターンのメサ部に対する配置の非対称性を補正して計算し、アライメント動作を行う。即ち、対称位置からずれた時は、幾何学的な配置に応じて内挿時に重みをかけるように、非対称性の処理を導入して対処することができる。
【００６８】
対称配置による計測が行えないのは、ウェハーのエッジ部に来て、一方しかウェハーのアライメントマークが存在しない場合である。その場合は片方のショットの結果からエッジショットのずれを類推する。隣接ショットからエッジショットのずれを類推する場合、以下が好ましい。即ち、ロットの１枚目のウェハーは全ての隣接ショットのあるショットの押印から始めて、各テンプレート側のアライメントマークの測定値と、各ショットの最終補正値との相関を学習してから、エッジショットの押印に行くことが好ましい。このような学習を１枚もしくは数枚行った後、エッジショット押印時のくせをオフセット値として記憶すれば、以降はスループットの最も早い順序で押印することが可能である。
【００６９】
隣接ショットアライメントにおける他の特徴は位置合わせの高速化が可能なことである。従来の押印ショット内に配置した位置合わせマークを用いる場合、ウェハーとテンプレートの間を未露光の樹脂が充填してから計測を開始することが前提であった。ＪＦＩＬの場合、予め樹脂の液滴をウェハーの上に置き、押印動作によって延ばして樹脂を一様に分布させる。この延ばしの過程で、ウェハー・アライメントマークとテンプレート・アライメントマークの構造の中に未露光樹脂が入っていく。樹脂が入っていく過程はアライメントマーク部を観察すると接液部がだんだん拡がっていく時間であり、その間、アライメント信号は極めて不安定である。
【００７０】
一方、本実施形態の隣接ショットでアライメント信号を検出する場合はウェハーとテンプレート側のアライメントマークの間に流動性の未露光樹脂が存在しないため、最初から安定した信号が取得できる。従って、本発明では複数個のアライメント位置における観察を、次のショットにステップ移動し押印ショット部で未だ樹脂が充填過程にある時点からアライメント信号を取って位置合わせする。具体的には複数個のアライメント位置における観察を、基板がテンプレートのメサ部に対して相対的にステップ移動した時点から、押印が終了するまで行うことを特徴としている。充填には数秒かかることもある。
【００７１】
しかも従来の押印部にアライメントマークがある場合、マークの位置が最外周部にあって充填が最後となるため、充填完了までは待ち時間となってしまう。本発明では充填期間中からアライメント信号をモニターできるため、アライメント時間を大幅に短縮できる。また、押印完了まで計測し続けることによって、押印する際のテンプレートとウェハーの接触時に起こる不測の事態にも対応することができる。例えば、押印時にゴミなどを挟んで押印動作がうまくいかない場合は、アライメント信号に異常値が出やすい。
【００７２】
アライメント観察中に異常値が出た時は警告信号を装置本体の制御部に出力し、状態に応じて装置を止める、あるいはインプリント動作を中止して、次のショットに移るといった判断を行う。異常値の検出としては、ショットを挟んだ関係にある２つのアライメント信号の計測値が、次ショットへステップした時に得られると予測した値からある閾値以上ずれることを検出するなどといった基準が適用される。
【００７３】
本発明では図１（Ｃ）に示すようにテンプレート側のアライメントマークと押印部のメサ部を同面にするために、押印時ウェハーとテンプレート側のアライメントマークが接触する恐れがある。従来は接触を恐れて、隣接ショット側のアライメントマークの高さを押印部のメサパターンよりわずかに低くして対応しようという考えがあった。しかしながら前述のようにこの方法は、ＥＢ描画を別々に行う必要があるため、テンプレート側でアライメントマーク部と実素子マーク部の位置関係をｎｍレベルで高精度に保つことは不可能である。
【００７４】
本発明では両者を同面に保ってＥＢ描画を同時に行って位置精度を確保するとともに、接触を許容することを特徴とする。接触による破壊に強ければ、接触は許容されると考えるのである。接触するのであれば接触部は実素子部ではない方が望ましい。これが前に述べたテンプレート側アライメントマークのメサ部の領域を大きくする時、スクライブライン領域内に延ばす理由である。インプリント装置も露光装置の一つなので少なくともｕｍ程度のステージ精度は持っている。
【００７５】
従ってテンプレート側のアライメントマークのメサ部が接触するメサ側とウェハー側のパターンは予め設計することが可能である。従って、テンプレート側のアライメントマークの領域を対応するウェハーのスクライブラインの中に納めることも可能である。これに加え接触時にかかる圧力も計算可能である。たまたま接触した時もテンプレートとウェハーが１ｕｍ以上の幅を持つ線の状態で接触し結果的に両者が面で接触するような形式にパターンを設計すれば、接触時の障害発生は無視することができる。
【００７６】
接触はウェハーやテンプレートの面精度起因で発生するため、ピンポイントでは接触せず、領域として接触する。従ってパターン部の接触面積が大きく、太いパターンであれば破損の可能性が少なくなる。また、テンプレート自体も弾性力があるため、押し付ける力もそれほど強くない。
【００７７】
本実施形態の構成だと、隣接ショットからの類推のためショット間のステップ方向と、チップの回転誤差や、ショット内で生じているスキューや台形歪のような非線形な歪は補正することができない。しかしこれらの誤差はウェハーを作る前工程までの露光装置やプロセス機器の誤差である。例えばステップ方向とチップ回転誤差はインプリント前の露光装置起因の誤差である。これらの補正量は予めオフラインでグローバルな項目として入力しておけば、インプリント装置側で補正可能である。
【００７８】
以上述べてきたように、本実施形態では最近の液浸等の光学露光装置のオーバーレイ精度の向上により、従来、精度が落ちるものと考えられていた隣接ショットアライメントに新たな可能性を作りだすことができた。しかも、隣接ショットでの接触を許容して、実素子に当たらないようにマークを工夫することによって、問題画素の発生も無視することが可能となった。
【００７９】
また、アライメントマーク部が１ｔや３ｔのメサ部と離れたことで、観察光学系の構成が図４の４１〜４４の配置に見られるように自由度も大幅に増した。観察光学系のＮＡの増大、照明系のフレクシブルな配置を図ることができ、アライメントの高精度化にも寄与させることができる。
【００８０】
なお、本実施形態では隣接ショットの位置として上下左右のショットを用いる例を示したが、隣接として対角位置にあるショットを用いることも同様に可能である。
【００８１】
《第２の実施形態》
ロジックの場合のように１チップ１ショットのようになると、隣接チップとは言え、テンプレート側アライメントマークの位置は、押印部のメサからかなり距離があいてしまう。極端な例としてスキャナーのショットサイズ２６ｘ３３ｍｍ２を丸ごと１チップにした場合には、テンプレート側のアライメントマークの一方は３３ｍｍも離れた位置となる。これで良い場合も精度によっては勿論存在するが、もう少し近い位置でアライメントをモニターする方式が第２実施形態である。
【００８２】
図５（Ａ）は先ずウェハーの配置図である。図に示したようにきちんと配列ができており、これまでの例と同じく２ｘ３のチップ配列が１ショットとした。今回は隣接ショットではなく自ショットのアライメントマークと、テンプレート上に設けたアライメントマークで位置合わせを行う例となっている。本実施形態ではテンプレート側のアライメントマークは押印のメサ５ｔから離れた任意の位置に設定することができる。また本実施形態でも、実施形態１の図１（Ｃ）のようにアライメントマークのメサ部の高さは押印部のメサ５ｔと同一とする。
【００８３】
図５（Ｂ）はウェハー側の１ショット内のレイアウト、図５（Ｃ）はテンプレート側のレイアウト図である。ここではウェハー側の周辺のスクライブ線上にアライメントマーク５Ｒｘｙ、５Ｕｘｙ、５Ｌｘｙ、５Ｄｘｙが形成されている。一方、テンプレート側には５Ｒｘｙｔ、５Ｕｘｙｔ、５Ｌｘｙｔ、５Ｄｘｙｔがパターンのメサ部５ｔとともに形成されている。
【００８４】
本実施形態では５Ｒｘｙｔ、５Ｕｘｙｔ、５Ｌｘｙｔ、５Ｄｘｙｔの位置が必ずしもスクライブ線状に対応しているわけではない。このため、アライメントのシーケンスは図６に示されている。順番は任意であるが、先ず図６（Ａ）で５Ｒｘｙと５Ｒｘｙｔを重ねてアライメント計測をする。ついで５Ｕｘｙと５Ｕｘｙｔ、５Ｌｘｙと５Ｌｘｙｔ、５Ｄｘｙと５Ｄｘｙｔの順に合わせてアライメント計測を行い、これらの計測値を用いて５ｔのアライメントを決定するシーケンスとなる。
【００８５】
この場合、５ｔとテンプレート上の各アライメントマーク間の距離は予め設計値として分かっているので、不図示ではあるが干渉計あるいはエンコーダー等の計測系を別途設け、該干渉計の値をモニターしながらアライメント計測と、位置合わせ駆動が行う。この場合、テンプレートとウェハーの接触に伴うずれをモニターするため、計測系はウェハー、テンプレート双方に設けられる。
【００８６】
本実施形態でも第１の実施形態が持っていたテンプレートとウェハーの間に未充填の樹脂が入らないなどの特徴は同一である。ただし、第１の実施形態のように押印時にリアルタイムでモニターすることはできないので、干渉計の精度を信用することになる。またＲ→Ｕ→Ｌ→Ｄと４回計測しなければならないので、時間がかかる。従って、学習を積むことによっていくつかの計測を省略して高速化を図ることができる。
【００８７】
本実施形態もウェハー上のアライメントマークの保護を行うことができる。押印時のウェハーアライメントマークに対応するテンプレートのパターンは押印後も余分なアライメント信号を与えない形状、例えば平坦なパターンとすればよい。
【００８８】
また、本実施形態でも押印時にテンプレート側のアライメントマークがウェハーと接触する可能性がある。接触しても素子の損傷が起こりにくい箇所にテンプレート側のアライメントマークの位置をあらかじめ選んでおけば、接触に伴うダメージ発生のリスクを最小化することができる。
【００８９】
以上述べてきた実施形態では、押印メサとは離れた場所にアライメント用のメサ部を同じ高さで作ることにより、高精度でアライメントマークの保護が可能なアライメントを行うことができる。
【００９０】
また、以上述べてきた実施形態ではテンプレート側のアライメントマークに特別な薄膜を付けることなくテンプレート側のアライメントマークの信号の取得が可能である。そして、ウェハー側のアライメントマークの保護が可能なため同一のアライメントマークを複数回使うことができてアライメントマークの占有領域を小さくすることが可能である。また、特別な薄膜工程を必要としないので低コストでなテンプレートを提供することが可能である。また、テンプレートのアライメントマークと、実際に押印する実素子部のパターンを電子ビームで同時描画できるため、テンプレート内のパターンの相対位置精度を保証できる。
【００９１】
従ってテンプレート内部のパターン間の位置関係を高精度に保つことができ高精度なアライメントが期待できる。テンプレート内部の位置関係が高精度の保たれない場合はオフセット処理を行うことが考えられるが、オフセットの計測精度の問題、インプリントで頻繁にテンプレートを交換する必要があることを考えると、オフセット処理は実用的ではない。
【００９２】
好ましい実施形態の一つでは押印時に両者のアライメント状態をモニターしながら押印できるため、アライメントの高精度化につながる。また、従来のＪＦＩＬ方式は未露光の樹脂を液滴としてウェハー上に離散的に散布し、それを押印時に広げてつなげることによって樹脂の塗布を行う。このため、離散的な液滴として塗布された樹脂がウェハー上のアライメントマーク上に流れて行って全体をカバーするまでアライメント信号を取得することは不可能であった。
【００９３】
本発明ではテンプレートとウェハーのアライメントマーク間には未露光で流動性のある樹脂が存在しないため、樹脂の充填を待つことなく計測を始めることができる。このため、装置のスループットを高めることができ、処理能力の向上に効果が大きい。
【符号の説明】
【００９４】
１・・押印するショット、１ｔ・・押印ショットに対応するテンプレート上のメサ部、１Ｒ、１Ｕ、１Ｌ、１Ｄ・・押印ショット１に隣接するショット、１Ｒｘｙ、１Ｕｘｙ、１Ｌｘｙ、１Ｄｘｙ・・隣接ショットに存在するウェハー・アライメントマーク、１Ｒｘｙｔ、１Ｕｘｙｔ、１Ｌｘｙｔ、１Ｄｘｙｔ・・テンプレート上のテンプレート用アライメントマーク、３・・押印するショット、３ｔ・・押印ショットに対応するテンプレート上のメサ部、３Ｒ、３Ｕ、３Ｌ、３Ｄ・・押印ショット３に隣接するショット、３Ｒｘ、３Ｒｙ、３Ｕｘ、３Ｕｙ、３Ｌｘ、３Ｌｙ、３Ｄｘ、３Ｄｙ・・押印するショットの隣接ショットに存在するウェハー・アライメントマーク、３Ｒｘｔ、３Ｒｙｔ、３Ｕｘｔ、３Ｕｙｔ、３Ｌｘｔ、３Ｌｙｔ、３Ｄｘｔ、３Ｄｙｔ・・テンプレート上のテンプレート用アライメントマーク、５・・押印するショット、５ｔ・・押印ショットに対応するテンプレート上のメサ部、５Ｒｘｙ、５Ｕｘｙ、５Ｌｘｙ、５Ｄｘｙ・・ウェハー・アライメントマーク、５Ｒｘｙｔ、５Ｕｘｙｔ、５Ｌｘｙｔ、５Ｄｘｙｔ・・テンプレート上のテンプレート用アライメントマーク、２０・・テンプレート、２１・・ウェハー、２２・・露光光束、２３、２４・・アライメント用観察系、２５・・テンプレート、２６、２７・・アライメント用光学系、４１、４２、４３、４４・・アライメント光学系
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写するべきショットのパターンをテンプレートのメサ上に形成し、該パターンを転写すべき基板の上に押印して転写するインプリント装置において、該テンプレートの該メサ上のパターンから分離した複数個の位置で該テンプレートと該基板の双方のアライメントマークを重ねた状態で観察し、観察結果に基づいて該メサ上のパターンを該基板に押印することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
該複数個のアライメントマーク観察の位置の少なくとも一方の座標が、該メサの周辺部より前記ショットにあるチップの大きさの整数倍離れた位置に設定されることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
該複数個のアライメント位置における観察を、該基板が該テンプレートの該メサに対して相対的にステップ移動した時点から、押印が終了するまで行うことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記観察で異常値が出た場合には装置本体の制御部に警告信号を出すことを請求項３に記載のインプリント装置
【請求項５】
前記観察において、テンプレート側の個々のアライメントマークに対してそれぞれ２つのパラメータを持っていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項６】
該２つのパラメータが前記基板のアライメントマークの上のインプリント用の樹脂の有無に対応したパラメータであることを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
該複数個のアライメントマークの観察位置の該転写するべきショットパターンのメサ部に対する配置の非対称性を補正して計算し、アライメント動作を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項８】
転写するべきショットのパターンをテンプレートのメサ上に形成し、該パターンを転写すべき基板上に押印して転写するインプリント方法において、該テンプレートの該パターンから分離したメサ上の複数個の位置に設けられた該テンプレートのアライメントマークを介して該基板上に設けられたアライメントマークを観察し、観察結果に基づいて該メサ上のパターンを該基板に押印することを特徴とするインプリント方法。
【請求項９】
メサ上に設けられた該テンプレートのアライメントマークの領域が、対応する前記基板上に設けられたスクライブ線の中に納まることを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
該複数個の位置に設けられた該テンプレートのアライメントマークを介して観察する該基板上に設けられたアライメントマークが、押印されるショットとは異なるショットのアライメントマークであることを特徴とする請求項８または９に記載のインプリント方法。
【請求項１１】
該複数個の位置に設けられた該テンプレートのアライメントマークの位置が、押印状態において該基板上の押印ショットとは異なるショットのアライメントマークの位置と合致することを特徴とする請求項１０に記載のインプリント方法。
【請求項１２】
該複数個のアライメントマーク観察の位置の少なくとも一方の座標を該メサの周辺部より前記ショットにあるチップの大きさの整数倍離れた位置に設定してアライメント動作を行うことを特徴とする請求項１０に記載のインプリント方法。
【請求項１３】
該複数個のアライメント位置における観察を、該基板が該テンプレートの該メサに対して相対的にステップ移動した時点から、押印が終了するまで行うことを特徴とする請求項１１または１２に記載のインプリント方法。
【請求項１４】
該複数個のアライメントマーク観察位置の該転写するべきショットパターンのメサ部に対する配置の非対称性を補正して計算し、アライメント動作を行うことを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【請求項１５】
ロットの１枚目の基板は全ての隣接ショットのあるショットの押印から始め、該テンプレートの個々のアライメントマークの測定値と、各押印ショットの最終補正値との相関を学習することを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【請求項１６】
転写するべきショットのパターンをメサの上に形成し、該パターンから分離した複数個の位置にアライメントマークをメサの上に形成したことを特徴とするインプリント用テンプレート。
【請求項１７】
該転写すべきショットのパターンを持ったメサの高さと該複数個の位置のアライメントマークのメサの高さが等しいことを特徴とする請求項１６に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項１８】
該複数個の位置のアライメントマークの少なくとも一方の座標が、該メサの周辺部より前記ショットにあるチップの大きさの整数倍離れた位置に設定されることを特徴とする請求項１７に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項１９】
該アライメントマークの形成されたメサが対応する基板のスクライブ線の中に納まる大きさであることを特徴とする請求項１８に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項２０】
該転写すべきショットのパターンを持つメサ部で、押印時、基板側のアライメントマークとなる位置に対応する部分のパターンが押印後、余分な信号を与えない形状であることを特徴とする請求項１６に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項２１】
該余分な信号を与えない形状が平坦なパターンであることを特徴とする請求項２０に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項１】
転写するべきショットのパターンをテンプレートのメサ上に形成し、該パターンを転写すべき基板の上に押印して転写するインプリント装置において、該テンプレートの該メサ上のパターンから分離した複数個の位置で該テンプレートと該基板の双方のアライメントマークを重ねた状態で観察し、観察結果に基づいて該メサ上のパターンを該基板に押印することを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
該複数個のアライメントマーク観察の位置の少なくとも一方の座標が、該メサの周辺部より前記ショットにあるチップの大きさの整数倍離れた位置に設定されることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
該複数個のアライメント位置における観察を、該基板が該テンプレートの該メサに対して相対的にステップ移動した時点から、押印が終了するまで行うことを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記観察で異常値が出た場合には装置本体の制御部に警告信号を出すことを請求項３に記載のインプリント装置
【請求項５】
前記観察において、テンプレート側の個々のアライメントマークに対してそれぞれ２つのパラメータを持っていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項６】
該２つのパラメータが前記基板のアライメントマークの上のインプリント用の樹脂の有無に対応したパラメータであることを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
該複数個のアライメントマークの観察位置の該転写するべきショットパターンのメサ部に対する配置の非対称性を補正して計算し、アライメント動作を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項８】
転写するべきショットのパターンをテンプレートのメサ上に形成し、該パターンを転写すべき基板上に押印して転写するインプリント方法において、該テンプレートの該パターンから分離したメサ上の複数個の位置に設けられた該テンプレートのアライメントマークを介して該基板上に設けられたアライメントマークを観察し、観察結果に基づいて該メサ上のパターンを該基板に押印することを特徴とするインプリント方法。
【請求項９】
メサ上に設けられた該テンプレートのアライメントマークの領域が、対応する前記基板上に設けられたスクライブ線の中に納まることを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
該複数個の位置に設けられた該テンプレートのアライメントマークを介して観察する該基板上に設けられたアライメントマークが、押印されるショットとは異なるショットのアライメントマークであることを特徴とする請求項８または９に記載のインプリント方法。
【請求項１１】
該複数個の位置に設けられた該テンプレートのアライメントマークの位置が、押印状態において該基板上の押印ショットとは異なるショットのアライメントマークの位置と合致することを特徴とする請求項１０に記載のインプリント方法。
【請求項１２】
該複数個のアライメントマーク観察の位置の少なくとも一方の座標を該メサの周辺部より前記ショットにあるチップの大きさの整数倍離れた位置に設定してアライメント動作を行うことを特徴とする請求項１０に記載のインプリント方法。
【請求項１３】
該複数個のアライメント位置における観察を、該基板が該テンプレートの該メサに対して相対的にステップ移動した時点から、押印が終了するまで行うことを特徴とする請求項１１または１２に記載のインプリント方法。
【請求項１４】
該複数個のアライメントマーク観察位置の該転写するべきショットパターンのメサ部に対する配置の非対称性を補正して計算し、アライメント動作を行うことを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【請求項１５】
ロットの１枚目の基板は全ての隣接ショットのあるショットの押印から始め、該テンプレートの個々のアライメントマークの測定値と、各押印ショットの最終補正値との相関を学習することを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【請求項１６】
転写するべきショットのパターンをメサの上に形成し、該パターンから分離した複数個の位置にアライメントマークをメサの上に形成したことを特徴とするインプリント用テンプレート。
【請求項１７】
該転写すべきショットのパターンを持ったメサの高さと該複数個の位置のアライメントマークのメサの高さが等しいことを特徴とする請求項１６に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項１８】
該複数個の位置のアライメントマークの少なくとも一方の座標が、該メサの周辺部より前記ショットにあるチップの大きさの整数倍離れた位置に設定されることを特徴とする請求項１７に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項１９】
該アライメントマークの形成されたメサが対応する基板のスクライブ線の中に納まる大きさであることを特徴とする請求項１８に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項２０】
該転写すべきショットのパターンを持つメサ部で、押印時、基板側のアライメントマークとなる位置に対応する部分のパターンが押印後、余分な信号を与えない形状であることを特徴とする請求項１６に記載のインプリント用テンプレート。
【請求項２１】
該余分な信号を与えない形状が平坦なパターンであることを特徴とする請求項２０に記載のインプリント用テンプレート。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−１４２３２７（Ｐ２０１２−１４２３２７Ａ）
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２９２０７１（Ｐ２０１０−２９２０７１）
【出願日】平成２２年１２月２８日（２０１０．１２．２８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月２６日（２０１２．７．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月２８日（２０１０．１２．２８）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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